Резистивные для резисторов

Резистивные сплавы - сплавы для резисторов (элементов сопротивления) известны также под названием реостатные сплавы. [c.6]

Тугоплавкий металл рений применяется для создания тонкопленочных резисторов с высоким удельным поверхностным сопротивлением (до 10 Ом/а). Резистивные пленки рения находятся в стадии агломерации, в которой добавочное сопротивление появляется вследствие конечного расстояния между частицами пленки. Тугоплавкость рения позволяет использовать его даже при толщинах порядка 4 нм. Пленки получаются чаще всего посредством электронно-лучевого разогрева гранул рения в вакууме I ч-бПО Па. Осаждение пленок осуществляется при температуре подложки порядка 350°С. Пленки рения нуждаются в защите от воздействия атмосферы, поэтому их обычно покрывают защитным диэлектрическим слоем моноокиси или окиси кремния. Анализ характеристик резистивных пленок рения с удельным поверхностным сопро- [c.435]

Рассеяние электронов на нарушениях симметрии упаковки подобного типа может значительно превышать рассеяние на тепловых колебаниях решетки, следствием чего будет резкое снижение ТКС. Поскольку одновременно со снижением ТКС происходит существенный рост общего удельного сопротивления, один из путей получения резистивных материалов для тонкопленочных резисторов состоит в создании сплавов с высоким удельным сопротивлением. [c.439]

Нарезка резисторов. СОз-лазер сравнительно небольшой мощности может быть успешно применен для нарезки резисторов путем удаления в определенных местах резистивного тонкого слоя с цилиндрической керамической подложки [125]. Для этого излучение лазера фокусируется на поверхность заготовки, которая вращается вокруг своей продольной оси и одно-, временно поступательно движется вдоль нее. j q [c.169]

Экспериментальные данные о зависимости ширины нарезаемой канавки у от скорости перемещения фокального пятна по поверхности резистора представлены в табл. 27. В качестве сравнения отметим, что для резистивных слоев МЛТ при скорости резания 13 см/с ширина канавки составляла 60—80 мкм независимо от исходного значения резисторов, имевших разброс в пределах одного порядка. [c.170]

Методом испарения в вакууме или катодным распылением в инертном газе создают резистивные пленки из материала на основе твердого раствора дисилицидов титана и хрома. Изготовленные из них высокоомные и низкоомные пленочные резисторы интегральных схем имеют линейную зависимость электросопротивления от температуры в диапазоне 400 - 4,2 К и удельную мощность рассеяния до 2 кВт/см против 0,2 кВт/см для других известных материалов. [c.205]

Для нанесения электродов керамических конденсаторов, для изготовления проводников и резисторов толстопленочных микросхем широко используют проводящие и резистивные пасты. Пасты обычно наносятся методом вжигания, поэтому подложка (керамика, стекло, ситалл) должна выдерживать необходимый режим термообработки. [c.45]

Пассивная часть электрической схемы, состоящая из резисторов и проводников, выполняется методами толстопленочной технологии путем нанесения на керамическую подложку через систему трафаретов топологического рисунка, образованного слоями проводниковых и резистивных паст. После термической обработки подложки (вжигания) образуется пассивная часть электрической схемы, на которую методом поверхностного монтажа устанавливаются бескорпусные компоненты с подготовленными для поверхностного монтажа выводами. Перед установкой активных компонентов проводится подгонка резистивных эле- [c.259]

Простейший рычажный механизм — двухзвенный, который состоит из неподвижной стойки и звена, вращающегося относительно стойки на шарнире. Такой простейший механизм можно использовать для преобразования углового перемещения звена в линейное перемещение какой-либо его точки. Примером может служить механизм переменного резистора, в котором при повороте рукоятки токосъемник перемещается по резистивному слою, вследствие чего меняется сопротивление между выходными клеммами. [c.6]

Для изготовления резисторов используют хром, нихром, тантал, сплав МЛТ, металлокерамику, проводящие краски. Эти материалы позволяют получить рд от 20 до 20 000 0м. Параметры некоторых резистивных материалов приведены в табл. 18.3. [c.687]

Наиболее подходящая толщина тонких резистивных пленок от 100 до 2000 А. Задавшись толщиной пленки в этих пределах, подбирают материал, обеспечивающий необходимую величину сопротивления. При этом следует учитывать, что выбирать материалы с высоким сопротивлением на квадрат не всегда выгодно, так как при извлечении из вакуумной камеры в результате окисления на воздухе тонкие пленки иногда изменяют свое сопротивление на 50% Для тонкопленочных резисторов лучше всего выбирать [c.687]

Для изготовления переменных резисторов, особенно низкоомных, необходимо, чтобы резистивный материал имел малое и стабильное во времени контактное сопротивление в паре с применяемым материалом скользящего контакта. [c.637]

Кремниевые резистивные сплавы марок РС-4800, РС-3710, РС-3001, РС-1714, РС-1004 предназначены для изготовления методом испарения и конденсации в высоком вакууме тонкопленочных резисторов и различных вспомогательных слоев в изделиях электронной техники. [c.639]

Набор проводимостей для рассмотренного преобразователя код—напряжение не очень удобен в реализации. Приходится иметь дело с проводимостями, отличающимися друг от друга в 256 раз для 8-разрядного кода. В случае 10 разрядов это отношение возрастет до 1024 И так далее.. . Между тем диапазон величин резисторов в интегральной технологии невелик. Устойчивые точные значения легко получаются в пределах от 0,5 до 50 кОм, а этого недостаточно. Трудность можно преодолеть, применяя специальные резистивные сетки, состоящие из однотипных сопротивлений одного-двух номиналов. Однако существует более изящное решение, основанное на относительной простоте получения транзисторов с высокими коэффициентами усиления по току (см. гл. 5 и 6). Эти пары биполярных транзисторов подобны применяемым для построения высококачественных дифференциальных каскадов. Соединим транзисторные дифференциальные пары так, как это показано на рис. 26. Если ток первой пары Tj, T a равен, например, 1 мА (/J, то 0,5 мА идет через транзистор к ключу старшего разряда ( л), а ток Т , также равный 0,5 мА, есть суммарный ток второй пары T a, Т . Из этого тока 0,25 мА идет через к ключу (/V—1)-разряда (второго, считая от старшего), а ток Т 4 — общий ток третьей пары, из которого 0,125 мА идет через к ключу (7V—2)-разряда, а 0,125 мА — через [c.133]

Если а намеренно делают малым для толстого или эффективно бесконечного слоя, то большое а осуществляется для тонкого слоя, где в идеальном случае импеданс Zi должен быть целиком резистивным и равным Zw. Последнее является акустической аналогией электрического кабеля с волновым сопротивлением 7 0 Ом, нагруженного на сопротивление Ом, в котором рассеивается вся энергия, поступающая в кабель. В отличие от электрического резистора акустический резистор чрезвычайно трудно создать в виде тонкого слоя. [c.346]

Существуют два основных типа цифро-аналоговых преобразователей суммирующий преобразователь и многозвенный преобразователь. В суммирующем цифро-аналоговом преобразователе цифровое слово загружается в двоичный регистр, выходы которого используются для подключения опорного напряжения к ряду резисторов, подсоединенных к входу операционного усилителя (Рис. 9.40). Набор резисторов имеет следующие значения Я, 2К, 4Я,..., 2" Л, где п — длина входного слова. Значения резисторов являются двоично взвешенными , т.е. определяются рядом значений 2°, 2, 2 ,... и т.д. Младший значащий разряд управляет включением или выключением резистора 2" Л в зависимости от того, равен этот разряд единице или нулю, в то время как старший значащий разряд управляет включением первого резистора Я. Суммирующие цифро-аналоговые преобразователи редко используются в случаях, когда длина слова превышает шесть разрядов. Это связано с трудностями подбора точных значений резисторов больших номиналов, которые необходимы для создания набора резисторов требуемого диапазона. Многозвенные цифро-аналоговые преобразователи (Рис. 9.41) используют резистивные цепочки К —2К и не имеют проблем с подбором больших номиналов резисторов, так как все резисторы имеют значения К или 2К. В каждой точке соединения звеньев эти резисторы делят ток пополам. Включение или выключение звеньев определяется значениями разрядов входного слова. Выходной сигнал такого цифро-аналогового преобразователя определяется суммой токов в звеньях, т.е. [c.133]

Параллельно вторичной обмотке трансформатора ТК1 подключен резистивный элемент К1, сопротивление которого может меняться механическим или электронным способом (например, переменный резистор для ручной регу лировки аппарата или электронная . хема с перестраиваемым выходным сопротивлением для автоматизированной перестройки аппарата). [c.55]

Задачи оптимизации нагрузок формулируются в виде задач чебышевской аппроксимации [246]. При этом вводятся ограни-чения а) отрезки однородных ЛП имеют равные длины /, = /, i= = 1,т б) погонное сопротивление резистора по его длине постоянно для заданного коэффициента отражения Го и==роХ X (1—Го)/[(1-1-Го)/р] (здесь/р—/т —длина резистора) в) потери в диэлектрическом заполнении отсутствуют (Gi,=0) г) толщина резистивного слоя существенно меньше толщины скин-слоя. [c.181]

Иногда достаточным является установка резисторов дпя каждой свечи зажигания и обычных высоковольтных проводов. Однако в метровом диапазоне волн применения этих мер недостаточно для эффективного подавления помех и необходима установка резистивного кабеля. [c.223]

С учетом того, что все резисторы на подложке формируются в едином технологическом цикле, можно допустить, что величины р и й имеют незначительный разброс по подложке (на практике этот разброс не превышает 5—7 %). Это позволяет ввести понятие удельного поверхностного сопротивления ра резистивной пленки, величина которого определяется только удельным сопротивлением материала пленки и его толщиной и численно равна сопротивлению пленочного резистора в (рорме квадрата с произвольным размером сторон. Это понятие специ( ично для микроэлектроники и не применяется в других областях техники. Уравнение для сопротивления резистора при этом может быть записано в виде [c.433]

Кристалл-10 . Установка с лазером на азоте типа ЛГИ-21 предназначена для подгонки пленочных резисторов микросхем. Координатный стол обеспечивает перемещение луча с одного модуля на другой в пределах обрабатываемой платы, а система сканирования — в пределах модуля. Толщина обрабатываемой пленки до 1 мкм, ширина реза 5—30 мкм. Скорость резания резистивной пленки 4 мм/с. Обрабатываемая площадь 60x60 мм. Мощность излучения в импульсе 1—2 кВт, длительность импульса [c.316]

ВАХ (с отрицат. сопротивлением) применяются в качестве пусковых реле, реле времени, измерителей мощности эл.-магн. излучения на СВЧ, стабилизаторов темп-ры. напряжения и др. Режим работы 1., при к-ром рабочая точка находится также на ниспадаюпюм участке ВАХ (при этом используется зависимость сопротивления Т, от темп-ры и теплопроводности скружаюшеи среды), характерен для Т., применяемых в системах теплового контроля и пожарной сигнализации, регулирования уровня жидких и сыпучих сред действие таких Т. основано на возникновении релейного эффекта в цепи е Т. при изменении темп-ры окружающей среды или условий теплообмена Т. со средой. Изготовляются также Т. спец. конструкции—с косвенным подогревом. В таких Т. имеется подогревная обмотка, изолированная от полупроводникового резистивного элемента (если при этом мощность, выделяющаяся в резистивном элс.мснте, мала, то тепловой режим Т. определяется темп-рой подогревателя, т. е. током в нём). Т. о. появляется возможность изменять состояние Т., не меняя ток через него, Такой Т. используется в качестве перем. резистора, управляемого электрически на расстоянии. [c.97]

Карбид титана, являющийся перспективным материалом для высокотемпературной электроники, нашел применение в качестве проводящей фазы в керметных резистивных пленках для интегральных схем [270, 271]. Пленки, содержащие АЬОз и Ti в соотношении 1 1 по массе, осаждают ионно-плазменным распылением на нагретые до 600 °С поли-коревые подложки. Пленки Ti -AljOa, толщина которых составляет 20—300 нм, имеют электронографически аморфную структуру, сохраняющуюся до 1000 °С. Эти пленки значительно превосходят по стабильности структуры пленки традиционных резисторов Ti-АЬОз, в которых при 1000 °С наблюдается увеличение размера зерен до 50 нм и изменение фазового состава. [c.204]

При массовом производстве для изготовления микросхемы, принципиальная схема которой приведена на рис. 7.11, выбирают толстопленочную технологию как наиболее простую и дешевую. На керамическое основание, называемое подложкой, наносят с помощью специальных трафаретов слой проводящей и слой резистивной паст, образующих проводники и резисторы. Затем эти пасты при температуре 400—600° С вжигают в подложку. После этого устанавливают навесные элементы (два конденсатора и транзистор). Микросхему герметизируют специальной пластмассой в корпусе. Для обеспечения в производстве прогрессивных методов сборки и монтажа ГОСТ 17467—72 установлено четыре типа корпусов интегральных микросхем в зависимости от геометрической формы и расположения [c.317]

По механическим свойствам ситаллы также более пригодны для поставленной задачи (не имеют волнистости, чистота обработки может не уступать обработке стекол). Однако их теплопроводность не может быть повышена более чем в 2 раза. В этой связи представляет интерес высокоглиноземистая керамика 22ХС, покрытая с одной стороны с целью увеличения класса чистоты слоем бесщелочного стекла — глазурью Уралит . Слой глазури толщиной 70—100 мкм уменьшает теплопроводность стекла в 3 раза (теплопроводность керамики, по данным [4], при температуре 300 °К равна 12,48 вт м-град). Правда, покрытие глазурью хотя и понижает шероховатость до 250 А, делает поверхность подложки волнистой. Это снижает ее преимущества при исследовании в резисторах, однако данные [5] говорят о том, что можно получить глазурованные подложки с достаточно гладкой стекловидной поверхностью. В этом случае керамические материалы могут стать наиболее перспективными для резистивных элементов. [c.90]

При решении задачи размещения для двухслойных печатных плат в основном используются алгоритмы размещения одногабаритных элементов. Для получения начального размещения элементов применяются простые последовательные алгоритмы, для получения окончательного варианта — итерационные, причем оптимальность размещения в основном определяется эффективностью итерационных алгоритмов. Объектами расстановки обычно являются микросхемы. Микросхемы разных габаритов при размещении условно считают равными или с кратными габаритами, при этом монтажное пространство рассматривается как непрерывное. Сначала выполняется предварительное размещение, затем — окончательная расстановка микросхем с учетом их размеров. Для каждого типа микросхем выделяется некоторая окрестность отведенного им посадочного места, допускающая сдвиг отдельных микросхем. Другой подход состоит в разделении всех микросхем на группы одногабаритных и размещение каждой группы в определенное множество позиций на плате. Радиоэлементы (нагрузочные резисторы, конденсаторы в цепях питания, резистивно-емкостные цепи аналоговых микросхем и др.) размещаются отдельно, после расстановки всех микросхем на плате. Критериями задачи размещения являются минимумы суммарной длины соединений, пересечений соединений, суммы полупериметров описывающих прямоугольников электрических цепей и др. [c.185]

Для обычной индуктивности с сердечником номиналом 1 мГн Q начинает спадать на частоте не меньшей, чем 100 кГц. Оптимальное значение номинала параллельною резистора определится как R == 2 х п х СО х Ifi х0,001 = 628 Ом. До частоты, на которой начинается падение Q, доминирует индуктивная составляющая, а выше этой частоты — резистивная составляющая. Эго позволяет избежать появления нереально осчрых пиков. [c.164]

Еы Ь и длины I резистивной полоски. Исходными данными для расчета, Ме ряда электрофизических параметров резисторов, являются допуск на ииал л и допуски, определяемые методами формирования рисунка ре- [c.97]

Резисторы По виду проводящего (резистивною) элемента постоянные резисторы делятся на кроволочные, пленочные и ком позиционные Для большинства резисторов пригодна эквивалентная схема, приведенная на рис 18 11 [c.131]

Этот усилитель собран на двойном триоде 6Н1П по схеме (рис. 7) с общим катодом и резистивной частотно-независимой нагрузкой. Фактического усиления даже одного каскада на самом деле более чем достаточно для обеспечения заданной чувствительности усилителя с входа (около 100 мВ). После первого каскада в схему включен блок регулировок тембра с глубиной регулировки +14 дБ и "уравнивающими" делителями в кланг-регистре, что приводит к дополнительной двукратной потере сигнала. Помимо этого на входе усилителя применен тонкомпенсированный регулятор громкости, выполненный по нетрадиционной схеме, "съедающий" 6... 12 дБ. В результате для компенсации всех перечисленных потерь приходится вводить второй каскад усиления напряжения. Оба каскада охвачены отрицательной обратной связью по току из-за наличия неблокированных резисторов R2 и RIO автоматического смещения в цепях катодов. Помимо этого второй каскад дополнительно включен в петлю отрицательной обратной связи по напряжению, охватывающей фазоинвертор, драйвер и оконечный каскад. Напряжение обратной связи для этой петли снимается с вторичной обмотки выходного трансформатора и подбирается в процессе регулировки усилителя потенциометром R35 (см. рис. 6). На рис. 8 приведен чертеж печатной платы усилителя, на рис. 9 показано распсшожение деталей на плате. [c.33]

Полевые транзисторы позволяют получить более высокую стабильность, д ак как потребляют значительно. меньшую мощность иа входе при включении с общим истоком. На рис. 1.28 показана схема автогенератора на полевом транзисторе, аналогичная. схеме на рис. 1.27, а. Диод КД5.14А, включенный между затвором и корпусом, служит для приближения формы генерируемого напряжения к синусоидальной. Без этого диода положительная полуволна тока стока обостряется , так как крутизна транзистора растет при повышении напряжения на затворе. В истоковую цепь включен резистор, ВЧ напряжение с которого подается на резистивный усилитель на транзисторе УТ1 и затем на эмиттерный повторитель на транзисторе ]/Т2. [c.41]

Для генератора с резистивной нагрузкой выходной фильтр должен быть устроен так, чтобы обеспечивалось одинаковое активное сопротивление на основной частоте и на гармониках. Такой фильтр-дуплексер состоит из фильтра нижних частот (ФНЧ), выход которого соединен с нагрузкой, и фильтра -верхних частот (ФВЧ), нагруженного на резистор На рис. 3.33 показана схема [c.162]

Конструкция. Потенциометром называется резистор, к стабильности и точности воспроизведения функциональной характеристики которого предъявляются повышенные требования (ГОСТ 21414— 75). Потенциометр представляет собой электромеханическое устройство, состоящее из активного сопротивления и скользящего контакта-щетки, передвигающейся по этому сопротивлению. В отличие от реостата потенциомер включается по схеме делителя напряжения (рис. 5.1). Конструктивно потенциометры обычно выполняются в двух вариантах с 1 рямолинейным каркасом круглого, прямоугольного или овального сечения или с каркасом, изогнутым по дуге или кругу в виде торроида. В многооборотных потенциометрах (см. рис. 5.3) каркас, на который наматывается провод, изогнут по спиральной винтовой линии. По виду резистивного (токопроводящего) элемента, определяющего электрическое сопротивление, потенциометры делятся на проволочные и металлопленочные (см. рис. 5.1, е), в которых на изоляционное основание нанесена тонкая пленка высокоомного металла. Наибольшее применение имеют проволочные потенциометры. Ширина контактной дорожки, зачищаемой на повер.хности проволочного потенциометра, должна быть равна 2—3 диаметрам провода. Для исключения нарушения контакта при вибрациях проволоки щетки делают разной длины, а в пластинах — два-три надреза. Щетка виброустойчива, если час- [c.122]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...