Сетка резистивная

Так, если для решения линейных задач стационарной теплопроводности могут быть применены модели — сплошные среды, любые сетки резистивных элементов (даже сетки с постоянной структурой), комбинированные модели (] -сетки в сочетании со сплошной средой), структурные и гибридные модели, в состав которых входят указанные выше простейшие пассивные модели, то для решения нелинейных задач с использованием этих же моделей необходимо таким образом преобразовать нелинейное уравнение стационарной теплопроводности, чтобы освободить его от нелинейности, переводя ее в граничные условия (о способах подобного изменения математической модели речь будет идти ниже). [c.17]

Если задача нестационарной теплопроводности решается на емкостно-резистивной сетке, то закон Кирхгофа для каждого узла этой сетки записывается в виде дифференциально-разностного уравнения [c.14]

В том случае, если задача нестационарной теплопроводности исследуется на резистивной сетке, закон Кирхгофа для узла имеет вид алгебраического или конечно-разностного уравнения [c.15]

Резистивная сетка, узел которой показан на рис. 5, а, может быть использована для моделирования уравнения Лапласа (линейная задача стационарной теплопроводности) [c.32]

Емкостно-резистивная сетка с узлом, показанным на рис. 5, г, используется для моделирования уравнения Фурье или линейного [c.32]

Так или иначе, метод Либмана, имея целый ряд преимуществ, все-таки оказывается довольно трудоемким, особенно при решении нелинейных задач с нелинейностями I и 1П рода, когда после каждого приближения надо пересчитывать и перенастраивать, в общем случае, все элементы резистивной сетки (несколько проще обстоят дела с нелинейностями второго рода, так как в этом случае перенастраиваются лишь резисторы, моделирующие внешнее термическое [c.34]

Резистивные сетки для решения задач стационарной [c.35]

Емкостно-резистивные сетки для решения задач нестационарной теплопроводности [c.41]

Из всех реактивно-резистивных сеток наиболее широкое распространение получили / С-сетки. Еще в начале 50-х годов начат серийный выпуск таких интеграторов, как ЭИ-21, ЭИ-22, ЭИ-ЗК С 1961 г. выпускалась универсальная сеточная модель УСМ-1, которая является одной из наиболее совершенных пассивных аналоговых машин. [c.41]

Методика моделирования на емкостно-резистивных сетках довольно подробно освещена в работах [57, 95, 139, 223, 241, т. 2 2741. Поэтому, не останавливаясь на технике решения задач на R - ei-ках, рассмотрим, следуя [223], лишь некоторые аспекты решения задач нестационарной теплопроводности на машине УСМ-1, которая использовалась нами при решении целого ряда задач (гл. X—XII). [c.43]

Поскольку емкостно-резистивные сетки получили довольно широкое распространение, представляет интерес использование этого вида моделирующих устройств для решения нелинейных задач теории поля, и в частности для решения нелинейных задач теплопроводности. [c.44]

Методу прямых посвящена работа [142]. Для решения нелинейных задач этот метод используется недостаточно широко, хотя в сочетании с аналоговыми машинами (резистивно-емкостные сетки и структурные модели) он представляется достаточно перспективным. Результаты соответствующих разработок, позволяющих решать нелинейные задачи теплопроводности методом прямых на аналоговых машинах, изложены в работах [23, 33, 161, 186, 189, 236, 241, 254, 271, 272], а также в гл. X настоящей работы. [c.73]

Решение задачи на резистивных сетках [c.88]

Набор проводимостей для рассмотренного преобразователя код—напряжение не очень удобен в реализации. Приходится иметь дело с проводимостями, отличающимися друг от друга в 256 раз для 8-разрядного кода. В случае 10 разрядов это отношение возрастет до 1024 И так далее.. . Между тем диапазон величин резисторов в интегральной технологии невелик. Устойчивые точные значения легко получаются в пределах от 0,5 до 50 кОм, а этого недостаточно. Трудность можно преодолеть, применяя специальные резистивные сетки, состоящие из однотипных сопротивлений одного-двух номиналов. Однако существует более изящное решение, основанное на относительной простоте получения транзисторов с высокими коэффициентами усиления по току (см. гл. 5 и 6). Эти пары биполярных транзисторов подобны применяемым для построения высококачественных дифференциальных каскадов. Соединим транзисторные дифференциальные пары так, как это показано на рис. 26. Если ток первой пары Tj, T a равен, например, 1 мА (/J, то 0,5 мА идет через транзистор к ключу старшего разряда ( л), а ток Т , также равный 0,5 мА, есть суммарный ток второй пары T a, Т . Из этого тока 0,25 мА идет через к ключу (/V—1)-разряда (второго, считая от старшего), а ток Т 4 — общий ток третьей пары, из которого 0,125 мА идет через к ключу (7V—2)-разряда, а 0,125 мА — через [c.133]

Традиционные методы моделирования температурных полей на электрических моделях с использованием серийно выпускаемых нашей промышленностью электрических интеграторов или аналогичных средств индивидуального изготовления имеют весьма ограниченные возможности для решения нелинейных задач теплопроводности. Например, такие широко распространенные электроинтеграторы, какЭГДА, ЭИНП, в которых в качестве моделирующей среды используется электропроводная бумага, резистивно-емкостные сетки (в том числе и универсальная сеточная модель УСМ-1) без применения дополнительных приспособлений и устройств, а также без разработки специальных методов решения не приспособлены для решения нелинейных задач. Практически единственными моделями, на которых нелинейные задачи могут быть решены без дополнительных методик и устройств, являются резистивные сетки с изменяющейся структурой. Задачи на таких сетках решаются методом Либмана [324], который предполагает выполнение решения последовательно на каждом шаге во времени с использованием итераций внутри каждого шага и соответствующим пересчетом и корректировкой элементов структуры, в общем случае, после каждого приближения. [c.18]

При терморезисторной сварке между соединяемыми поверхностями помещают резистивный ЗНЭ в виде проволоки, ленты [136, с. 15] или сетки [137, 138] из коррозионностойкой или углеродистой стали или другого металла или в виде ленты из углеродного волокна [137] и пропускают по нему электрический ток в течение за- [c.386]

Рисунок слоя на подложке микросхемы создается путем продавливания соответствующей пасты (проводящей, резистивной, диэлектрической) через открытые участки сетки трафарета с помощью эластичного ракеля, движущегося Вдоль трафарета (рис. 4.14). Основными факторами, влияющими на качество слоя микросхемы, являются точность выполнения трафарета, натяжение сетки, вазор между сеткой и подложкой, характер расположения и движения ракеля,. [c.87]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...