Резистивные материалы

В табл. 29 приведены резистивные характеристики пленок чистых металлов. В мировой практике наибольшее применение в качестве резистивных материалов получили ( из чистых металлов) Сг, Та, Re. [c.435]

Рассеяние электронов на нарушениях симметрии упаковки подобного типа может значительно превышать рассеяние на тепловых колебаниях решетки, следствием чего будет резкое снижение ТКС. Поскольку одновременно со снижением ТКС происходит существенный рост общего удельного сопротивления, один из путей получения резистивных материалов для тонкопленочных резисторов состоит в создании сплавов с высоким удельным сопротивлением. [c.439]

В зависимости от области применения к резистивным материалам предъявляют дополнительные требования, например, по температурному коэффициенту электрического сопротивления ТКр, жаростойкости и др. [c.526]

Свойства пленочных резистивных материалов [И [c.529]

Свойства резистивных материалов [101 [c.585]

Для изготовления резисторов используют хром, нихром, тантал, сплав МЛТ, металлокерамику, проводящие краски. Эти материалы позволяют получить рд от 20 до 20 000 0м. Параметры некоторых резистивных материалов приведены в табл. 18.3. [c.687]

ТАБЛИЦА 18.3 Параметры некоторых резистивных материалов [c.687]

Свойства резистивных материалов [c.242]

РЕЗИСТИВНЫЕ МАТЕРИАЛЫ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ [c.639]

Материалы для тонкопленочной технологии предназначены для нанесения (в вакууме или химическим способом) на общее основание тонких (до 10—12 мкм) пленок проводникового, контактного, резистивного, изоляционного назначения с формированием топологического рисунка либо в процессе осаждения с помощью маскирования, либо с помощью фотолитографии после-нанесения нескольких сплошных слоев материалов. [c.411]

Материалы (пасты и др.) толстопленочной технологии предназначены для нанесения на керамическую подложку резистивных, диэлектрических, контактных и проводящих слоев. Для создания необходимой топологии отдельных слоев используются трафареты из сетчатых материалов с очень малым размером ячеек. В соответствии с топологией на определенных участках трафаретов ячейки заполняются эмульсией, предохраняющей подложку от попадания пасты на эти участки. Пасты, нанесенные на подложку, приобретают необходимые свойства при температуре испарения органической связующей компоненты пасты и спекания материала. [c.411]

Хром удовлетворяет практически всем требованиям, предъявляемым к материалу резистивной пленки— воспроизводимости и стабильности электрических параметров, способности длительное время работать без отказов, иметь высокое удельное сопротивление, низкий ТКС. Он достаточно тугоплавок, имеет стабильную и плотную окисную пленку. [c.435]

В интегральных схемах при некоторых технологических операциях хром может служить в качестве и резистивного, и адгезионного слоя. Кроме того, хром хорошо совместим с любым проводящим материалом. При испарении он легко сублимируется, навеска хрома для испарения используется однократно вследствие образования на ней плотной окиси, препятствующей последующему испарению. [c.435]

Основными проблемами термовакуумного напыления нихрома, длительное время являющегося наиболее распространенным материалом резистивных пленок, являются значительная разница в парциальных давлениях паров никеля и хрома и повышенная активность сплава ко многим тигельным материалам. При температуре 1300 хром испаряется в 8 раз быстрее никеля. [c.443]

Для получения надежных контактных соединений необходимо иметь адгезию не менее 2,5-10 —3-10 Па. Адгезия материала к подложке увеличивается при увеличении шероховатости подложки за счет увеличения фактической площади контактирования материалов, однако значительно увеличивать шероховатость нельзя из-за увеличения нестабильности резистивных пленочных материалов. Адгезия уменьшается при наличии на поверхности подложки загрязнений, особенно органического характера, которые экранируют материал пленки от материала подложки. [c.446]

Резистивные пасты. В резистивных пастах функциональные материалы являются комбинацией проводников, изоляторов и полупроводников, в проводниках сопротивление композиции определяется главным образом свойствами контактов между металлическими частицами. В резистивных композициях истинная картина механизма проводимости неизвестна, но исходя из величин сопротивления, чувствительности резисторов к напряжению и характера температурной зависимости можно сделать вывод, что контакты между частицами имеют полупроводниковую природу. [c.471]

Диэлектрики для конденсаторов более сложны, чем материалы для пересечений. Так же, как и резистивные системы, они содержат функциональные материалы и постоянное связующее. [c.473]

Методом испарения в вакууме или катодным распылением в инертном газе создают резистивные пленки из материала на основе твердого раствора дисилицидов титана и хрома. Изготовленные из них высокоомные и низкоомные пленочные резисторы интегральных схем имеют линейную зависимость электросопротивления от температуры в диапазоне 400 - 4,2 К и удельную мощность рассеяния до 2 кВт/см против 0,2 кВт/см для других известных материалов. [c.205]

В первую очередь электронный луч применяют для размерной обработки твердых труднообрабатываемых материалов, таких, как алмаз, вольфрам, титан, твердые и высоколегированные сплавы, ковар, инвар, кварц, керамика, рубин, кристаллы кремния, германия, резистивные пленки на ситалловой и кварцевой подложках. [c.616]

Развитие микроэлектроники требует решения задач, связанных с разработкой новых материалов, например, для изготовления пассивных элементов интегральных схем. Одним из элементов гибридно-пленочных интегральных схем является резистивная пленочная нагрузка, к которой предъявляются определенные требования в зависимости от функционального назначения микросхемы и условий эксплуатации. [c.170]

Наибольшие объемы применения нагревательных кабелей и проводов, используемых в нефтегазовом комплексе, в отношении объема применяемых материалов кабельного производства для их изготовления, количества кабельной продукции в линейном измерении Приходится на кабели и провода резистивного типа (обычные), некоторые виды которых подробно рассматриваются в данной главе. [c.452]

Непроволочные резистивные материалы разделяют на пленочные металлические, пленочные на основе оксидов, силицидов, карбидов н неметаллические — углеродистые, Пленач1ше резистивные материалы используют в микроэлектронике, в микросхемах, интегральных схемах и других устройствах. Непроволочные резисторы широко применяют в автоматике, измерительной и вычислительной технике, в раз личннх областях электротехники. Свойства некоторых пленочных и углеродистых резистивных материалов приведены в табл. 21 и 22. [c.527]

Экранирование мостовых цепей. На высоких частотах мостовые цепи могут быть применены -при условии тщательного экранирования и предварительного уравновешивания моста с целью устранения влияния паразитных емкостей и собственных индуктивностей элементов моста. Четырехплечие мосты, применяемые при испытаниях материалов в диапазоне частот 1—100 МГц, охватывают как трансформаторные, так и безындуктивные (емкостно-резистивные) мосты. [c.72]

Композиционные материалы применяются в настояшее время в толстоплёночной микроэлектронике для изготовления проводниковых, резистивных и ёмкостных элементов. [c.44]

С помощью непрерывно преобразующих систем. Этот способ отличается от предыдущего тем., что в качестве приемно-преобразующего элемента используют устройства, основанные на явлениях управления теми или иными физическими эффектами с помощью градиента температур, создаваемого при поглощении части ра-диоволновой энергии резистивным элементом. К таким устройствам относятся жидкокристаллические материалы, материалы, меняющие цвет люминесценции, смещающие край поглощения, предварительно проявленные фотоматериалы, и т. п. Эти устройства обеспечивают разрешающую способность, заложенную в радиоволновом изображении, и обладают инерционностью тепловых процессов. [c.239]

Метод термического испарения имеет разновидности, которые различаются по способу нагрева испаряе.мого материала. Наиболее простым является испарение с резистивного испарителя, который нагревает испаряемый материал за счет джоулевого тепла. Метод прн.меняется для испарения материалов с температурой испарения до 2000—2200 °С. Материал резистивного испарителя должен иметь температуру размягчения более высокую, чем температура испарения материала, не вступать с ним в химическую реакцию при высоких температурах. Испаряемый материал не должен диссоциировать при высоких температурах, сплавы и композиции должны иметь близкие друг к другу парциальные давления паров составных материалов при температуре испарения. [c.426]

Взрывное (дискретное) испарение приме11яется в основном для испарения с резистивного испарителя сплавов и композиций, а также смеси диэлектрических материалов со значительно различающимися парциальными давлениями паров компонентов. Заключается он в подаче порошка испаряемого материала на резистивный испаритель, нагретый до температуры, превышающей на 200—300 С температуру испарения наиболее тугоплавкого компонента. [c.426]

Резистивные кремниевые материалы выиустсают в виде порошков темносерого или бурого цвета с размерами частпд не более 0,040 мм для РС-1714 0,040—0,071 мм для остальных марок. Поставляют массой 100—200 г в герметической полиэтиленовой упаковке. Упаковку вскрывают перед непосредственным использованием материала в условиях вакуумной гигиены. Гарантийный срок — 2 года. [c.182]

Достоинством С. м. по сравнению с обычными резистивными электромагнитами является малое потребление энергии, в оси. на компенсацию теплоты, поступающей через теплоизоляцию криостата, по несверх-проводящии токовводам, а также на тепловыделение в омических контактах между отрезками сверхпроводящих проводов. В С. м. с пост, индукцией расход анергии по крайней мере в тысячу раз меньше, чем омические потери в резистивных обмотках обычных электромагнитов такого же назначения. Капитальные затраты на еоздание крупных С. м. сопоставимы с затратами на создание резистивных электромагнитов — относитель-во высокая стоимость сверхпроводящей обмотки компенсируется отсутствием необходимости в мощных всточниках питания и громоздких системах её водя-1010 охлаждения. Макс, размеры С. и. ограничиваются № энергетич. соображениями, а прочностью материалов, из к-рых изготовляют бандаж С. м. Существуют проекты С. м. с характерными размерами до неск. со-тев метров. [c.445]

Обилие требования и классифика ция. Материалом высокого электрического сопротивления (резистивным) нааывают проводниковый материал, с удельным электрическим сопротивлением при нормальных условиях не менее 0,3- 10 Ом-м. [c.526]

Карбид титана, являющийся перспективным материалом для высокотемпературной электроники, нашел применение в качестве проводящей фазы в керметных резистивных пленках для интегральных схем [270, 271]. Пленки, содержащие АЬОз и Ti в соотношении 1 1 по массе, осаждают ионно-плазменным распылением на нагретые до 600 °С поли-коревые подложки. Пленки Ti -AljOa, толщина которых составляет 20—300 нм, имеют электронографически аморфную структуру, сохраняющуюся до 1000 °С. Эти пленки значительно превосходят по стабильности структуры пленки традиционных резисторов Ti-АЬОз, в которых при 1000 °С наблюдается увеличение размера зерен до 50 нм и изменение фазового состава. [c.204]

Материал Х27К50ТМ, разработанный на основе твердого раствора дисилицидов титана и хрома, предназначен для изготовления резистивных пленочных элементов интегральных схем методом испарения в вакууме либо катодного распыления в среде инертных газов. Сплав обладает рядом уникальных свойств позволяет перекрыть широкий диапазон удельных сопротивлений при низких ТКС пленочные элементы на его основе имеют линейную зависимость сопротивления от температуры в диапазоне 400—4,2 К допускают удельную мощность рассеяния до 2кВт/см , что на порядок выше удельной мощности, допустимой для других известных материалов. Свойства пленочных элементов из сплава Х27К50ТМ приведены в табл. 52. [c.170]

Катоды сварочных пушек выполняются прямонакальными и с косвенным подогревом (рис. 1.11). Прямоканальные ленточные или проволочные катоды более просты в изготовлении, но часто требуют механической или электрической юстировки пушки (применяются в основном в маломощных пушках, в том числе для прецизионной сварки). Прямоканальный катод в виде шайбы из гексаборида лантана используют в пушках серии КЭП. Он подогревается резистивным нагревателем 3, контактирующим с катодом и последовательно включенным с последним в цепь накала катода (рис. 1.12). На рис. 1.12 показана скорость изменения силы тока пучка катода из различных материалов. [c.333]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...