Силы внешних полей

Силы внешних полей 153, 162 [c.191]

Эта сила изображается кривой АВ, причем она возникает только на некотором (очень малом) расстоянии х . Непосредственно у поверхности катода она заменяется конечной силой притяжения положительных ионов металла. Сила, создаваемая внешним полем, изображена кривой ОС. Суммарная сила, действующая на электрон, есть сумма этих двух сил, и она изображается кривой А ОР. Эта сила имеет минимум в точке О, соответствующей некоторому расстоянию х . Очевидно, при всех расстояниях, меньших х , сила притяжения больше силы внешнего поля, и электрон будет возвращен в металл, хотя бы он его перед этим и покинул. При расстояниях, больших Хх, сила внешнего поля больше силы притяжения к поверхности металла, и электрон не может в него вернуться. [c.65]

Из соотношения (1.4.8а) мы видим, что под действием внешнего поля изменяются как главные оси, так и главные диэлектрические проницаемости кристалла, причем эти изменения зависят от направления и силы внешнего поля. Следовательно, изменяя к примеру лишь амплитуду поля можно управлять параметрами распространения электромагнитного поля падающего на кристалл. По такому принципу построена, например, ячейка Поккельса. Она состоит из расположенной между взаимно ортогональными поляризаторами кристаллической пластинки с проводящими электродами на рабочих поверхностях (рис. 1.11). Прикладывая к кристаллу напряжение К, можно менять на необходимую величину разность фаз Г двух распространяющихся через кристалл лучей. [c.42]

Пусть система 5лг консервативна, силы взаимодействия ее частиц определяются потенциалом и ди <72. 9п). силы внешнего поля — потенциалом и , потенциальная энергия [c.15]

Рассмотрим случай свободного подъема газового пузырька в жидкости под действием силы тяжести. Направление внешнего поля Е совпадает с направлением движения пузырька. Будем предполагать, что форма пузырька является сферической, зна- [c.77]

До сих пор процессы коалесценции и дробления рассматривались независимо. В данном разделе в соответствии с [61 ] рассмотрены уравнения, учитывающие одновременное протекание этих процессов. Отметим, что дробление пузырьков газа можно подразделить на два типа — самопроизвольное и вынужденное дробление. Первое из них связано либо с уменьшением сил молекулярного сцепления в пленке жидкости, ограничивающей пузырьки газа, либо с напряжениями, возникающими в результате взаимодействия пузырьков газа с жидкостью (см. разд. 4.1—4.3). Вынужденное дробление пузырьков газа связано с воздействием на систему внешних полей (см. разд. 4.4). Будем рассматривать только влияние самопроизвольного дробления пузырьков газа на процессы коалесценции. [c.179]

Если газ находится во внешнем поле, то потенциальная энергия его молекул, е , зависит от их положения. Например, в поле силы [c.162]

Когда система находится во внешнем поле, на каждую частицу действует отличная от нуля сила Р. Собственно говоря, одно внешнее поле такого типа присутствует всегда—это поле тяжести с Р =тд. И если мы о нем не вспоминаем, это значит просто, что разные части системы находятся примерно на одной высоте. Для ионов в электролитах и электронов в металлах или полупроводниках таким полем может быть электрическое поле с Р = еЕ, где е—заряд частицы, Е — напряженность поля. [c.208]

К лестнице приложены внешние силы Р — вес лестницы, — нормальная сила реакции стены и Лд — нормальная сила реакции пола. [c.266]

Согласно (4,10), убыль потенциальной энергии каждой частицы во внешнем поле равна работе силы данного поля на соответствующем перемещении, поэтому убыль [c.105]

Механическая энергия системы во внешнем поле. Если интересующая нас система частиц находится во внешнем стационарном пола консервативных сил, то часто бывает удобно пользоваться другим выражением для полной механической энергии Е этой системы, отличным от (4.47). [c.111]

В данном случае внешние силы, действующие на частицы системы, можно разделить на силы со стороны внешнего поля (внешние силы поля) и все остальные внешние силы, не относящиеся К данному внешнему полю (внешние сторонние силы). Соответственно работа Л с нош внешних сил может быть представлена как алгебраическая сумма работ внешних сил поля и внешних сторонних сил [c.111]

Электрическая цепь постоянного тока. Рассмотрим простейшую электрическую цепь постоянного тока, составленную из одного гальванического элемента и проводника (рис. 149). На внешнем участке цепи электрические заряды движутся под действием сил электрического поля. Перемещение зарядов внутри проводника не приводит к выравниванию потенциалов всех точек проводника, так как в каждый момент времени источник тока доставляет к одному концу электрической цепи точно такое же число заряженных частиц, какое из него перешло к другому концу внешней электрической цепи. Поэтому сохраняется неизменным напряжение между началом и концом внешнего участка электрической цепи напряженность электрического поля внутри проводников в этой цепи отлична от нуля и постоянна во времени. [c.147]

Если к р — п-переходу приложено напряжение знаком плюс на область с электронной проводимостью, то электроны в п-полупроводнике и дырки в р-полупроводнике удаляются внешним полем от запирающего слоя в разные стороны, увеличивая его толщину. Сопротивление р — п-перехода велико, сила тока мала и практически не зависит от напряжения. Этот способ включения диода называется включением в запирающем или в обратном направлении. Обратный ток полупроводникового диода обусловлен собственной проводимостью полупроводниковых материалов, из которых изготовлен диод, т. е. наличием небольшой концентрации свободных электронов в р-полупроводнике и дырок в п-полупроводнике. [c.159]

До появления лазеров было очень трудно заметить какие-либо отклонения от линейности материального уравнения Р = а Е, так как внешние поля в веществе, создаваемые светом обычных источников, были пренебрежимо малы по сравнению с внутриатомным полем (0,1 — 10 В/см по сравнению с Еат q /a 10 В/см). Мощные лазерные пучки позволяют создать поле в 10 — 10 В/см, что уже сравнимо с внутриатомным полем и может приводить к изменению указанных выше параметров среды. Не будем проводить анализ конкретных причин таких воздействий (эффект Керра, электрострикция и др.), а оценим необходимые изменения в феноменологическом описании явления. Очевидно, что потенциальная энергия вынужденных колебаний электронов уже не может описываться известной формулой U(x) = l/2kx , соответствующей квазиупругой силе F = —kx. При наличии мощного воздействия света на атомную систему мы должны учесть члены более высокого порядка, приводящие к ангармоничности колебаний-. [c.168]

Теперь пронумеруем поля, чтобы в дальнейшем можно было применить двойственное обозначение сил. Эта нумерация полей изображена на рис. 138, а. Поля I—4 соответствуют обозначениям внешних сил и поэтому называются внешними полями. Поля 5— 1U — внутренними. Посредством их номеров обозначаются внутренние силы. При нумерации внешних полей следует воспользоваться первым графическим условием равновесия — условием замкнутости силового многоугольника. [c.280]

Поэтому последнее внешнее поле совпадает с первым. Чтобы не ошибаться в определении направлений сил на основании их двойственного обозначения, обратим внимание на то, что последовательность внешних полей соответствует обходу контура фермы против движения часовой стрелки. Следовательно, рассматривая реакции стержней [c.280]

Теперь получим уравнение движения электрона, находящегося в периодическом поле кристалла. Внешнее поле S действует на электрон в кристалле также, как на свободный электрон, с силой F=—e , направленной против поля. В случае свободного электрона сила F была единственной, силой, определяющей характер [c.231]

Из рис. 26.2 видно, что при отсутствии напряжения между электродами сила фототока не равна нулю. Следовательно, электроны, вырванные светом из фотокатода, имеют некоторую начальную скорость и, а значит, и кинетическую энергию Ек = ти 12 и могут достигать анода без содействия внешнего поля, образуя начальный фототок. Чтобы ослабить или совсем прекратить этот ток, необходимо наложить на электроды тормозящее поле с разностью потенциалов П<0. С возрастанием тормозящего поля сила фототока постепенно ослабевает. [c.157]

В отсутствие внешнего поля движение какого-либо заряда определяется электростатическими кулоновскими силами, действующими на него со стороны всех остальных зарядов среды. При смещении заряженных частиц от положения равновесия сбалансированность этих сил нарушается, в результате чего возникает сила, стремящаяся возвратить заряды на прежнее место. В том случае, когда смещение невелико, возвращающая сила пропорциональна его величине, а потенциальная энергия заряда пропорциональна квадрату его смещения. Аналогичная ситуация имеет место, например, в случае колебаний некоторого груза на пружине (см. гл. 1). Таким образом, для наглядности заряды среды можно уподобить системе осцилляторов. При малом смещении осцилляторов говорят о гармоническом законе колебаний и параболическом законе для потенциальной энергии смещения. [c.300]

Как известно из механики, вращение частицы во внешнем поле определяется уравнениями Эйлера с учетом момента сил трения [c.86]

Роль таких сил играют внешние поля и адиабатные перегородки, отделяющие одну часть системы от другой, если температуры этих частей различны. [c.120]

Заметим, что полученные условия фазового равновесия (6.10) или (6.11) справедливы только для однородных фаз, т. е. при отсутствии поля внешних сил. Если же фазы находятся во внешнем поле (например, в поле силы тяжести), то при равновесии в обеих фазах одинаковы лишь температуры, давление же и химический потенциал в каждой фазе являются функциями координат. Не зависящей от координат величиной оказывается не химический потенциал, а химический потенциал плюс потенциальная энергия частицы в поле (см. задачу 6.4). [c.126]

Дифференциал йЕ" не равняется дифференциалу полезной внешней работы dL (равному в случае обратимого процесса — Vdp), поскольку в дЕ составной частью входит приращение кинетической энергии системы, так как последняя представляет собой возможную полезную внешнюю работу йЕ", естественно, не равняется также и дифференциалу работы изменения объема йЕ (равному в случае обратимого процесса рйУ), который включает в себя как работу против сил внешнего поля, равную приращению потенциальной энергии системы, так и располагаемую полезную внешнюю работу (т. е. величину йЕ" -Ь Дкад). [c.36]

Внутренняя энергия U не связана с движением всей системы как целого или действием окружающей среды и состоит из собственной энергии отдельных частей, составляющих рассматриваемую систему. Дифференциал dL включает в себя как работу против сил внешнего поля, равную приращеннЕО потенциальной энергии системы, так и располагаемую полезную внешнюю работу (т. е. величину dL a -f dE ). Если учесть, что согласно сказанному dE, , + d noT + dU + dL a = dL + dl, приведенное выше выражение для dQ не отличается от обычного. [c.41]

Рис. 6. Направление действия сил внешнего поля (I), вязкого трения (2, 3) я гироскопической силы (4) для движущегося ЦМД с 5=+2 (1—фарадеевская сила, 2 — сила вязкого трения, 3 — добавочная сила вязкого трения из-за неелевских линий).

Рассматриваемая нами система называется консервативной, если силы взаимодействия между частицами и силы внешнего поля имеют потенциал, не зависящий явно от времени U = U(q). В этом случае U представляет потенциальную энергию системы и согласно (1.10) Н р, д) — полную энергию, причем dHldt=0. Следовательно, [c.12]

При холодной штамповке получают днища высокой точности с более узкими полями допусков на размеры, меньшим расходом етал-да, большим сроком службы штамповой оснастки, значительно меньшим утонением, определяемым преимущественно величиной и характером воздействия сил внешнего трения на заготовку, меньший по сравнении с горячей штамповкой трудоемкостью вспомогательных процессов, высокой чистотой поверхности деталей. Недостатки холодной штампогки днищ на прессах [c.8]

Пламли [612] учел силы инерции, поле вязкого потока и распределение плотности заряда на поверхности взаимодействующих капель, а также внешнее электрическое поле. Его результаты представлены на фиг. 10.14 в виде зависимости эффективности столкновений между заряженными каплями от их заряда. Для заряда был выбран закон пропорциональности квадрату радиуса капли, предложенный в работе [296] [уравнение (10.6)]. [c.478]

Силы и моменты, действующие на твердую частицу, обусловлены результирующим зарядом, эпектрическим диполем (постоянным или наведенным диполем в зависимости от материала) в электрическом поле, возникающим благодаря заряженным частицам и внешнему полю, и магнитным диполем в магнитном поле. Пренебрегая влиянием магнитных диполей, определим силу действующую на твердую частицу [c.480]

Так как до включения внешнего поля центробежная сила б1зша обусловлена кулоновским притяжением, т. е. = mwV, то [c.276]

Величина т получила название эффективной массы электрона. Эффективная масса отражает влияние периодического потенциала решетки на движение электрона в кристалле под действием внешней силы. Из (7.96) следует, что электрон в периодическом поле к ристаллической решетки движется под действием внешней силы F в среднем так, как двигался бы свободный электрон под действием этой силы, если бы он обладал массой т. Таким образом, если электрону в кристалле вместо массы т приписать эффективную массу т, то его можно считать свободным и движение этого электрона описывать, так как описывается движение свободного электрона, помещенного во внешнем поле. Разница между т и т обусловлена взаимодействием электрона с периодическим полем решетки, и, приписывая электрону эффективную массу, мы учитываем это взаимодействие. [c.233]

Из рис. 8.13 видно, что при определенном значении напряженности поля Е поляризация достигает насыщения Ps- Если после достих<ения насыщения напряженность поля уменьшить до нуля, то сохраняется поляризация Pr, называемая остаточной. Для того чтобы эту поляризацию свести к нулю, необходимо прилол<ить внешнее поле обратного направления. Напряженность этого поля Ес называют коэрцитивной силой. Остаточная поляризация и коэрцитивная сила зависят как от природы материала, так и от факторов, влияющих на движение доменных стенок — размеров кристаллитов, примесей, дефектов. [c.300]

Предположим, что образец намагничен до насыщения. Попытаемся размагнитить его, уменьшая постепенно внешнее поле до нуля. Изменение намагниченности не будет теперь описываться той кривой, которая наблюдалась при намагничении образца (рис. 10.18,г). Из-за того что произошло необратимое смещение границ доменов при Н=0, сохранится некоторая намагниченность JR, получившая название остаточной. Для достижения нулевой намагниченности требуется приложить размагничивающее поле Не, называемое коэрцитивной силой. Когда поле И достигает больших отрицательных значений, образец намагничивается до насыщения в противоположном направлении. Полный цикл перемаг-ничения при изменении поля от —Н до Н описывается петлей гистерезиса, изображенной на рис. 10.2. [c.345]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...