Напряжение Кристаллическая структура

В целом создается впечатление, что подобного рода разрушение связано с изменением кристаллической структуры металла. Именно этим и объясняли в свое время разрушение при циклических напряжениях. [c.474]

Все более актуальными становятся задачи оптимального управления этими процессами. Например, пуск турбины должен быть осуществлен за возможно более короткий промежуток времени, однако процесс нужно вести таким образом, чтобы не допустить слишком больших термических напряжений в массивных элементах конструкции. Термическая обработка должна проводиться при таких режимах, чтобы обеспечить требуемые свойства изделия. Выращивание кристалла должно осуществляться в таких тепловых условиях, чтобы не допустить искажения кристаллической структуры, и т. д. [c.214]

К дефектам кристаллического твердого тела относятся любые нарушения периодичности электростатического поля кристаллической решетки (рис. В-6) нарушение стехиометрического состава, наличие посторонних примесей, механически напряженные участки структуры, дополнительные кристаллографические плоскости (дислокации, трещины, поры) и т. д. [c.12]

Характер анодных кривых для каждой структурной составляющей и каждого физически неоднородного участка зависит от химического состава этих составляющих, кристаллической структуры, концентрации ионов водорода, температуры, природы и концентрации активаторов, природы и концентрации анодных замедлителей, внутренних напряжений и приложенных внешних напряжений, В зависимости от ряда указанных факторов изменяется равновесный потенциал, потенциалы начала пассивации и полной пассивации, а также потенциал перепассивации и в ряде случаев потенциал пробоя (в присутствии активаторов, внутренних или приложенных внешних напряжений). Одновременно в зависимости от указанных факторов будет изменяться критический анодный ток пассивации и ток в пассивном состоянии. [c.35]

Об образовании штриховых фигур как о виде травления еще нет окончательного мнения. Неясно, связана ли способность к образованию штриховых фигур с действующим на поверхность зерен травлением или она указывает преимущественно положение срезанных плоскостей пространственной решетки, как это предположил Клемм [68]. Химическим составом, родственной кристаллической структурой, соотношением напряжений (способностью к образованию разрывов и усадке), а также необходимой для образования штрихов толщиной поверхностной пленки, вероятно, можно объяснить образование различных известных в настоящее время штриховых фигур травления. [c.263]

После обзора и оценки данных по влиянию излучения на конструкционные материалы становится ясно, что в результате облучения происходят многие резко выраженные изменения их свойств. Эти изменения свойств имеют отношение к конструкционным характеристикам металлов. Переменными, влияющими на степень изменения свойств конструкционных металлов и сплавов, являются кристаллическая структура, величина зерна, химический состав, температура плавления, а также технология изготовления и термическая обработка. Помимо этого, на свойства конструкционных материалов влияют условия облучения в реакторе плотность потока нейтронов, величина интегрального потока, температура облучения, напряженное состояние и окружающая образец среда. [c.274]

На кривой намагничивания имеются три области нижний участок — участок смещения , характеризующийся смещением границ между областями самопроизвольной намагниченности. В более сильных полях происходит процесс поворота областей самопроизвольной намагниченности в направлении поля. Этот участок называют областью вращения. Последний этап намагничивания, происходящий в полях выше технического насыщения, называется парапроцессом или истинным намагничиванием. Характер кривой намагничивания обусловливается кристаллической структурой вещества, а также внутренними напряжениями. Эти последние тесно связаны с магнитострикцией. [c.11]

Современный пьезопреобразователь выполняют в виде элемента 15 (рис. 36, г), склеенного из двух пластин пьезоэлектрика (титанат бария, титанат циркония, сегнетова соль и др.), несущего на своем конце иглу 2, нормальные смещения которой под действием неровностей испытуемой поверхности / вызывают деформацию элемента и тем самым (вследствие асимметрии кристаллической структуры) пропорциональную ей разность потенциалов Цц на выходе. Напряжение на выходе пьезопреобразователя определяют по формуле [c.131]

После графоаналитического определения долей истинного физического уширения интерференционных линий, вызванных напряжениями П рода и размерами блоков когерентного рассеяния, значения характеристик тонкой кристаллической структуры рассчитывались по формулам [c.178]

Неоднородность намагниченности может вызываться неоднородностью кристаллической структуры полюсов, химической ликвацией основных элементов сплава и в особенности примесей. Ликвация примесей может приводить к неоднородному в различных объемах полюса выделению вторичных фаз или примесей по границам зерен, а также к неоднородному напряженному состоянию материала полюсов. С другой стороны, неоднородность поля в осевом направлении может вызываться неодинаковым уровнем свойств материал. парных полюсов. [c.229]

Рентгеновский анализ — один из основных методов исследования элементов кристаллической структуры. В частности, по рентгенограммам можно судить о химическом и фазовом составе исследуемого объекта, текстуре, существовании в нем напряжений первого и второго рода и т. д. Все эти вопросы имеют первостепенное значение в металловедении, особенно при выборе режима и контроле качества термообработки. [c.199]

Естественно ожидать, что однородность поля в зазоре электромагнита определяется, кроме других факторов, и однородностью кристаллической структуры наконечников, особенно структурой поверхностных слоев зеркал. Наличие напряжений, включений других фаз и т. д. неизбежно вызывает неоднородное намагничивание и как [c.201]

Имеется много различных дислокационных механизмов образования зародышевых трещин [8—13]. Зарождение трещины скола при негомогенной пластической деформации в металлах объясняется тем, что у конца задержанной полосы скольжения возникает большая концентрация сдвиговых напряжений, по величине превышающая силы межатомной связи материала. Поэтому возникает трещина сдвига. Необходимое напряжение достигается блокированием дислокаций у барьеров, которыми могут служить границы зерен в поликристаллах или частицы твердой второй фазы в загрязненных металлах. В зависимости от кристаллической структуры материала возможны и другие механизмы зарождения трещины (рис. 3). Общим для всех механизмов зарождения трещин является то, что этот процесс — следствие пластической деформации. [c.23]

Структурная неоднородность большинства тел (зерна в металлах, дефекты кристаллической структуры, трещины, включения) приводит к неравномерному распределению напряжений по объему, к появлению локальных перенапряжений. [c.43]

Если с помощью уравнений (16) и (17) рассчитать величины Оа, то можно обнаружить, что при любых значениях Уд (за исключением случая исчезающе тонких оксидных пленок) получаются значения порядка единиц и десятков мегапаскаль, а в отдельных случаях — до тысяч мегапаскалей. Столь высокие напряжения должны были бы неизбежно вызывать разрушение подложек и оказывать существенное влияние на поверхностное растрескивание, однако в действительности разрущения массивных образцов под действием рассматриваемых напряжений не наблюдается. Факт получения аномально высоких значений при использовании стандартных уравнений для напряжений роста с определенностью свидетельствует о том, что сами эти уравнения недостаточно хорошо описывают реальные системы. При высоких температурах может происходить аккомодация деформаций, связанных с ростом оксида, путем локализованного пластического течения в сплаве или даже в самом оксиде, что приведет к снижению напряжений в обеих фазах до уровня напряжений пластического течения при данной температуре. Одна из основных причин неадекватности уравнений, описывающих напряжения роста, состоит в том, что в них неявно предполагается когерентность межфазной границы между окислом и металлической подложкой. Это означает, что имеет место либо эпитаксия, либо, по крайней мере, когерентное согласование кристаллических решеток фаз, расположенных по обе стороны границы, причем различия атомных объемов должны быть скомпенсированы за счет согласующихся деформаций и напряжений. Хотя определенная степень когерентного согласования на самых ранних стадиях окисления вполне возможна, все же толстые пленки окалины, кристаллическая структура и химический состав которых так сильно отличается от структуры и состава металлов, скорее всего будут отделяться от подложек некогерентной межфазной границей. В этом случае расчеты оа нельзя проводить с помощью уравнений (16) и (17). В действительности аккомодация даже очень существенных различий атомных объемов должна осуществляться в основном в некогерентной границе, в результате чего напряжения роста как в оксиде, так и в подложке будут невелики. [c.30]

Все элементы, являющиеся упрочнителями твердого раствора, способствуют сравнительно высокому (>690 МПа) напряжению течения в чувствительных к КР сплавах. В некоторых системах (например, —А1) дополнительное упрочнение происходит за счет образования упорядоченных частиц с такой же кристаллической структурой, что и матрица. [c.406]

Наряду с изложенной существуют другие физические теории процессов деформирования и разрушения. Так, согласно одной из таких теорий зависимость долговечности от величины напряжения объясняется плавлением и вязким течением на границах кристаллов разрушение металла связано с возникновением в зоне нарушения кристаллической структуры на границах между кристаллами некоторого числа зародышей жидкой фазы. [c.28]

Кристаллическая структура 3—164 Кристаллические пластинки— Интерференция света 3 — 252 Кристаллические решётки — Измерение постоянных 3—167 Напряжение 3—170 [c.124]

Металл, деформируемый в холодном состоянии, упрочняется. Характер кривых упрочения некоторых металлов показан на рис. 7. В процессе деформирования металла в холодном состоянии возникают остаточные внутренние напряжения, причины возникновения которых связаны с кристаллической структурой металлов. Так как в реальных условиях кристаллы различно ориентированы относительно деформирующей нагрузки, то в материале детали уже в зоне пластического деформирования наряду с пластическими деформациями действуют и упру-464 [c.464]

Механическое состояние материала в точке зависит в первую очередь от напряженного состояния в этой точке, хотя и не определяется им полностью. Так, например, при наличии температурного воздействия на механическом состоянии материала заметно сказывается фактор времени. При малом времени нагружения состояние материала можно рассматривать как упругое, а при большом — как пластичное. На механическое состояние в точке имеет некоторое влияние состояние материала в соседних точках. Наконец, что самое важное, само понятие механического состояния в точке не свободно от противоцечий с принятым ранее предположением о непрерывности среды. Это обнаруживается в первую очередь при изучении вопросов разрушения, поскольку процесс образования трещин в металлах тесно связан с их молекулярной и кристаллической структурой. [c.259]

В целом создается первое впечатление, что подобного рода разрушение связано с изменением кристаллической структуры металла. Именно этим и обт.яснялось в свое время разрушение при циклических напряжениях. Описанное явление получило тогда название усталости, а направление исследований, связанных с прочностью, стало называться усталостной прочностью. В дальнейше.м точка зрения на пршшны усталостного разрушения изменилась, но сам термин сохранился. [c.389]

Если охватить целиком весь процесс кристаллизации, то в целом его можно охарактеризовать как уплотнение вещества под воздействием сжимающих напряжений термической природы. Вследствие этого на конечном этапе формирования кристаллически-упорядоченных областей в сплаве остается своего рода память о процессе, который привел к их возникновению. Иначе говоря, в кристаллически-упорядоченных областях структуры всегда имеются "носители памяти" - элементы, которые поддерживают остаточные сжимающие напряжения в кристаллической структуре. Они называются дис-локаг иями, и с классической точки зрения считаются дефектами кристаллической структуры. [c.97]

Таким образом, происходит самовоспроизводящнйся (автокаталитический) процесс имеющиеся в материале несплошности и зародышевые микротрешины, содержащие в себе зачатки структуры поверхностных переходных слоев, накапливают в процессе диссипации энергии нагружения материала дефекты кристаллической структуры и достраивают таким образом структуру поверхностного переходного слоя. Окончание процесса формирования переходного слоя проявляется в качестве образования новой поверхности (трещины), а локальные напряжения в зоне формирования переходного слоя трансформируются (диссипируют) в поверхностную энергию трещины. [c.129]

Полное решение задачи о распространении волны в кристаллической решетке можно получить, как указывалось в 135, путем учета интерференции вторичных волн, посылаемых центрами, составляющими решетку. Но вместо решения этой задачи проще ограничиться формальным приемом максвелловой теории, разрешая уравнения Максвелла с учетом тех особенностей для диэлектрической проницаемости е и, следовательно, показателя преломления (п = е) среды, которые накладываются ее кристаллической структурой. Вследствие анизотропии диэлектрической проницаемости связь между векторами электрической напряженности Е и электрической индукции D оказывается более сложной, че.м для изотропных сред. [c.498]

Упрочнение сплава и снижение пластичности при упорядочении происходят из-за торможения дислокаций вследствие образования антифазных границ. При упорядочении происходит искажение матричной кристаллической структуры. Например, при упорядочении в системе Аи—Си упорядоченные объемы обладают тетрагональной г. ц. к. решеткой по сравнению с г. ц. к. решеткой матрицы. Возникающие при этом напряжения дополнительно тормозят движение дислокаций. В том случае, когда решетки матрицы и сверхструктуры одинаковы, напряжения могут возникать вследствие изменений только в периодах решетки неупорядоченных и упорядоченных объемов (FeNia в системе Fe—Ni). [c.494]

Таким образом, механическое состояние материала в точке зависит в первую очередь от напряженного состояния в этой точке, хотя и не определяется им полностью. Так, например, при наличии температурного воздействия на механическом состоянии материала заметно сказывается фактор времени. При малом времени нагружения состояние материала можно рассматривать как упругое, а при большом — как пластическое. Но, пожалуй, более важным является то, что само понятие механического состояния в точке не свободно от противоречий с принятым ранее предположением о непрерывности среды. Это обнаруживается в первую очередь при изучении вопросов разрушения, поскольку процесс образования трещин в металлах тесно связан с их молекулярной и кристаллической структурой, а само разрушение определяется не только напряженным состоянием, но в ряде случаев характеризуется также и историей нагружения, т. е. зависит от того, в какой последовательности прикладываются силы. В качестве примера достаточно указать на разрушение при периодически изме-няюш,ихся нагрузках. Многократное нагружение и разгрузка могут привести к разрушению, хотя возникающие напряжения остаются существенно меньшими предела текучести. [c.293]

Снижение поверхностной энергии облегчает выход дислокации. Поверхностные пленки могут заметно усиливать сопротивление выходу дислокаций, и тем сильнее, чем больше отличаются параметры решетки, характер кристаллической структуры и степень поликристалличности пленки. Удаление пленок заметно влияет на напряжение, необходимое для работы источников дислокаций, а следовательно, на предел текучести. [c.54]

Спонтанная поляризация — это поляризация диэлектрика, возникающая при отсутствии внешнего электрического поля. Поляризация нелинейно зависит от напряженности электрического поля и характеризуется явно выраженным, большим максимумом при некоторой определенной температуре. Характерна для диэлектриков кристаллических структур, имеющих области (домены) с легко поляризующимися и длительно сохраняющими поляризованность кристаллическими системами, находящимися в большой зависимости от температуры вплоть до точки Кюри, при которой отмечается наивысшее поляризованное состояние и соответствуютцая ему максимальная диэлектрическая проницаемость. При более высокой температуре происходит структурное изменение в доменах и диэлектрическая проницаемость резко сни-лшется, а спонтанная поляризация исчезает. Эта поляризация имеет замедленный, характер, при высоких частотах не происходит, имеет диэлектрический гистерезис и характерна для сегнетоэлектрнков (ти-танаты бария, кальция, стронция). [c.9]

Теория электрического пробоя. В основе электрического пробоя твердых диэлектриков лежат электронные процессы ударной ионизации, которые и объясняют пробой твердого диэлектрика импульсами напряжения длительностью 10 —10 сек. В этом процессе исключается влияние диэлектрических потерь и нагрева материала под действием напряжения. Как и в газах, пробой наступает мгновенно, не зависит от времени действия напряжения и связан с разрушением молекулярной и кристаллической структуры материала. При электрическом пробое решающим фактором является напряженность электрического поля, так как именно она обусловливает процесс образования и движения электронов в диэлектрике. Этим и, определяются закономериости изменения пробивного напряжения от времени, температуры и частоты, которые наблюдаются при электрическом пробое. [c.39]

Обжиг — чрезвычайно важная операция, придающая фарфору высокую механическую прочность, водостойкость и хорошие электроизоляционные свойства. При обжиге глина изменяет кристаллическую структуру и теряет входящую в ее состав кристаллизационную воду полевой шпат — наиболее легкоплавкая составная часть фарфора — плавится, образуя стекловидную массу, заполняющую промежутки между зернами подвергнутых обжигу глины и кварца, и прочно связывает друг с другом эти зерна. Обжиг фарфоровых изоляторов в зависимости от их размеров может длиться от 20 до 70 ч. При этом собственно обжиг при максимальной температуре (для установочного фарфора 1300—1350 °С, для высоковольтного 1330— 1410 °С) занимает сравнительно небольшое время много времени требует постепенный подъем температуры (во избежание повреждения изделий бурно выделяющимися водяными парами и газами), а также медленное охлаждение изделий перед их извлечением из печи (во избежание появления температурных напряжений и трещин). Подвергающиеся обжигу фарфоровые изделия помещаются в печь, отапливаемую мазутом, газом или углем (весьма хороши электрические печи), в изготовляемых из огнеупорной глины (шамота) цилиндрах или коробках, так называемых капселях, чтобы предохранить изделия от нетэсредственного воздействия пламени, неравномерного нагрева с разных сторон и загрязнения копотью (рис. 6-40), Поверхность, которой обжигаемое изделие из фарфора или аналогичного керамического материала ставится на дно капселя, должна быть свободна от глазури, иначе изделие приплавится к капселю (читатель может убедиться в этом, рассмотрев донышко любой чайной чашки). [c.170]

Теоретическая прочность при сдвиге Ттсор определяет тот уровень напряжений, выше которого происходят деформация и катастрофическое разрушение материала, не содержащего дефектов. Кристаллическая структура такого материала является механически нестабильной. Такое поведение можно описать через скорость деформации как [c.20]

Изложенное подтверждает механический характер связи покрытий из исследованных (возможно, и из других) материалов, наносимых газопламенным способом, с металлической подложкой (сталь Ст. 3) и указывает на наличие в них существенных напряжений, вызывающих, по-видимому, дисклокационное разупрочнение их кристаллической структуры. [c.245]

Поскольку до сих пор отсутствует единая методика определения тонкой кристаллической структуры закаленной и отпущенной стали II1X-15 в чистом виде, для получения достаточно надежных данных о напряжениях II рода и размерах блоков когерентного рассеяния были применены различные методики, в том числе метод моментов второго порядка [7] и метод аппроксимации формы интерференционных линий от кристаллографических плоскостей (011) (101) — (НО) — (121) (211) — (112) мартенсита с учетом поправки ширины инструментальной ширины интерференционной линии на тетра-гональность решетки мартенсита, немонохроматичность рентгеновского излучения и геометрические условия рентгенографирования [6]. [c.177]

Требования, предъявляемые к материалам для полю сов. Анализ приведенных данных позволяет сформулировать основные требования к материалам полюсов материал полюсов должен иметь однородную кристаллическую структуру и высокую чистоту по содержанию примесей, исключающую возможность резких локальных колебаний фазового и химического составов обработка полюсов должна обеспечить достижение минимальных значений внутренних напряжений при их однородном распределении обработка полюсов должна обеспечить минимальную длину волны регулярных колебаний их намагниченности наиболее высокие требования должны предъявляться к тонкому поверхностному слою полюсов материал полюсов должен быть высокопро- [c.231]

Приведены результаты исследований влияния термической обработки (закалки и отпуска) на микроструктуру и уровнп напряжений I и И рода в стали. Проведены рентгеноструктурные, магнитные и термоэлектрические измерения образцов из стали ШХ-15, закаленных с температур 790—910 °С и отпущенных при температурах 100—220 С. Показано, что тонкая кристаллическая структура оказывает существенное влияние на электромагнитные харак-lepH THKH стали. Дано объяснение экспериментальных данных. [c.261]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...