Условия рекомбинации

При оценке полученных результатов следует иметь в виду, что в работе не указана плош адь, по отношению к которой определен остаточный заряд. Приведенные данные свидетельствуют лишь о том, что с увеличением скорости отрыва растет остаточный заряд, который измеряли на поверхности после газового разряда. Одновременно растет адгезионная прочность. Таким образом, условия рекомбинации двойного слоя в процессе отрыва пленки влияют на адгезионную нрочность и остаточный заряд. [c.133]

Условия рекомбинации. Центрами рекомбинации называются локальные центры, взаимодействующие как с зоной проводимости, так и с валентной зоной. Пусть, например, локальный центр захватил свободный электрон — произошел переход 1 на рис.3.8. Ес- [c.97]

Экспериментальные исследования. Простейшая модель для изучения процессов ионизации и рекомбинации — инертный газ. Однако при уровне температуры 3000° К и умеренном давлении в десятки миллиметров ртутного столба невозможно поддерживать измеримую степень равновесной тепловой ионизации в инертном газе. Поэтому экспериментальное исследование проводилось в условиях неравновесной рекомбинации в пламени дуги аргона с добавками или без добавок различных твердых частиц [737]. Эта модель хорошо воспроизводит реальные условия в ракетной струе, где протекает процесс рекомбинации после быстрого расширения в сопле. [c.457]

Экситон можно рассматривать как возбужденный электрон , который все время остается вблизи дырки. При определенных условиях, например при столкновении экситона с примесным атомом, возможна рекомбинация экситона (рекомбинация электрона и дырки) и, как следствие, освобождение энергии возбуждения. Энергия освобождается также при переходах экситона из возбужденных состояний ( >1) в основное (л=1). Таким образом, экситоны являются своеобразными аккумуляторами энергии , способными переносить энергию от одних точек кристалла к другим. Именно это свойство и предопределяет важность участия экситонов в различных процессах. [c.152]

Процесс рекомбинации электронов с ионизованными центрами свечения при условии, что вероятность повторных захватов мала, подчиняется уравнению [c.219]

В первом предельном случае, характеризуемом бесконечно большой скоростью рекомбинации, в каждой точке пограничного слоя устанавливается термодинамическое равновесие и диффузионная теплопередача в слое обусловлена наличием профиля равновесных концентраций. В практических случаях условия течения, близкие к такому гипотетическому равновесному пограничному слою, создаются тогда, когда скорость диффузии пренебрежимо мала по сравнению со скоростью диссоциации и рекомбинации (а в случае ионизации — также и электронных реакций). [c.703]

Светоизлучающий диод. При рекомбинации электронов и дырок при определенных условиях происходит испускание квантов излучения. Для [c.364]

Термическим уравнением состояния называют уравнение, связывающее давление с плотностью и температурой, а калорическим — уравнение, определяющее зависимость внутренней энергии (энтальпии) от температуры и давления. В большинстве случаев течения газа сопровождаются разного рода неравновесными процессами, для описания которых уравнения газовой динамики дополняются соответствующими кинетическими или релаксационными уравнениями. Кроме того, в уравнения вводят дополнительные члены, учитывающие воздействия неравновесных процессов на газодинамические параметры. Неравновесные процессы весьма разнообразны. Наиболее часто приходится иметь дело с неравновесным возбуждением колебательных степеней свободы, неравновесной диссоциацией и рекомбинацией, неравновесным движением жидких или твердых частиц в условиях неравновесной конденсации или испарения. [c.32]

Воздействие света, электрического поля и других факторов может привести к появлению дополнительных, избыточных по отношению к равновесным, концентраций свободных носителей, их называют неравновесными носителями заряда. При неизменной интенсивности внешнего фактора в полупроводнике устанавливается стационарное состояние, при котором скорости генерации и рекомбинации носителей заряда равны. В этих условиях концентрации избыточных носителей заряда равны г п = п - пд к Ар — р - ро, где пир- постоянные концентрации электронов и дырок при наличии внешнего фактора пд а рд - то же, в отсутствие внешнего фактора, т. е. равновесные концентрации. Если в полупроводнике нет объемного заряда, то выполняется условие его электрической нейтральности [c.64]

Электропроводность газообразных диэлектриков. В слабых электрических полях удельная проводимость газов весьма мала. Например, удельное объемное сопротивление воздуха при нормальных условиях равно Ом-м. Ток в этих условиях возникает в результате перемещения свободных ионов и электронов, которые образуются под действием ионизирующих излучений земной коры, космических лучей, ультрафиолетового излучения солнца, нагрева. Такие факторы ионизации называют внешними факторами. Наряду с ионизацией в газе происходит рекомбинация, возникающая вследствие объединения положительных ионов и электронов, совершающих хаотическое непрерывное тепловое движение. В результате рекомбинаций образуются молекулы газа, не имеющие заряда. [c.139]

Условие стационарности (4) при пренебрежении ударами 2-го рода с атомами и ионами, явлениями рекомбинации, а также поглощением фотонов и индуцированными переходами примет вид [c.432]

Все перечисленные возможности изучались в лабораторных условиях каждая из них имеет свои недостатки технологического либо практического характера. КПД батарей на основе сплошной кремниевой ленты пока не превышает 12 %. У пластин поликристалличе-ского кремния имеется слишком много центров рекомбинации, что также обусловливает чересчур низкий КПД. Батареи на основе сульфидов меди и кадмия обладают очень низким.КПД, они должны иметь очень малую толщину, поскольку эти веш,ества не пропускают солнечный свет. [c.102]

Из (6.46) видно, что в этих условиях скорость рекомбинации избыточных носителей заряда пропорциональна их концентрации. Такую рекомбинацию называют линейной. Время жизни неравновесных носителей при линейной рекомбинации [c.174]

В условиях теплового равновесия число актов излучательной рекомбинации равно числу актов поглощения квантов света равновесного теплового излучения. Поэтому полупроводник излучает ровно столько света (и на тех же частотах), сколько поглощает из окружающего пространства. [c.331]

Диффундируя в глубь полупроводника, неравновесные носители рекомбинируют, проникая в среднем на расстояние диффузионной длины от слоя объемного заряда р — п-перехода. Если при этом существенная доля актов рекомбинации происходит с излучением света, то, создав условия для выхода этого света наружу, полупроводниковый диод можно использовать как источник излучения. Такой диод называют светодиодом. [c.331]

Необходимо упомянуть попытку исследовать влияние ингибиторов рекомбинации водорода в зернограничных выделениях в алюминиевых сплавах [359], где оказалось, что влияние этих элементов на свойства выделений настолько велико, что перекрывает любое их воздействие как ингибиторов. Согласно другому наблюдению, обеднение раствора вблизи границ зерен влияет на зарождение (и, возможно, повторное заострение) трещин при КР [360]. Предпринимались также попытки [325, 361, 362] количественно сравнить вклады анодного растворения и водородного охрупчивания в КР модельного сплава А1—7 Mg. Согласно полученным данным, при достаточно анодных условиях и высоких напряжениях ско- [c.144]

Некоторые продукты реакций, происходящих на поверхности трещины, могут проникать внутрь металла. Имеется гипотеза о КР высокопрочных алюминиевых сплавов, согласно которой водород или хлориды диффундируют к границам зерен впереди трещины и либо понижают энергию активации растворения, либо уменьшают когезионную прочность [50, 214]. В таких условиях наиболее возможными стадиями, определяющими скорость роста трещины, дополнительно к уже рассмотренным являются 1) диффузия протонов или хлоридов в металл 2) рекомбинация водорода 3) реакция с напряженным металлом по границам зерен. Так как в общем эта гипотеза предполагает, что пластическая дефор- [c.282]

Наконец, замедленной при определенных условиях может стать стадия образования молекулярного водорода путем соединения атомов водорода (стадия рекомбинации или мо-лизации) [c.72]

Изложенные выше две теории перенапрялсения водорода не являются взаимоисключающими. В зависимости от материала катода и от условий процесса механизм перенапряжения водорода может быть тем или иным. Есть основания полагать, что для металлов с высоким перенапряжением водорода (Hg, РЬ, Zn, d, Tl) ответственным за перенапряжение водорода является замедленный разряд, для металлов с низким перенапряжением водорода (Pt, Pd) — замедленная рекомбинация, а для некоторых металлов (например, Fe, Ni, Ti) — замедленность обеих этих стадий. [c.259]

В качестве краевых условий в моделях полупроводниковых приборов используют зависимости потенциалов на контактах от времеин, принимают значения концентраций носителей на границе между внешним выводом и полупроводником равными равновесным концентрациям Ра и Яо, для границ раздела полупроводника и окисла задаются скоростью поверхностной рекомбинации gs, что определяет величины нормальных к поверхности раздела составляющих плотностей тока Jp и Jn, и т. д. [c.156]

В открытых системах условия такого (детальногр) равновесия выполняются лишь при большой плотности частиц, так как в плотной плазме ионизация и рекомбинация всегда идут по одному пути. С уменьшением давления падает вероятность соударений между частицами и электроны практически свободно уходят на стенки сосуда, не успевая перелазь ионам и нейтральным атомам энергию, полученную ими от внешнего источника. Это приводит к температурному расслоению плазмы. Ее состояние в этом случав характеризуется [c.392]

Как известно, е полупроводпиках непрерывно совершаются перебросы электронов в зону проводимости и обратные процессы рекомбинации. Прн рекомбинация электрон либо получает энергию, либо передает ее решетке. В некоторых полупроводниковых материалах удается получить а) неравновесные состояния с преобладанием носителей в зоне проводимости и б) излучательные прямые переходы из зоны проводимости в валентную зону. Эти два условия являются необходимыми для установления режима излучения, Исследования показывают, что указанные условия возникают в некоторых полупроводниках вблизи границы р-п-перехода, смещенного в прямом направлении. По обе [c.224]

Межзонная рекомбинация. В условиях теплового равновесия скорость ыежт зонной рекомбинации пропорциональна концетрации электронов и дырок Ро и должна быть равна скорости генерации [c.174]

Выделение энергии при межзонной рекомбинации может происходить или в форме кванта света hv, или в виде тепла (фононов). В первом случае рекомбинацию называют излунательной, во втором случае — безызлучательной. Как показывает расчет и эксперимент, межзонная излучательная рекомбинация может иметь существенное значение для полупроводников с узкой запрещенной зоной при относительно высоких температурах (комнатной и выше). Для полупроводников же с широкой запрещенной зоной основным механизмом, ответственным за рекомбинацию, является безызлуча-тельная рекомбинация через примесные уровни. Однако при некоторых условиях и в таких полупроводниках можно достичь относительно высокого уровня излучательной рекомбинации. Как видно из (6.47) и (6.50), этому способствует, в частности, повышение концентрации избыточных носителей в полупроводнике и увеличение степени его легирования. [c.175]

Стимулированное излучение. Рассматривая процессы возбунаде-ния электронов в полупроводниках под действием света и свечение, которое возникает при излучательной рекомбинации электроннодырочных пар, мы оставили без внимания важный вопрос о влиянии самого излучения на переходы возбужденных электронов в нормальные состояния, на особенность излучения, возникающего в этих условиях при таких переходах, и возможность их практического использования для усиления и генерации электромагнитных колебаний. [c.333]

Мы отмечали важность планарности скольжения в сплавах на основе Ре и N1, связанной с разрезанием выделений. Большое значение имели бы дальнейшие исследования зависимости такой планарности от металлургических факторов и предшествующей термообработки материала. Интересно было бы исследовать и влияние тех же факторов на потери когерентности выделений, что помогло бы лучше понять природу корреляции, представленной на рис. 54, и природу интеркристаллитного разрушения рассматриваемых материалов (при условии, что это разрушение связано с дислокационным транспортом водорода к границам зерен [259]). Заслуживает более тщательного изучения и отрицательное влияние ц- и б-фаз в таких сплавах на стойкость к индуцированному внешней средой охрупчиванию. Необходимо выяснить, обусловлен ли этот эффект присутствием ингибиторов рекомбинации водорода на межфазных границах, или же водород вызывает охрупчивание самих фаз. [c.141]

В регенеративных аппаратах главного контура, а также в регенераторах и охладителях вспомогательных систем теплоноситель охлаждается, причем возможны различные комбинации состава, температур стенки канала и теплоносителя и других параметров. В случае охлаждения газа неравновесного состава и низкой температуры ст,енки (7 с 410—450 °К) процесс тепло- и массопереноса существенно отличается от рассмотренного выше процесса для условий нагрева и в основном определяется величиной отношения времени диффузии Тд компонентов через ламинарный пограничный слой ко времени химической релаксации при протекании второй стадии реакции диссоциации (рекомбинации). [c.82]

Как указывалось, выше, механизм тепло- и массопе-реноса в химически неравновесном потоке четырехокиси азота и., относительно холодной стенки имеет ряд особенностей [3.31, 3.32], которые связаны с соотношением характерных времен временем химической релаксации Тх и временем диффузии реагируюш,их компонентов через ламинарный пограничный слой Тд. Вторая неравновесная стадия реакции рекомбинации в условиях низких температур ламинарного слоя протекает весьма медленно (при 400°К и увеличении давления от 10 до 60 бар Тх2 снижается от 34-102 до 75 сек). В [3.32] с использованием данных [3.47] показано, что в рассматриваемом диапазоне параметров выполняется условие Тхг Тд, что [c.83]

Газ неравновесного состава поступает в конденсатор одноконтурной установки в случае недостаточного времени пребывания на участке контура между реактором и конденсатором, где происходит снижение температуры и давления. Химически неравновесная система в условиях охлаждения содержит избыточное по сравнению с равновесным содержание N0 и О2, которые являются неконден-сирующимися примесями. Однако в отличие от обычных парогазовых смесей при достаточном для завершения рекомбинации времени пребывания в объеме конденсатора неравновесная система N2O4 полностью конденсируется. Очевидно, что наравне с процессами диффузии и конвективного тепло- и массопереноса большое влияние оказывает кинетика химических реакций, протекающих со значительным тепловыделением. [c.185]

Пар и двухфазные системы. Реакции в паровой фазе. В паре низких плотностей, применяемом в технологии силовых реакторов, радиолитические процессы заметно изменяются по сравнению с конденсированной фазой. Для водяного пара низкой плотности при обычных температурах (—НгО) довольно высок, порядка 12. Файрестон [10] нашел, что в водяном паре при низкой температуре при действии -излучения трития g (H) =я(ОН) = 11,7. Практически важным соображением является низкое поглощение энергии в паре низкой плотности. Так, Хемфри [11] почти не обнаружил общего разложения воды в паре при 260°С под действием излучения реактора по сравнению с наблюдаемыми концентрациями кислорода в простой воде в тех же условиях. Хемфри провел также опыты по рекомбинации П2 и Ог в паре в тех же аппаратах. При высоких концентрациях газовой фазы скорость рекомбинации была близка к нулю и не зависела от температуры в интервале 149—260° С. При низких концентрациях общая скорость рекомбинации становилась равной нулю рекомбинация в газовой фазе компенсировалась разложением в жидкой фазе аппаратов. Это согласуется с наблюдаемым уменьшением общего разложения с ростом отношения объема пара к объему жидкости. Влияние ЛПЭ было проверено путем удвоения потока быстрых нейтронов в нейтронном ускорителе. При 260° С не было видимого роста скорости рекомбинации, но стационарная концентрация увеличилась примерно на 50%. К несчастью, с точки зрения применимости к реакторам в опытах по рекомбинации в газе самые низкие концентрации газа были порядка 300 см на литр газовой фазы, или около 2700 см 1иг конденсированного пара, по сравнению с примерно 60 см кг в паровой фазе кипящих водных реакторов. [c.76]

Кинетика димеризации NO2, т, е. реакции, обратной термическому разложению N2O4, экспериментально исследована в работах Вегенера [41, 42]. В работе [41] изучалась рекомбинация NO2 в расширяющемся сверхзвуковом газовом потоке, содержащем небольшие количества NO2 в N2. В работе [42] скорость реакции определена из измерения времени релаксации возмущения, вызванного пулей, пролетающей с большой скоростью в сосуде с N2O4 и N2. Опыты Вегенера [41, 42] выполнены при давлении 1 атм и температуре 7 300°К. Димериза-ция NO2 при этих условиях протекает по реакции [c.22]

N2O4 определяется концентрацией NO2, температурой и давлением газа. При уменьшении скорости рекомбинации N0 вследствие замораживания энергии на химических степенях свободы температура падает. В определенных условиях падение температуры может сдвинуть равновесие первой стадии в сторону образования N2O4 так, что концентрация N2O4 в неравновесном потоке окажется выше замороженной концентрации. [c.179]

В отличие от закалки металлов с высоких температур при облучении образуется одинаковое количество вакансий и межузельных атомов. Если бы процесс нарушений при облучении сводился только к образованию пар Френкеля и их рекомбинации, то можно было бы относительно просто представить условия равновесной рекомбинации антинарушений и установить период самовосстановления структуры и свойств материала. В какой-то мере такая картина изменения дефектной структуры, по-видимому, может реализоваться после облучения до малых доз совершенных кристаллов ( усов ). В действительности даже при наличии только изолированных точечных дефектов в решетке реальных кристаллов наряду с рекомбинацией протекают более сложные процессы взаимодействия точечных дефектов друг с другом с образованием двойных, тройных и т. д. комплексов, кластеров. Каждый из первичных дефектов может взаимодействовать с примесными атомами, дислокациями, границами раздела. В результате этого возникают комплексы вакансия — атом примеси, внедренный атом — атом примеси, пороги и суперпороги на дислокациях, изменяется перераспределение элементов в растворе, состояние границ раздела, конфигурация дислокаций. [c.60]

ЛОМ С ТОЧКИ Зрения влияния фокусирующих столкновений на степень радиационного повреждения материалов следует отметить, что их роль является двоякой. Во-первых, на фокусировку столкновений расходуется часть энергии каскада и, следовательно, эта энергия не используется для образования смещений, в связи с чем число пар Френкеля будет меньше по сравнению с оценками для модели аморфной среды. Во-вторых, поскольку в результате образования динамического кроудиона вакансии и смещенный атом, составляющие пару Френкеля, оказываются на значительном удалении друг от друга, вероятность последующего уменьшения числа дефектов за счет взаимной аннигиляции должна быть меньше. Таким образом, предполагается, что фокусировка увеличивает степень радиационного повреждения в условиях, облегчающих взаимную рекомбинацию дефектов (высокие температуры облучения, отсутствие стоков), и, напротив, способствует снижению уровня повреждения, если точечные дефекты заморожены в решетке (низкая температура, наличие примесных атомов, большая плотность стоков и т. д.). [c.201]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...