Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

[<< Стр.]    [Стр. >>]

когда в процессе разъединения сохраняется постоянной разность потенциалов ф Однако формула (111,56) не учитывает рекомбинации двойного слоя в процессе отрыва. В действительности могут иметь место два взашюисключающих друг друга процесса: при расстояниях между контактирующими телами 2 нм потенциальный барьер становится практически непроницаем для электрона, что исключает возможность туннельного эффекта. В этих условиях на разделяемых поверхностях остаются заряды, а напряженность электрического поля в зазоре между контактирующими поверхностями достигает 10® В/см. При расстояниях 0,5—1,0 нм проницаемость барьера относительно велика, и отрыв пленок можно представить в условиях рекомбинации двойного слоя. Когда рекомбинация зарядов происходит в результате туннельного эффекта, то работа отрыва выражается следующей формулой:

[<< Стр.]    [Стр. >>]

ПОИСК



когда в процессе разъединения сохраняется постоянной разность потенциалов ф Однако формула (111,56) не учитывает рекомбинации двойного слоя в процессе отрыва. В действительности могут иметь место два взашюисключающих друг друга процесса: при расстояниях между контактирующими телами 2 нм потенциальный барьер становится практически непроницаем для электрона, что исключает возможность туннельного эффекта. В этих условиях на разделяемых поверхностях остаются заряды, а напряженность электрического поля в зазоре между контактирующими поверхностями достигает 10® В/см. При расстояниях 0,5—1,0 нм проницаемость барьера относительно велика, и отрыв пленок можно представить в условиях рекомбинации двойного слоя. Когда рекомбинация зарядов происходит в результате туннельного эффекта, то работа отрыва выражается следующей формулой:

[Выходные данные]

© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте