Диод светоизлучающий

Пункт 5. Таблица 4. Графа Наименование . Пункт 1. Заме )ить сло Светодиод на Диод светоизлучающий . [c.1464]

Светоизлучающий диод. При рекомбинации электронов и дырок при определенных условиях происходит испускание квантов излучения. Для [c.364]

Лазер непрерывного действия 10 представлял собой арсенид-галлиевый светоизлучающий диод, работавший на длине волны 0,9 мкм. Средняя мощность его излучения была равна 40 мВт, а угол расходимости— Г. Лазерный луч модулировался по интенсивности импульсами в форме меандра с частотой следования 3,747 МГц. В обоих лазерах была предусмотрена возможность уменьшения мощности излучения для того, чтобы на малых дальностях предотвратить насыщение фотоприемных устройств. [c.217]

Усилитель Уг, детектор уровня Уз и светоизлучающие диоды (СИД), соединенные по схеме, обеспечивающей выходной сигнал с тональным заполнением, располагаются во вращающемся барабане совместно с блоком головок. [c.246]

ЦОУ на светоизлучающих диодах. Действие светодиода основано на способности некоторых полупроводниковых материалов (фосфида галлия GaP, карбида кремния Si и более сложных) эффективно преобразовывать электрическую энергию в световую. Полупроводниковый материал имеет вид кристалла размерами от 0,34 X 0,34 до 0,5 X 0,5 мм. Как миниатюрный твердотельный источник света он имеет малую поверхность излучения. Для ее увеличения (особенно необходимо при высоте цифр более 5 мм) используют различные приемы. [c.255]

Какой полупроводниковый материал следует выбрать для светоизлучающих. диодов видимого диапазона [c.663]

Позиционный бесконтактный датчик устанавливается в центре устройства адаптации. Фотоприемник 5 крепится к статору, а светоизлучающий диод 4 - к якорю. Разрешающая способность датчика 0,5 мкм. [c.443]

Датчик, установленный в устройстве адаптации, представляет фотодиод, обеспечивающий бесконтактное позиционирование в двух направлениях. Структура датчика соответствует планарной, все проводники расположены на активной поверхности. Светоизлучающий диод крепится к якорю и формирует световое пятно, положение которого зависит от силы токов в проводниках-выводах стационарно размещенного датчика. [c.445]

Светоизлучающие диоды для ВОЛС 113 [c.17]

Светоизлучающие диоды для воле [c.107]

Наилучшим образом этим условиям соответствуют полупроводниковые источники излучения — светоизлучающие диоды (СИД) и инжекционные лазеры (ИЛ). Они и представляют собой основной вид излучателей в волоконно-оптической связи. [c.107]

Несколько типов устройств может быть использовано для построения таких дисплеев. Два наиболее часто применяемых типа — это жидкокристаллические дисплеи и дисплеи на основе светоизлучающих диодов. Жидкокристаллические дисплеи состоят из пленки с жидкими кристаллами, помещенной между двумя прозрачными пластинами с нанесенными на них электродами (Рис. 10.17). Электроды состоят из сегментов, формирующих требуемый для отображения символ. Когда между электродами появляется разность потенциалов, жидкие кристаллы начинают рассеивать свет, который без этого прошел бы прямо через них. Таким образом, если свет падает на кристалл прямо или сбоку, площадь между электродами становится яркой, делая видимым отображаемый символ. [c.157]

Светоизлучающие диоды начинают светиться, когда на них подано положительное напряжение. Диоды устанавливаются так, чтобы при подаче напряжения на определенные диоды можно было сформировать требуемый символ. [c.157]

Подключение дисплеев на светоизлучающих диодах [c.367]

Передатчик, который преобразует электрический сигнал в световой. Более точно, данное преобразование выполняет источник, представляющий собой либо светоизлучающий, либо лазерный диод. Управляющее устройство преобразует входной сигнал в сигнал определенной формы, необходимой для управления источником. [c.2]

Светоизлучающее диоды (СИД), используемые в волоконной оптике, являются более сложными приборами по сравнению с описанным выше, однако принцип работы у них тот же. Сложности возникают из-за того, что необходимо создать источник с заданными характеристиками какой-либо волоконно-оптической системы. Принципиальными характеристиками диода являются длина волны излучаемого света и пространственная диаграмма излучения. [c.102]

Широко используются оптические источники двух типов — светоизлучающие диоды и лазерные диоды. Излучение светоизлучающих диодов некогерентно и имеет большую расходимость. Для светоизлучающего диода характерен широкий спектральный диапазон V = АХ/Я, 0,03, Можно считать, что выходная мощность изменяется пропорционально току через диод, хотя имеется тенденция [c.190]

Люминесценция может быть вызвана светом (фотолю-жинесценцил) илп электрич. током злектролюминее-ценция). Иа явлении электролюминесценции основана работа большинства полупроводниковых излучателей света (см. Светоизлучающий диод, Рекомбинация носителей заряда в полупроводниках). [c.43]

На корпусе 4 копра в подшипниках установлена ось 5. На оси двумя винтами закрепляют один из трех маятников 6, при этом штифт, имеющийся на оси, должен находиться в центральном отверстии маятника. На опорных поверхностях корпуса специальными винтами крепят сменные опоры 7 для испытания на двухопорный ударный изгиб и устанавливают на них образцы для испытания. Для спуска маятника на корпусе закреплен фиксатор 8, там же под кожухом на одной оси с маятником расположен датчик работы. Он служит для получения и передачи в схему пульта управления электрических импульсов, число которых пропорционально численному значению работы, затраченной на разрушение образца. Датчик состоит из кронштейна с установленными на нем фототриодами и светоизлучающими диодами. Шкала закреплена на одной оси с маятником (рис. 2.6.2). [c.102]

Легальные поставки продукции ведущих мировых производителей со склада в Москве и на заказ - оптроны, светоизлучающие диоды, индикаторы, датчики, волоконно-оптические линии связи, ВЧ- и СВЧ-электроника, полупроводниковые лазеры видимого и инфракрасного диапазонов, микросхемы управления и обработки сигналов, фотоприемные устройства, ПЗС-линейки и ПЗС мэтрицы с различным количеством элементов, силовая электроника, аналоговая электроника, компараторы, ЦАП, АЦП любой разрядности, стабилитро- [c.222]

Волоконно-оптические преобразователи скорости. Для измерения двух компонент скорости в газах и капельных жидкостях могут быть применены также двухкомпонентные волоконно-оптиче-ские преобразователи скорости (ДВОИПС) [14]. Для оптически прозрачных сред используется ДВОИПС, изображенный на рис. 6.12. Упругий чувствительный элемент является продолжением стеклянного подводящего световода, связанного с источником света (лампой накаливания или светоизлучающим диодом), двух приемных световодов, соединенных по образующей и расположенных так, что их торцы находятся перед торцом чувствительного элемента. Приемные светоизлучающие диоды связаны с фотоприемниками. При помещении преобразователя в поток жидкости чувствительный элемент изгибается под действием силы лобового сопротивления, что приводит к перераспределению света между приемными световодами. Измеряя световые потоки с помощью фотоприемников, можно определить модуль и направление вектора скорости. ДВОИПС имеет некоторые преимущества по сравнению с термоанемометром. Объем, в котором производится осреднение измеренной скорости, на несколько порядков меньше, чем у термоанемометра со скрещенными нитями, и [c.385]

Б — источник питания В — выключатель питания ППН — полупроводниковый преобразователь напряжения ИОН — источник спорного напряжения / 5, R7, / 13 — Л15 — резисторы R6 — реохорд фотометрирсвания ОУ — операционный усилитель РЭ — регулирующий элемент К — ключ транзисторный Д — светоизлучающий диод Л — пирометрическая лампа. [c.341]

При использовании объектива (ЮОх) проведено изучение локальной температуры в действующем полупроводниковом приборе (МОП-структуре) [7.10]. При КР-термометрии на длинах волн 514 и 457,9 нм достигнуто субмикронное пространственное разрешение. Методом КР проведено также измерение температуры полупроводникового (InGaAsP) лазера во время его работы и действующего полевого транзистора при расстоянии между стоком и истоком 5 мкм (транзистор изготовлен из полупроводниковых твердых растворов А3В5 на подложке GaAs) [7.16]. Температура лазера, излучающего на длине волны 1,48 нм, увеличивается пропорционально току накачки, и при токе 400 мА и излучаемой мощности 140 мВт температура излучающей области выше температуры окружающей среды на 35 °С. При работе полевого транзистора (ток 40 мА) наибольшее увеличение температуры, измеренной с пространственным разрешением 0,4 мкм, происходит вблизи стока [Ав 60-Ь80 °С), тогда как вблизи истока нагрев меньше [Ав 35-Ь45 °С). Погрешность термометрии оценивается авторами величиной 5 °С. Температуру активного слоя в светоизлучающем диоде на основе Si измерили по сдвигу частоты поперечного оптического фонона [7.17]. Показано, что при плотности тока накачки 200 А/см температура достигает 350 °С. [c.186]

Цифровая информация может быть представлена с помощью газоразрядных цифровых ламп, электролюминесцентных, катодолюминесцентных цифровых индикаторов, цифровых индикаторов (рис. 11.3) на жидких кристаллах, на светоизлучающих диодах и др. [c.307]

Д0У1, оптрон 01 и светоизлучающий диод оптрона 02 не имеют общих точек (гальванически не связаны) с цепью фототранзистора оптрона 02 и усилителя Д0У2 [c.188]

Светоизлучающие диоды — это источники для многомодовых ВОЛС длиной до нескольких десятков километров со скоростью передачи информации до 200 Мбит/с. ИЛ по своим папамет iaибoлee полно удовлетворяют большинству требований, предъявляемых к источникам ВОЛС. Они могут обеспечивать безретрансляционную передачу данных на расстояния более сотен километров со скоростью, превышающей 1 Гбит/с. [c.108]

Из-за проблем, связанных с разными уровнями сигналов по току или напряжению, часто возникает необходимость входы/выходы приборов электрически изолировать от входов/выходов микропроцессора. Для этой цели чаще всего используются оптроны или оптопары. На Рис. 24.7 показаны принципиальная схема такого устройства и вариант его включения в измерительный контур, где с входной стороны — цифровой вход от чувствительного элемента с соответствующим уровнем сигнала, а на выходе — микропроцессор. Оптрон состоит из светоизлучающего диода (СИД), через который течет входной ток. Инфракрасное излучение, испускаемое светодиодом, детектируется фототранзистором, расположенным достаточно близко, но электрически изолировано от него. Таким образом, возникновение импульсов в цепи светодиода приведет к появлению импульсов в цепи фототранзистора, хотя никакого физического соединения между ними не существует. [c.363]

Светоизлучающие диоды (СИД) будут светиться, если через них протекает достаточно большой ток, обычно несколько миллиампер. Семисегментный дисплей содержит семь СИД, расположенных по контуру цифры восемь, для формирования различных цифр, что достигается путем включения соответствующих комбинаций СИД. Семисегментный дисплей требует семь входных сигналов управления. Таким образом, для отображения нужной цифры микропроцессор должен сформировать соответствующее управляющее слово. Это слово передается в триггерное устройство, например 74Ь8244, которое запоминает его для последующей активизации выбранных СИД (Рис. 24.12). Альтернативный способ — использование специальных устройств для преобразования выходного сигнала микропроцессора в требуемую комбинацию из семи разрядов, одновременно это устройство должно обеспечивать необходимый уровень тока для управления СИД. На Рис. 24.13 показан вариант такой системы, использующей дешифратор 7447. [c.367]

В эолоконной оптике свет рассматривают и как частицу, и как волну. Обычно в зависимости от смысла используют либо одно, либо другое понятие. Например, многие характеристики оптического волокна основаны на длине волны и свет рассматривается как волна. С другой стороны, испускание света источником или его поглощение детектором лучше описывается теорией частиц. Описание работы детектора основано на фотонах, попадающих на детектор и поглощаемых им. Вьщеляемая энергия обеспечивает электрический ток в цепи. Светоизлучающие диоды (СИД) работают на принципе передачи энергии от электронов к фотонам, энергия которых определяет длину волны излучаемого света. [c.40]

Источником может быть как светоизлучающей диод (СИД), так и лазер. Оба эти прибора основаны на малых полупроводниковых кристаллах размдюм в песчинку, которые излучают свет при пропускании вдоль них тока. Для того чтобы понять принцип действия СИД и лазера, а также фотодетектора, описанного в главе 9, предварительно нужно рассмотреть некоторые фундаментальные свойства веществ и, в частности, полупроводников. [c.97]

На рис. 8.9 видно, что спектральная ширина лазера существенно уже по сравнению со спектральной шириной светоизлучающего диода. Спектральная ширина лазера составляет от 2 до 5 нм, в то время как аналогичная характеристика СИД составляет десятки нанометров. Как правило, спектральная ширина не сказывается на качестве линии длиной в несколько километров, работающей на частотах до 100 МГц. Спектральная ширина является критическим параметром для высокоскоростных протяженных одномодовых оптических систем. В этом случае спектральная ширина ограничивает скорость передачи информации. Напомним, что ширина полосы пропускания одномодового волокна определяется величиной дисперсии и измеряется в пикосекундах на километр и на нанометр спектральной ширины источника (псек/км/нм). [c.108]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...