Методы получения диэлектрических пленок

М. МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК [c.40]

Какие методы получения диэлектрических пленок вы знаете [c.56]

Диэлектрические пленки должны удовлетворять ряду требований быть одинаковыми по толщине и иметь однородные структуру и состав как в каждом элементе микросхемы, так и на всех подложках, обрабатываемых на данном этапе технологического процесса. Параметры пленок должны быть надежно контролируемыми и воспроизводимыми, а методы получения пленок должны обеспечивать возможность максимально полной автоматизации, быть экономичными и безопасными. [c.39]

Ионно-плазменное распыление — метод получения резистивных, проводящих и диэлектрических пленок, при котором распыление осуществляется бомбардировкой материала мишени ионами плазмы газового разряда низкого Давления, формируемого между термокатодом и независимым анодом. Отличительной чертой ионно-плазменного распыления является высокий вакуум, что обеспечивает получение более чистых пленок. Электрические цепи разряда и распыления развязаны. [c.428]

Получение тонких пленок распылением материалов ионной бомбардировкой. Этот метод позволяет наносить пленки металлов (включая тугоплавкие), сплавов (в том числе многокомпонентного состава), полупроводников, а при использовании ВЧ-распыления—диэлектрические пленки. Характерно, что скорости распыления у большинства материалов различаются не более чем на порядок, в то время как скорости их испарения различаются резко (на несколько порядков). [c.112]

Многообразие материалов и методов получения не позволяют сделать каких-либо обобщающих выводов о механизмах поляризации в ЭНП. Характеры частотных зависимостей бг и tg б в каждом отдельном случае будут определяться природой материала, структурой локальных уровней в запрещенной зоне, присутствием примесей и структурных несовершенств, природой контактов подложка — ЭНП и ЭНП —верхний электрод и др. Так, для большинства АОП характерна слабая зависимость 8г и tg б от температуры и от частоты в диапазоне 50 Гц—1 ГГц. Это позволяет считать, что в АОП преобладают электронная и ионная поляризации. Незначительная релаксационная поляризация связана, по-видимому, с перескоком электронов по локальным уровням в запрещенной зоне, и максимум tg б обычно наблюдается в области частот менее 1 Гц. В термических оксидных пленках и ЭНП, получаемых испарением или осаждением из газовой фазы, чаще всего наблюдаются частотные зависимости 8г и tg б, характерные для дебаевской поляризации, что связано с присутствием в этих ЭНП посторонних примесей. Диэлектрические потери проводимости в [c.259]

В качестве изделий и пленок, стойких к агрессивным средам, с высокими диэлектрическими свойствами В виде паст и дисперсий для изготовления экструзией труб и для получения изоляционных и других покрытий профильных изделий В качестве химически стойкого уплотнительного материала и диэлектрика. Для изготовления конструкционных изделий прессованием (II) и экструзией (111) Для изготовления прессованных и экструзионных изделий (П), волокон (В) и лаковых покрытий (Л), стойких к агрессивным средам Для изготовления методом механической обработки электроизоляционных, антифрикционных, уплотняющих и химически стойких элементов конструкций и деталей Для изготовления методом механической обработки уплотняющих и антифрикционных изделий Для прокладок и диафрагм [c.91]

Одним из перспективных методов создания фольгированных диэлектриков является получение сверхтонкой фольги вакуумным методом (см. п. 3, гл. ХП) или прямое нанесение металлического покрытия на полимер путем испарения и конденсации в вакууме. Преимущества вакуумного метода очевидны уменьшается расход цветных металлов, так как толщина покрытий может регулироваться в широких пределах в зависимости от назначения схемы устраняется необходимость создания промежуточного оксидного слоя, который ухудшает диэлектрические свойства материала, и упрощается общая технологическая схема создания печатных плат за счет уменьшения числа операций. Наряду с листовыми материалами металлизировать можно полимерные пленки, такие как полиэтилентерефталат, полиимид и др. [c.325]

Фторопласт-3 (политрифторхлорэтилен), представляющий собой сыпучий порошок белого цвета отличается исключительной стойкостью в агрессивных средах и растворителях, хорошими диэлектрическими свойствами, особенно при низких частотах, высокой прочностью и отсутствием хладотекучести. Применяют Ф-3 а виде суспензий для получения стойких к агрессивным средам и практически непористых защитных покрытий, а также для изготовления прессованных конструкционных изделий, прокладок, пленок (методом экструзии) и в качестве сырья для специальных смазок и гидравлических жидкостей. [c.411]

Ф. А. Королев и А. Ю. Клементьева разработали метод получения диэлектрическнх слоев испарением сульфида цинка и криолита в высоком вакууме с оптическим контролем толщины пленок. Фильтры, полученные таким методом, обладают в видимой области пропусканием до 70% при полуширине полосы пропускания I нм и угловой апертуре —15° [56, 68]. Т. Н. Крыловой [72, 1151 разработан метод химического нанесения диэлектрических слоев двуокиси титана и двуокиси кремния, полученных из спиртовых растворов легко гидролизующихся этиловых эфиров ортотига-новой и ортокремниевой кислот с последующей термической обработкой. Для видимой части спектра такие фильтры имеют следующие характеристики пропускание в максимуме 50 —70% при полуширине полосы пропускания 8—12 нм. Часто вводится дополнительный фильтр из цветного стекла для обрезания вторичных максимумов. Из двух типов интерференционных фильтров более узкой полосой обладают светофильтры, полученные испарением сульфида цинка и криолита. [c.69]

Получение тонких пленок испарением металлических и неметаллических материалов в высоком вакууме является перспективным методом, особенно важным для современной технологии йнтегральных пленочных микросхем. Метод вакуумного испарения позволяет наносить любые пленки — проводящие, резистивные, диэлектрические, полупроводниковые, магнитные, защитные — почти на любые подложки при однотипном, единообразном технологическом цикле. Последнее обстоятельство создает главную предпосылку для автоматизации процесса, без чего повторяемость требуемых результатов и рентабельность производства мало реальны. [c.38]

Основным преимуществом импульсного нанесения пленок электронным лучом является высокая скорость осаждения (до 1. .. 10 мкм/с) возможность получения высокочистых пленок сохранение стехиометриче-ского состава испаряемого материала применимость метода не только к металлическим, но и полупроводниковым и диэлектрическим материалам. [c.326]

Полученная таким методом сегнетокерамическая пленка имеет те же свойства, что и свойства обычных объемных образцов, полученных путем спекания. Это показали результаты диэлектрических, пьезоэлектрических и рентгеновских исследований. [c.295]

Существенной разницы между электрическими характеристиками пленок, полученных как методом электрофореза, так и путем осаждения, не наблюдается. Необходимо отметить, что последние имеют несколько меньший разброс диэлектрических параметров. Полученные пленки используются для изготовления малогабаритных конденсаторов и высокочувствительных нелинейных элементов схем. В качестве конденсатора хорошие свойства обнаружил материал ВаТЮз—В12 (5пОз)з. [c.297]

В микротехнологии существовала потребность в температурных измерениях и новых методах, поскольку для управления температурным режимом технологических операций необходимо с высокой точностью и скоростью измерять температуру подложек (полупроводниковых и диэлектрических монокристаллов, стекол и т.д.). С помощью традиционных методов за 30 лет работы не удалось обеспечить ни непрерывного температурного мониторинга in situ, ни управления температурой. Невозможно было даже проводить систематические исследования температурных режимов поверхности вследствие низкой надежности результатов и высокой трудоемкости их получения. Такая же картина наблюдалась в области эпитаксиального роста пленок, ионной имплантации полупроводников, быстрых термических процессов (где воздействие на поверхность осуществляется с помощью оптического излучения большой интенсивности). [c.195]

Установка для получения пленки экструзионным способом состоит из цилиндра, внутри которого вращается червяк, постепенно выдавливающий расплав через формующую головку. В зависимости от типа формующей головки различают два способа экструзии через плоскую щель и через кольцевой зазор. В случае использования поскощелевой головки пленка получается в виде ленты, при применении головки с кольцевым зазором — в виде рукава. Выбор способа и его конструктивное оформление зависят главным образом от перерабатываемого материала и назначения пленки. При использовании этого метода легче достигаются высокие показатели диэлектрических свойств пленок, но труднее добиться стабильных показателей механических свойств и равномерной толщины. [c.102]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...