Покрытия диэлектрические

Метод основан на том, что выбранная электрическая схема эквивалентна исследуемой системе (металл-лакокрасочное покрытие, погруженное в электролит). Это позволяет экспериментально полученные характеристики Си R рассчитать соответственно выбранной схеме, в которой Си R соединены последовательно с электролитом, и систему можно рассматривать как конденсатор с потерями (утечкой), в которой металл и электролит являются обкладками, а лакокрасочное покрытие — диэлектрической прокладкой. Емкость и сопротивление измеряют на мостах переменного тока (например, типа R = 568, Л = 571 и др.) при трех частотах 500,1000 и 20000 Гц с помощью электролитической ячейки (рис. 52). [c.83]

Горелки для сварки в защитных газах не должны иметь открытых токоведущих частей, а их рукоятки должны быть покрыты диэлектрическими теплоизоляционными материалами и снабжены щитком для защиты рук сварщика от ожогов. [c.199]

Горелки для сварки в СОа не должны иметь открытых токоведущих частей, а рукоятки должны быть покрыты диэлектрическим теплоизолирующим материалом. [c.74]

Горелка для аргонодуговой сварки (резки) не должна иметь открытых токоведущих частей, а рукоятка ее должна быть покрыта диэлектрическим и теплоизолирующим материалом и снабжена щитком для защиты рук от ожогов. [c.203]

Класс А — рабочая температура 105° С. Сюда входят материалы класса У, пропитанные различными лаками или покрытые диэлектрическим раствором. [c.53]

При нанесении покрытий с различными значениями диэлектрической проницаемости на поверхность обтекателя со стенкой полуволновой толщины (т. е. коэффициентом отражения, равным нулю) эта закономерность не должна измениться. С другой стороны, если нам нужно нанести покрытие с толщиной, превышающей некритичную, оно может быть учтено при расчете толщины стенки. Наиболее же удобным для практического использования является такое покрытие, диэлектрическая проницаемость которого примерно равна диэлектрической проницаемости материала обтекателя. В таком случае покрытие может рассматриваться как материал обтекателя, что упрощает радиотехнические расчеты последнего. [c.245]

Основной тип волны, возбуждаемой в резонаторе, определяется конструкцией резонатора и в процессе контроля не меняется. Поэтому собственная резонансная частота объемного резонатора будет изменяться при отклонении толщины контролируемого покрытия от номинального значения, поскольку это приводит к изменению геометрии резонатора. Смещение резонансной частоты резонатора вызывается также изменением диэлектрической проницаемости покрытия. Однако, так как для большинства покрытий диэлектрическая проницаемость изменяется в плоскости слоев в очень небольших пределах, а отношение объема материала в резонаторе к общему объему резонатора можно сделать достаточно малым, то влиянием разброса диэлектрической постоянной можно пренебречь. [c.30]

Эмиссия диэлектрических слоев. Обнаружено, что относительный коэффициент вторичной эмиссии Овт с окисленной поверхности алюминия, обработанной парами цезия, т. е. с поверхности металла, покрытой тонкой, плохо проводящей пленкой, иногда достигает огромных значений (оат= 100... 1000). Это же наблюдается при создании положительного заряда на пленке любым другим способом, в том числе осаждением положительных ионов газа, что весьма возможно для условий сварочной дуги в парах металлов. [c.68]

В преобразователях, основанных на вихревых токах (рис. 7.12), роль вторичной обмотки выполняет поле вихревых тонов, наводимых в контролируемой детали. О контролируемом расстоянии судят по изменению индуктивности и потерь в первичной обмотке. С помощью преобразователей можно измерять толщину диэлектрических покрытий на любых токопроводящих материалах, но нельзя измерять толщину металлического неферромагнитного покрытия на ферромагнитном основании. [c.157]

Для рассматриваемых нами покрытий основным критерием при выборе оптимальной толщины является фактор, обеспечивающий полное излучение через поверхность излучает тело, поверхность же является разделом двух сред, имеющих различные оптические характеристики [3]. Под оптическими характеристиками среды понимаются, как известно, показатель поглощения показатель преломления и диэлектрическая проницаемость ц. Частицы вещества, находящиеся в поверхностном слое (или с другой стороны границы раздела), испускают электромагнитную энергию в направлении границы между двумя средами. Излучение, проходящее через эту границу, распространяется в граничной среде. Уравнение плоской электромагнитной волны, распространяющейся в глубь металла вдоль оси х, будет [c.116]

Схема многослойного отражающего диэлектрического покрытия [c.219]

Этот результат (дополнительность картин в проходящем и отраженном свете) справедлив при выполнении условия (5.57), т.е. при отсутствии поглощения в отражающих слоях. Таким образом, изложенная теория, безусловно, применима к тому случаю, когда в качестве отражающих слоев интерферометра используются многослойные диэлектрические покрытия, поглощение в которых пренебрежимо мало (см. 5.5). [c.243]

Заметим, что высоко отражающие многослойные диэлектрические покрытия получили широкое распространение лишь 20—30 лет назад. До этого времени в интерферометрах Фабри — Перо использовались полупрозрачные металлические зеркала. По некоторым причинам их применяют и по сей день. [c.243]

В настоящее время технически возможно создание диэлектрических отражающих покрытий с очень высокими коэффициентами отражения (больше 99%). Однако неизбежные погрепшости при изготовлении зеркал ограничивают целесообразность использования столь высоких коэффициентов отражения, поскольку из-за потерь в свете не имеет смысла изготовлять интерферометр, у которого ширина контура целиком определяется дефектами поверхностей. Общего критерия для выбора наиболее выгодного коэффициента отражения для данной поверхности зеркал привести нельзя, так как он зависит от конкретных особенностей решаемой задачи, но приблизительно можно считать, что уши- [c.324]

При хорошем и свежем металлическом покрытии можно иметь А не больше 1%. В таком случае при R = 90%, Т = 9% /max составляет 80% от интенсивности падающего света при/ = 95%, Т = 4% /max 65%. На практике при металлических покрытиях обычно /max имеет меньшее значение. При многослойных диэлектрических покрытиях удается получить лучшие значения для /так, чем при металлических покрытиях. [c.140]

Давление гелия в трубке примерно равно 1 мм рт. ст., давление неона — 0,1 мм рт. ст. Трубка имеет катод 2, накаливаемый низковольтным источником питания, и цилиндрический пустотелый анод 3. Между катодом и анодом на трубку накладывается напряжение 1—2,5 кВ. Разрядный ток в ней равен нескольким десяткам миллиампер. Разрядная трубка гелий-неонового лазера помещается между зеркалами 4, 5. Зеркала, обычно сферические, делаются с многослойными диэлектрическими покрытиями, имеющими высокие значения коэффициента отражения и почти не обладающими поглощением света. Пропускание одного зеркала составляет обычно около 2%, другого — мене е 1%. [c.792]

Интерферометр Фабри—Перо. Интерферометр, или эталон Фабри—Перо, является в настоящее время основным прибором в спектроскопии высокой разрешающей силы. Его действие основано на интерференции большого числа лучей, получаемых при многократном отражении световой волны между двумя параллельно расположенными плоскими зеркалами, обладающими частичным пропусканием (рис. 26). В современных интерферометрах, как правило, используют многослойные диэлектрические зеркальные покрытия, которые наносят на подложки из оптического стекла или кварца в вакууме. Они позволяют получать высокие коэффициенты отражения света при малой величине потерь на поглощение. Худшие характеристики имеют покрытия из тонких пленок серебра и алюминия. [c.76]

Рис 37. Электрические модели систем металл - полимерная пленка -электролит а - сплошное покрытие 6 - электролит в - пористое покрытие С, - электрическая ёмкость конденсатора г/ - активное сопротивление, эквивалентное диэлектрическим потерям конденсатора - электрохимическая ёмкость электролита внутри пор ti - сопротивление электролита в порах [c.63]

Точность измерений амплитудно-фазовым методом может быть весьма высокой, но не выше предела, обусловленного относительной величиной разброса диэлектрических свойств материала слоя, выражаемой через отношение Дп2 2- Относительная погрешность измерения толщины для достаточно однородных диэлектриков составляет 1—3 %, или 50—100 мкм на длине волны 3 см и 20—30 мкм при 8 мм. Амплитудно-фазовый метод реализован в ряде приборов, например, СТ-21 И, СТ-21 ИМ, СТ-31 И, которые успешно применяют при контроле толщины теплозащитных, антикоррозионных и других покрытий и диэлектрических слоистых материалов (керамики, стекла и т. п.) [c.225]

ВТМ позволяют успешно решать задачи контроля размеров изделий.Этими методами измеряют диаметр проволоки, прутков и труб, толщину металлических листов и стенок труб при одностороннем доступе к объекту, толщину электропроводящих (например, гальванических) и диэлектрических (например, лакокрасочных) покрытий на электропроводящих основаниях, толщину слоев многослойных структур, содержащих электропроводящие слои. Измеряемые толщины могут изменяться в пределах от микрометров до десятков миллиметров. Для большинства приборов погрешность измерения 2—5%. Минимальная площадь зоны. контроля может быть доведена до 1 мм , что позволяет измерить толщину покрытия на малых объектах сложной конфигурации, С помощью ВТМ измеряют зазоры, перемещения и вибрации в машинах и механизмах. [c.83]

Толщиномеры диэлектрических покрытий на электропроводящих основаниях. Один из основных параметров толщиномера — погрешность измерения, возникающая, как правило, вследствие влияния мешающих факторов, связанных с измерением параметров объекта. В толщиномерах обычно используют только накладные ВТП, позволяющие оценивать локальную толщину объекта. Структурные схемы толщиномеров определяются способом выделения информации и отличаются от схем дефектоскопов, как правило, отсутствием блоков, применяемых при модуляционном способе. [c.148]

К диэлектрическим покрытиям на электропроводящем основании относятся различные оксидные, фосфатные, лакокрасочные, керамические, эмалевые, пластмассовые и другие покрытия на ферро- и неферромагнитных металлах и сплавах. Толщиномеры диэлектрических покрытий на электропроводящих основаниях представляют собой измерители зазора. Выбрав достаточно большое значение обобщенного параметра контроля, можно получить хорошую чувствительность к зазору при малой погрешности, вызванной влиянием изменений о и толщины основания. Благодаря этому удается создать толщиномеры без применения специальных схем, предназначенных для ослабления влияния мешающих факторов на показания приборов. К ним относятся ранее выпускавшиеся приборы серии ТПН и ТПК. Структурная схема этих приборов приведена на рис. 69. В них применялись параметрические накладные ВТП, включаемые в цепь параллельного резонансного контура. [c.148]

Для контроля сплошности диэлектрических покрытий (эмаль, стекло, эпоксидная смола) на внутренней поверхности труб применяют электроискровые приборы. Так, для контроля труб в цеховых условиях применяют дефектоскоп ИД-Ш. Его работа основана на электроискровом пробое дефектных мест в диэлектрическом покрытии высоким выпрямленным напряжением. Контроль осуществляется с помощью сменных электроискровых головок, вставляемых в трубу на металлической штанге. Дефектоскоп снабжен световой и звуковой сигнализацией. [c.186]

Для контроля труб с диэлектрическим покрытием диаметром 60— 152 мм применяют комплексный дефектоскоп ДК-1 [12], Дефектоскоп содержит устройство для перемещения, измерительный блок и внешнее записывающее устройство. Устройство для [c.186]

Никитин А, И, Комплексный дефектоскоп ДК-1 для контроля качества диэлектрических покрытий на внутренней поверхности труб. — Дефектоскопия, 1980, № 12. с. 33—38, [c.188]

Антикоррозионные диэлектрические покрытия, наносимые на внутреннюю поверхность насосно-компрессорных труб для скважин и труб нефтяного сортамента, увеличивают срок службы трубопроводов и других сооружений. Для контроля толщины покрытия. [c.328]

В процессе анодирования при повышении напряжения на поверхности алюминия формируется диэлектрическая окисная пленка аморфного строения, состоящая из внутреннего тонкого барьерного слоя и наружного, пронизанного многочисленными порами. При достижении напря-дения дуги на поверхности анода, покрытого диэлектрической окисной пленкой, в местах микродефектов и пор возникает пробой окисной пленки и появляются микро-ор цуговые разряды. Под действием микродуго-вых разрядов идет процесс окисления, толщина пленки в этих местах растет, и происходит залечивание дефектных точек. В результате анод покрывается плотной окисной пленкой, обладающей высокими изолирующими и [c.123]

При выполнении электросварочных работ в сырых местах сварщик должен находиться на настиле из сухих досок или на настиле, покрытом диэлектрическим коврнко.м, [c.162]

Для защиты различных электротехнических конст рукций, работающих в условиях повышенной влажности при норглальной температуре и 40°С, также могут использоваться органосиликатные покрытия. Для этого в органосиликатные материалы вводятся тетрафторэти-лен, низкомолекулярные полиснлоксаны, некоторые окислы металлов II группы периодической системы Д. И. Менделеева и т. д. В таких покрытиях диэлектрические свойства в процессе длительного пребывания в условиях атмосферы с относительной влажностью 98% при температуре 15 —35°С изменяются незначительно. Ниже приведены результаты испытания органосиликатного покрытия после длительного воздействия температуры 400°С с последующим увлажнением в течение 48 ч в условиях 98%-ной относительной влажности при 20°С [22] [c.137]

В электротехнике дисперсии на основе ПТФЭ применяются в качестве электроизоляционных покрытий. Диэлектрические свойства ПТФЭ практически не зависят от частоты и мало изменяются с повышением температуры. В отличие от монолитного ПТФЭ покрытия имеют худшие электроизоляционные свойства из-за наличия пор. Для получения электроизоляционных покрытий наносят до 10 слоев дисперсии. [c.101]

Методы определения диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь и радиопрозрачности покрытий. Диэлектрическая проницаемость е и тангенс угла диэлектрических потерь покрытий tg б на частотах 10 —10 Гц определяются чаще всего резонансными методами с использованием измерителей добротности типа Е9-4. [c.261]

Основным достоинством алгоритма является возможность быстрого сканирования распределения толщины Ь х, z) на больших площадях покрытий с отстройкой от зазора и от изменения величин s и ц вне зависимости от типа покрытия (диэлектрическое или магнитодиэлектрическое). [c.76]

Как пам уже известно, в оптическом диапазоне коэффициент отражения при нормальном падении луча для границы воздух — стекло равен примерно 0,04. Увеличение R при наклонном падении луча не является достаточным для получения резкой многолучевой иитерс )еренционной картины в проходящем свете. Коэффициент отражения, близкий к единице, можно получить и при почти нормальном падении света — путем нанесения соответствующих многослойных диэлектрических покрытий или частично прозрачного слоя металла. [c.103]

Высокоотражающие интерференционные покрытия (интерференционные зеркала). Наряду с необходимостью уменьшать коэффициент отражения на практике часто приходится решать противоположную задачу — получать высокоотражающие поверхности. При решении также и этой задачи па помош,ь приходит явление интерференции. Легко убедиться, что если в системе, изображенной на рис. 5.14, показатель преломления диэлектрического слоя взять больше показателя преломления стекла п > п ), то произойдет увеличение коэффициента отражения. Вследспзие того, что потеря полуволны будет происходить теперь только на пиеш-ней поверхности пленки, оптическая разность хода между отраженными когерентными волнами I и 2 будет равна Л/4 + Х/4 + к/2 = = X, что соответствует разности фаз, равной 2я. Таким образом, [c.108]

В плоской термоэлектрической батарее оба электроизоляционных перехода представляют собой плазменно напыленный на коммутационные пластины алунд (АЦО,) толщиной 2-10- м. Покрытие пропитано кремнийоргани-ческим лаком (для улучшения диэлектрических свойств) и контактирует с поверхностями теплопроводов из 12Х18Н9Т через герметик У-1-18. При этом термосопротив ления переходов, равные 2-10- и 3-10- м -К/Вт со Topoi ны холодного Тхп = 323 К) и горячего (Тг = 523 К) теплопроводов соответственно (как в вакууме, так и в воздухе), вместе составляют 15% от общего термосопротивления батареи. Известно, что выражение для абсолютного электрического к.п.д. термоэлектрогенератора имеет вид [c.218]

Диэлектрические материалы применяют в микроэлектронике в качестве изоляционных покрытий и масок при диф( )узии и ионной имплантации, герметизирующих покрытий легированных пленок, предотвращающих выход легирующих элементов, герметизирующих слоев, защищающих поверхности приборов от внещних воздействий, для диффузии примесей из слоев легированных оксидов, а также для геттерирования примесей и дефектов. Наиболее перспективны для этих целей оксид и нитрид кремния, а также имеющие более узкое применение оксинитрид кремния и некоторые стекла. [c.39]

В электрической схеме коррозионного гальванического элемента полимерное покрытие может быть представлено как диэлектрическая прокладка конленсатора, обкладками которого являются металл - с одной стороны и элек- [c.62]

Дефектоскоп состоит из приводного механизма сменных измерительных блоков и внешнего записываюш,его устройства. Приводной механизм включает электропривод, ведущую и ста-билизируюш,ую головки. Ведущая головка является преобразователем вращательного движения в поступательное благодаря установке обрезинен-ных роликов под углом 30° к оси трубы. Стабилизирующая головка отличается от ведущей только продольным расположением роликов. Приводной механизм обеспечивает обратное движение при подходе к краю трубы. Блок контроля сплошности диэлектрических покрытий содержит преобразователь напряжения, высоковольтный трансформатор, умножитель напряжения и скользящий контакт в виде кольцевой провшючной оболочки, надетой на корпус блока. Наличие трещин обнаруживается по искровому разряду между скользящим контактом и металлом трубы, записываемому самописцем. [c.329]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...