Спектр индия

Щелевой спектрограф S-020 был предназначен для области 1—20 нм [56]. Интересной конструктивной особенностью этого прибора была решетка на одной подложке радиусом 1 м были нарезаны одна над другой две секции с плотностью штрихов 1200 и 2400 мм , дававшие спектры в области 1—10 и 2—20 нм с разрешением 4.10 и 8-10 нм соответственно. Из-за падения чувствительности вследствие загрязнения входных фильтров из индия и бериллия в первые дни работы станции эксперименты с этим прибором практически не проводились. [c.293]

Элемент индий открыт в 1863 г. Рейхом "и Рихтером спектральным методом в цинковой обманке и назван по характерному синему цвету линий в его спектре. Новый элемент первоначально считали аналогом цинка. Д. И. Менделеев исправил принятый ранее атомный вес индия и поместил индий в HI группу периодической системы. [c.425]

Условия появления. В поглощении парами индия и в спектре флуоресценции. [c.144]

Обеспечение изменчивости с широким спектром мутаций и высокой частотой их появления в целях получения исходного материала для отбора. Располагая большим разнообразием мутантных форм, селекционер отбирает среди сотен бесполезных или вредных изменений единичные ценные формы и использует их при выведении новых сортов. В результате мутаций у растений могут проявляться новые, ранее неизвестные, полезные признаки, для передачи которых такой испытанный и ведущий метод, как гибридизация, может оказаться неэффективным. В частности, в Индии при работе с рисом удалось добиться изменения практически всех его признаков. Среди этого многообразия форм отобраны мутанты с полезными изменениями. [c.258]

Покрытия индием находят применение в оптической промышленности, так как этот металл наиболее равномерно отражает световые волны всех цветов спектра. [c.64]

Особенности элементарного акта излучения, а также множество физ, процессов, нарушающих осевую симметрию светового пучка, приводят к тому, что свет всегда частично поляризован, Поляризованный свет может возникать при отражении света и преломлении света на границе раздела двух сред в результате различия оптич, хар-к границы для компонент, поляризованных параллельно и перпендикулярно плоскости падения (см. Брюстера закон). Свет может поляризоваться при прохождении через анизотропную среду (с естеств. или инду-цир. оптической анизотропией) либо В результате различия коэфф. поглощения для разл. поляризаций (см. Дихроизм), либо вследствие двойного лучепреломления. П. с. возникает при рассеянии света, при оптич. возбуждении резонансного излучения в парах, жидкостях и ТВ. телах (см. Люминесценция). Обычно полностью поляризовано излучение лазеров. В сильных магн, и электрич. полях наблюдается полная поляризация компонент расщепления спектр, линий поглощения и люминесценции газообразных и кон- [c.576]

Параллельно с квант, механикой развивалась квант, статистика — квант, теория поведения физ. систем, состоящих из огромного числа микрочастиц. В 1924 инд. физик Ш. Бозе, применив принцип квант, статистики к фотонам (их спин равен 1), вывел ф-лу Планка для распределения энергии в спектре равновесного излучения, а Эйнштейн — ф-лу распределения энергии для идеального газа молекул Бозе — Эйнштейна статистика). В 1926 Дирак и итал. физик Э. Ферми показали, что совокупность эл-нов (и др. одинаковых ч-ц со спином /а), для к-рых справедлив принцип Паули, подчиняется др. статистич. законам Ферми — Дирака статистике). В 1940 Паули теоретически установил связь спина со статистикой. Квант, статистика сыграла важную роль в развитии Ф. конденсированных сред и в первую очередь Ф. ТВ. тела. В 1929 И. Е. Тамм предложил рассматривать тепловые колебания атомов кристалла как совокупность квазичастиц — фононов. Такой подход позволил объяснить, в частности, спад теплоёмкости металлов (- Г ) с понижением темп-ры Т в области низких темп-р, а также показал, что осн. причина электрич. сопротивления металлов — рассеяние эл-нов на фононах. Позднее были введены др. квазичастицы. Метод квазичастиц оказался весьма эффективным в Ф. конденсированных сред. [c.815]

Оптические свойства. Исследование оптических свойств кристаллических полупроводников дает обширную информацию об их зонной структуре. Данные об энергетическом спектре аморфных полупроводников также могут быть получены из оптических измерений. Первостепенная роль отводится при этом измерениям спектров поглощения. Спектры поглощения аморфных полупроводников удобно сравнить со спектром тех же материалов в кристаллическом состоянии. Это можно сделать в случаях германия, кремния, соединений селена и теллура. На рис. 11.14 в качестве примера приведен край спектра оптического поглощения аморфного кремния, который сравнивается с соответствующим спектром кристаллического кремния. Аналогичные данные получены для аморфного германия, арсенида и антимонида индия и некоторых других полупроводников. [c.367]

Арсенид галлия среди соединений А " В занимает особое положение. Большая ширина запрещенной зоны (1,4 эВ), высокая подвижность электронов [0,85 м /(В-с)] позволяют создавать на его основе приборы, работающие при высоких температурах и высоких частотах. Первым полупроводником являлся GaAs, на котором в 1962 г. был создан инжекционный лазер. Он используется для изготовления светодиодов, туннельных диодов, диодов Ганна, транзисторов, солнечных батарей и других приборов. Для изготовления детекторов в инфракрасной области спектра, датчиков Холла, термоэлектрических генераторов, тензометров применяется анти-монид индия, имеющий очень малую ширину запрещенной зоны [c.291]

На рис. 2 приведены фототермоионизац. спектры чистых образцов Ge и Si. Линии в спектрах относятся к техноло-гически неконтролируемым остаточным кол-вам примесей и примесных комплексов, В образце Ge (рис. 2, а) суммарная концентрация акцепторов jVa = 6-10 см , доноров Л д = 9 10 см -, темп-ра образца Г=6,5 К, разрешение 0,03 см . В образце Si (рис. 2,6) Л л=10 м 10 см , Т= 1 К, разрешение 0,25 см . Кроме анализа чистоты Ge и Si Ф. с, используется также для исследования локализованных состояний и анализа примесей в арсениде галлия, фосфиде индия, теллуриде кадмия, ПП алмазе и др. Чистые полупроводники AjB, содержат больше остаточных примесей, чем Ge и Si. Для устранения эффектов, связанных с перекрытием состояний близко расположенных атомов примеси, приводящих к сильному уширению и даже исчезновению линий в спектрах, исследуемые образцы помещают в маги, гголе, к-рое сжимает основное и возбуждённое состояния, увеличивает энергии связи электронов и снимает перекрытие состояний. [c.362]

Техника ионной имплантации позволяет вводить в матрицу контролируемую концентрацию вещества. Эта техника стала развиваться после того, как было обнаружено, что в ионных кристаллах, бомбардируемых ионами металлов, кроме точечных дефектов, образуются также и металлические кластеры [65—691. Например, когда в монокристаллы LiF при колшатной температуре имплантировали 2 10 атомов 1п/см с энергией 100 кэВ, то, как показали спектры оптического поглощения, в ходе последующей термообработки, проводимой по 30 мин при температурах 150, 250, 350, 400, 450, 500, 600° С, кластеры индия сначала возникали и росли, а затем постепенно исчезали 167]. Первичная концентрация In составляла при этом 6 ат.%. Максимальное число имплантированных ионов In, принимающих участие в образовании кластеров, не превышало 37% при f = 350° С. Нагревание кристаллов выше 350° С приводило к постепенному растворению кластеров. [c.21]

Масс-спектры кластеров In , Bi , Sb приведены на рис. 50 1326]. Собственный пар индия является существенно моноатомным. Между тем в свободно расширяющейся струе смеси пара металла с инертным газом-носителем наблюдались, кроме мономера, агрегации 1п2 и 1п (w = 9 -Ь 50). Кластеры Iiij—Ins маскировались фоном, состоящим главным образом из органических молекул. Хотя максимальной разрешаемой агрегацией был Хпдо, масс-спектр простирался до Injoo. [c.116]

Недавно проведено исследование оптических свойств кластеров 1п8, внедренных в цеолитную матрицу [631]. Образцы приготавливали вдавливанием расплавленного металла под действием высокого давления в полости цеолита. После снятия давления и отжига такого заряженного металлом цеолита (ЗМЦ) NaA—In часть металла выдавливалась обратно до тех пор, пока в каждой полости не оставалось по 8 автомов индия. На рис. 125 приведены измеренные спектры поглощения образцов в ближней УФ- и видимой областях спектра. Исходные цеолиты NaA практически прозрачны (кривая 1). Введение In в цеолит приводит к появлению в спектре поглощения ЗМЦ широкой полосы (кривая 2). В процессе отжига спектр поглощения ЗМЦ существенно трансформируется (кривые 3, 4), причем появляется определенная корреляция спектра поглощения Ins как со спектром [c.269]

Фотоэлектронные спектры валентных электронов родия, палладия, серебра и иридия, платины, золота (см. рис. 28) показывают постепенное расщепление формирующейся d-оболочки по мере заполнения 2е-состояния, На рис. 29 показано расщепление глубокой остовной й -оболочки элементов от палладия до ксенона на два пика меньшего для eg (й )-состояния и большего для t2g (d )- o-стояния. На это расщепление заметно не влияет внешнее кристаллическое поле, поскольку палладий, серебро и индий имеют ГЦК структуру К = 12), кадмий — плотную гексагональную К = 12),. олово — искаженную ОЦК (/С = 4 -(- 2), сурьма — простую гексагональную (/С = 3), теллур — ромбическую (К = 2), но совер шенно разное окружение атомов в их решетках не изменяет характер двугорбого d-пика. Глубокое расщепление 5d -oбoлoчки на (d )- [c.58]

Фосфоры, активированные оловом и индием, представляют особый интерес в связи с тем, что двухвалентные ионы олова и одновалентные ионы индия имеют изоэлектронные оболочки, а также ввиду особенностей структуры их спектров поглощения. Исследованные нами фосфоры выращивались в виде монокристаллов либо по методу Киропулоса, либо в откачанных и запаянных кварцевых ампулах. Второй способ выращивания приходится применять в тех случаях, когда активирующая примесь обладает по сравнению с основанием низкой точкой кипения и большой летучестью. Облучение образцов рентгеновыми лучами производилось с помощью технической рентеновской рубки, работавшей при напряжении в 60—70 KV и силе тока в 4 тК. [c.197]

Войраст нейтронов спектра деления в смеси DgO — HjO so энергии резонанса индия [1] [c.926]

К такому же выводу приходят и авторы работы [ ], изучая изменение инфракрасных спектров поглощения кетонов (ацетон, ме-тилгексилкетон, ацетофенон, бензофенон, циклогексанон) под влиянием хлоридов индия и галлия. При исследовании Р взаимодействия карбонилсодержащих молекул парафинового ряда с галогенидами металлов было также показано образование прочного комплекса со связью О—Ме. Выравнивание сопрян енных валентных связей в органической молекуле при взаимодействии атома металла с л-электронами кислорода карбонила является следствием ослабления С=0-свя-зи [ ]. [c.285]

Тонкие пленки многих окислов металлов обладают свойствами полупроводников. Для получения стекла с электропроводящей поверхностью успешно применяются окислы олова, индия, титана, кадмия, сурьмы, свинца и других металлов, а также различные комбинации этих окислов с небольшими добавками окислов меди, цинка, кобальта и др. Так, например, прозрачные окиснооловянные пленки, предназначенные для электронагревательных приборов из стекла, содержат обычно от 1 до 10% ЗЬзОд. Толщина пленок на стекле может колебаться от нескольких ангстрем до нескольких микрон, а их электросопротивление (при одинаковой площади) — от нескольких до сотен тысяч ом. Такие пленки вполне прозрачны для лучей видимой части спектра. Они могут поглощать от 1 до 20% и отражать 10— 12% светового потока. [c.210]

Металлогалогенные лампы, появившиеся в начале бО-годов, значительно превосходят ДРЛ по световой отдачей возможности широкого варьирования спектрального состава. Конструктивно металлогалогенные лампы близки лампам ДРЛ. Внешнее отличие состоит в отсутствии люминофора и в наличии у отдельных типов ламп цилиндрической колбы вместо эллипсоидной." В их кварцевую трубку, помимо ртути и аргона, вводятся галоидные соединения различных химических элементов. Наиболее распространенными добавками для металлогало-генных ламп общего применения являются йодиды натрия, таллия, индия, скандия и др. В зависимости от состава комбинации добавок можно получить необходимый спектр излучения лампы. Концентрация добавок металлов по сравнению с ртутью является относительно малой. [c.13]

Индий используют для изготовления металлических зеркал, так как покрытие равномерно отражает световые волны всех цветов спектра, а рений — для термопар и поверхностей изделий, подвергающихся воздействию высоких температур и химических реагентов. Кроме того, разработаны электролиты для покрытия изделий германием, галием, висмутом, талием. [c.347]

Однако при молекулярном рассеянии света в среде, содержащей многоатомные молекулы, в спектре рассеянного излучения наблюдаются добавочные линии (сателлиты), сопровождающие каждую из спектральных линий первичного света. Это явление было открыто в 1928 г. Л. И. Мандельштамом и Г. С. Ландсбергом в Москве и Раманом в Индии. Оно называется комбинационным рассеянием света. Происхождение сателлитов связано с модуляцией рассеянного света низкочастотными колебаниями атомов, образующих молекулу рассеивающей среды. [c.123]

Индий при изготовлении зеркал является наилучшим металлом, наиболее равномерно отражающим световые волны всех цветов спектра, блщ-о даря чему нндирование нашло широкое применение в оптической промышленности. Индирование находит применение также при покрытии вкладышей подшипников поверх свинца. Толщина индиевых покрытий, в зависи-ности от назначения, составляет от 0,3 до 3 мк. [c.69]

Преимущества последнего метода заключаются в высокой точности, простоте аналитических приемов и в экспрессности. Однако усовершенствование технологии производства индия, связанное с использованием все более и более бедного исходного сырья и с повышением степени извлечения индия, привело в конце концов к тому, что чувствительность определений этим методом оказалась в ряде случаев недостаточной. Дальнейшее увеличение чувствительности могло быть достигнуто при использовании дуги для возбуждения спектров и применения фотографических методов анализа. При этом, однако, нельзя было достичь удовлетворительной воспроизводимости. Казалось поэтому целесообразным искать решение в дальнейшем усовершенствовании метода фотометрии пламени. [c.108]

Волну, отраженную от дефекта, можно представить в виде интеграла Фурье по волновому вектору к. Такое представление означает, что, зная спектральный состав волн, отраженных по всем направлениям от дефекта, можно построить точное изображение дефекта. Для достаточно полного представления образа дефекта необходимо изучить спектр частот отраженного сигнала в диапазоне fmaxlfm Ii=3. .. 5 при изменении углов отражения от дефектов в пределах 90... 120°. Практическая реализация этого направления изучения. формы дефекта идет пока по двум путям изучение зависимости амплитуды сигнала от направления рассеяния (инди-катриссы рассеяния) и изучение спектрального состава сигнала. Первое направление прорабатываегся более широко, так как не требует создания специальной широкополосной аппаратуры. [c.197]

Материал для фотосопротивленйя подбирается в зависимости от длины волны излучения цели. Так, сульфид свинца реагирует на излучение с Л = 3 мкм, теллур свинца — 4,5 мкм, селенит свинца — 6 мкм, антимонид индия — Я 7,0 мкм, германий — X = 100 мкм. Для повышения чувствительности и расширения спектра длин волн эти материалы могут быть охлаждены. [c.84]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...