Фосфид индия

Гц при приложении к кристаллу постоянного электрического поля. Этот эффект Ганна наблюдали позднее в фосфиде галлия, фосфиде индия и ряде других полупроводников. Он тоже связан с изменением подвижности носителей заряда в сильных полях. Однако механизм изменения ц отличен от рассмотренного выше. [c.257]

Селенид кадмия Сульфид кадмия Сульфид свинца Теллур Теллурид висмута кадмия свинца рубидия цезия Титанат бария Фторид лития Фосфид индия Хлорид серебра [c.576]

В кристаллах с ионной или частично ионной связью, например в полупроводниках типа А преобладающим является рассеяние на оптических колебаниях решетки, так как эти колебания приводят к появлению сильного электрического поля при смещении подрешетки положительных ионов относительно подрешетки отрицательных ионов. Как показывает теория, для такого рассеяния подвижность свободных носителей заряда растет с ростом <у). Это означает, что с увеличением <и> взаимодействие электронов с решеткой ослабляется. Поэтому с ростом поля электронный газ сильно разогревается. При этом в арсениде галлия, фосфиде индия и некоторых других полупроводниках наблюдается эфс )ект дрейфовой нелинейности нового типа. Впервые он был открыт Ганном в арсениде галлия и назван эффектом Ганна. [c.195]

Электрофизические свойства монокристаллов фосфида индия < [c.580]

Фосфид индия применяют при изготовлении лазеров. Технологические трудности выращивания монокристаллов фосфида индия связаны с высоким давлением паров (21 -10 Па) в точке плавления (1062° С). Наиболее чистый InP имеет концентрацию электронов 10 м . Основные физические свойства фосфида индия приведены Б табл. 14.4, [c.103]

Сплавы индия с фосфором и соединение 1пР могут быть получены как прямым синтезом, так и другими косвенными методами. Описание этих методов приводится в работах [1—26]. Классификация методов получения различных фосфидов, в том числе и фосфида индия, дана в работе [23]. В работах [21, 22] подробно рассмотрен метод получения соединения 1пР [c.529]

О получении монокристаллов и очистке фосфида индия зонной плавкой сообщается в работах [15, 16, 20, 27—30] металлокерамические образцы [c.530]

Плотность. Плотность фосфида индия по данным различных исследований составляет 4,68 [24], 4,76 [47], 4,78 г/см [48]. Согласно [33] при переходе InP в метастабильное металлическое состояние плотность его увеличивается на 7,4% [c.531]

Термическое расширение. Линейное расширение фосфида индия в интервале 20—700 по данным [61] показано на рис. 329. Согласно [60] коэффициент линейного расширения фосфида составляет 5,15-10 град . [c.531]

Температура начала окисления фосфида индия на воздухе отвечает 500° [58]. Кинетику и механизм окисления фосфида газообразным кислородом изучали в работе [c.532]

По данным [24] фосфид индия не растворим в воде и водных растворах щелочей, а при сплавлении с щелочами выделяется королек металлического индия. Согласно [c.532]

Рис. 375. Изменение электропроводности образцов 1, 2 к 3 фосфида индия в зависимости от температуры по данным [13].

Ряд соединений индия (окись, сульфид, селенид, теллурид, антимонид, арсенид и др.) являются полупроводниками. Они могут быть использованы в качестве термоэлементов. Так, термоэлементы, изготовленные из арсенида или фосфида индия, способны работать при высоких температурах. [c.429]

Перспективна модификация метода, основанная на применении "световой плоскости". Излучение источника света (обычно лазера) цилиндрической линзой преобразуется в плоский поток с малой расходимостью. В фокусе линзы ширина пучка порядка 10. .. 50 мкм в зоне 2 мм (вдоль пучка). Дефекты материала, рассеивающие свет (метод темного поля), визуализируют телекамерой, оптическая ось которой направлена ортогонально световой плоскости. При использовании ИК-лазера метод эффективен для исследования кристаллов кремния, фосфида индия, др. материалов микроэлектроники. Аналогичный метод, но с боковым расположением телекамеры, применяют для изучения структуры потоков газа или жидкости. [c.520]

Рабочий спектральный диапазон оптической связи в ВОЛС охватывает длины волн от 0,8 до 1 мкм и от 1,1 до 1,7 мкм. Это определяет выбор материалов для фотоприемников. Для фоторезисторов используют материалы А"В в части соединений цинка и кадмия с серой, селеном, теллуром и всей гаммы твердых растворов на их основе, а также компенсированный кремний, легированный золотом или цинком. Значительно в меньшей степени для фоторезисторов используют материалы А В , такие как арсенид галлия, фосфиды индия и их твердые растворы. [c.128]

Ф. используют для легирования сталей. Фосфиды индия, галлия и др.— полупроводниковые материалы. Красный Ф. неядовит (применяется в производстве спичек и для др. целей), белый Ф.— высокотоксичен. Для удаления остатков белого Ф. используют водный раствор медного купороса СиЗОд. В качестве радиоакт. индикатора применяют Р"-радиоактивный (T i/2= 14,29 сут). С. С. Бердоносов. [c.341]

На рис. 2 приведены фототермоионизац. спектры чистых образцов Ge и Si. Линии в спектрах относятся к техноло-гически неконтролируемым остаточным кол-вам примесей и примесных комплексов, В образце Ge (рис. 2, а) суммарная концентрация акцепторов jVa = 6-10 см , доноров Л д = 9 10 см -, темп-ра образца Г=6,5 К, разрешение 0,03 см . В образце Si (рис. 2,6) Л л=10 м 10 см , Т= 1 К, разрешение 0,25 см . Кроме анализа чистоты Ge и Si Ф. с, используется также для исследования локализованных состояний и анализа примесей в арсениде галлия, фосфиде индия, теллуриде кадмия, ПП алмазе и др. Чистые полупроводники AjB, содержат больше остаточных примесей, чем Ge и Si. Для устранения эффектов, связанных с перекрытием состояний близко расположенных атомов примеси, приводящих к сильному уширению и даже исчезновению линий в спектрах, исследуемые образцы помещают в маги, гголе, к-рое сжимает основное и возбуждённое состояния, увеличивает энергии связи электронов и снимает перекрытие состояний. [c.362]

В табл. 82 приведены некоторые физико-химические свойства фосфидов, арсенидов и антимонидов галлия и индия. Эти соединения имеют кубическую решетку типа цинковой обманки (пространственная группа f43m) Сложные полупроводники типа Aii BV выпускаются промышленностью в широком ассортименте. Для характеристики отдельных марок полупроводников используются буквенно-цифровые обозначения. Первыми двумя буквами обозначается собственно полупроводник АГ — арсенид галлия, ФГ — фосфид галлия, ГС — аптимоиид таллия, ИМ — арсенид индия, ФИ — фосфид индия, ИС — аптимоннд индия. Справа добавляется буква, обозначаю-ш,ая тип электропроводимости.- Э — электронный, Д- дырочный. Для ар-сенида галлия после АГ добавляется буква Н для слитков, полученных горизонтальной направленной кристаллизацией, или Ч — для слитков, полученных по методу Чохральского, Далее [c.576]

Монокристаллический фосфид индия> предназначенный для производства по лупроводниковых приборов, изготов [c.580]

Арсениды, антимониды и фосфиды индия и галлия получают сплавлением компонентов в вакууме кварцевых труб. [c.250]

Метастабильная металлическая модификация фосфида индия имеет кубическую структуру типа Na l с постоянной а = 5,310 А [33]. По мнению автора [41], в работе [33] перепутаны результаты определения постоянных решетки метастабильных металлических модификаций фосфида н арсенида индия, и для фосфида InP правильная величина постоянной а = =5,514 А. Определения производили при высоком давлении. [c.530]

Согласно [51—53] без противодавления паров фосфора температура начала диссоциации фосфида индия отвечает 1015°. Давление пара фосфора при этой температуре составляет 170 мм рт. ст. Диссоциация идет по схеме [1пР]тв 1п ж + /4(Р4)г и сопровождается поглощением тепла (ДЯ = = 26 ккал/моль). До начала равновесной диссоциации происходит фракционное испарение фосфида 1пРтв(1п)г + /4(Р4)г. Давленпе диссоциации фосфида в твердом состоянии в зависимости от температуры по данным [51, 46, 3] показано на рнс. 374. Эту характеристику фосфида индня изучали тэкже в работах [54—57]. [c.530]

Электросопротивление. Фосфид индия обладает полупроводниковыми свойствами [13, 15—17, 20—23, 27, 28, 62, 71—73]. Монокристаллы фосфида, полученные методом зонной плавки, как правило, имеют проводимость п-типа [15, 20, 27, 28]. По данным [62] фосфид с проводимостью п-типа имел при комнатной температуре удельное электросопротивление 0,1 ом-см и ширину запрещенпои зоны (метод оптический) 1,25 эв, В работе [13] были получены [c.531]

Магнитные свойства. Фосфид индия является диамагнетиком. Молекулярная магнитная восприимчивость его при комнатной температуре составляет —44,4-10- [23, 64] —45,6-10- см 1моль [65, 66]. [c.532]

По данным [70] наибольшей реакционной способностью по отношению к фосфиду индия обладает соляная кислота. При травлении в кипящей смеси концентрированных HNO3 и НРО4 (объемные отношения от 20 1 до 1 1) происходит хорошая полировка поверхности образца. Скорость травления образцов фосфида в различных кислотах приведена в табл. 231. [c.533]

Длина волны излучения такой четырехкомпонентной системы при комнатной температуре изменяется в интервале от 0,95 мкм (1пР) до 1,67 мкм (Оао,471по,5зА8) при сохранении постоянным периода решетки, равного периоду решетки фосфида индия. [c.110]

Элементы германий и кремний из группы IV (Ь) периодической таблицы (табл. 7.1), для которых = 0,7 и 1,1 эВ, — хорошо известные полупроводники. Имеются также несколько двойных соединений элементов групп III (Ь) и V (Ь) периодической таблицы, в частности, алюминий, галлий и индий из группы III и фосфор, мышьяк и сурьма из группы V. Для примера можно назвать арсенид галлия GaAs и фосфид индия 1пР. [c.195]

Используются несколько типов фотопреобразователей (ФП) кремний монокристалли-ческий (22 долл. США/Вт КПД модуля - 15%), поликристаллический (5 12%), аморфный (8 5%), арсенид галлия (50 22%), теллурид кадмия (фосфид индия арсенид галлия - кремния диселенид меди - индия). Ведущими типами ФП сейчас являются монокристаллический (МК) и поликристаллический (ПК) кремний, объем выпуска которых около 70%. [c.11]

Ф. с. используется для исследования и анализа примесей в кремнии, арсениде галлия, фосфиде галлия, фосфиде индия, антимониде индия, тел-луриде кадмия, алмазе. [c.829]

В настоящее время ведутся лоискн и серьезные исследования других полупроводниковых материалов, в первую очередь элементов четвертой группы периодической системы Менделеева и соединений элементов третьей и пятой группы — интерметаллических соединений арсенида галлия, фосфида индия, фосфида галлия и др. Эти интерметаллические соединения обладают ценными свойствами. Благодаря больщой ширине запрещенной зоны, превышающей ширину запрещенной зоны кремния, они допускают более высокую рабочую температуру вентиля фосфид индия — 400° С, арсенид галлия — 450° С, фосфид галлия — 1 ООО" С. Арсенид галлия также обладает значительно большей подвижностью носителей заряда, чем кремний. Эта большая подвижность даст возможность создать вентили на высокие напряжения, несмотря на оТ1К)снтель 1о малое время жизни [c.294]

Наиболее исследованными и технологически не очень сложными из них являются фосфиды, арсенилы н антимониды, Серьезное практическое значение в настоящее время приобрели арсенид и фосфид галлия и антимонид индия. Основной метод получения соединений А В — непосредственное взаимодействие компонентов в вакууме или в атмосфере инертного газа. В свойствах соединений В (табл. 8-4) наблюдаются некоторые закономерности, которые показаны на рис. 8-27. [c.261]

Индий образует соединения с другими металлами, например селеном, теллуром, сурьмой и мышьяком, а также с неметаллическими элементами — кислородом, водородом, азотом, серой, фосфором и галогенами. Многие Из этих соединений, в том числе фосфид, арсенид, антимонид, окись, сульфид, селенид и теллурид индия, являются полупроводниками. В последние годы проведены многочисленные исследования, посвященные изучению этих соединений, особеннофосфида,арсенида и антнмонида иидия. [c.229]

Как при изготовлении собственно волноводных структур, так и при оформлении систем управляющих электродов используются различные виды микролитографических процессов, разработанных и широко применяемых в классической планарной технологии полупроводниковых интегральных схем. Применение сложных ге-теропереходных структур на основе полупроводников А В , таких, как тройные системы арсенид галлия-алюминия или четверные ар-сенид-фосфид галлия-индия, позволило создать первые варианты [c.219]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...