Теллурид кадмия

Рис. 5.5. Зависимость интенсивности генерации /р в кристалле теллурида кадмия от пространственной частоты генерационной решетки qjl-n

В основе работы фоторезисторов лежит изменение электропроводности чувствительного слоя при его облучении. Этот тип преобразователя характеризуется малыми размерами и массой, малыми напряжениями питания при высокой интегральной чувствительности и возможностью работы в более широком спектральном диапазоне. В тоже время их отличает повышенная инерционность, значительная зависимость параметров и характеристик от температуры, относительно невысокая линейность характеристики свет—сигнал . Наибольшее распространение получили фоторезисторы на основе собственных полупроводников для видимой области — сульфида кадмия для ближней инфракрасной области — сульфида свинца для диапазона 3—14 мкм — селенида свинца, монокристаллов антимония индия, теллурида кадмия и др. Широко используются также примесные фоторезисторы, (легированные различными примесями кремний и германий). Подробные сведения о параметрах фоторезисторов имеются в специальной литературе [2]. [c.205]

Под влиянием гамма-излучения при температурах порядка 100°К электропроводность кристаллов селенистого кадмия возрастает в 10 раз [444], что связано со способностью его резко снижать электропроводность при охлаждении. Гамма-излучение при снижении температуры поглощается в одинаковой мере и даже немного сильнее, чем обычно любым твердым телом, в том числе и селенистым кадмием. Постоянная величина поглоще-ной телом энергии гамма-излучения проявляется в неизменном количестве свободных электронов независимо от температуры кристалла. Это обстоятельство и приводит к большему соотношению электропроводности кристалла, находящегося под гамма-облучением, и электропроводности, если последнего нет. Поэтому такие вещества, как селенид (а также теллурид) кадмия, а также другие соединения второй и шестой группы периодической системы могут быть прекрасными детекторами гам-ма-рентгеновского, ультрафиолетового, видимого и инфракрасного излучений. Этими свойствами материалов теперь широко пользуются в технике при изготовлении так называемых фотосопротивлений [441]. [c.276]

В полупроводниковой технике используют многие соединения, представляющие собой двойные, тройные и более сложные системы. К наиболее распространенным полупроводниковым соединениям относятся закись меди, сурьмянистый цинк, сернистый свинец, карбид кремния, теллурид висмута, теллурид кадмия, теллуристый свинец, селенид ртути, теллурид ртути и т. д. Рассмотрим некоторые из указанных соединений. [c.184]

Плоские панели детекторов (ППД). Созданы ППД, которые работают на основе матриц с использованием аморфного кремния или теллурида кадмия. Современные характеристики таких панелей размер 244 х 163 мм число элементов изображения 1920 х 1280. [c.100]

На длинах волн короче 1 мкм в качестве фотодетекторов можно использовать фотоэлектронные умножители, а на более длинных волнах — полупроводниковые фотодиоды. В частности, на длине волны 10,6 мк.м применяются фотодетекторы на основе теллурида кадмия с ртутью. На этой длине волны становится практически реализуемым гетеродинный метод детектирования оптических сигналов. [c.429]

Бортовое лазерное устройство спутника АТ5-Р включает газовый (СОг) лазер с длиной волны 10,6 мкм и модулятором на кристалле теллурида кадмия. [c.215]

Селенид кадмия Сульфид кадмия Сульфид свинца Теллур Теллурид висмута кадмия свинца рубидия цезия Титанат бария Фторид лития Фосфид индия Хлорид серебра [c.576]

Кадмия теллурид — Цинка окись + — [c.884]

Технические полупроводники могут быть разбиты на четыре группы 1) кристаллы с атомной решеткой (графит, кремний, германий) и с молекулярной решеткой (селен, теллур, сурьма, мышьяк, фосфор) 2) различные окислы меди, цинка, кадмия, титана, молибдена, вольфрама, никеля и др. 3) сульфиды (сернистые соединения), селениды (соединения с селеном), теллуриды (соединения с теллуром) свинца, меди, кадмия и др. 4) химические соединения некоторых элементов третьей группы периодической таблицы элементов (алюминий, галий, индий) с элементами пятой группы (фосфор, сурьма, мышьяк) и др. К числу полупроводников относятся некоторые органические материалы, в частности полимеры, имеющие соответствующую полупроводникам по ширине запрещенную энергетическую зону. Особенности свойств некоторых органических полупроводников, как гибкость, возможность получения пленок при достаточно большой механической прочности, заставляют считать их перспективными. [c.276]

Применяются также фотосопротивления из селенистого и теллуристого свинца [Л. 721]. Селенистый кадмий дает поликристал-лические слои, в некоторых условиях с максимальной чувствительностью при 0,72 лтм, простирающейся за 1 мкм [Л. 722]. Были предложены также сульфиды, селениды и теллуриды свинца, олова, индия, таллия, кадмия, висмута, сурьмы [Л. 723], германия [Л. 724] и т. д. Мы могли бы широко распространить эти указания на фотоэлементы, о которых имеются многочисленные статьи [Л. 45, 46, 725—730]. [c.359]

Кроме материалов, применяемых при создании фазовых модуляторов, в поляризац. ячейках используют Ва ЗЮ о, а в ИК-диапазоне — арсенид галлия (ОаАз) и теллурид кадмия (СйТе). В нек-рых случаях используются поляризац. ячейки с центросимметричными средами, напр. с жидкостями типа нитробензола. В таких веществах изменение показателя преломления пропори. квадрату электрич, поля Г — 2пВ1Е , где В — постоянная Керра. Полуволновые напряжения в таких ячейках составляют 12 -ь 45 кВ. [c.180]

На рис. 2 приведены фототермоионизац. спектры чистых образцов Ge и Si. Линии в спектрах относятся к техноло-гически неконтролируемым остаточным кол-вам примесей и примесных комплексов, В образце Ge (рис. 2, а) суммарная концентрация акцепторов jVa = 6-10 см , доноров Л д = 9 10 см -, темп-ра образца Г=6,5 К, разрешение 0,03 см . В образце Si (рис. 2,6) Л л=10 м 10 см , Т= 1 К, разрешение 0,25 см . Кроме анализа чистоты Ge и Si Ф. с, используется также для исследования локализованных состояний и анализа примесей в арсениде галлия, фосфиде индия, теллуриде кадмия, ПП алмазе и др. Чистые полупроводники AjB, содержат больше остаточных примесей, чем Ge и Si. Для устранения эффектов, связанных с перекрытием состояний близко расположенных атомов примеси, приводящих к сильному уширению и даже исчезновению линий в спектрах, исследуемые образцы помещают в маги, гголе, к-рое сжимает основное и возбуждённое состояния, увеличивает энергии связи электронов и снимает перекрытие состояний. [c.362]

Поккельса), представляет собой нелинейный кристалл типа KD P или нио-бата лития для видимого и ближнего ИК-Диапазо-на или теллурида кадмия для средней ИК-области. [c.287]

Последний эффект обусловлен наличием линий поглощения, соответствующих переходам с образованием экситоцов. В некоторых полупроводниках линии чрезвычайно интенсивны н узки, а в электрическом nojie уширяются и исчезают при значении поля Е, которое зависит от параметров экситонов—эффективной массы, энергии связи. Коэффициент поглощения света в центре экситонной линии при =10 В/см уменьшается для сульфида кадмия в 2,3 раза, а в монокристаллах теллурида кадмия может достичь перепада в 100 и более раз. Линии поглощения лежат в видимом диапазоне длин волн, и в принципе имеется возможность, варьируя составы материалов, подгонять экситоцные линии [c.32]

Рис. 5.13. Экспериментальная (кружки) и расчетная (кривые) зависимости угла безрезонаторной генерации в в кристалле теллурида кадмия от угла между пучками накачки jj для соотношений интенсивностей накачки г = 1,5 и г = 0,75. Расчетные кривые i и 2 соответствуют = 1,5 10 и 3 Ю см 1эрт

Халькогеннды кадмия. Сульфид, селенид и теллурид кадмия имеют ширину запрещенной зоны большую, чем у соответствующих им соединений ртути у dS она составляет 2,4 эВ, у dSe — 1,8 эВ, у dTe — 1,6 эВ. Все они являются кристаллофосфорами и применяются в разнообразных электролюминесцентных устройствах. [c.99]

Из полупроводниковых соединений теллура используют в инфракрасной технике теллурид свинца (РЬТе), теллурид кадмия (Сс1Те), теллурид висмута (В12Тез). [c.255]

Рассмотрим возможность практического достижения подобных изменений рефракции. По экспериментальным данным ни у одного из исследованных в лабораториях Белд кристаллов не удалось достичь требуемого неразрушающего напряжения порядка 15 кбар. Наивысшая полученная величина индуцированного двулучепреломления составля-да 0,013 для теллурида кадмия при механическом одноосном сжатии напряжением в 3 кбара, что было всего на 0,005 меньше расчетного значения, требовавшегося ддя индуцирования направления синхронизма ддя генерации второй гармоники от излучения С02-лазера. [c.24]

Кристаллическая структура. Теллурид кадмия, как и другие халькогениды II группы, имеет несколько кристаллических модификаций, из которых основными являются сфалерит (кубическая) и вюрцит (гексагональная). В обычных условиях СёТе кристаллизуется по типу сфалерита. Вюрцитная структура для Сс1Те установлена только у пленок. Подобно, ЕпТе, при его получении из газовой фазы, Сс1Те также образует смесь кубических и гексагональных кристаллов, причем в кубических наблюдаются нарушения, приводящие к 12-слойной упаковке (тип 2Н). Постепенное превращение метастабильной гексагональной структуры в кубическую гранецентрированную протекает очень медленно [68]. [c.39]

Давление насыщенного цара (диссоциация). Теллурид кадмия ведет себя при испарении совершенно аналогично теллуриду цинка т. е. испаряется в вакууме конгруэнтно [51 ], процесс испарения носит диссоциативный характер [52, 76, 77] [c.226]

Соединения SnSe, B 2Se3 и PbSe применяют для изготовления полупроводниковых тензометров. Селениды и теллуриды свинца и кадмия применяют в качестве детекторов инфракрасного излучения и транзисторов [150]. Селениды (а также теллуриды) кадмия, свинца и ртути представляют сабой высокоомные полупроводники, которые называют фотопроводниками. [c.276]

Поликристаллический теллурид кадмия получают сплавлением исходных элементов в вакуумированных запаянных кварцевых ампулах. Монокристаллы выращивают методом направленной кристаллизации (см. рис. 5.4), тонкие пленки получают методом термического испарения в вакууме из танталовых лодочек. Теллурид кадмия обнаруживает заметную фотопроводимость и прозрачность в ИК-области спектра, используется как оптический материал и для производства фотоэлектропреобразователей. [c.661]

Используются несколько типов фотопреобразователей (ФП) кремний монокристалли-ческий (22 долл. США/Вт КПД модуля - 15%), поликристаллический (5 12%), аморфный (8 5%), арсенид галлия (50 22%), теллурид кадмия (фосфид индия арсенид галлия - кремния диселенид меди - индия). Ведущими типами ФП сейчас являются монокристаллический (МК) и поликристаллический (ПК) кремний, объем выпуска которых около 70%. [c.11]

Для фоторезисторов (фотосопротивлений) и фотоэле- ментов применяются полупроводниковые материалы, сопротивление которых сильно зависит от освещенности. К их числу относятся сульфиды, селениды и теллуриды, т. е. соединения серы, селена и теллура с разными металлами, в частности со свинцом, медью, кадмием и др. Определяющей характеристикой фотосопротивлёния является удельная чувствительность [c.286]

К полупроводниковым соединениям А"В относят халькогени-ды цинка, кадмия и ртути. Среди них можно выделить сульфиды, селениды и теллуриды. [c.292]

Теллуриды — теллуристый свинец (РЬТе), теллуристый висмут (Bi T s), теллуристый кадмий ( dTe), теллуристая ртуть (HgTe) — так же, как сульфиды и селениды, находят себе приме- [c.264]

Различают полупроводники элементарные и соединения. К элементарным относятся следующие элементы таблицы Менделеева углерод (алмаз), кремний, германий, олово, фосфор, мышьяк, сурьма, висмут, сера, селен, теллур, йод. Полупроводниковые соединения сульфиды цинка, германия, олова, кадмия, ртути, сзинца селениды цинка, германия, олова, кадмия, ртути, свинца теллуриды цинка, германия, олова, кадмия, ртути, свинца арсенид и фосфит галлия карбид кремния и др. Имеются также аморфные (стеклообразные), органические и магнитные полупроводники, свойства которых пока недостаточно изучены. [c.335]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...