ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Техника ионной имплантации позволяет вводить в матрицу контролируемую концентрацию вещества. Эта техника стала развиваться после того, как было обнаружено, что в ионных кристаллах, бомбардируемых ионами металлов, кроме точечных дефектов, образуются также и металлические кластеры [65—691. Например, когда в монокристаллы LiF при колшатной температуре имплантировали 2•10 ® атомов 1п/см с энергией 100 кэВ, то, как показали спектры оптического поглощения, в ходе последующей термообработки, проводимой по 30 мин при температурах 150, 250, 350, 400, 450, 500, 600° С, кластеры индия сначала возникали и росли, а затем постепенно исчезали 167]. Первичная концентрация In составляла при этом 6 ат.%. Максимальное число имплантированных ионов In, принимающих участие в образовании кластеров, не превышало 37% при f = 350° С. Нагревание кристаллов выше 350° С приводило к постепенному «растворению» кластеров. [Выходные данные]