Галогениды металлов

Галогенид металла Температура испарения, К Второй компонент газовой смеси Температура осаждения, К [c.108]

Существует метод осаждения карбидов из газовой фазы. Он основан на реакциях взаимодействия между парами галогенидов металлов и углеводородов, происходящих в среде водорода. Эти реакции осуществляются на поверхности нагретого до определенной температуры (обычно 1100—1500° С) металла, на который нужно осадить карбидное покрытие. Однако осуществление этого метода требует специального оборудования, обеспечивающего получение реакционных смесей требуемого состава и подачу их в реакционное пространство печи, в которой происходит нагрев покрываемой детали. [c.75]

Так, например, для получения покрытий из карбидов тугоплавких металлов используется реакция разложения хлоридов этих металлов, хлориды металлов в смеси с водородом и углеводородом подаются в реактор с кипящим слоем частиц. На поверхности графитовых частиц протекает реакция образования карбида. Этот метод позволяет регулировать активность галогенидов металла в газовой фазе таким образом, чтобы она была недостаточна для осаждения чистого металла, но обеспечивала бы образование карбида металла. [c.82]

В реакционной камере происходит термическая диссоциация галогенида металла с выделением металла, последний взаимодействует с поверхностью графитовых частиц и с углеродом газовой фазы с образованием карбида. [c.140]

Таким образом, галогениды металлов не могут участвовать в создании защитных пленок, устойчивых при высоких температурах. [c.21]

Итак, при образовании карбидов, нитридов, окислов и галогенидов металлов внешняя оболочка С (s p ), N (s ), О (s p ), галогенов (s p ) заполняется валентными d-,s-электронами металла до конфигурации неона (2s 2p ). Атомы металла, передавая d-, s-электроны неметаллическим атомам, а остальные валентные электроны в полосу проводимости, превращаются в ионы с внешней р -обо- [c.89]

Наиболее детально исследовано осаждение металлов, имеющих кубическую гранецентрированную решетку, на гранях (100) щелочных галогенидов (посредством испарения примесного компонента в вакууме). Для некоторых комбинаций, например щелочной галогенид—-металл, необходимы минимальные (критические) температуры кристалла-носителя, чтобы происходил полностью ориентированный рост. Это условие является основным и при выполнении его достигается высокая подвижность оседающих атомов на кристалле-носителе. [c.338]

При реакциях восстановления необходимо учитывать летучесть галогенида металла-восстановителя. Если галогенид более летуч, чем металл-восстановитель, то единственным затруднением может быть закупорка выходных газоотводов, которую можно предотвратить с помощью ловушки или конденсационной камеры, устанавливаемых на выходе из зоны осаждения.Если же галогенид менее летуч, чем сам металл, возможно его соосаждение. Во избежание этого исходное парциальное давление пара металла-восстановителя в реакционной среде должно быть ниже давления, соответствующего насыщенному пару галогенида металла-восстановителя при температуре осаждения. На практике этот теоретический минимум парциального давления пара металла может несколько превышаться, так как полного превращения металла-восстановителя в его галогенид, как правило, не происходит. Все фториды мета тлов, перечисленных в табл. 106, гораздо менее летучи, чем сами металлы. Хлориды и бромиды этих металлов, за исключением цинка, а также иодиды, кроме соединений 2п и Mg, также менее летучи. Галогениды щелочных металлов наименее летучи по сравнению с образующими их металлами, которые поэтому менее всего пригодны как восстановители. [c.359]

Диффузия из газовой фазы. В таком процессе пары галогенида металла покрытия пропускают над поверхностью покрываемого металла, нагретого до такой температуры, при которой может проходить процесс диффузии. Обычно используют температуры в интервале 500—1300° С или выще в зависимости от конкретной системы. [c.369]

Существует трн основных типа реакций, в результате которых галогенид металла ВХ2 восстанавливается до металла В диффундирующего затем в металл-растворитель А. (Последующие рассуждения, относящиеся к двухвалентным металлам, применимы в общем случае). [c.369]

На рис. 1 показана схема установки для осаждения молибдена на графите. Перед нагреванием образца из кварцевой трубки, помещенной в индуктор, откачивали воздух форвакуумным насосом до остаточного давления 1 мм рт. ст. Внутри трубки устанавливали кварцевый тигель, в котором находился галогенид металла. Измерение температуры поверхности образца проводилось при помощи вольфрамо-молибденовой термопары. [c.110]

На рис. 2 показана зависимость толщины слоя молибдена на графите (1) от температуры процесса при продолжительности 5 мин. Уменьшение скорости образования покрытия при высоких температурах происходит потому, что при повышении температуры газа в рабочем пространстве реакция разложения галогенидов металла протекает во всем объеме. [c.111]

Термическая диссоциация галогснидов. Помимо получения металлов путем восстановления их галогенидов, представляющих собой очень удобные исходные вещества благодаря достижимости высокой степени чистоты, сравнительной простоте процесса восстановления и характерным для них относительно низким температурам плавления и кипения, существует способ термического разложения многих галогенидов металлов, в результате которого металлы выделяются в чистом виде. Так, нодиды титана, гафния, хрома, циркония, ванадия, тория и урана разлагаются при соприкосновении с нагретой поверхностью, например накаленной вольфрамовой проволокой, в эвакуированном контейнере, что ведет к осаждению на ней компактного металла очень высокой степени чистоты. С технологической точки зренпя нодидный процесс должен рассматриваться скорее как метод очистки металлов, чем как основной метод их получения, хотя для некоторых чистых металлов он является почти единственным методом получения. [c.22]

Термическое разложение некоторых галогенидов металлов сопровождается диспропорционированием — образованием субгалогенидов и металла либо смеси галогенидов. Например, при нагревании дихлорида титана образуются металл и тетрахлорид, а при нагревании трихлорида титана — смесь дпхлорнда н тетрахлорида. Несмотря на то что подобные реакции сейчас, как известно, не используются для производства металлов, в буду-HieM они могут найти применение. [c.22]

ПОЛИСТИРОЛ — термопласт. Получается 6.1ЮЧП0Й, эмульсионной или суспензионной полимеризацией стирола в присутствии катализатора (перекиси, минеральные к-ты, галогениды металлов и др.). П.— твердый упругий материал, бесцветен, прозрачен (пропускает 90% видимого света) абсолютно водостоек (после месяца пребывания в воде вес образца не увеличивается) об,падает химич. стойкостью к щелочам и к-там, кроме концентрированной азотной к-гы стоек к плесени растворим в ароматич. углеводородах, во многих эфирах, нерастворим в спиртах, бензине. При 250—300° П. деполимеризуется с выделением исходного мономера и различных ароматич. продуктов. П. легко перерабатывается литьем под давлением, экструзией, выдуванием, прессованием поддается механич. обработке. Осн. хар-ки П. даны в таСл. 1. [c.28]

Диффузионные покрытия образуются при взаимной диффузии (возможно, сопровождаемой химическим взаимодействием) компонентов основы и среды — источника диффувантов. В качестве последней могут выступать твердые, газовые и жидкие среды. Для покрытий этого класса характерна высокая адгезия с основой. Широкое распространение получили методы нанесения диффузионных покрытий, при которых компоненты поступают к поверхности подложки в виде паров элементов или их газообразных соединений, например галогенидов. В последнем случае диффузионному процессу предшествуют химические реакции (восстановление, диспропорционирование). Распространен, в частности, порошковый метод, в котором обрабатываемый металл или сплав загружают в порошок (пороппси) насыщающих элементов или их соединений (парофазное нанесение). В газофазном порошковом методе в смесь вводят активатор, например галогениды металлов или аммония, переносчики элементов покрытия. [c.432]

Диффузионное насыщение из точечных источников происходит переносом легирующего элемента через газовую фазу в виде хлоридов, иодидов или бромидов, образующихся во время нагрева при взаимодействии металлических компонентов смеси с продуктами разложения соответствующих гаплоидных солей аммония NH NH3 + НГ, 2NH3 N2 + ЗН2, НГ + Me tt МеГ + 0,5H2, НГ + Me 5 МеГ + 0,5Н2, Me Г + Me МеГ + Me, МеГ + Me Me Г + Me, где Г -хлор, иод, бром Me - металл-основа Me - легирующий металл МеГ и Ме Г - галогениды металла-основы и легирующего металла, соответственно НГ - гаплоид водорода. [c.19]

К такому же выводу приходят и авторы работы [ ], изучая изменение инфракрасных спектров поглощения кетонов (ацетон, ме-тилгексилкетон, ацетофенон, бензофенон, циклогексанон) под влиянием хлоридов индия и галлия. При исследовании Р взаимодействия карбонилсодержащих молекул парафинового ряда с галогенидами металлов было также показано образование прочного комплекса со связью О—Ме. Выравнивание сопрян енных валентных связей в органической молекуле при взаимодействии атома металла с л-электронами кислорода карбонила является следствием ослабления С=0-свя-зи [ ]. [c.285]

Желательно, чтобы продукты реакции были жидкими или летучими. Для разрушения окислов по этому способу весьма пригодны галоидоводороды НГ, где Г = Р, С1, Вг, Л. Продуктами реакции являются галогениды металлов и вода, т. е. соединения, более легко удаляемые с поверхности паяемого металла, чем окислы. [c.251]

В основе процесса осаждения керамических покрытий из газовой фазы лежат реакции химического взаимодействия паров галогенидов металлов с газами или реакции пиролиза элементоксиорганических соединений. Обычно процесс осаждения керамических материалов ведут из смеси газообразных хлоридов и двуокиси углерода в присутствии газа-переносчика, в качестве которого наиболее часто применяют водород. Исходные газообразные вещества при нагревании реагируют между собою с выделением окисла того элемента, хлорид которого введен в реакционную смесь. Осаждение, например, окиси алюминия происходит на поверхности предварительно нагретого образца по реакции [c.35]

Свободная энергия образования (АС) галогенида металла-восстановителя не должна, как правило, отличаться от АО восстанавливаемого газообразного галогенида более чем на 0ккал г-атом галогена. [c.358]

Для осаждения тугоплавких соединений методом водородного восстановления используют реакционные паро-газовые смеси галогенидов металлов, соединений, являющихся поставщиком второго компонента и водорода, который служит одновременно газом-транспортером и восстановителем. [c.362]

Со динен11е Температура подложки. "С 1 1 галогенид металла температура испарения. ° второй компонент газовой смеси темпераг осажден] С [c.363]

Осаждение нитридов металлов IV группы из газовой смеси галогенида металла, азота и водорода рассмотрено в работе 411]. Условия осаждения и некоторые свойства нитрида титана, осаждаемого из смеси Ti lj, N2 и На на нитях из тантала и вольфрама, изучены в работе [412], в которой рекомендованы следующие параметры процесса отношения N2 Но 1 1, температура испарения Ti lj 36 С, температура нити 1450 С, полное давление в реакционной камере 300—400 мм рт. ст. Процесс осаждения нитрида титана из газовой фазы изучали также в работе [413]. [c.364]

Проведенные исследования позволили разработать более приемлемую технологию осаждения нитридов металлов IV и V групп Периодической системы элементов на стали и другие металлические подложки. Для этого осаждают нитриды из смесей галогенидов соответствующих металлов с аммиаком и во избежание выделения частиц нитрида титана в свободном состоянии во всем объеме реакционной зоны галогенид металла (например, Ti lj) вводят в струе водорода раздельно с аммиаком. Нитридные покрытия отличаются высокой стойкостью против эрозии, истирания и коррозии и могут применяться в качестве защитных на различных металлах и сплавах. [c.365]

В техническом электролизе обычно применяют смеси солей, чем достигается снижение температуры, уменьшение растворимости металла и повышение выхода по току. Потенциалы разложения смесей галогенидов металлов обычно выше, чем соответствующих индивидуальных солей. Это объясняется не только изменением концентрации, но и возможным химическим взаимодействием между компонентами расплава [7]. Однако, вследствие совместного разряда металлов и образования при этом сплавов, часто происходит и деполяризация. Разность между экспериментальной и теоретической величинами потенциалов разложения нередко характеризует ком-плексообразование в системе. Теоретическую величину потенциала разложения соли в солевой смеси можно рассчитать по формуле [c.52]

Если галогенид металла покрытия образуется in situ, то суммарная реакция представляет собой перенос металла покрытия от источника, где его активность велика (например, для чистого порошка металла <2а=1), до поверхности подложки, где значение Оа за счет диффузии поддерживается на уровне меньшем единицы. Образование карбидов или интерметаллических соединений таких как алюминиды или силициды— один из этапов общей реакции покрытия и может служить дополнительной движущей силой для этого переноса. [c.370]

Снижение температуры и ускорение процесса пленкообразования в технологии покрытий из материалов поликонденсационного типа достигается применением катализаторов органических и неорганических кислот и их ангидридов, оснований, галогенидов металлов (цинка, железа, магния, алюминия, титана), оловоорганических соединений, комплексных соединений металлов и др. Например, введение 2 — 4% тримеллитового ангидрида или ацетилацетоната цинка в меламино-алкидные эмали позволяет снизить их температуру отверждения со 130 до 70—80 °С добавление соляной, фосфорной, щавелевой кислот (1—5%) обеспечивает получение покрытий при комнатной температуре из некоторых лаков и эмалей на основе мочевино- и фенолоформальде-гидных олигомеров. [c.44]

Для нанесения металлических покрытий на частицы UO2 используют метод диссоциации галогенидов в восстановительной атмосфере в условиях псевдокипящего слоя плакируемого порошка [357—364]. Обогреваемый реактор, в котором наносится покрытие, представляет собой колонну из нержавеющей стали с циклоном в верхней части и с сетчатым дном (размер ячейки 40 мкм), часто вибрирующим, через которое подается ток водорода, обеспечивающий псевдокипящее состояние порошка, помещенного в реактор. Пары галогенида металла покрытия после очистки от примесей поступают в реактор из сублиматора. Ток водорода создается воздуходувкой, которая вмонтирована в замкнутый контур, оснащенный оборудовани-ем для очистки водорода от примесей и продуктов реакции. Газообразный [c.99]

Так называемый метод кипящего слоя широко применяется в химической технологии для осуществления реакции между газами и твердыми материалами. Сущность его заключается в том, что твердый измельченный реагент загружают в специальный обогреваемый реактор, через который снизу вдувают необходимые для реакции газы. Скорость подачи газа, конструкцию форсунки и самого реактора подбирают так, чтобы слой порошка находился во взвешенном псевдоожиженном, кипящем состоянии. Для нанесения покрытий на частицы методом термической диссоциации разлагающийся газ (пары галогенидов металлов или углеводороды для пироуглеродных покрытий) используют не в чистом виде, а в смеси с инертным газом-носителем, чаще всего аргоном или гелием. [c.241]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...