Германиевые диоды —

Рис. 6.4. Зависимость вольт-амперной характеристики германиевых диодов Исаки от интегрального потока быстрых нейтронов, IQi нейтрон см .

У некоторых германиевых диодов с позолоченными выводами измеряли радиационно-индуцированные обратные токи при облучении на [c.319]

Недостатком полупроводниковых выпрямителей является сравнительно большое обратное (запирающее) напряжение, которое для германия, селена и кремния неодинаково. На рис. 16.8 представлены характеристики различных полупроводниковых выпрямителей. Германиевые диоды, которые теперь уже едва ли можно получить, имеют наименьшее обратное напряжение, но, как и кремниевые диоды, они приобретают сквозную проводимость, если перенапряжение превысит обратное напряжение. При использовании кремниевых выпрямителей целесообразно применять диоды с высоким обратным напряжением. Хотя селеновые пластинки более велики по размерам, но зато в случае [c.330]

Принцип работы прибора показан на рис. 49. Переменное напряжение высокой частоты возбуждается генератором и подается на германиевые диоды Дх и Да, которые включены навстречу друг другу. Каждый диод при этом пропускает только один полупериод тока. [c.61]

Измерительная схема включает в себя два германиевых диода типа Д2Г, переменные сопротивления Re, — для грубой установки нуля и — Для точной установки нуля, а также резонансную катушку La, которая является измерительным датчиком. Напряжение высокой частоты снимается со вторичной обмотки трансформатора. Разность токов при измерении покрытия отмечается индикатором Я, по показанию которого отсчитывается соответствующая толщина покрытия. В качестве индикатора использован микроамперметр на 300 мт, зашунтированный диодом типа ДГЦ-24. Переключатель /7 служит для переключения полярности индикатора при измерении покрытий, имеющих магнитную проницаемость [i< 1. [c.63]

Генри закон 62 Генри — Дальтона закон 365 Геометрическая оптика 317 Гептан — Коэффициент теплопроводности 190 Гептоды-преобразователи 561 Германиевые диоды — см. Диоды германиевые Германий 377 [c.707]

Германиевые диоды применяются не только как выпрямители они могут выполнять также функции соответствующих электронных ламп. Германиевые диоды потребляют незначительную мощность, обладают малым тепловыделением, безынерционны (поскольку у них нет нити накала) и очень прочны. Промышленность выпускает германиевые диоды различных типов. Интересным свойством германиевых диодов является наличие у них фотоэлектрического эффекта 1791, позволяющего использовать их в качестве фотодиодов. [c.213]

Фиг. VI 11.79. Принципиальные схемы генераторов униполярных импульсов с блоком германиевых диодов а — однофазная схема б — двухфазная схема с нулевой точкой в — двухфазная схема без нулевой точки ВГ<— выпрямитель германиевый 2 — сопротивления Гр— трансформатор I, II — электроды.

Одиночные протекторы подключают к защищаемому сооружению через германиевые диоды со средним значением выпрямленного тока 0,3 А, групповые — через сплавные германиевые диоды со средним значением выпрямленного тока 3. .. 10 А. Наиболее пригодны для этих целей диоды серии Д7 и особенно серии Д7Д (рис, 8.16). Распространенными также являются кремниевые диоды с порогом открывания 0,7 В и выше (в отличие от 0,3. ... .. 0,5 В у германиевых типа Д7). Разработан следующий метод снижения значения порогового напряжения поляризованной протекторной установки. К протекторному вентилю подключают высокоомный источник напряжения, состоящий из соединенных последовательно источника тока (электрохимического элемента напряжением 1,5 В) G1 и сопротивления R1 (рис, 8.17). При токе протектора Jpi =" Jре — 150. .. 180 мА ток цепи смещения Jpg = [c.249]

I— резисторов типа МЛТ 2— прово-лочных резисторов 3— транзисторов 4— германиевых диодов 5— электронных ламп [c.140]

Усиленный электрический дренаж применяется, когда сооружение имеет положительный или знакопеременный потенциал по отношению к земле, обусловленный действием нескольких источников блуждающих токов, либо когда это экономически выгоднее, чем увеличение сечения дренажного кабеля. Принципиальная схема усиленного дренажа с выпрямителем на германиевых диодах изображена на рис. 4-14. Усиленный дренаж представляет собой [c.261]

Рис. 94. Принципиальная схема поляризованного дренажа (а), электрическая схема дренажа ПГД-200 (б) схема переключений реостата дренажа ПГД-200 (в) Вг — рубильник для включения дренажа Sj — тумблер аля включения амперметра Яр— предохранитель на 100 а А — амперметр М-42 на величину тока 300 а Pi — сигнальное реле типа У-1719380 Д1—Д20 — германиевые диоды Д-305 1—/ 1о — сопротивления по 0,05 ом fiu—Rao — сопротивление по 0,1 ом

Питание 220 в переменного тока подается на трансформатор Тр, имеющий три вторичных обмотки одна — для питания выпрямителя электронного блока другая — для питания цепей накала электронных ламп 1Л, 2Л и сигнальных ламп 1ЛС— 8ЛС светового табло третья — для питания выпрямителя запирания электронных ламп. Выпрямители 1ВП и 2ВП собраны на. плоскостных германиевых диодах Д7—ЗК. Перед началом контроля шестерен производится включение электросхемы выключателем 1В. При этом загораются лампочки 1ЛС и 2ЛС, сигнализирующие о наличии напряжения в электросхеме прибора и о ее готовности. [c.179]

Кольцевой фазочувствительный детектор собран на германиевых диодах типа ДГЦ-21. Сопротивления Ri, Rb, R , включенные последовательно с диодами Ди Д2, Дз, Д , служат [c.184]

Когда контакты прерывателя разомкнуты, прерывается цепь тока базы. При этом транзистор запирается, ток в первичной обмотке исчезает, а во вторичной обмотке катушки зажигания индуцируется ток высокого напряжения. Напряжение, возникающее во вторичной обмотке Ь импульсного трансформатора и на резисторе К2, при размыкании контактов прерывателя способствует более эффективному запиранию транзистора. Для защиты транзистора от перенапряжений в результате действия токов самоиндукции, возникающих в первичной обмотке катушки зажигания, параллельно ей включен стабилитрон УВ2. Чтобы стабилитрон не вызывал короткого замыкания первичной обмотки катушки, последовательно с ним включен германиевый диод У01. [c.95]

В момент запирания транзистора в первичной обмотке Oi катушки возникает э. д. с. самоиндукции es, которая может пробить транзистор. Для защиты транзистора от тока самоиндукции катушки зажигания служит кремниевый стабилитрон Дет, включенный параллельно транзистору. Стабилитрон пробивается, когда э. д. с. самоиндукции достигнет 100 в, транзистор же пробивается при значительно большем напряжении 60 в). Германиевый диод Ml препятствует прохождению тока от батареи через стабилитрон в обход первичной обмотки 0 катушки зажигания. [c.110]

У приборов, разработанных до 1964 г., выпуск которых продолжается, условные обозначения состоят из двух или трех элементов. Первый элемент — буква Д—для диодов, П — для плоских транзисторов второй элемент показывает область применения приборов плоскостные германиевые диоды — 301—400, плоскостные кремниевые— 201—300, мощные германиевые низкочастотные транзисторы — 201—300, мощные кремниевые низкочастотные транзисторы — 301—400 и стабилитроны — 801— 900. [c.57]

Основой германиевого диода (рис. 82, в) служит пластинка из кристаллического германия 13 с примесью сурьмы или мышьяка, обладающего -проводимостью. Пластинка 13 спаяна с каплей индия 12, Б результате диффузии атомы индия проникают в германиевую пластинку и образуют в ней слой с р-проводимостью (дырочной). Выпрямитель помещается в герметизированный корпус 9 с выводами-электродами 11 и 14. Неуправляемый кремниевый выпрямитель (диод) состоит из слоя кристаллического кремния с примесью фосфора или сурьмы ( -проводимость), сплавленного с пластиной алюминия. В [c.119]

Между вторым и третьим изданиями учебника прошло четыре года. За это время наша промышленность стала использовать в массовом производстве новые материалы, например фторорганические соединения, обладаюш,ие нагревостойкостью до 300 С, новые виды электротехнической керамики с повышенной механической прочностью и хорошими электрическими свойствами, полупроводниковые изделия (германиевые диоды и триоды), тонкие листовые текстурированные стали, магнитную керамику и специальные сплавы. Авторы стремились в третьем издании учебника отразить все достижения науки в области электротехнических материалов. Но при этом, руководствуясь тем, что в учебниках должны излагаться основы соответствующей отрасли науки и передовой опыт социалистического строительства, из учебника был изъят устаревший материал и введены уточнения и дополнения на осноге опыта учебной работы советских и зарубежных вузов. Кроме того, из третьего издания были исключены методики испытания материалов, рассматриваемые в специальных руководствах. [c.6]

Это уравнение основано на предположении, что большая часть падения напряжения npnxoflrfT H на основной объем полупроводника, а не на р — га-переход и что носители перетекают через барьерный слой. Кроме того, предполагается, что рекомбинация происходит главным образом на поверхности. Эффекты в самих р — ге-переходах или на границе с металлическим электродом не рассматривали. Косенко [47] подтвердил для германиевых диодов справедливость этого выражения, однако вместо предсказываемой теорией зависимости г ос (F — было найдено, [c.293]

Экспериментальные данные, приведенные в работах [12, 28], показывают, что пик тока нечувствителен к радиационным повреждениям, тогда как минимум тока при облучении значительно возрастает. Из рис. 6.4 я 6.5 видно, что существенное увеличение тока в минимуме характеристики наблюдается в интервале потоков lOi —нейтрон1см для германиевых диодов и IQi —IQi нейтрон1см — для кремниевых. [c.301]

Впоследствии аналогичные результаты были получены и тщательно изучены при облучении кремниевых и германиевых диодов электронами с энергиями соответственно 0,8 Мэе [21, 54] и 7 Мэе [55]. Эти данные хорошо объясняются механизмом появления провала тока, предложенным Яджима и Исаки [87], согласно которому туннельные эффекты обусловлены примесями или, как в данном случае, энергетическими уровнями дефектов, находящимися внутри запрещенной зоны. Поведение вольт-амперных характеристик германиевых и кремниевых диодов Исаки (см. рис. 6.4 и 6.5) качественно согласуется с вышеуказанным механизмом для провала тока. Было замечено, что кремниевый диод более чувствителен к нейтронному облучению, чем германиевый. [c.301]

Резонаторные генераторы с частотой 1 Ггц, содержащие германиевые диоды Исаки, имели заметное уменьшение выходной мощности и небольшое увеличение частоты после облучения интегральными потоками быст-рых нейтронов 10 —ней-mponl M [12, 28].Уменьшение выходной мощности находится в удов- [c.302]

Рис. 6.7. Волы-амперные характеристики германиевого диода Исаки 10GE-2 до облучения (кривая А) и после облучения интегральным потоком быстрых нейтронов, нейтрон 1см ". в —С —3,3 10

Катодная станция КСГ-1200-1 (рис. 22, а) собрана на германиевых диодах Д305. Питание станции может осуществляться от сети однофазного переменного тока частотой 50 гц, напряжением 110, 127 и 220 в. Максимальная мощность станции 1200 вт при напряжении 60 в, сила тока 20 а, выпрямленное напряжение можно изменять от 10 до 60 в ступенями через 5 в. Переключение производится дри помощи пакетных переключателей. Выпрямительный мост катодной станции может быть также собран на кремниевых диодах типа Д242а или Д243а. Станция работает устойчиво при температуре окружающего воздуха от —40 до +40° С и относительной влажности до 95 3%. Габаритные размеры 410 х 635 X 280 мм, масса 28 кг. [c.120]

Катодная станция КСГ-500-1 (рис. 22, б) выполнена на германиевых диодах Д304. Максимальная мощность станции 500 вт при напряжении 50 в и силе тока 10 а. Габаритные размеры 310 х X 545 X 280 мм, масса 25 кг. [c.120]

Поляризованная электпродренажная установка ПД1-1 имеет контакторную схему с германиевыми диодами ДГЦ21 в цепи управления и питанием от двух аккумуляторов КН-10 (рис. 34, б) [c.150]

Точечные германиевые диоды Д1А— ДНА применяются в маломощных выпрямителях, ограничителях, умножителях напряжения (выпущены вместо ПД типов ДГЦ). Выпрямленный ток от 12 до 40 ма Ua6n от 10 до 100 в от —60 до +70 С. [c.563]

Первые германиевые транзисторы имели почти такие же размеры, что и германиевые диоды, и отличались от них только наличием на германиевой пластинке двух проволочных контактов вместо одного. Это были так называемые точечные транзисторы. Позднее был разработан прибор другого Tiina. Этот прибор был изготовлен из тонкой пластинки монокристалличе-ского германия, обработанной таким образом, что ее поверхности обладали свойствами, отличающимися от свойств ее внутренней части. Это были так называемые плоскостные транзисторы. Германиевые транзисторы обоих типов при их применении имеют свои преимущества и недостатки. Уже первые из таких транзисторов имели очень небольшие размеры (около 0,3 гм ). Так же как и в случае Д1юдов, усовершенствование технологии их изготовления привело к уменьшению размеров и. значительному улучшению их эксплуатационных характеристик. Силовые транзисторы обычно имеют гораздо большие размеры. [c.213]

Описание теории полупроводников и механизма действия германиевых диодов и триодов выходит за рамки этой главы. Шокли [721 разработал превосходную теорию полупроводников, а О Коннор [G1] дал четкое описание механизма действия транзисторов. [c.214]

Первичная и вторичная катушки каждого датчика включаются (или отключаются) в измерительную схему одновременно одним двухполюсным переключателем. При подключении 3 цепь какого-либо датчика во вторичной обмотке будет индуцироваться ток и величина его при постоянстве выбранных параметров цепи (частота и напряжение выходного сигнала генератора) зависит только от положения сердеч.чкка в полости катушки. Возникающее во вторичной обмотке катушки датчика напряжение выпрямляется германиевым диодом 07Г и передается для записи или визуального контроля на электронный потенциометр. [c.240]

Электромагнитный дренаж. Максимально допустимое обратное напряжение зависит от типа используемых германиевых диодов Вентильные дренажи Величина номинального тока и обратного напряжения зависит от типа используемых дн-одов [c.262]

Транзисторный коммутатор ТКЮ2 обеспечивает периодическое прерывание тока в первичной обмотке катушки зажигания. Он состоит (см. схему рис. 28) из германиевого транзистора ГТ701-А, импульсного трансформатора ИТ, германиевого диода Ди кремниевого стабилитрона Дет, двух керамических сопротивлений / 1=2 ом и / 2=20 ом, конденсатора С] емкостью 50 мкф. Поскольку через транзистор проходит большой ток, он вместе с другими узлами транзисторного коммутатора помещен в алюминиевый оребренный корпус, обеспечивающий хороший отвод тепла, и для предохранения от влаги залит эпоксидной смолой. [c.109]

В блоке управления ИКС используют источник стабилизированного опорного напряжения, питающийся от обмотки IV трансформатора ТРг- Вьшрямитель выполнен по мостовой схеме на четырех германиевых диодах типа Д2Е (Д]2—Д15). Выпрямленное напряжение стабилизируется кремниевым стабилитроном Д808 (ДО, на котором намотан медный резистор / б. Он обеспечивает необходимую компенсацию изменения напряжения на стабилитроне Д] при колебаниях температуры окружающей среды. Опорное напряжение снимается с переменного резистора R , последовательно которым включен резистор 7 зз, закорачиваемый тумблером ВК при смене пределов опорного напряжения (1,5—4 в). Параметры источника опорного напряжения обеспечивают возможность плавного изменения порога срабатывания входного устройства в пределах О—3 в. На рис. 42 приведен характер изменения порога срабатывания входного устройства в зависимости от величины опорного напряжения. [c.113]

Основой германиевого диода (рис. 82, в) служит пластинка из кристаллического германия 75 с примесью сурьмы или мышьяка, обладающего и-проводимостью. Пластинка 13 спаяна с каплей нндия 12. В результате диффузии атомы индия проникают в германиевую пластинку и образуют в ней слой с р-проводнмостью (дырочной). Выпрямитель помещается в герметизированный корпус 9 с выводами-электродами 11 и 14. Неуправляемый кремниевый выпрямитель (диод) состоит из слоя кристаллического кремния с примесью фосфора или сурьмы (п-проводимость), сплавленного с пластиной алюминия. В результате диффузии алюминия в кремнии образуется слой с р-проводимостью. Управляемый кремниевый выпрямитель (тиристор) имеет четырехслойную монокристаллическую структуру типа п—р—п—р и отдельный управляющий электрод (рис. 82, г, д). [c.357]

Рис. 92. Полупроводниковые выпрямители а — схема селенового выпрямителыюго элемента, б — столб селенового выпрямителя, в — схема соединен51й селенового выпрямителя ВСД-6. г —схема германиевого диода Д7 / — стальное основание, 2 — запирающий слой,

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...