Микроскопия просвечивающая

Необходимость использования реплик в электронных микроскопах просвечивающего типа, с одной стороны, является затруднением, главным образом при снятии реплик с сильно шероховатых изломов. Реплики, полученные с поверхностей изломов, могут иметь большее количество дефектов, чем при обычных металлографических исследованиях, и давать так называемые лол<ные структуры, в ряде случаев напоминающие некоторые фрактографические рисунки [78], что необходимо иметь в виду. С другой стороны, метод реплик, несомненно, обладает рядом преимуществ, главное из которых — возможность применения оттенения для увеличения контрастности и рельеф- [c.188]

Put- 1. Электронный микроскоп просвечивающего типа (ПЭМ) 1—электронная пушка с ускорителем 2—конденсорные линзы 3—объективная линза 4—проекционные линзы J—световой микроскоп, дополнительно увеличивающий изображение, наблюдаемое на экране б—тубус со смотровыми окнами, через которые можно наблюдать изображение 7—высоковольтный кабель 8 — вакуумная система 9— пульт управления 10—стенд [c.575]

Оптические микроскопы дают возможность различать в строении металла структурные элементы размером не менее 0,2 мкм (200 нм). Их полезное увеличение составляет до 1500—2000 раз. Существуют две разновидности электронных микроскопов просвечивающие (ПЭМ) и растровые (РЭМ). [c.71]

Развитие аналитических методов в электронной микроскопии. Современный электронный микроскоп все более становится аналитическим прибором благодаря разработке и применению различных приставок и прежде всего приставок для локального химического анализа. Наиболее распространена приставка для анализа характеристического спектра рентгеновских лучей, возникающих при взаимодействии быстрых электронов с исследуемым образцом. Трудности количественного определения содержания того или иного элемента связаны с необходимостью эталонирования экспериментальных спектров (для эталонирования необходимо точно знать толщину фольги, объемную долю исследуемой фазы и т. д.). В приборах новейших конструкций локальность определения химического состава, ограниченная размерами падающего на образец электронного пучка, достигает десятков ангстремов. Поэтому весьма перспективны растровые (сканирующие) электронные микроскопы просвечивающего типа, снабженные такой приставкой наличие интенсивного электронного зонда малого [c.61]

Рис. 2.1. Оптическая схема электронного микроскопа просвечивающего типа с электромагнитными линзами

В большинстве случаев металлографический образец непрозрачен для электронов. Поэтому с помощью электронного микроскопа просвечивающего типа невозможно изучать его структуру непосредственно и приходится прибегать к косвенному методу исследования. [c.32]

Особенно велика роль выбора методики и правильного ее применения при исследовании с помощью электронного микроскопа просвечивающего типа, получившего преимущественное распространение в практике исследований поверхностей массивных твердых тел, непрозрачных для электронных лучей. В этом случае возникает необходимость в изготовлении отпечатка изучаемой поверхности, являющегося точной копией этой поверхности, позволяющей получить правильное представление о структуре последней, и вместе с тем достаточно прозрачным для электронов. Техника препарирования образцов зависит как от типа электронного микроскопа, так и, главным образом, от свойств исследуемого объекта. [c.3]

В книге изложены методы прямого и косвенного исследования с помощью электронного микроскопа просвечивающего типа, а также некоторые вопросы применения его в разных областях исследовательской работы, представляющие интерес с точки зрения их методического решения. Основное внимание при изложении материала уделено практической стороне с тем, чтобы читатель мог быстро и просто освоить тот или иной метод. [c.4]

Существует еще один метод получения тонких пленок, пригодных для прямых исследований в электронном микроскопе просвечивающего типа, заключающийся в том, что на полированную металлическую плиту сбрасывается капля расплавленного металла или сплава, подлежащего исследованию [56]. Однако при этом методе пленки получаются заметно окисленными, поэтому в большинстве случаев эту операцию необходимо производить в защитной атмосфере, что весьма усложняет эксперимент. [c.40]

Непосредственное изучение таких поверхностей возможно лишь в отражательном, эмиссионном или растровом микроскопах, наблюдение объектов в которых может быть отнесено также к прямым методам исследования. Однако наибольшее распространение имеют электронные микроскопы просвечивающего типа, обладающие наибольшим разрешением из всех перечисленных типов, и потому для изучения структур поверхностей непрозрачных тел были разработаны и успешно применяются косвенные методы. [c.41]

Как уже отмечалось выше, контраст изображения, получаемого в электронном микроскопе просвечивающего типа, определяется различием в рассеивающей способности отдельных элементов объекта, которые отличаются либо по толщине — при разного рода искусственных и естественных отпечатках, либо по эффективному сечению рассеяния — при исследовании объектов, находящихся на пленке-подложке или включенных в пленку-отпечаток. Очень часто недостаточный контраст ограничивает возможность использования разрешающей способности, которой практически обладает микроскоп или даже которую дает сам отпечаток, если речь идет о косвенном методе исследования. Несмотря на то, что в объекте могут находиться детали, размер которых несколько превышает разрешаемое микроскопом расстояние, эти детали, вследствие низкого контраста изображения не будут различимы, что субъективно воспринимается нами как уменьшение разрешающей способности микроскопа. [c.97]

С самого начала электронная микроскопия рассматривалась как основное, хотя и не единственное предложение метода восстановления волнового фронта. В ходе своих экспериментов Хейн и Дайсон [1] столкнулись со значительными практическими затруднениями и разработали модифицированную оптическую схему, которую они предложили автору. Их метод можно назвать методом пропускания в нем для получения голограммы применяется слегка измененная схема электронного микроскопа просвечивающего типа. В то время как в проекционном методе вся электронно-оптическая система расположена между малым освещающим отверстием и предметом, в схеме пропускания она расположена между предметом и фотографической пластинкой. Эта последняя схема имеет некоторые преимущества, причем [c.270]

С целью изучения влияния природы волокнистого наполнителя на структуру полиэфирного армированного пластика в нашей работе был применен метод электронной микроскопии с использованием растрового электронного микроскопа (РЭМ), который позволяет получать почти трехмерное изображение исследуемой поверхности и исключает трудоемкий метод приготовления реплик с поверхности цри использовании электронного микроскопа просвечивающего типа. [c.100]

Для исследования металлографических объектов в электронном микроскопе просвечивающего типа используются прямой и косвенный методы. Прямой метод заключается в исследовании очень тонких слоев металла (фольг), прозрачных для пучка электронов. Этим методом удается обнаружить различные дефекты в кристаллической решетке, главным образом дислокации. Косвенные методы исследования структуры осуществляются с помощью отпечатков-реплик, которые воспроизводят рельеф поверхности шлифа. Реплики получают нанесением на поверхности шлифа раствора фотопленки в амилацетате или путем напыления угля в вакууме. Полученная тем или иным способом реплика отделяется от шлифа при погружении образцов в травящий раствор, после чего ее помещают в электронный микроскоп. При прохождении электронного луча через реплику благодаря неодинаковому рассеянию электронов в разных ее участках на экране электронного микроскопа воспроизводится рельеф поверхности шлифа. Разрешение, достигаемое на репликах, составляет от нескольких десятков до нескольких сотен ангстремов. [c.53]

I. ЭЛЕКТРОННЫЕ МИКРОСКОПЫ Просвечивающий электронный микроскоп [c.165]

Рис. 10. Схема а) и общий вид (б) электронного микроскопа просвечивающего типа

Наибольшее распространение к настоящее время получили электронные микроскопы просвечивающего типа, в которых исследуемый образец пронизывается электронами, Прозрачными для электронов являются объекты, толщина которых хге превышает 1000—2000 А, Поэтому непосредственно в электронном микроскопе могут быть исследованы вещества в виде тонких пленок или чрезвычайно дисперсных частиц. Для исследования структуры поверхности массивных твердых тел прибегают к косвенным методам, когда исследуется не сам объект, а копия его поверхности, носящая название реплики (отпечатка). [c.245]

Рис. 1. Электронный микроскоп просвечивающего типа (ПЭМ)

Цель проведенной работы — определить величину размерности Dp дислокационных структур, наблюдавшихся с помощью просвечивающего электронного микроскопа в поликристаллическом алюминии после одноосного растяжения. [c.219]

ПРОСВЕЧИВАЮЩАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ. [c.95]

Необходимо вместе с тем учитывать, что в связи с высокой разрешающей способностью просвечивающей электронной микроскопии метод очень локален. Один снимок дает информацию о структуре па площади в несколько микрон. Поэтому, чтобы получить достаточно достоверную информацию о структуре, необходимо анализировать большое число снимков и применять статистические методы анализа. [c.99]

При коагуляции точечных дефектов возникают призматические петли, которые могут, с одной стороны, повышать число актов пересечения, а с другой — ограничивать пути пробега дислокаций. Данные, полученные с помощью просвечивающей электронной микроскопии, подтвердили наличие этих процессов. [c.208]

С использованием просвечивающей электронной микроскопии толстых фольг установлены взаимные смещения и развороты соседних зерен и даже смена зерен-со-седей. [c.566]

Использование электронных микроскопов при исследовании паяных соединений позволяет повысить разрешающую способность до 1 нм. В настоящее время применяют электронные микроскопы просвечивающего типа (ЭМ5, УЭМВ-ШОА, УЭМВ-ЮОК и др.), которые 1ЮЗВ0ЛЯЮТ исследовать микроструктуру на пленках. Такие пленки можно получать, изготавливая тонкие срезы массивных образцов с их последующим электрополированием или [c.311]

Последние достижения современной электронной микроскопии (просвечивающей и сканирующей) изложены в монографии Д. Брандона и У. Каплана Микроструктура материалов. Методы исследования и контроля (Пер. с англ, под ред. С. Л. Баженова. — М. Техносфера, 2004. — 384 с.). [c.184]

Как известно [1 2], оптическая схема электронного микроскопа просвечивающего типа аналогична схеме обычного светового микроскопа (фиг. 1,а) конденсорная линза освещает узким пучком электронов объект, изображение которого с помощью двух электронных линз — объективной и проекционной — в увеличенном масщтабе переносится на конечный экран. Проходя через объект, расположенный вблизи апертурной диафрагмы объективной линзы, электроны взаимодействуют с атомалш объекта и отклоняются от первоначального направления падения пучка, т. е. рассеиваются , При этом у части электронов скорость меняется только по направлению, не меняясь по величине, что соответствует упругому рассеиванию. Скорость другой части электронов меняется и по направлению, и по величине, при этом часть энергии электронов затрачивается на возбуждение и ионизацию атомных электронов в объекте. Вследствие этого электроны, пройдя через объект, после рассеяния в нем имеют вид расходящегося пучка. При этом электроны, рассеянные на угол, больший апертурного угла объективно линзы, определяемого диаметром апертурной диафрагмы и ее геометрическим положением, поглощаются в толще материала этой диафрагмы, и в дальнейшем в формировании изображения, возникающего на экране электронного микроскопа, принимает участие только та часть рассеянных электронов, которая прошла через диафрагму (фиг. 1,6). [c.5]

На основании рассмотренной схемы можно сформулировать основное требование к объектам, исследуемым в электронном микроскопе просвечивающего типа объект, исследуемый в электронном микроскопе на просвет, должен быть приготовлен либо в виде достаточно тонкой пленки, либо же в виде отдельных тонко диспергированных частиц. Это может быть проиллюстрировано следую-ш.им примером. Как показывает опыт, при энергии электронов в пучке порядка 50—100 килоэлектрон-вольт (кэв) максимальная толщина объекта, проходя через который электроны испытывают главным образом лишь упругие соударения, составляет для неорганических веществ 100—200 А и для органических до 1000 . [c.8]

Химические стаканы, стеклянные подложки, мовитал, хлороформ, фильтровальная бумага, инструмент для препарирования, дистиллированная вода, плавиковая кислота, сетка для крепления объекта, инфракрасная лампа, магниевая полоса, раствор азотнокислого серебра, 2%-ный спиртовой раствор азотной кислоты, цапоновый лак, амилацетат, угольные электроды, платина, высоковакуумный агрегат, оптический микроскоп, просвечивающий электронный микроскоп, фотопластинки, шлифовальный и полировальный станки, шлифовальная бумага, полировальный материал. [c.119]

Множество дисЕретных неоднородностей на различных масштабах было обнаружено в пеках [97]. Методом малоуглового рентгеновского рассеяния было показано существование структур с размерами (2..4)-10 м и (7.. 10)-1 о м. Методом электронной просвечивающей микроскопии были обнаружены сфероидные образования с размерами (1..9)-10 м (рис. 4.3,а), а оптическая микроскопия на протравленных шлифах (рис. 4.3,6) позволили обнаружить наличие зеренной структуры с размерами зерна (1. .5)-10 м. [c.201]

Методами просвечивавшей электронной микроскопии и внутреннего трения выявлены явные приз]шки стабилизации дислокационной структуры, в околошовиои зоне, в частности образование ячеистой структуры, т.е. создание внутренних границ в пернах, уменьшение дислокационных сегментов и т. п. [c.79]

Благодаря сравнительной малой ширине изображения нерас-гпленных дислокаций просвечивающая электронная микроскопия [c.97]

Просвечивающая электронная микроскопия позволяет опреде -лять основные количественные характеристики дислокационной структуры вектор Бюргёрса отдельных дислокаций, плотность дислокаций (но числу точек выхода дислокаций на 1 см поверхности фольги или по суммарной длине линий дислокаций в единице объема фольги), ширину растянутых дислокаций, размеры субзерен, энергию дефектов упаковки и др. [c.99]

РЕНТГЕНОВСКАЯ ТОПОГРАФИЯ, использующая тот же эффект дпфракциопиого контраста, что и просвечивающая электронная микроскопия, также позволяет наблюдать отдельные дислокации. Но из-за малой разрешающей способности она применима лишь к монокристаллам с плотностью дислокаций не выше 10 — 10 см . Поэтому этот метод не может сколько-нибудь широко использоваться для изучения дислокационной структуры металлов и сплавов. Основная область применения метода — анализ дислокационной структуры совершенных монокристаллов полупроводников (кремний, германий и др.). [c.99]

Реакция (84) энергетически не выгодна и возможна только при концентрации напряжений на двойниковом некогерентном фронте, что и имеет место в действительности. Реакция (84) дает набор испущенных дислокаций из некогерентных границ двойника с нулевым даль-нодействующим полем напряжений. Происходит увеличение длины двойниковой прослойки за счет эмиссии дислокаций из некогерентной границы. Деформация сдвига, произведенная испущенными дислокациями, эквивалентна деформации от исходной двойниковой границы, из которой они испущены. Существование эмиссионных дислокаций для о. ц. к. и г. п. у. кристаллов подтверждено экспериментами просвечивающей электронной микроскопии, наблюдаемым пробегом субграниц впереди двойника. [c.145]

Приведены новейшие данные по оптической, световой, электронной, просвечивающей, растровой, дифракционной, фотоэмиссиоиной и автоионной микроскопии. Описан метод дифрактометрии в медленных электронах и при использовании электронов с высокими энергиями. Рассмотрен микроанализ с помощью электронного зонда, Оже-спектроскопии и др. Изложены сведения о сварных соединениях. С позиций металлографии классифицированы различные способы сварки, исследованы основные изменения структуры прн сварке с растрескиванием в твердом состоянии, прослежено влияние температурного поля на структурные изменения при различных способах сварки. [c.28]

Методом мениска цветовую интенсивность цветного пенетранта и световую интенсивность люминесцентного пенетранта характеризуют минимальной, еш,е выявляемой, толщиной цветового или флюоресцентного слоя. На обезжиренную ровную стеклянную плитку наносится 1—2 капли гцшетранта, сверху накладывается выпуклая линза малой кривизны, линза легко прижимается. Белое пятно, которое образуется на месте контакта, рассматривается и измеряется под просвечивающим микроскопом при нужном увеличении. Если контуры белого пятна размыты, то проводится измерение светопропускания от точки к точке с помощью спектрального микрофотометра. В случае люминесцентных пенетрантов осуществляется боковое облучение УФ-светом, причем интенсивность облучения нормируется и должна составлягь 500 мкВт/см . [c.158]

Просвечивающая электронная микроскопия может дать много информации о структуре покрытий и основного металла. Современные приборы позволяют получать изображения структур с увеличением до 200 000 крат и при этом проводить дифракционный анализ на выбранных участках. В просвечивающем электронном микроскопе изображение формируется фокусировкой дифрагированного потока электронов после прохождения его через образец. Используются очень тонкие объекты, причем толщина выбирается в зависимости от природы исс.ледуемого материала и используемого в микроскопе ускоряющего напряжения. В практической электронной микроскопии при нaпpянieнии 100 кВ толщина образцов обычно составляет 10 —10" мм. Разрешение (рабочее) отечественных микроско- [c.160]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...