Микроскоп электронный просвечивающий разрешение

В сравнении с просвечивающим электронным микроскопом использование растровых приборов дает ряд преимуществ. Во-первых, отпадает нужда в кропотливом и трудоемком изготовлении реплик и фольг, во-вторых, наиболее полно и достоверно фиксируется рельеф поверхности, в-третьих, исследованию доступна значительно большая площадь образца и, наконец, растровый микроскоп позволяет проводить изучения в непрерывном и широком интервале увеличений — от 20 и до 100 000 крат. К недостаткам растрового микроскопа можно отнести более низкую разрешающую способность в сравнении с разрешением, которое возможно на просвечивающем приборе. [c.180]

Просвечивающие электронные микроскопы (ПЭМ) позволяют получить разрешение до 10" м (10 А). Для исследования поверхности с нее необходимо снимать тонкие, прозрачные для электронов реплики (отпечатки). [c.112]

Просвечивающая электронная микроскопия, несмотря на высокое разрешение (до 0,5 — 1 нм), мало применима для исследования процессов окисления сплавов, вследствие больших ограничений в выборе размеров образца (фольга толщиной не более 5 О нм). [c.24]

Уменьшение толщины образца от бесконечности до нуля лишь незначительно повышает авторадиографическое разрешение источников, активизированных изотопом с мягким р-излучением. Для небольшого выигрыша в разрешении толщину образца необходимо снизить до сотых долей микрона (до сотых долей максимального пробега соответствующего р-излучения в данном материале) это явно нецелесообразно, так как из практики просвечивающей электронной микроскопии хорошо известно, на- [c.471]

ПРОСВЕЧИВАЮЩАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ ВЫСОКОГО РАЗРЕШЕНИЯ В ИНЖЕНЕРИИ ПОВЕРХНОСТИ [c.489]

Хорошо известна методика изучения топографии поверхности и измерения шероховатости, основанная на электронномикроскопическом исследовании углеродных реплик, оттененных для усиления контраста тяжелыми металлами [15]. Однако до недавнего времени метод реплик в просвечивающей электронной микроскопии не позволял получить разрешение лучше 2—3 нм по высотам микронеровностей не было разработано также точных количественных методик обработки микрофотографий. В последние 5 лет был достигнут значительный прогресс. Оттенение [c.240]

Непосредственное изучение таких поверхностей возможно лишь в отражательном, эмиссионном или растровом микроскопах, наблюдение объектов в которых может быть отнесено также к прямым методам исследования. Однако наибольшее распространение имеют электронные микроскопы просвечивающего типа, обладающие наибольшим разрешением из всех перечисленных типов, и потому для изучения структур поверхностей непрозрачных тел были разработаны и успешно применяются косвенные методы. [c.41]

Это — просвечивающая электронная микроскопия (см. раздел 2), дающая картину поверхности с разрешением до 1 нм, и растровая электронная микроскопия (5—10 нм) (см. раздел 3). [c.117]

Для исследования металлографических объектов в электронном микроскопе просвечивающего типа используются прямой и косвенный методы. Прямой метод заключается в исследовании очень тонких слоев металла (фольг), прозрачных для пучка электронов. Этим методом удается обнаружить различные дефекты в кристаллической решетке, главным образом дислокации. Косвенные методы исследования структуры осуществляются с помощью отпечатков-реплик, которые воспроизводят рельеф поверхности шлифа. Реплики получают нанесением на поверхности шлифа раствора фотопленки в амилацетате или путем напыления угля в вакууме. Полученная тем или иным способом реплика отделяется от шлифа при погружении образцов в травящий раствор, после чего ее помещают в электронный микроскоп. При прохождении электронного луча через реплику благодаря неодинаковому рассеянию электронов в разных ее участках на экране электронного микроскопа воспроизводится рельеф поверхности шлифа. Разрешение, достигаемое на репликах, составляет от нескольких десятков до нескольких сотен ангстремов. [c.53]

Также не были предназначены для исследования непрозрачных материалов новые виды микроскопов, основанные на применении ультрафиолетовых и рентгеновских лучей или электронов. Кроме того, проведение исследований на этих микроскопах оказалось весьма сложным и трудным, а разрешения не столь уж высокими, за исключением разрешений, получаемых в просвечивающей электронной микроскопии. [c.46]

Несмотря на то, что в просвечивающем электронном микроскопе можно наблюдать прозрачные для электронов препараты и поэтому он непригоден для исследования массивных металлических образцов 2, обеспечиваемое им высокое разрешение заставило металлургов изобрести методы, которые позволили использовать микроскоп для металлографических наблюдений. [c.46]

Вычисления положения фронта плавления как функции времени для кремния, облучаемого в течение 60 не импульсом рубинового лазера с плотностью энергии 1,5 Дж/см , показаны на рис. 5.3, из которого видно, что фронт плавления достигает максимальной глубины 0,95 мкм в момент времени, чуть больший длительности импульса. После этого фронт плавления движется назад к поверхности, эпитаксиально рекристаллизуя материал. В жидкой фазе атомы примеси обладают очень высоким коэффициентом диффузии и поэтому имплантированные профили могут заметно измениться. Дпя бора в кремнии экспериментальные данные можно объяснить, если использовать коэффициент диффузии в жидкой фазе, равный (2,4 0,7) X X Ю см /с [5.8], и время диффузии 180 не. Эти параметры обеспечивают совпадение расчетных данных с экспериментальными (рис. 5.4) и однозначно подтверждают вывод о том, что расплывание имплантированных профилей во время импульсного лазерного отжига обусловлено обычным процессом диффузии в расплавленном состоянии. Холловские измерения и просвечивающая электронная микроскопия имплантированного материала, отожженного таким способом, показывают 100 %-ную электрическую активность примесей и отсутствие дефектов, по крайней мере при разрешении до [c.164]

В работах [277—278 и др.] было проведено систематическое исследование закономерности появления различных величин шага усталостных бороздок на образцах и деталях из алюминиевых сплавов, разрушенных при различных условиях нагружения. С целью сопоставления результатов измерений шага бороздок использовали метод реплик при анализе изломов на просвечивающем электронном микроскопе с предельным разрешением Ю"" м, растровом электронном микроскопе КВИК-ЮО с разрешением 9 10 м и микроскопе S-800 с разрешением 2 10 м. Помимо этого анализировали результаты измерений шага усталостных бороздок на растровом электронном микроскопе ISM-35 с гарантированным разрешением 5 10 м, относящиеся к исследованию закономерности формирования рельефа излома при отрицательной асимметрии цикла нагружения. [c.217]

Просвечивающая электронная микроскопия может дать много информации о структуре покрытий и основного металла. Современные приборы позволяют получать изображения структур с увеличением до 200 000 крат и при этом проводить дифракционный анализ на выбранных участках. В просвечивающем электронном микроскопе изображение формируется фокусировкой дифрагированного потока электронов после прохождения его через образец. Используются очень тонкие объекты, причем толщина выбирается в зависимости от природы исс.ледуемого материала и используемого в микроскопе ускоряющего напряжения. В практической электронной микроскопии при нaпpянieнии 100 кВ толщина образцов обычно составляет 10 —10" мм. Разрешение (рабочее) отечественных микроско- [c.160]

Для исследования структуры неоргапич. веществ и биол. объектов служит метод просвечивающей электронной микроскопии, в к-ром используют дифракцию электронов с энергией 10 —10 эВ. Более высокие ( 10 эВ) ускоряющие напряжения применяют в элек тронной микроскопии высокого разрешения, позволяющей анализировать структуру веществ вплоть до атомных масштабов. [c.682]

Большие возможности в изучении структуры аморфных сплавов открывает метод просвечивающей микроскопии в режиме формирования фазового контраста. В этом случае можно наблюдать отдельные кристаллографические плоскости и даже отдельные атомы, если использовать объекты толщиной порядка 1—5 нм. Такие исследования проведены в [455] на сплавах Fe-B в режиме прямого разрешения. Авторы интерпретировали наблюдаемую структуру как микрокристаллическую (радиус этих микрокристаллов изменялся от 0,7 до 1,1 нм по мере снижения содержания бора от 5 до 15 ат.%). Вывод о микро исталлической природе аморфных сплавов сделан в авторами других электронно-микроско-пических исследований [456—458]. Однако при анализе субкристалли-ческнх структур (при структурной единице размером порядка 1 нм) трудно отличить "микрокрисгалл" от "кластера". Поэтому считают, что электронно-микроскопические исследования подтверждают в равной мере как микрокристаллическую, так и кластерную природу аморфных сплавов. [c.283]

Для исследования поверхности малых частиц начинает применяться сканирующая электронная микроскопия, с методами и возможностями которой можно ознакомиться, например, в обзоре [100 . Коули [1011 изучал хорошо ограненные частицы MgO и NiO размером < 1 мкм в просвечивающем сканирующем микроскопе высокого разрешения, позволяющем получать микродифракционную картину и спектр энергетических потерь электронов от областей поверхности образца размерами 10 А или менее. Направляя первичный пучок диаметром 15 А вдоль плоских граней частиц, он выявил, во-первых, эффекты взаимодействия электронов с потенциальным полем микрокристаллов, а во-вторых, энергетические потери электронов, обусловленные возбуждением поверхностных состояний и радиацией, возникающей как при входе пучка в потенциальное поле, так и при выходе его из этого поля. [c.27]

Рис. 2.11. Расщепление дислокаций в кристалле талька на четыре частичные дислокации, разделенные полосами дефектов упаковки. Просвечивающий электронный микроскоп. Длина масштабного отрезка 1 мкм. (С разрешения П. Делавнгнетта.)

Рис. 6.1. границы субзерен в оливине (палласитовый метеорит 1т 1ас). Фотография получена с помощью просвечивающего электронного микроскопа. Длина масштабного отрезка равна 1 мкм. (С разрешения А. М. Мари.) [c.192]

Эмиссионный электронный микроскоп дает изображение объекта в электронах, которые эмиттирует сам оВъект. Эмиссия может бытъ результатом -нагрева 4термо- электронная эмиссия), освещения (фотоэлектронная эмиссия), бомбардировки электронами или ионами (вторичноэлектронная или ионно-электронная эмиссия), действия сильных электрических полей (автоэлектронная эмиссия). Разрешение эмиссионных микроскопов значительно хуже просвечивающих и в зависимости от типа эмиссии достигает 20—100 мкм. [c.185]

Теневое изображение объекта получается в теневых электронных микроскопах, в которых тонкий электронный пучок, облучающий образец, остается неподвижным. Разрешение теневого микроскопа определяется диаметром пучка и дифракционными явлениями. На образование изображения влияют различия в рассеянии и поглощении электронов разными участками образца. Яркость изображения значительно ниже, чем в просвечивающем микроскопе. Для ее увеличения возможно применение элек-тр он но- оптически х преобр азователей. [c.186]

Каков минимальный размер частиц конденсированного, твердого или жидкого вещества, имеющий границу раздела со средой в любом агрегатном состоянии Принятая минимальная величина размера дисперсной частицы около 1 нм (см. рис. 1.2) считается реальной. Для вещества с ковалентной, металлической или ионной связью дисперсная частица представляет собой кластер (сгущение, рой) до нескольких десятков атомов или ионов. Указанный разхмер находится на пределе разрешения (0,2—0,8 нм) просвечивающей электронной микроскопии [34]. В работе [76] указывается, что кристалл становится таковым лишь при наличии некоторого минимального числа атомов (молекул) вещества, превышающего их число в кластере. [c.19]

Микроскопические исследования. Развитие современной электронной микроскопии позволило осуществиться давнишней мечте физиков — увидеть атомы твердого тела. Просвечивающая электронная микроскопия высокого разрешения (ПЭМ) уже позволяет исследовать тонкие пленки с разрешением 0,2—0,5 нм. Например, на срезах структур Si—SIO2 удается надежно фиксировать неоднородности границы [c.122]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...