Сканирующий просвечивающий электронный микроскоп

Сканирующий просвечивающий электронный микроскоп [c.289]

В наноструктурных ИПД металлах и сплавах, как будет показано ниже в 2.1, экспериментальные исследования, проведенные с использованием различных, часто взаимно дополняющих методов, каковыми являются просвечивающая, включая высокоразрешающую, электронная микроскопия, рентгеноструктурный анализ, мессбауэровская спектроскопия, дифференциальная сканирующая калориметрия, свидетельствуют, что границы зерен носят неравновесный характер, обусловленный присутствием зернограничных дефектов с высокой плотностью. [c.61]

Раньше вид разрушения определяли визуально, невооруженным глазом или при малых увеличениях, теперь он определяется при помощи просвечивающего или сканирующего электронного микроскопа обычно при увеличениях 3000-5000. На рис. 15/г,б показаны типичные виды изломов (снятые на сканирующем микроскопе при увеличении 1000), характерные для вязкого ямочного разрушения. [c.25]

Развитие аналитических методов в электронной микроскопии. Современный электронный микроскоп все более становится аналитическим прибором благодаря разработке и применению различных приставок и прежде всего приставок для локального химического анализа. Наиболее распространена приставка для анализа характеристического спектра рентгеновских лучей, возникающих при взаимодействии быстрых электронов с исследуемым образцом. Трудности количественного определения содержания того или иного элемента связаны с необходимостью эталонирования экспериментальных спектров (для эталонирования необходимо точно знать толщину фольги, объемную долю исследуемой фазы и т. д.). В приборах новейших конструкций локальность определения химического состава, ограниченная размерами падающего на образец электронного пучка, достигает десятков ангстремов. Поэтому весьма перспективны растровые (сканирующие) электронные микроскопы просвечивающего типа, снабженные такой приставкой наличие интенсивного электронного зонда малого [c.61]

Изучение строения изломов (фрактография) производится визуально при небольшом увеличении. Используют также методы сканирующей (на массивных образцах) и просвечивающей (реплики) электронной микроскопии с увеличениями в 1000, 4000 и 8000 раз. [c.192]

Кроме обычного просвечивающего электронного микроскопа с фиксированным пучком электронов для получения в основном таких же данных используется также сканирующий просвечивающий электронный микроскоп (СПЭМ). Принцип его действия показан на фиг. 13.2. Здесь короткофокусную линзу типа объективной используют для получения электронно-лучевого зонда малого [c.289]

На рис. 2.1, 2.2 показаны типичные структуры консолидированных наноматериалов. Эти снимки получены с помощью высокоразрешающих и обычных просвечивающих электронных микроскопов (ПЭМ) (рис. 2.1, а, д—з рис. 2.2), высокоразрешающего сканирующего электронного микроскопа (рис. 2.1, 5, д) и атомносилового микроскопа (рис. 2.1, г) с увеличением в 20 000—3 500 000 раз (см. прил. 4 — 6). Столбчатая и пластинчатая структуры пленок представлены на рис. 2.1, в—д однофазные структуры — на рис. 2.1, а—г, ж многофазные — на рис. 2Л,д, е, з рис. 2.2. [c.14]

Рис. 2.27. Разрушение стали 40Х (а) и 40ХФА (б) при растяжении на воздухе по механизму квазискола а - просвечивающий электронный микроскоп (ПЭМ), угольные реплики. X 3200 б - сканирующий электронный микроскоп (СЭМ). X 1600

В сканирующей электронной микроскопии часто бывает удобным использовать широкоугловой детектор для отбора значительной части рассеянного излучения. На основе принципа взаимности (см. [93—96])2 можно показать, что это эквивалентно использованию очень большого угла падения в обычной просвечивающей электронной микроскопии. Контраст изображения в этом случае дается усреднением по большому интервалу направлений падающего пучка. Этот эффект сильно понижает контраст полос от дефектов упаковки. Общий контраст изображения дислокаций несколько понижается, осциллирующая компонента стремится исчезнуть и изображение дислокации стремится стать однородно темным (на позитиве светлопольного изображения) [29]. [c.407]

Последние достижения современной электронной микроскопии (просвечивающей и сканирующей) изложены в монографии Д. Брандона и У. Каплана Микроструктура материалов. Методы исследования и контроля (Пер. с англ, под ред. С. Л. Баженова. — М. Техносфера, 2004. — 384 с.). [c.184]

Для исследования поверхности малых частиц начинает применяться сканирующая электронная микроскопия, с методами и возможностями которой можно ознакомиться, например, в обзоре [100 . Коули [1011 изучал хорошо ограненные частицы MgO и NiO размером < 1 мкм в просвечивающем сканирующем микроскопе высокого разрешения, позволяющем получать микродифракционную картину и спектр энергетических потерь электронов от областей поверхности образца размерами 10 А или менее. Направляя первичный пучок диаметром 15 А вдоль плоских граней частиц, он выявил, во-первых, эффекты взаимодействия электронов с потенциальным полем микрокристаллов, а во-вторых, энергетические потери электронов, обусловленные возбуждением поверхностных состояний и радиацией, возникающей как при входе пучка в потенциальное поле, так и при выходе его из этого поля. [c.27]

К оптическим методам относятся светопольная, темнопольная и фазово-контрастная микроскопий в видимом свете. Эти методы применяются как самостоятельные, так и в сочетании с другими. В электронной микроскопии используют просвечивающую микроскопию на снятых с подложки пленках, метод реплик и сканирующую микроскопию. В табл. [c.265]

По характеру исследований, для которых предназначаются электронные микроскопы, они подразделяются иа просвечивающие (траисмиссионные) и микроскопы для прямого исследования массивных объектов (растровые ил 1 сканирующие, эмнсснонные, зеркальные). Наи- [c.52]

Полную информацию о КМ можно получить, применяя для исследования образцов толщиной в несколько микрометров, кроме метода ПЭМ также метод просвечивающей растровой или сканирующей электронной микроскопии (ПРЭМ). Образцы при этих испытаниях готовят механическим утонением (расщепление, срез), ионным травлением, химическим или электрохимическим полированием или нанесением тонких слоев. Для приготовления тонких срезов любых материалов рекомендовано использовать алмазный резец. Указанные способы полирования из-за гетерогенности фаз КМ позволяют в первую очередь выявить фазы, но при этом, однако, во многих случаях не достигается равномерное утонение слоя материала. [c.71]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...