Щелочные металлы концентрация электронов проводимости

Отсутствие металлической проводимости и диэлектрические свойства галогенидов щелочных металлов и окислов щелочноземельных металлов указывают на переход одного (или двух) валентных электронов, вследствие чего зона проводимости металла оказывается пустой. Исследования нитридов переходных металлов III группы также указывают на полупроводниковый характер этих соединений [128]. Систематические исследования физических свойств карбидов титана, циркония и гафния показали [129, 130], что металлический характер проводимости в этих карбидах обусловлен исключительно вакансиями по углероду, создающими избыток атомов металла, которые вносят свои d- и s-электроны в зону проводимости. Концентрация электронов проводимости линейно уменьшается с понижением концентрации вакансий и при стехиометрическом составе достигает нуля (рис. 37). [c.93]

Таким образом, чтобы объяснить экспериментальные факты, необходимо допустить, что электроны проводимости тяжелых щелочных металлов не являются полностью свободными, так как экранирование ионов в этих металлах неполное. Такое предположение можно было бы проверить непосредственно, если бы удалось ввести в щелочные металлы атомы металлов с другой валентностью (наиример, кальций или стронций) с образованием гомогенного твердого раствора. Действительно, сопротивление, вызванное введением инородных атомов с разностью валентностей Z, при концентрации х атомных долей должно быть равно (см. работы Мотта и Джонса [37], стр. 294) [c.197]

Различают электронные проводники, в которых перенос тока происходит за счет движения электронов и дырок, и ионные проводники. Подвижность ионов намного меньше, чем подвижность электронов и дырок единственным примером твердого тела, в котором ионная проводимость преобладает над электронной, являются диэлектрики, в них концентрация (свободных) электронов и дырок чрезвычайно мала по сравнению с концентрацией ионов, а подвижность ионов ощутима. Типичными диэлектриками являются галогениды щелочных металлов, они будут рассмотрены в гл. 6. [c.70]

Хорошо установлено, что щелочные металлы, а также медь,, серебро и золото имеют по одному свободному электрону, или электрону проводимости, на атом. В эгих элементах на каждый атом приходится по одному валентному электрону, которые в металле становятся электронами проводимости. Таким образом, концентрация электронов проводимости равна концентрации атомов, которую можно определить либо из плотности и атомного веса, либо из параметров кристаллической решетки. [c.198]

Если щелочные металлы образуют сплавы с Си, Ag или Аи, то сохраняется электронная концентрация, равная одному электрону на атом. Вероятность нахождения электронов проводимости в сравнительно глубоких потенциальных ямах Си+, Ag+ или Аи+ при этом достаточно велика. Так как при образовании сплавов щелочных металлов с Си, Ag или Аи их объем по сравнению с суммой объемов чистых металлов заметно уменьшается [17], то следует считать, что средняя электронная плотность вблизи ионов Си+, Ag+ или Аи+ превышает один электрон проводимости на каждый ион. Это означает, что в дополнение к электронам проводимости, поставляемым благородными металлами, электроны щелочных металлов, с некоторой вероятностью, также находятся в потенциальных ямах ионов благородных металлов. Переход электронов к потенциальным ямам благородных ионов является, по-видимому, главной причиной освобождения энергии при образовании сплавов щелочных металлов с благородными. Согласно Паулингу [279] этот вопрос тесно связан с электроотрицательностью , т. е. способностью атома притягивать к себе электроны. [c.10]

Электропроводность. При низких температурах р технических стекол находится в пределах 10 —10 Ом-м, но у некоторых стекол 10 Ом-м. Электропроводность стекол осуща-ствляется главным образом ионами щелочных (Li+, Na+, К+), а в некоторых случаях щелочно-земельных (Mg++) металлов, а также анионов (F , ОН-), При наличии в стекле ионов переменной валентности (РЬ, V, Fe) может иметь место и электронная проводимость в этом случае стекла могут быть полупроводниками. Полупроводниковыми являются и халькогенидные стекла. Увеличение в составе стекла концентрации оксидов щелс -ных металлов приводит к уменьшению о, причем действие ионов малого радиуса более сильно, чем ионов большего радиуса. [c.191]

Электросопротивление р технических стекол при невысоких температурах находится в пределах 10 -г-10 Ом-м, но у некоторых стекол р -10 Ом-м. Электропроводность стекол осущес гвляется главным образом ионами щелочных (Ь1 , Ка , К ), в некоторых случаях щелочноземельных металлов, а также анионами (Р", ОН ).,При наличии в стекле ионов переменной валентности (V, РЬ, Ре) может иметь место и электронная проводимость, тогда стекла становятся полупроводниками. Полупроводниковыми являются халькогенидные стекла. Увеличение в составе стекла концентрации оксидов щелочных металлов приводит к уменьшению р, причем действие ионов малого радиуса более сильно, чем ионов большого радиуса. Влияние отдельных оксидов на электропроводность стекол показано в табл. 16.1. [c.682]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...