Наклонное облучение

Из рис. 4.33 видно, что коэффициент теплопроводности (наклон кривых) изменяется от отрицательной величины для необлученного графита до положительной для графита, облученного потоком 6,4-102 нейтрон см при 30° С. Сообщалось, что температура облучения оказывает небольшое влияние на порог насыщения теплопроводности в зависимости от дозы облучения [191]. Графит SF, облученный при 30 и 400° С, имеет этот порог в обоих случаях примерно при 1,9-1021 нейтрон см . Абсолют-75 100 125 150 175 200 изменение теплопроводности на- [c.190]

Опыт был задуман таким образом, что капсулы с термисторами в процессе облучения могли наклоняться, что обеспечивало возможность измерения вольт-амперных характеристик элементов в жидкости и в сухом состоянии. [c.360]

Обработку внутренних поверхностей деталей типа тел вращения можно производить по схемам, представленным на рис. 35, б, в, г. По схеме 35, б обработка производится лучом ОКГ 1, который направляется на наклонное зеркало 2, расположенное внутри обрабатываемого отверстия детали 3. В результате вращения и поступательного перемещения поворотного зеркала 2 производится облучение всей внутренней поверхности А детали. [c.57]

Угол наклона прямых, приведенных на рис. 3.8, для постоянного (и достаточно высокого) флюенса нейтронов зависит от температуры облучения и с увеличением ее растет (термическое сопротивление падает). Независимость относительного изменения теплопроводности от вида материала позволяет при построении зависимостей от флюенса использовать данные, полученные на различных графитовых материалах. Такие зависимости изменения термического сопротивления (К) отечественных графитовых материалов, облученных при различной температуре, приведены на рис. 3.9. [c.109]

Первая из них соответствует облучению при температуре от 50 до 200° С, вторая— при более высокой температуре. Найденные по наклону прямых энергии активации составляют [c.114]

На рис. 5 показана зависимость скорости поступления изотопов иода в камеру мишени от постоянной распада при времени облучения 10 с и плотности нейтронного потока 8-10 нейтр./(см -с). Видно, что наклон экспериментальной прямой, т. е. отношение Ig R/ g X, близок к минус единице. [c.120]

Рис. 6. Зависимость вы.хода радиоизотопов иода от постоянной распада при ступенчатом изменении плотности нейтронного потока (пунктир — линия с наклоном — 1), цифры у кривых — время облучения

Здесь N 0) и N D) — число клеток до и после облучения величина S = 1/ >о характеризует радиочувствительность клеток, >0 доза, снижающая число выживших клеток в е раз. Для большинства делящихся клеток Do = (1,2 4-2,0) Гр. Часто экспоненциальному участку дозовой кривой предшествует участок кривой с меньшим наклоном (рис. 1). [c.199]

Исследование зависимостей lgp=f(l/r) в области температур 20—800 °С в процессе облучения на кобальтовых Y-установках с мощностью дозы 38 Гр/с и в каналах стационарных и импульсных реакторов при плотности потока нейтронов до 10 М/(см2.с) ц мощности дозы у-излучения до 8,5 10 Гр/с основных видов электрокерамических материалов и стекол показало, что при комнатной температуре р резко уменьшается и в процессе дальнейшего радиационного или обычного нагрева убывает по экспоненте с малой энергией активации (0,1—0,5 эВ) до некоторой температуры, после которой график зависимости gp=f(l/r) имеет наклон, близкий к наклону кривой без облу. чения. С увеличением мощности дозы эта точка обычно смещается в область более высоких температур (рис, 27.4). [c.322]

Изложенная картина не ограничивается высокопрочными сплавами, обладающими специфической микроструктурой (малыми частицами фазы). Найденные закономерности пластического течения, сводящиеся к потере устойчивости системы, локализации деформации, развитию ротационной пластичности и т.п., должны проявляться также во всех материалах, где скорость сдвиговой деформации существенно зависит от концентрации точечных дефектов и обеспечивается высокий уровень напряжений. Такие условия могут достигаться, в частности, на стадии развитой пластической деформации независимо от исходной микроструктуры и механических свойств материала. При этом деформационное упрочнение приводит материал в состояние, обладающее значительными величинами неоднородных полей напряжений и деформационными дефектами типа дислокационных клубков. Подобная ситуация проявляется при интенсивном облучении, имплантации, насыщении металлов атомами малого размера (например, наводороживании) и т. д. По нашему мнению, развитая картина может объяснить известный экспериментальный факт, согласно которому на стадии развитой пластической деформации образуются преимущественно высокоугловые границы наклонного типа [205]. Действительно, именно такие фаницы формируются путем диффузионного массопереноса и инициируемого вакансиями переползания краевых компонент дислокаций. [c.255]

Облучение полихлорвинила (рис. 85) оказывает незначительное влияние на наклон графиков пробивное напряжение при облучении возрастает. [c.132]

При облучении полиэтилена не имеется ясно выраженного изменения наиболее вероятной величины пробивного напряжения в зависимости от дозы облучения (рис. 86), однако наблюдается заметное увеличение наклона графиков. [c.132]

В терморадиационных камерах режим облучения изделия регулируется путем изменения расстояния (или угла наклона) между генераторами инфракрасных лучей и поверхностью [c.151]

На каждой нижней тележке расположены наклонные каретки 4 с генераторами нижнего облучения 3. Каретки могут при помощи специального электропривода перемещаться в направлении, перпендикулярном оси пути на 1,6 ж. По обе стороны железнодорожного пути расположены канавки для отвода воды, образующейся в результате размораживания. [c.213]

Клеммов [46] и Миллар 47— 49] вычисляют в своих работах коэффициенты (прохождения при нормальном облучении щели и отверстия, а также толе на отверстии. Решение ищется с помощью криволинейных интегралов по краям отверстия от фиктивных линейных токов. Учитывается взаимодействие краев. Случай наклонного облучения не рассмотрен, так как оказался слишком сложным для исследования этим методом. [c.178]

Чарлзби [23] показал, что если построить зависимость i/M от дозы облучения, то наклон получающейся прямой будет определять Ga- Если прямолинейной зависимости не получается, то плотность разрывов цепи р [c.52]

С целью расширения радиуса действия радиолокации в конце 1946 и в начале 1947 г. Н. И. Кабанов поставил серию опытов на коротких волнах и получил обратное отражение от Земли через ионосферу на расстояниях до 1500—3000 км ( эффект Кабанова ). Эти первые опыты привели в дальнейшем к возникновению и разработке метода возвратно-наклонного зондирования (Н. И. Кабанов, Б. И. Осетров, К. М. Косиков и др.). Указанный метод позволяет получать важные сведения о состоянии ионосферы на трассах большой протяженности, а в определенные периоды времени — и вокруг Земли Он также дает возможность более точно выбирать оптимальные волны для радиосвязи и радиовеш ания на больших расстояниях, определять зоны облучения и направлять излучение в требуемые места, а также находить значения напряженности поля в пунктах облучения из точки передачи. [c.384]

Для облученных графитовых материалов сохраняется прямая пропорциональность между теплопроводностью и диаметром областей когерецтного рассеяния [8]. При этом тангенс угла наклона для приведенной к нулевой пористости средней теплопроводности, равной, согласно выражению (1.17), A plv, не должен заметно меняться. Действительно, теплоемкость графита [c.110]

Это свидетельствует о том, что выход радиоактивного иода может быть объяснен выбиванием его атомов из поверхностного слоя (Kno k-out-механизм). Для уточнения этого образец после облучения в течение 1,8-10 с был перемещен в положение при плотности нейтронного потока 2-10 нейтр./(см -с) и эксперимент был продолжен. На рис. 6 представлены полученные зависимости выхода изотопов иода от постоянной распада для времени облучения при меньшей плотности нейтронного потока 7,3-10 и 2-10 с. Повышенный выход долгоживущих 1 и по отношению к короткоживущему 1 (с учетом пропорциональности скорости утечки ТПД 1/Х) обусловлен их повышенной концентрацией в поверхностном слое. По мере облучения на новом уровне нейтронного потока наклон зависимости выхода от постоянной распада стремится к —1. Повышенный выход вызван влиянием его долгоживущего предшественника Te. [c.121]

При облучении струи двумя спиральными волнами п = 1, — 1 в зависимости от сдвига фаз между ними (Аф = О, 90°, 180°, 270°) в сечении x/d = 4 изотахи принимают овальную форму, причем угол наклона овалов зависит от значения Аф (рис. 2.52). Наконец, при комбинированном акустическом возбуждении струи плоскими (п = 0) и азимутальными (п = 2) волнами также происходит деформация изотах (рис. 2.53, x/d = 3). [c.89]

Корпус каждой камеры / представляет собой литую конструкцию, выполненную из двух одинаковых половин, соединенных между собой болтамй. Между полукамерами проложена уплотняющая резиновая прокладка. Снаружи корпус снабжен ребрами жесткости, фланцами для соединения камер между собой и с переходами 21. Внутри каждого корпуса имеется шесть радиальных перегородок для интенсивного перемешивания воды во время ее облучения. В наклонных перегородках предусмотрено по одному небольшому отверстию 27 для выхода воздуха из образующегося при заполнении камеры водой воздушного мешка и воды при ее опорожнении. Камеры и переходы оборудованы кранами 28 для выпуска воздуха при заполнении установки и слива (ВОДЫ при ее опорожнении. Отверстия п пеоегородках и воздуховыпускные краны в корпусе позволяют монтировать установку в горизонтальном, наклонном и вертикальном положениях. Для доступа внутрь камеры в ее корпусе имеются два отверстия, перекрытые крышками на фланцах верхнее 18 и нижнее 19. В [c.174]

О возможности переползания дислокаций при малых величинах напряжений указывалось в ряде работ. Например, А.Л. Ройтбурд [618] отмечает, что неконсервативное движение дислокаций, по-видимому, является основным механизмом пластической деформации при повышенных температурах или малых нагрузках . О принципиальной возможности перемещения ростовых дислокаций за счет образования неравновесной концентрации точечных дефектов при электронном и ионном облучении свидетельствуют также работы [619—620]. Некоторые расчетные подходы, описывающие модель стока точечных дефектов на дислокации, были рассмотрены также в [621]. Обработка экспериментальных данных на рис. 141 показала, что низкотемпературная ползучесть Ge и Si подчиняется логарифмическому закону е = а1пт,+ 5, где a=kTjqh — коэффициент, равный углу наклона прямых е Inr для каждой ступени нагружения В — некоторая постоянная q = kT/ah — активационный объем h = AajAe — коэффициент упрочнения Да — величина ступени нагружения Де — величина ступени деформации е - величина микропластической деформации на переходной стадии ползучести. [c.213]

Остановимся вначале подробнее на физической иллюстрации статистических свойств импульсных сигналов, сформулированных в разд. 1.2. Для этого обратимся к результатам статистического моделирования, которое проводилось на ЭВМ с наигрыванием значений всех случайных параметров в соответствии с законами распределения, приведенными в разд. 1.2. В качестве иллюстрации рассмотрим реализации, соответствующие переднему фронту сигнала при облучении наклонной плоскости прямоугольным протяженным импульсом. На рис. 3.5 показано изменение средней интенсивности, соответствующее рассеянию такого сигнала, и одна из реализаций. Видно, что флуктуации в реализации сравнимы по величине со средним значением. Временной масштаб флуктуаций изменяется по мере нарастания В начале сигнала флуктуации относительно быстрые, но постепенно их временной масштаб становится сравним с длительностью фронта, что соответствует (1.2.53). На рис. 3.6 показано развитие пространственного распределения интенсивности на апертуре при тех же условиях. Параметры модели были выбраны т.ак, что к моменту 100 на апертуре ы=10 укладывается 40 расчетных ради- усов корреляции интенсивности. [c.147]

Широкие эксперименты проводятся и на землях Львовской области. iXлeбopoбы использовали яровой ячмень сорта Эльгина и озимый сорта Белта . Обработку семян проводили на машинах, разработанных Львовскими приборостроителями. Результаты показали 10%-ную прибавку урожая. Экспериментальная установка для лабораторной обработки семян была названа Львов-1. Электроника . Она собрана на гелий-неоновом и аргоновом лазерах. Один лазер работал в красной области спектра, другой —в ультрафиолетовой. Излучение лазеров с помощью короткофокусных линз расширяется до требуемого угла, обеспечивая тем самым определенную плотность излучения на поверхности, где размещались обрабатываемые семена- Промышленная установка Львов-1 предназначалась для обработки больших объемов зерна, в ней использовался только гелий-неоновый лазер. Из бункера под действием собственного веса семена движутся но наклонному желобу длиной около метра. За это короткое время происходит их активация. Сначала семена облучаются красным светом неоновой лампы, изогнутой в несколько колен, а затем попадают под лазерный луч, который разворачивается с помощью шестигранного зеркала на всю ширину желоба. Предварительное облучение зерна светом в диапазоне 0,63. .. 0,65 мкм призвано подготовить семена к более эффектив-. ному восприятию монохроматического лазерного излучения. Эта установка, выпускаемая небольшой серией, отличается простотой в изготовлении и эксплуатации, высокой надежностью и компактностью. Масса установки всего ПО кг, обслуживается она одним человеком и име-..ет производительность до 7 т зерна в час. [c.101]

Энергию активации реакции можно определить из выражения (6.31), если откладывать nk на графике как функцию обратной температуры 1/Г (рис. 6.6). Наклон прямой Аррениуса равен —EaIR- Отсюда можно непосредственно рассчитать энергию активации. Значение ка находят с помощью экстраполяции — по точке пересечения прямой Аррениуса с осью ординат. В этой точке дробь 1/Г равна 0. Энергию активации можно сообщить системе различными способами, например, путем нагрева, облучением, а также механическим путем за счет электрической энергии и т.д. Уравнение Аррени- [c.108]

Энергетической освещенностью (облученностью) Е некоторой поверхности называют отношение потока излучения, приходящегося на элементарный участок поверхности, к площади этого участка Е=АФ/Аа. Когда излучение падает перпендикулярно поверхности, ее освещенность равна интенсивности . При наклонном падении (под углом 0) освещенность уменьшается E= S) os0. Энергетическая освещенность выражается в тех же единицах, что и интенсивность (Вт/м ). [c.67]

Согласно публикациям 1978—79 гг. Лаборатория реактивного движения США разрабатывает проект доставки с помощью трех космических аппаратов в атмосферу Марса в сложенном виде 12 винтомоторных самолетов с гидразиновыми двигателями. Развертывание каждого самолета происходит во время спуска на парашюте на высоте 7,5 км. Масса самолета 300 кг (в том числе 100 кг полезной нагрузки), размах крыла 21м, дальность полета 10 ООО км, крейсерская высота полета 1 км, скорость не более 100 м/с.""Самолет способен совершать посадки и взлетать. Аппаратура предназначена для фотографирования, в частности наклонного, гамма- и инфракрасной спектроскопии (определение элементов поверхностных пород), электромагнитного облучения поверхности (поиски подповерхностного льда), гравитационных и магнитных измерений, изучения атмосферы. Полеты самолетов в атмосфере Марса полностью автономны, но возможно обновление с Земли их программ. Каждый космический аппарат выходит на орбиту вокруг Марса, а после отделения от него контейнера с четырьмя самолетами переходит на синхронную орбиту с наклонением 28°, чтобы служить ретранслятором. Три аппарата перекрывают всю поверхность Марса. [c.384]

При оценке отраженного сигнала следует учитывать, что угол падения (скольжения) на определенном участке местности определяется двумя составляющими - направлением облучения и местным наклоном рельефа. Изменяется и размер элемента разрешения но горизонтальной дальности, обратно иронорционально синусу угла падения. Это приводит к тому, что склоны, обращенные к локатору, отражают больший сигнал, чем склоны, обращенные от локатора. В ряде случаев, нри нормализации выходного радиолокационного изображения этот эффект корректируют но тонографическим данным о величине уклонов местности. [c.29]

Размах изменений частоты в пределах луча ДНА определится длительности траек-торного сигнала, которая, в свою очередь, равна ширине зоны облучения но азимуту (вдоль линии нути), деленной на скорость носителя и зависит от горизонтального раскрыва антенны и наклонной дальности. Соответственно, полоса доплеровских частот АРдоп, а также максимальные значение азимутального смещения Хщах в пределах зоны облучения антенны, времени тах, частоты Донлера Ртах, а также будут определяться соотношениями [c.56]

При увеличении угла наблюдения от надира (с увеличением наклонной дальности и угла падения) при сохранении ширины угломестной ДНА (нанример, из-за ограничения вертикального размера антенны) появится мпогозпачпость по дальности. Сигналы от целей 1, 2, 3 на рис. 5.6, облученные в разных периодах зондирования, будут накладываться друг на друга в стробе приема и создадут помехи в виде ложных изображений. При синтезе радиоголограммы ложные изображения будут расфокусированы, но общий паразитный фоп ухудшит контрасты основного РЛИ. Вид функции неопределенности зондирующего сигнала в РСА нри смещении но азимуту и дальности показан на рис. 5.7 а - гипотетический случай, когда нет ослабления паразитных максимумов, б - реальная ситуация ириме-нения ирострапствеппой селекции соответствующим выбором ДНА по углу места и азимуту. Характерно, что паразитные максимумы при смещении но дальности имеют меньшую амплитуду, но растянуты но азимуту (расфокусировка). Общая энергия в каждом из паразитных лепестков на рис. 5.7, а - одинакова. [c.83]

Все методы измерений, предполагающие наклонное падение электромагнитной волны на исследуемый образец, имеют существенный недостаток. Стремясь к облучению возможно малых участков исследуемых образцов, приходится применять сфокусированные волновые пучки малого сечения. Плосковолновое приближение, которое принимается для методов свободного пространства, справедливо только для фокальной плоскости таких пучков и для областей, находящихся в пределах зоны резкости фокусирующих антенн. При наклонном падении сфокусированной волны ее фронт в пределах облучаемой зоны диэлектрического образца будет значительно отличаться от плоского, что приводит к дополнительным ошибкам измерения. Кроме того, при измерении параметров отраженных образцом сфокусированных волновых пучков, большую погрешность измерения создают боковые лепестки излучения фокусирующих антенн, от влияния которых трудно освободиться. Поэтому при наклонном падении волн на исследуемые диэлектрические образцы приходится применять несфокусированные широкие волновые пучки, а это приводит к необходимости применения образцов значительных размеров. Такие же выводы могут быть сделаны и в отношении методов, по которым применяется измерение параметров волн, прошедших через образец. [c.61]

Для исследования волновых процессов в сверхзвуковых потоках в ИТПМ СО РАН разработана методика [3], использующая контролируемые возмущения и позволяющая детально исследовать процесс восприимчивости. Эксперименты с применением акустического облучения передней кромки пластины снизу были проведены при числах Маха М о = 2 и 3,5 [4, 5]. Показано [4], что возмущения, вводимые в свободный поток, были акустическими. Установлено, что в поле контролируемых акустических возмущений можно выделить несколько зон с различными коэффициентами восприимчивости. Их расхождение связано с природой внешних возмущений. Максимальные коэффициенты восприимчивости имели волны с углами наклона волнового вектора = 20 0° в плоскости XZ. [c.89]

На рис. 3 показаны кривые изменения вязкости силиконовой жидкости, экспонированной в ультразвуковом поле, в зависимости от продолжительности термостатирования при температуре 200°, Лучшие показатели получаются для времени облучения 3—5 мин, наилучшие результаты для всех образцов (с присадкой и без присадки) наблюдаются при облучении в течение 4 мин. При этом кривая вязкости располагается более полого, с меньшим углом наклона к оси абсцисс, вследствие чего время термостати-рования, при котором наступает желатинирование, значительно возрастает. Облучение меньше 3 и больше 5 мин. характеризуется [c.412]

Смотреть страницы где упоминается термин Наклонное облучение : [c.46] [c.68] [c.111] [c.197] [c.110] [c.127] [c.153] [c.224] [c.533] [c.169]

Смотреть главы в:

Метод краевых волн в физической теории дифракции -> Наклонное облучение

ПОИСК

Дно наклонное

Наклон ПКЛ

Наклонность

Облучение

Облученность

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...