Напряжение стабилизации

При проектировании заготовок корпусных деталей, разработке технологического процесса их производства и во время изготовления необходимо принять все меры для уменьшения деформаций за счет неравномерного охлаждения, усадки или сварочных напряжений, особенно, если деталь имеет направляющие отверстия для установки валов, осей и т. п. Очень часто заготовки корпусных деталей после изготовления подвергают термообработке для снятия внутренних напряжений, стабилизации размеров, улучшения структуры и обрабатываемости резанием. [c.229]

Контуры RL, обладая меньшей гибкостью в изготовлении и наладке, часто могут оказаться единственно возможными, так как они легко комбинируются как с низкоомными входами магнитных и полупроводниковых усилителей, так и с низкоомными выходами электромеханических датчиков (тахогенераторов, вращающихся трансформаторов, акселерометров и т. д.). Использование дифференцирующих трансформаторов позволяет варьировать напряжением стабилизации, меняя коэффициент трансформации. [c.492]

Измерительное устройство бесконтактного регулятора напряжения выполняется на стабилитроне опорном диоде). В стабилитроне при определенном обратном напряжении (напряжении пробоя) происходит резкое увеличение тока без изменения напряжения, причем напряжение на стабилитроне не меняется при изменении тока в большом диапазоне. С опорным напряжением, называе-мьш напряжением стабилизации, в измерительном устройстве сравнивается напряжение генератора. [c.6]

Измерительное устройство, собранное по приведенной схеме (рис. 1.3,а), обеспечивает подачу сигнала рассогласования при напряжении f/jx, близком к значению напряжения стабилизации стабилитрона U. В практических схемах для настройки измерительного устройства на требуемое напряжение применяется делитель напряжения. Наличие делителя напряжения на входе измерительного устройства (рис. 1.4) позволяет установить любое требуемое напряжение регулирования. Иногда сопротивление R состоит из двух резисторов, переключением которых изменяется напряжение регулирования (при переходе с летнего периода эксплуатации автомобиля на зимний и наоборот). Если вместо резистора R в делителе установить потенциометр, то можно плавно изменять напряжение регулированием. [c.7]

Транзистор VT1 открывается и шунтирует при этом вход транзистора VT2, так как + подается на базу транзистора VT2. Транзистор VT2 запирается, прерывая цепь тока транзистора VT3. Транзистор VT3 запирается, ток возбуждения генератора, проходящий по резистору R10, уменьшается, вызывая снижение напряжения генератора, следовательно, напряжения на стабилитроне. Как только оно становится ниже напряжения стабилизации, стабилитрон запирается, транзисторы VT2 и VT3 открываются,и напряжение вновь возрастает. [c.9]

Для оценки стабилизатора тока используют коэффициенты стабилизации по входному напряжению стабилизации при изменении сопротивления нагрузки и пульсации по току. [c.258]

Искусственное старение закаленных и отпущенных при низкой температуре изделий производят после предварительной механической обработки при 100-180 °С с выдержкой в течение 18-35 ч и медленным охлаждением. Естественное старение осуществляется на открытом воздухе под навесом, где на изделия воздействуют температурные изменения, влажность и давление воздуха. Оно длится от 3 месяцев до 2 лет. Естественному старению подвергают станины прецизионных станков, корпусные детали весьма ответственного назначения, рамы роялей и пианино. Его результатом является снижение внутреннего напряжения, стабилизация размеров и геометрической формы изделий. [c.202]

Влияние коэффициента мощности и качества напряжения на экономику производства. Способы улучшения коэффициента мощности. Строгий контроль за отклонениями напряжения. Стабилизация напряжения. [c.309]

При обработке холодом количество аустенита уменьшается, предел упругости и твердость немного возрастают. Влияние более продолжительного отпуска и промежуточных более низких температур благоприятно сказывается с точки зрения уменьшения напряжений, стабилизации аустенита и размеров детали. [c.181]

Применение голографии в микроскопии основано главным образом на том, что реконструкцию можно осуществить светом, длина волны которого отлична от длины волны излучения, используемого при записи. Если при реконструкции используется более длинноволновое излучение, то происходит увеличение изображения. Таким образом, было бы очень выгодно записывать голограмму с помощью рентгеновского излучения, а реконструкцию осуществлять видимым светом. Таким методом можно было бы получить результаты, которые дает электронная микроскопия. Однако оборудование при этом было бы менее сложным без вакуумной аппаратуры, высокого напряжения, стабилизации напряжения и т. д. Однако осуществить непосредственно рентгеновскую микроскопию невозможно ввиду того, что не существует оптических элементов для рентгеновских лучей. С другой стороны, показатель преломления материалов в рентгеновском диапазоне равен единице и имеет место дифракция света на атомах. [c.186]

Трещины часто распространяются от коррозионной точки, однако среды, вызывающие точечную коррозию, не обязательно вызывают коррозию при механических напряжениях. Стабилизация аустенита путем увеличения содержания никеля не препятствует коррозии, но замедляет распространение трещин. [c.169]

Тип бареттера Напряжение стабилизации в в Ток стабилизации в а [c.148]

Как только произойдет пуск двигателя, частота вращения коленчатого вала резко возрастет. Вместе с ней резко возрастет частота напряжения, вырабатываемого фазой генератора. В результате конденсатор С5 с небольшим запаздыванием зарядится до напряжения, равного напряжению стабилизации стабилитрона У07. Произойдет его рабочий пробой, и база транзистора УТ2 получит большое положительное смещение относительно эмиттера. Транзистор УТ2 откроется и через его коллектор, соединенный с корпусом автомобиля, конденсатор С8 быстро разрядится. В результате потенциал коллектора транзистора УТ2 и потенциал соединенной с ним базы транзистора УТЗ станут равны нулю. Транзистор УТЗ закроется, прервет цепь питания обмотки дополнительного реле, и стартер отключится. [c.156]

В соответствии с ГОСТ 10862—64 полупроводниковым приборам присваивают обозначение из четырех элементов. Первый элемент (буква или цифра) — это исходный материал Г или 1 — германий, К или 2 — кремний. Второй элемент (буква) указывает класс или группу приборов Д — универсальные и выпрямительные диоды, С — стабилитроны, Т — транзисторы, И — туннельные диоды и т. д. Третий элемент обозначения представляет собой число, которое расшифровывается как назначение или электрические свойства прибора. Так, диоды низкой частоты выпрямительные обозначают номерами 102—399, универсальные диоды — 401—499 стабилитроны средней мощности при напряжении стабилизации 1—9,9 s имеют номера 401—499, а при напряжении стабилизации 10— [c.56]

Основные параметры стабилитронов /ст — напряжение стабилизации, /ст макс — максимальный ток стабилизации и Рдоп — допустимая мощность рассеяния. Стабилитроны в соответствии с величинами Уст и Рдоп подразделяют на низковольтные и высоковольтные, маломощные, средней мощности и мощные. [c.59]

Тип кремниевых Стабилитронов напряжение стабилизации в в ст.мин ст. макс мощность рассеяния в мет [c.59]

Если обратное напряжение превосходит допустимый предел, происходит пробой полупроводникового перехода и диод отказывает в работе. Стабилитрон представляет собой разновидность полупроводникового диода и отличается свойством полностью восстанавливать свои характеристики после того, как снято обратное напряжение, вызвавшее пробой. Состояние пробоя в стабилитроне может воспроизводиться много раз без ущерба для его работоспособности. При многократных пробоях пробивное напряжение стабилитрона не изменяется. Оно называется напряжением стабилизации. [c.77]

Резисторы R1, R2, R3. R4, R5, / тк и резистор дроссельной катушки Др выполняют функции делителя напряжения. Эти резисторы подбирают таким образом, чтобы напряжение на стабилитроне Д1 равнялось напряжению стабилизации, когда напряжение генератора достигает регулируемого значения. Для обеспечения этого условия при сборке регулятора производят подбор величины сопротивлений резисторов R1 и R2, которые являются подстроечными. [c.159]

Пока обратное напряжение на стабилитроне Д1 ниже напряжения стабилизации, ток через стабилитрон и резистор R7 практически не проходит и падения напряжения в это.м резисторе нет, вследствие чего эмиттер и база транзистора Т1 находятся под одинаковым потенциалом. Поэтому транзистор Т1 находится в закрытом состоянии. База транзистора Т2 присоединена к коллектору транзистора Т1, я при закрытом состоянии последнего к эмиттеру и базе транзистора Т2 приложено напряжение, вследствие чего последний находится в открытом состоянии и через него идет ток, проходящий через резистор RIO. Вследствие падения напряжения в резисторе RIO между эмиттером и базой транзистора ТЗ существует разность потенциалов, транзистор находится в открытом состоянии и через него идет ток в обмотку возбуждения генератора. [c.159]

При повышении напряжения генератора стабилитрон Д1 пробивается, в результате чего через резистор R7 проходит ток. Вследствие падения напряжения в R7 между эмиттером и базой транзистора Т1 возникает разность потенциалов и он переключается в открытое состояние. При этом повышается потенциал коллектора транзистора Т1, следовательно, и потенциал базы транзистора T2j который переключается в закрытое состояние. Поэтому прекращается ток в резисторе RIO и транзистор ТЗ переключается в закрытое состояние, вследствие чего ток в обмотку возбуждения идет через добавочный резистор R . Сила тока возбуждения падает, соответственно уменьшается напряжение генератора и обратное напряжение на стабилитроне становится ниже напряжения стабилизации, вследствие чего ток в цепи стабилитрона практически прекращается, транзистор Т1 переключается в закрытое состояние, а транзисторы 72 и ТЗ — в открытое и процесс включения и выключения добавочного резистора в цепи обмотки возбуждения циклически повторяется подобно тому, как это происходит в вибрационном регуляторе напряжения. [c.159]

Резистор термокомпенсации Я тк имеет отрицательный температурный коэффициент, что компенсирует изменение напряжения стабилизации стабилитрона Д1 при нагреве. [c.160]

Эпюры распределения упругих деформаций Эг в первых циклах показаны на рис. 1.31,а. Все стержни модели можно разбить на три группы. Стержни первой их них г < 2гв / (в — г ), наиболее слабые , деформируются неупруго при симметричном по напряжениям цикле никаких изменений с ростом числа циклов здесь не происходит. В третьей z гп/сх), наиболее сильной группе, стержни работают упруго, т. е. также стабильно по числу циклов. Во второй, промежуточной группе будет происходить постепенное смеш ение петель гистерезиса с уменьшением асимметрии по напряжениям. Стабилизация наступит после того, как часть стержней перейдет в третью группу, в то время как другая — в первую группу (рис. 1.31, а, эпюра ОЕОВС и ОНКЬМ). На плоскости е г это соответствует смеш ению петли асимптотическое состояние показано пунктиром на рис. 7.37, б. Переход в это состояние (циклическая релаксация напряжений) происходит с постепенно убываюш ей скоростью. [c.212]

Напряжение стабилизации связано с напряжением пробоя, но не равно ему, т. к. ВАХ имеет определ. крутизну. Для однозначного определения задаются некоей определ, величиной тока I = так, чтобы эта точка была за участком АВ. Отклонение тока от этой величины будет приводить к изменевию напряжения на диоде динамич. сопротивление йд = иЦ1 характеризует степень стабилизации. Статич. сопротивление й характеризует потери в диоде в заданной рабочей точке, Коэф. качества [c.660]

Измерительное устройство (рис. 1.3) состоит из последовательно соединенных стабилитрона VI) и резистора R. При достижении входным напряжением некоторого значения (рис. 1.3,6), зависящего от значения напряжения стабилизации U th сопротивления R, происходит пробой стабилитрона, после чего напряжение на нем остается постоянным. При этом напряжение на резисторе начинает увеличиваться, и это напряжение 7гвьк подается на усилительные элементы. [c.6]

При достижении номинального напряжения генератора напряжение на стабилитроне VD1 становится равным напряжению стабилизации. Стабилитрон пробивается, при этом возникает цепь тока базы транзистора VT1 + источника => переход эмиттер-база транзистора VT1 => стабилитрон VD1 => резистор R3 => дроссель Др => - источгопса. [c.8]

Повышение температуры приводит к увеличению сопротивления меди обмотки дросселя, т.е. к повышению сопротивления правого плеча делителя. Поэтому напряжение генератора, при котором напряжение на стабилитроне достигает стабилизации, увеличрггся, т.е. величина регулируемого напряжения в горячем состоянии возрастает. Повышение уровня регулируемого напряжения при нагреве способствует и некоторому изменению характеристик стабилитрона, так как напряжение стабилизации с увеличением температуры несколько возрастает. [c.10]

Регулятор 1112.3702 работает следующим образом. Когда напряжение генератора меньшеС28,4 + 0,8)В, стабилитроны VD1 и VD2 не пропускают ток, так как напряжение на них меньше суммарного напряжения стабилизации (стабилитрон Д318Б). При этом транзистор VT1 закрыт. По цепи + источника тока => резисторы R6-R9 => диоды VD3, VD4, VD5 => резисторы R10 и R13, R12 и R14 => корпус = > - источника протекает ток, создающий положительное смещение на базах транзисторов VT2 и VT3, которые включены параллельно и выполняют роль исполнительного элемента. Транзисторы VT2 и VT3 открываются, соединяя обмотку возбуждения с - источника питания, поэтому по обмотке возбуждения генератора проходит ток. Цепь тока возбуждения + источника питания = амперметр => выключатель S2 => клемма Ш генератора => обмотка возбуждения (ОВ) => клемма Ш генератора и регулятора => коллектор => [c.11]

Особенностью регулятора напряжения 1112.3702 является применение в нем стабилитронов с отрицательным температурным коэффициентом стабилизации. Напряжение стабилизации такого стабилитрона при нагреве несколько снижается. При этом, несмотря на увеличение активного сопротимения дросселя Др, напряжение генератора не только не повышается, а даже несколько снижается. [c.12]

При вращении двигателя в фазах статора генератора будет иЕ Дуктироваться синусоидальная ЭДС. С одной из фаз статора синусоидальное напряжение Ц, подается на вывод 4 реле блокировки. Через резистор R1 напряжение поступает на диод VD1, который пропускает только положительные полуволны. Положительные импульсы (полуволны) через резистор R3 поступают на базу транзистора VT1. В момент появления положительных импульсов f/д транзистор VT1 будет открыт, а в период отсутствия импульсов закрыт. В открытом состоянии по цепи коллектор - эмиттер транзистора VT1 через резистор R5 будет протекать ток. Коллектор транзистора VT1 окажется соединенным с корпусом автомобиля и его потенциал будет равен нулю. При закрытом транзисторе VT1 ток будет протекать через резистор R5 и стабилитроны VD2 и VD3 и потенциал его коллектора будет равен напряжению стабилизации стабилитронов VD2 и VD3. Таким образом, на коллекторе VT1 формируются прямоугольные импульсы напряжения /к, частота которых равна частоте ЭДС на обмотке статора генератора. [c.49]

В качестве опытного образца приборов с параметрами, управляемыми сильнополевой туннельной инжекцией, разработан низковольтный слаботочный стабилитрон, представляющий -канальный МДП-транзи-стор, затвор которого соединен со стоком. Напряжение стабилизации [c.145]

При достижении напряжением генератора регулируемого значения напряжение на резисторе Я1 повышается до значения, при котором стабилитрон пробивается, т. е. его сопротивление в обратном направлении резко уменьшается. В результате возникает ток базы транзистора УТ1, протекающий по цепи + генератора — переход эмиттер-база транзистора УТ1 — стабилитрон У01 — резистор К2 — — генератора. Транзистор УТ1 при эдом открывается, транзистор УТ2 запирается, а ток возбуждения и напряжение генератора уменьшаются. Вследствие этого напряжение на стабилитроне снижается ниже напряжения стабилизации, и он запирается, прерывая ток базы транзистора УТ1. Транзистор УТ1 запирается, а транзистор УТ2 переключается в открытое состояние и т. д. [c.47]

При прерывании тока в первичной обмотке катушки зажигания индуктируется э. д. с. самоиндукции величиной до 100 В. При низкой частоте вращения коленчатого вала или при обрыве цепи высокого напряжения величина э. д. с. самоиндукции значительно возрастает, что может привести к пробою транзистора. Для предохранения транзистора от пробоя параллельно первичной обмотке катушки зажигания включен стабилитрон VD2 (Д817В), напряжение стабилизации которого составляет около 80 В. Если э. д. с. самоиндукции превысит указанное значение, стабилитрон пробивается, и ток, вызванный э. д. с. самоиндукции, замыкается через стабилитрон VD2 и диод VDI. Диод VDI (Д220) препятствует прохождению через стабилитрон тока от аккумуляторной батареи. [c.98]

Защита транзисторного коммутатора от перенапряжений питания осуществляется схемой, состоящей из стабилитрона 02 (КС515А), стабилитрона УВ4 (КС119А) и резисторов и ЯЗ. При повышении напряжения питания до 17—18 В напряжение на стабилитроне У02 будет больше напряжения стабилизации и на базу транзистора УТ1 поступит положительное смещение относительно эмиттера. Независимо от импульсов датчика транзистор УТ1 откроется, а транзисторы УТ2, УТЗ и УТ4 закроются и двигатель внутреннего сгорания остановится. [c.104]

Дроссель Др, резистор R6 и нодстроечные резисторы R9 и RIO образуют делитель напряжения. Пока напряжение генератора ниже регулируемого значения, напряжение на двух соединенных последовательно стабилитронах Д4 и Д5 меньше их напряжения стабилизации. При этом ток в резисторе R8 практически отсутствует, в нем нет падения напряжения и, следовательно, эмиттер и база транзистора Т2 находятся под одинаковым потенциалом. Поэтому транзистор Т2 находится в закрытом состоянии. По цепи, которую составляют резисторы R2, R3, R4 и R5, диоды Д2 и ДЗ и резистор R7, идет ток. Падение напряжения в резисторе R7 создает разность потенциалов между эмиттером и базой транзистора Т1, который находится в открытом состоянии, замыкая на массу цепь обмотки возбуждения ОВ. [c.162]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...