Магнитный туннельный переход

ПРОБОЙ магнитный — туннельный переход электрона, движущегося в металле при наличии магнитного поля, с одной орбиты на другую световой — переход вещества в состояние плазмы в результате сильной ионизации под действием мощного светового излучения электрический — общее название процессов, приводящих к резкому возрастанию электрического тока в среде, исходно не электропроводной) ПРОВОДИМОСТЬ ионная обусловлена движением свободных ионов комплексная определяется отношением действующего значения силы переменного тока в электрической цепи к действующему значению напряжения на ее зажимах магнитная измеряется отношением магнитного потока в каком-либо участке магнитной цепи к магнитодвижущей силе, действующей на этом участке полупроводника [примесная дырочная (/)-типа) обеспечивается движением дырок в направлении, противоположном движению электронов, перебрасываемых из валентной зоны в зону проводимости полупроводника электронная (я-типа) осуществляется электронами, перебрасываемыми с донорных уровней в зону [c.266]

Терминология не устоялась, поэтому приводятся варианты названий. В фирме 1ВМ , которая первая осуществила промыщленный выпуск жестких дисков с головками на ГМР-эффекте, все многослойные структуры (за исключением магнитного туннельного перехода) называют спиновыми клапанами (вентилями). [c.575]

Магнитный туннельный переход — структура из двух ферромагнитных слоёв, разделённых тонким изоляционным слоем. Ячейки памяти магнитного ОЗУ представляют собой пересечение двух проводников (строк и столбцов) с расположенными между ними магнитными туннельными переходами. [c.386]

Магнитный пробой — туннельный переход электрона с одной квазиклассической траектории в магнитном поле на другую (см. гл. 12, стр. 223). — Прим. ред. [c.300]

Джозефсон предсказал ряд других эффектов, предположив, что сверхпроводящее упорядочение по обе стороны от контакта может быть описано с помощью одного и того же параметра порядка г] (г). Он показал, что туннельный ток определяется изменением фазы параметра порядка в области контакта. Помимо этого, используя свойство калибровочной инвариантности для нахождения связи между фазой параметра порядка и значением векторного потенциала, он смог показать, что величина туннельного тока очень чувствительна к наличию любого магнитного поля в области перехода. Конкретно говоря, туннельный ток в присутствии магнитного поля должен иметь вид [c.366]

Одна из таких технологий, несомненно, представляет интерес и называется магнитным ОЗУ MRAM — magneti RAM). Начало развитию этой технологии было положено в 1974 году, когда фирма IBM разработала так называемый магнитный туннельный переход. Речь шла о трехслойной структуре, состоящей из двух ферромагнитных слоев, разделенных тонким изолирующим слоем. Ячейки магнитного ОЗУ могли создаваться на пересечении двух проводников, проводника строк и проводника столбцов, с магнитным туннельным переходом между ними. [c.34]

Влияние внешних полей. Структура края фуидам. Поглощения изменяется под влиянием электрик, и магн. полей. Электрич. попе наклоняет зоны и делает возможным туннельный переход при йш < Sg (си. Келдыша — Франца эффект). Магн. иоле вызывает квантование энергии электронов и дырок, т. е. возникновение эквидистантных Ландау уровней, расстояние между к-рыми равно кеШт, где т — эфф. масса электрона или дырки. Плотность состояний носителей заряда вблизи уровней Ландау возрастает, вследствие чего появляются осцилляции коэф. поглощения как ф-цни частоты света. Максимум поглощения соответствует переходам между уровнями Ландау. Изучение осцилляций позволяет расшифровать спектр электронов и дырок (см. Квантовые осцилляции в магнитном поле). [c.42]

Рис. к.1 б. Реальн1)1й туннельный переход может быть выполнен в виде двух скрещенных полосок свинца, нанесенных осаждением на стеклянную пласти1н<у. Первая полоска выдерживается на воздухе до образования пленки окисла затем перпендикулярно к первой наносится тем же путем вторая полоска.. Электросопротивление перехода может быть порядка Ом площадь контакта 10 4 см максимальный джозефсоновский ток — порядка 1 мА. Земное магнитное поле вызывает вредный эффект дефазировки на контакте, поэтому в опыте необходимо принимать меры по экранированию этого поля. [c.753]

Новые возможности для создания быстродействующих элементов ЭВМ открывают эффекты Джозефсона. Как отмечалось в предыдущем параграфе, если ток, проходящий через переход Джозефсона не превышает величины /о, вся система является сверхпроводящей и обладает нулевым сопротивлением. При превышении тока 1а или при действии на переход хотя бы слабого магнитного поля на переходе возникает разность потенциалов, что означает появление у перехода определенного сопротивления. На этом принципе могут быть построены туннельные джозефсоновские криотроны. Так как переход от нулевого сопротивления к конечному не связан с разрушением сверхпроводящего состояния материалов, то скорость переключения туннельных криотронов оказывается значительно более высокой, чем у обычных сверхпроводящих криотронов. В настоящее время построены туннельные криотроны с временами переключения яг 10- с и рассеиваемой мощностью, не превышающей 10- Вт. [c.207]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...