Магниторезистивный эффект

Рис. 5.49. Зависимость магниторезистивного эффекта от ориентации для германиевого термометра при 7,2 К. 1 — параллельно полю 2, 3 — в двух разных положениях перпендикулярно полю [72].

В разд. 5.1 отмечалось, что при низких температурах удельное сопротивление чистой платины зависит в основном от концентрации дефектов и примесей. У хорошо отожженной платины удельное сопротивление очень невелико и поскольку магниторезистивный эффект примерно обратно пропорционален удельному сопротивлению, он быстро возрастает при температурах ниже 40 К. Выше этой температуры магниторезистивный эффект мал даже в сильных полях. Цифры, приведенные в таблице, относятся к ориентации термометра параллельно магнитному полю, поскольку при этом магниторезистивный эффект выражен сильнее, чем при перпендикулярной ориентации. [c.256]

В 1990-е годы два открытия совершили революцию в области сверхплотной записи информации — создание принципиально новых головок воспроизведения на основе гигантского магниторезистивного эффекта (ГМР-эффекта) и создание многослойных нанокристаллических пленочных структур с антиферромагнитной связью и обменным закреплением. [c.572]

Высокочувствительные головки на гигантском магниторезистивном эффекте (ГМР) [c.572]

Все термометры из металлов изменяют свое сопротивление под влиянием магнитного поля, причем чем ниже температура, тем больше это влияние. Для платинового термометра это влияние наибольшее при температуре 13 К магнитная индукция до 2 Т вызывает увеличение сопротивления до 40 %, при 50 К прирост сопротивления при той же магнитной индукции составляет доли процента. У других термометров сопротивления из металла магниторезистивный эффект почти на порядок меньше, но он имеет место. [c.78]

КО ЛЕР А ПРАВИЛО, утверждает, что относит, изменение электрич. сопротивления Др/р металла в магн. поле напряжённостью JET магниторезистивный эффект) при разных темп-рах Г и у разл. образцов (разное кол- [c.297]

Магниторезистивный эффект — увеличение сопротивления металлического образца, помещаемого в магнитное поле,— описывается довольно сложной теорией. Магниторезистивный эффект будет наблюдаться в том случае [1], когда поверхность Ферми несферична, и особенно когда она содержит вклады электронов и дырок или электронов из двух зон. Если существуют два типа носителей, имеющие различный заряд, массу или время релаксации, то магнитное поле будет влиять на них по-разному. Соответственно будет изменяться и полная проводимость, представляющая собой векторную сумму двух компонентов. Этот механизм приводит к появлению поперечного магниторезисторного эффекта, который примерно пропорционален квадрату напряженности магнитного поля Я, а в сильных полях приходит к насыщению. Особый случай представляет металл, у которого различные типы носителей имеют одинаковое время релаксации. Тогда изменение сопротивления Ар под действием магнитного поля можно записать в виде [c.250]

У термисторов магниторезистивный эффект вносит очень малую погрешность в измерение температуры. Отчасти это объясняется их высокой чувствительностью (ARIAT). [c.253]

Более высокие значения тока через диод не рекомендуются из-за сильного эффекта самонагрева, а при токах, меньших 1 мкА, характеристика становится нелинейной при температурах выше 77 К. Воспроизводимость результатов для диодов на ОаАз составляет 10 мК выше 77 К и ниже 7 К, однако вблизи 20 К воспроизводимость не лучше 30 мК. Ниже 30 К кремниевые диоды дают более воспроизводимые результаты, чем диоды на ОаАз, но, к сожалению, проявляют большую чувствительность к магнитным полям при низких температурах. Магниторезистивный эффект у кремниевого [c.255]

Для железородиевого термометра магниторезистивный эффект подробно не изучался, хотя измерения его проводились при 4,2 и 2,1 К. Эти измерения показывают, что эффект усиливается, как и следовало ожидать, при охлаждении, но не так велик, как в случае платины или родия. Тем не менее при 4,2 К поле напряженностью 3 Тл вызывает изменение сопротивления на 6%, что эквивалентно погрешности в измерении температуры в 1 К [79, 80]. [c.256]

Интересный в теоретическом и практическом отношении гигантский магниторезистивный эффект был обнаружен при исследовании многослойных пленок (сверхрешеток), состоящих из чередующихся нанотолщинных слоев ферромагнитного и немагнитного материала (типа Ре/Сг, Со/Си, К1/А и др.), а также порошковых нанокомпозиций такого состава. При наложении магнитного поля к этим наноматериалам наблюдается значительное уменьшение электросопротивления по сравнению с однородными аналогичными материалами. [c.77]

В 1988 г. А. Фертом (А. Fert) с сотрудниками во Франции и П. Грюнбергом (Р. Gruenberg) в ФРГ был открыт гигантский магниторезистивный эффект в многослойных тонкопленочных структурах. Они наблюдали большие (50 и 6 % соответственно) изменения электрического сопротивления при изменении магнитного поля. Эксперименты проводились при низких температурах в очень больших магнитных полях. Для получения пленочных многослойных структур использовался малопроизводительный метод молекулярно-лучевой эпитаксии. Однако довольно скоро после открытия ГМР-эффекта усилиями исследователей из фирмы 1ВМ (США) в результате опробования свыше 50 тысяч комбинаций слоев разного состава и толщин были найдены материалы, [c.572]

Очень высокой чувствительностью при исследовании упорядочивающихся сплавов обладает метод, основанный на магниторезистивном эффекте Томсона-Гольдгаммера. Этот эффект заключается в увеличении электросопротивления проводника, помещенного в поперечное магнитное поле высокой напряженности. Например, для сплава СпзАи в поперечном поле около Ю А/м АЯ/Я (АЯ - изменение электросопротивления при наложении поля) в упорядоченном состоянии в 50 раз больше, чем в неупорядоченном. Удельное электрическое сопротивление при переходе беспорядок-порядок уменьшается всего в два-три раза. [c.70]

ЭФФЕКТ [Коттона — Мутона состоит в возникновении оптической анизотропии у некоторых изотропных веществ (жидкостей, стекол, коллоидов) при помещении их в сильное внешнее магнитное поле (магнитокалорический — изменение температуры магнетика при адиабатическом изменении напряженности магниторезистивный — изменение электрического сопротивления твердых проводников под действием) магнитного поля магнитоупругий — влияние деформаций на намагниченность ферромагнетика Меесбауэра — испускание или поглощение гамма-квантов атомными ядрами, связанными в твердом теле, не сопровождающееся изменением внутренней [c.300]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...