Энергия свободная разрыва связи

Выражение (7.17) описывает результат модели независимых связей без ограничений (МНС), в которой предполагается, что изменение свободной энергии при разрыве связи Те—Те не [c.157]

Быстрые нейтроны теряют свою энергию при столкновении с ядрами. В органических веществах с большим содержанием водорода ионизация молекул обусловлена в основном протонами отдачи. Возбуждение или ионизация молекул приводит к разрыву связей и образованию свободных радикалов или атомов, результатом чего и является изменение свойств вещества. [c.11]

Итак, упругая энергия дефектов, накопленная во время деформации, трансформируется в поверхностную энергию границы у/. Если удельная энергия свободной поверхности у обусловлена разрывом всех межатомных связей, то энергия границы у/ является следствием частичного разрыва межатомных связей за счет несовпадения узлов решетки различных зерен или фаз. Чем больше некомпенсированных межатомных связей, тем выше значение удельной энергии границы у/. [c.69]

Хемосорбцией. Поскольку энергия взаимодействия при хемосорбции обычно существенно больше, чем при физической адсорбции, компенсация разрыва связей может быть более эффективной, и свободная поверхностная энергия твердого тела снижается значительно. Хемосорбцией можно объяснить эффективность применения при резании некоторых органических жидкостей (олеиновой кислоты, четыреххлористого углерода), а также органических кислот, спиртов, серо-, хлор-, йод- и фосфорсодержащих соединений, являющихся непременным компонентом СОТС. [c.450]

Мы уже указали, как можно ввести ограничения в уравнения для независимых связей, исключая некоторые из молекулярных типов. Более общий метод состоит в том, что для некоторых молекулярных типов вводятся различные константы равновесия. В качестве примера можно ввести эффект близости, предполагая, что существует иная свободная энергия разрыва связи в том случае, когда атом Те связан с атомом Т1. Простейшая самосогласованная модель для этого случая приводит к модифицированной константе равновесия для реакции [c.243]

Здесь — т. н. энергия активации проводимости, Off — коэфф. (в действительности зависящий от темп-ры, но медленнее, чем экспоненциальный множитель). Ф-ла (1) означает, что эл-ны в П. связаны с атомами, с энергией связи порядка Sк. С повышением темп-ры тепловое движение начинает разрывать связи эл-нов, и часть их, пропорц. ехр(—становится свободными носителями заряда. [c.563]

С повышением температуры из-за увеличения тепловой энергии некоторые электроны разрывают ковалентную связь и появляются в зоне проводимости (рис. 8.2, о). В кристалле собственного полупроводника каждому электрону в зоне проводимости соответствует одна дырка, оставленная им в валентной зоне. В этом случае свободный электрон обладает энергией, большей той, которую он имел в связанном состоянии, на величину не менее энергии ширины запрещенной зоны. [c.268]

Если теперь в полупроводник IV группы таблицы Менделеева ввести элемент III группы, например алюминий, то все три валентных электрона примесного атома будут участвовать в образовании ковалентных связей, одна из четырех связей с ближайшими атомами основного вещества окажется незавершенной (рис. 8.1, в). В незаполненную связь около атома алюминия за счет тепловой энергии может перейти электрон от соседнего атома основного вещества. При этом образуются отрицательный ион алюминия и свободная дырка, перемещающаяся по связям основного вещества и, следовательно, принимающая участие в проводимости кристалла. Примесь, захватывающая электроны, называется акцепторной. Для образования свободной дырки за счет перехода электрона от атома основного вещества к атому примеси требуется значительно меньше энергии, чем для разрыва ковалентных связей кремния. В силу этого количества дырок может быть значительно больше количества свободных электронов и проводимость кристалла будет дырочная. [c.270]

Поверхностная энергия, П. обладает иек-рой избыточной поверхностной энергией, т. к. образование Л, требует разрыва или перестройки связей между атомами или молекулами в конденсиров, среде. Работа образования единицы площади П. равна уд. поверхностной свободной энергии (поверхностному натяжению). При фазовых переходах 1-го рода, когда в однородной системе начинает выделяться новая фаза, необходимость затраты энергии на образование межфазной П. приводит к явлениям перегрева или переохлаждения (см. Кипение, Кристаллизация). [c.654]

Действительно, общее число связей в единице объема равно роп/(2/гго), так что для разрыва одной связи требуется энергия 2f/ /no/(pon) отсюда легко получите формулу (2.55), если учесть, что свободная поверхность тела, образовавшаяся после разрыва, по площади в два раза больше соответствующего геометрического сечения в сплошном теле. [c.47]

Жидкие среды могут повышать и понижать разрушающее напряжение и предельную деформацию кристаллов. Среды 2-й группы увеличивают прочность и пластичность, а среды 3-й группы снижают их. Среды 1-й группы вызывают явления коррозии под напряжением и хрупкости под действием жидких металлов. Механизм хрупкого разрушения под действием жидких металлов основан на понижении свободной энергии данного твердого металла на границе с расплавом, т. е. работы образования новых участков поверхности в ходе деформации и разрушения в микромасштабе это явление соответствует облегчению разрыва и перестройки межатомных связей в присутствии определенных адсорбированных атомов или молекул. Таким образом, химически активная жидкая среда может вносить в механизм разрушения специфические химические эффекты . [c.44]

При контактном взаимодействии полимера с металлом (инструментом) возбуждается Механохимический процесс, повышается кинетическая активность системы. Этот процесс протекает с массовым образованием свободных радикалов за счет разрыва ковалентных связей у макромолекул. Для образования свободных макрорадикалов при механическом воздействии на полимер требуется энергия. Затраты энергии по оценке В. И. Дрожжина, составляют 210—-420 кДж/моль [24]. [c.67]

Итак, в результате разрыва ковалентной связи образуется пара свободных носителей заряда — электрон в зоне проводимости и дырка в валентной зоне, которые и создают собственную электропроводность полупроводника. Энергия, необходимая для разрыва ковалентной связи, определяется шириной запрещенной зоны полупроводника. Для кремния она составляет 1,12 эВ. Свободные носители заряда при комнатной температуре возникают вследствие флуктуаций тепловых колебаний решетки, так как средней тепловой энергии решетки при комнатной температуре для разрыва ковалентной связи в кремнии недостаточно. [c.51]

Для того чтобы пятый валентный электрон стал свободным (на энергетической схеме перешел в зону проводимости), необходимо затратить энергию значительно меньшую, чем для разрыва ковалентной связи. [c.52]

Для того чтобы образовалась свободная дырка, необходима энергия меньшая, чем для разрыва ковалентной связи. В германии и кремнии для бора, алюминия, галлия, индия эта энергия составляет 0,01 0,07 эВ. Значит, локальные энергетические уровни акцепторной примеси расположены в запрещенной зоне полупроводника вблизи потолка валентной зоны. [c.53]

В основе физико-химического влияния внешней среды на процессы деформации и разрушения лежит эффект понижения прочности в результате адсорбции. Первичное действие адсорбции состоит в том, что поверхностно-активные вещества, понижая поверхностную энергию металлов, способствуют зарождению пластических сдвигов и развитию разнообразных дефектов при меньших напряжениях. Работа по образованию таких дефектных поверхностей уменьшается, если свободная поверхностная энергия на границе твердого тела с окружающей средой оказывается сниженной по сравнению с ее наибольшим значением в вакууме. Следовательно, присутствие поверхностно-активной среды приводит к тому, что взаимодействие с адсорбционно-активными молекулами (или атомами) помогает перестройке и разрыву межатомных связей в данном материале. Эффект адсорбционного облегчения деформации или адсорбционного понижения прочности иногда называют эффектом П. А. Ре биндера. [c.433]

В микромасштабе это означает, что взаимодействие с адсорбционно-активными атомами (или молекулами) помогает перестройке и разрыву межатомных связей в твердом материале. Разнообразные дефекты структуры реального твердого тела как существовавшие ранее, так и образующиеся в ходе деформации играют при этом исключительно важную роль. Именно они обусловливают в конечном итоге формирование трещин разрушения и вместе с тем, обладая избыточной свободной энергией, могут интенсивно адсорбировать инородные атомы и служить своеобразными каналами, которые позволяют этим атомам проникать в объем тела, к развивающимся внутри него новым зародышевым поверхностям. [c.39]

В аспекте кинетической концепции разрушения микропроцесс разрушения полимеров состоит из ряда стадий деформаций межатомных связей под нагрузкой, вследствие чего энергия распада связи снижается разрыва деформированных связей в результате тепловых флуктуаций с образованием химически активных свободных радикалов зарождения субмикротрещин в результате разрыва макромолекул. Реальность указанных стадий разрушения подтверждается методами инфракрасной спектроскопии (ИКС), электронного парамагнитного резонанса (ЭПР), масс-спектроскопии и рассеяния рентгеновских лучей под малыми углами [1441, [c.269]

Энергия, расходуемая для образования единицы площади свободной поверхности твердого тела, определяется как произведение энергии связи одной молекулы на количество молекул, расположенных на поверхности. При образовании свободной поверхности разрывается молекулярная связь и затраченная меха- [c.56]

В работах [104, 105] обнаружено совпадение в интервале 293-313 К изотерм сорбции паров воды эпоксидными полимерами и сделаны выводы о близости к нулю теплоты смешения, равной по величине и обратной по знаку энтальпии сорбции. Теплота смешения определяется балансом энергии, которая затрачивается на разрыв межмолекулярных связей вода-вода и полимер-полимер и выделяется при образовании новых связей между молекулами сорбата в матрице полимера. Отсутствие теплового эффекта при поглощении эпоксидными полимерами воды является следствием того, что в этих полимерах нет свободных активных центров, доступных для молекул воды, и сорбция паров воды происходит с разрывом водородных связей полимера и закреплением молекул воды по месту разрыва этих связей. [c.115]

И все же эти соображения ошибочны. Тому есть две причины. Во-первых, не точна оценка свободной энергии, так как большая часть энергии дислокации связана с атомным беспорядком в ее ядре. Структура этого ядра не зависит от относительного расстояния между дислокациями. Следовательно, нет никаких физических оснований для кооперативной катастрофы . Во-вторых, есть и более фундаментальное замечание. Дело в том, что само понятие дислокации —- нарушенного расположения — предполагает наличие некоторого правильного расположения атомов, нарушенного тем или иным способом. Топологическая характеристика данной дислокации имеет однозначный смысл, лишь если остается еще достаточно большой объем, занятый локально идеальной решеткой, по отношению к которой можно определить наличие разрыва непрерывности. Если же допустить, что почти каждый атом попадает в ядро дислокации, то нельзя определить, где же эта дислокация на самом деле находится. Описание топологического беспорядка на языке математической теории дислокаций имеет смысл, только если дислокации расположены достаточно далеко друг от друга, так что каждую из них можно однозначно идентифицировать. В противном случае локальный беспорядок, возникающий повсюду из-за взаимодействия ядер дислокаций, в принципе невозможно отличить от случайной плотной упаковки. Последняя лучше всего описывается на простом атомном языке (рис. 2.17). [c.73]

Электропроводность химически чистого полупроводника оказывается возможной в тех случаях, когда ковалентные связи в кристаллах разрываются. Например, нагревание до сравнительно невысоких температур приводит к разрыву ковалентных связей, появлению свободных электронов и возникновению собственной электронной проводимости (проводимости п-типа )) чистого полупроводника. Энергия, которая должна быть затрачена для создания в кристаллах чистых полупроводников электропроводности, называется энергией активации собственной проводимости Ее значения в электрон-вольтах для различных полупро водников указаны на рис. III.3.10 в кружках. [c.244]

Энергия, необходимая для ионизации атома, может быть сообщена кристаллу при нагревании его, освещении, приложении электрического поля и т. д. Так, при возрастании температуры кристалла начинаются тепловые колебания атомов решетки, находившихся при температуре абсолютного нуля в неподвижном состоянии, и появляется некоторое количество свободных электронов. Для этих электронов тепловая энергия, переданная им атомами, оказывается достаточной для разрыва ковалентных связей. [c.12]

Механизм радиационно-химических реакций таков. Поток ядерных частиц вызывает в среде возбуждение, ионизапию, диссоциацию и диссоциативную ионизацию молекул. Возникшие при этом возбужденные молекулы и ионы вступают в химические реакции. либо непосредственно, либо через промежуточное образование химически высокоактивных свободных радикалов. В последнем случае в реакции могут вовлекаться молекулы, не подвергавшиеся непосредственному облучению. Так как энергия ядерных излучений значительно превышает энергию любых химических связей, то облучение может разрывать и очень прочные связи. Это ведет к образованию таких химически высокоактивных ионов и радикалов, которые не удается получать традиционными химическими методами. Тем самым открываются возможности осуществления сильно эндотермических реакций и реакций, запрещенных высоким активационным барьером. [c.660]

Экситоны. Как уже указывалось, при возбуждении собственной фотопроводимости электроны из валентной зоны перебрасываются в зону проводимости и становятся свободными. Однако возможно и иное течение процесса, когда возбужденный электрон не разрывает связи с дыркой, возникающей в валентной зоне, а образует с ней единую связанную систему. Такая система была впервые рассмотрена Я. И. Френкелем и названа им экситоном. Экситон сходен с атомом водорода в обоих случаях около единичного положительного заряда движется электрон и энергетический спектр является дискретным (рис. 12.9). Уровни энергии экситоиа располагаются у дна зоны проводимости. Так как экситоны являются электрически нейтральными системами, то возникновение их в полупроводнике не приводит к появлению дополнительных носителей заряда, вследствие чего поглощение света не сопровождается увеличением проводимости полупроводника. При столкновении же с фоноиами, примесными атомами и другими дефектами решетки экситоны или рекомби-иируют, или разрываются . В первом случае возбужденные атомы переходят в нормальное состояние, а энергия возбуждения передается решетке или излучается в виде квантов света во втором случае образуется пара носителей — электрон и дырка, которые обусловливают повышение электропроводности полупроводника, [c.327]

Термоокислителъные процессы в органических материалах являются основной причиной их химической деструкции. Они происходят вследствие присутствия в материале адсорбированного кислорода. Процесс окисления согласно теории Семенова происходит в несколько стадий. На первой стадии происходит инициирование молекул тепловой энергией (усиливаемое при механических и радиационных воздействиях), которое может привести к диссоциации и разрыву химических связей с образованием свободных радикалов R, На последующих стадиях происходит взаимодействие активированных фрагментов молекул между собой и с другими молекулами в виде цепной реакции автоокисления радикалы интенсивно реагируют с кислородом, образуя радикалы перекисей RO2, которые в свою очередь реагируют с исходными молекулами. При высоких температурах и в присутствии катализаторов процессы интенсифицируются. В результате термоокисления в материале происходят структурные изменения (разрывы связей, образование новых связей) и образуются продукты разложения. В конечном итоге в материале возникают микро- и макродефекты, снижающие его прочность. [c.199]

При температурах около абсолютного нуля в идеальном кристалле кремния или германия все ковалентные связи заполнены, а все электроны связаны с атомами и не могут участвовать в процессе электропроводности. Чтобы электрон мог проводить электрический ток, нужно затратить некоторую работу для его освобождения из ковалентной связи. Это происходит при освещении кристалла. Свет, как известно, представляет собой поток частиц — фотонов, или квантов света. Если энергия фотона больще или равна энергии разрыва связи, то электрон может стать свободным и сможет принимать участие в процессе электропроводности. Здесь происходит переход электронов из наружной заполненной зоны в зону проводимости. При этом вместо ущедщего электрона в кристалле появляется незаполненная связь, которая может быть занята электроном из другой какой-нибудь связи. Одновременно в ранее заполненной зоне образуется дырка. Таким образом, незаполненная связь или дырка может перемещаться по кристаллу. Эта незаполненная связь эквивалента положительной частице, двигающейся по кристаллу под действием внешнего электрического поля. В действительности дырки не представляют собой положительно заряженных частиц. Очевидно, что в идеальном кристалле количество дырок будет равно количеству свободных электронов. [c.148]

Образование пор в оварных соединениях может происходить в результате возникновения газовых зародышей на границе расплавленный металл — расплавленный шлак и перехода их в объем металла, а также при образовании зародышей в объеме металла на границе с жидкими неметаллическими включениями. Поскольку зарождение пузырька в жидкости связано с преодолением сил молекулярного сцепления, то он будет развиваться более интенсивно в сторону той фазы, которая окажет меньшее сопротивление его росту. Такой фазой, вследствие меньшей силы связи между атомами, будет шлак. Сила межатомного взаимодействия характеризуется величиной поверхностного натяжания, которое, как известно, представляет собой рост свободной энергии системы вследствие частичного разрыва связей атомов, находящихся на поверхности. [c.93]

Итак, между этими альтернативами реакция (1), без сомнения, дает наибольшее снижение свободной энергии и это можно ожидать при условиях, близких к обратимым, т. е. при низких плотностях тока действительно, имеется область потенциалов, выше которой реакция (1) возможна, а реакция (2) совсем не может протекать с точки зрения энергетических условий. Однако, реакция (1), вероятно, требует большей энергии активации, чем реакция (2), так как она связана с разрывом связи между А1 и О, которая, очевидно, более строго является полуторноокисной (возможно, она более высока в случае алюминия, чем железа корунд тверже чем гематит). В действительности, ионы, вероятно, удаляются из мест, где структура имеет дефект, так что работа, требующаяся для каждого удаления, меньше, чем рассчитанная для разрыва сапфира, но, вероятно, много выше, чем работа, необходимая для разрыва очень прочной связи между (ХОа) " и О . [c.229]

В данном процессе выделяются 44 ккал энергии, поэтому 2 моля соляной кислоты стабильнее, чем смесь 1 моля газообразного водорода и 1 модя газообразного хлора. Несмотря на это, в темноте такой процесс не идет. Образование соляной кислоты, как и, любой другой химический процесс, происходит с перегруппировкой атомов и с изменением связей между ними. В исходных веществах (молекулах Н и С1) химически связанные атомы должны отделиться друг от друга, чтобы затем соединиться по-другому и образовать продукт реакции (в нашем случае соляную кислоту). Чтобы такой процесс стал возможен, должны быть разорваны или по крайней мере ослаблены связи между атомами во взаимодействующих молекулах, для чего требуется энергия активации. Если предположить, что для образования соляной кислоты необходимо разложить на атомы молекулу хлора, то потребуется 57 ккал энергии в случае Нг -103 ккал. Свободные атомы могут так располагаться вокруг молекулы Нг, что одновременно с образованием связей Н-С1 будут разрываться связи Н-Н и при этом образовываться молекулы Н-С1. На рис. 4 схематически представлены эти энергетичесйие соотношения. Для приве-цения системы в активированное состояние, имеющее энергию 217 ккал (Н2+2С1), необходимо к химической энергии (энергии связи) в 160 ккал, соответствующей состоянию Нз+СЬ, добавить из внешнего источника еще 57 ккал. подведенной энергии активации и 44 ккал в виде теплоты. Эта последняя величина и есть разница энергий между конечным состоянием 2НС1 и начальным состоянием Нг+СЬ. Приведенная схема ясно показывает, почему переход в более стабильное состояние не происходит самопроизвольно. Ведь для этого следует подвести из какого-либо внешнего источника энергию активации. Возникает вопрос, откуда может быть получена энергия, необходимая для активаций процесса образования соляной кислоты. В темноте и при комнатной температуре Н и С1 не вступают в реакцию с образованием соляной кислоты. Это свидетельствует о том, что энергия, выделяющаяся при столкновении молекул, меньше чем эн )гия активации. Но при высоких температурах реакция протекает очень бурно и даже со взрывом. С повышением температуры увеличивается средняя скорость движения молекул и, следовательно возраста- [c.50]

На энергетической диаграмме наличие примеси в решетке полупроводника будет характеризоваться появлением локального уровня, лежащего в запрещенной зоне. Так как при ионизации атома мышьяка образуется свободный электрон и для его отрыва требуется значительно меньшая энергия, чем для разрыва ковалентных связей кремния, то энергетический уровень дойорной примеси [c.270]

Облучение большинства неорганических керамических материалов сопровождается сильным эффектом фотопроводимости. Большая часть энергии излучения затрачивается на возбуждение электронов и ионизацию. Хотя это возбуждение и не приводит к разрыву старых и образованию новых связей, оно образует квазисвободные электроны, которые могут свободно перемещаться под влиянием электрического поля. Так как подвижность носителей заряда в неорганических соединениях выше, чем в органических полимерах, то и величина фототока, возникшего под действием облучения, соответственно иная. [c.397]

Удельная поверхностная энергия у/ характеризует уровень иском пенсированности межатомных связей (связей ион - электрон) на границе, которые и вызывают упругие искажения кристаллической решетки. При полном разрыве межатомных связей выполняется условие у/= у , а на месте границы возникает свободная поверхность, т. е. появляется микротрещина и происходит разрушение металла. [c.111]

Изолинии компонент напряжений в связующем и вслокиистоп ткапи (рис. 40) с номерами 1—9 соответствуют уровням —300, —300, —200, —100, —10, 10, 100, 200, 300 МПа. Для приведенного момента времени характерно, что ударная волна сжатия прошла через ребра жесткости и основной слой КМ, частично отразилась от границы НМ и прилегающей к ребрам свободной внутренней поверхности основного слоя КМ. Переход ударной волны из ребер в основной слой КМ напоминает по структуре изолиний сферической формы локализованное воздействие. Тонкий лицевой слой претерпевает сильный прогиб (см. рис. 42) с концентрацией напряжений в окрестности стыковки с ребрами. В этой зоне наиболее вероятны разрушения от разрыва волокон и связующего. Большие величины узловых скоростей тонкого лицевого слоя (см. рис. 41) свидетельствуют, что основная часть энергии импульсной нагрузки перешла в кинетическую энергию лицевого слоя. [c.184]

В основу модели образования, вторичной структуры РНК положено взаимодействие двух основных процессов, влияющих на структуро-образование 1 — последовательный рост молекулярной цепи в ходе транскрипции, 2 — структуризац последовательное возникновение и формирование вторичной структуры РНК на том участке ее молекулярной цепи, который уже образовался к данному времени. Структурные перестройки при этом обеспечивают локальную минимизацию свободной энергии сформировавшегося участка молекулы. Оба эти процесса рассматриваются как дискретные. Молекулярная цепь удлиняется на целое число нуклеотидов, вторичная структура изменяется путем возникновения или разрыва целого числа вторичных связей. Так что основным параметром в такой модели является относительная скорость элонгации Т, определяемая как отношение скорости роста молекулярной цепи к скорости структурообразования (параметр структуризации). [c.117]

Таким образом, переход от разрушения по телу зерен к межкристаллитному разрушению под действием сильно адсорбционно-активных расплавов может обусловливаться рядом факторов, зависяш их и от природы данного твердого металла, и от природы расплавленного компонента. В связи с этим прочность поликристаллического образца может оказаться в условиях сильного понижения свободной поверхностной энергии как выше, так и ниже прочности монокристаллов. Действительно, амальгамированные монокристаллы цинка диаметром около 1 мм со средними ориентировками Хо — 45° разрываются при растягиваюш,их напряжениях Р 200 Пмм . Примерно это же значение (или несколько меньшее) отвечает разрыву монокристаллов цинка с таким же диаметром и ориентировкой в присутствии жидкого галлия. Между тем прочность амальгамированных поликристаллических образцов цинка со средним размером зерна 0,15 достигает 1 кПмм" , тогда как прочность [c.259]

С чрезвычайно высоко развитой удельной поверхностью дисперсных систем и наличием избытка свободной энергии, адсорбционных и электрич. явлений в поверхностных слоях у между фазных поверхностей, связан целый ряд физико-химич. величин специфичных именно для дисперсных систем и коллоидных растворов (см. Электроосмос и Электрофорез, Коллои- ды). Из них здесь отмечаются лишь те величины, к-рые, будучи весьма тесно связаны со свободной поверхностной энергией, м. б. уже причислены к вполне строго определяемым. физи-ко-химич. величинам. 1) Работа сцепления или с обратным знаком—работа разрыва, даюш,ая изотермич. работу разрыва тела с поперечным сечением в 1 см . Для жидкостей, где соответствующий процесс можно представить себе идущим обратимо, эта работа равна [c.203]

Законы ударного сжатия. При прохождении газа через У. в. его параметры меняются очень резко и в очень узкой области. Толщина фронта У. в. имеет порядок длины свободного пробега молекул, однако при многих теоретич. исследованиях можно пренебречь столь малой толщиной и с большой точностью заменить фронт У. в. поверхностью разрыва, считая, что при прохождении через неё параметры газа изменяются скачком (отсюда назв. скачок уплотнения ). Значения параметров газа по обе стороны скачка связаны след, соотношениями, вытекающими из законов сохранения массы, импульса и энергии [c.778]

Наиболее типичными реакциями гемолитического окисления являются цепные радикальные реакции. Эти реакции требуют гораздо меньшей энергии активации, чем это необходимо для непосредственного разрыва ковалентных связей. Свободные радикалы, необходимые для инициирования цепного гомолитического окисления, образуются при распаде молекул под действием тепла, света или частиц высокой энергии. [c.7]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...