Состояние приходящее

AF — разность свободных энергий жидкого и кристаллического состояний, приходящаяся на единицу объема. [c.49]

Обозначим через dw nm отнесенную к единице времени вероятность перехода из п-го состояния в какое-либо из состояний, приходящихся на интервал значений энергии от Ejn до Em+dEm- Очевидно, что [c.248]

Для выявления энергетических характеристик и анализа многих физических свойств кристаллов целесообразно иметь информацию о распределении энергетических состояний не в к-прост-ранстве, а в шкале энергий. Так, например, электронная теплоемкость и электропроводность обусловливаются в определенной мере количеством фермиевских электронов и т. д. В связи с этим большой интерес представляет функция, характеризующая число электронных состояний, приходящихся на заданный интервал энергии. [c.85]

Так как каждой такой ячейке отвечает одно состояние микрочастицы, то число состояний, приходящееся на интервал dp, заключенный между р и p+dp, равно [c.117]

Рассмотрим, как изменяется энергия при переходе напряженности магнитного поля В через критические значения. Пусть энергия уровня уо( 1) совпадает с энергией Ферми в поле Во. Согласно (29.13) в единице объема кристалла число заполненных электронами состояний, приходящихся на интервал значений при г = 0 определяется выражением [c.179]

Как следует из условий периодичности квазиимпульса Кармана-Борна, на одно состояние в двумерном пространстве квазиимпульсов приходится площадка АЗр = / з, где 5 — геометрическая площадь поверхности пленки. Количество состояний, приходящееся на интервал квазиимпульсов от р но р + с1р, равно [c.42]

Формула (32), содержащая б-функцию, имеет смысл лишь при ее последующем интегрировании по непрерывному множеству вырожденных конечных (и/или начальных) состояний >. При этом б-функция переходит в число этих состояний, приходящихся на единичный интервал частоты dg/d(ii (так называемая плотность состояний), и формулу (32) называют золотым правилом Ферми . [c.65]

Так как каждое состояние п — это стоячая волна, т. е. плоские волны с противоположными импульсами р и Рп> то само квантовое число п совпадает с числом квантовых состояний, приходящихся на область фазового пространства (О < ж < , -Рп<Рх<РпУ- [c.67]

Функция распределения фононов (или N (к)) будет определяться как числа заполнения квантовых состояний с различными значениями квазиимпульса к. Число состояний, приходящих на элемент к-пространства, есть (РкК п) , так что распределение, отнесенное к <Рк, есть Л Д2л) , [c.345]

Для этого случая искомое число состояний пропорционально площади треугольника. Очевидно, число состояний с энергией, не превосходящей в случаях больших рТ пропорционально тогда число состояний, приходящихся на единичный интервал энергии, равно [c.10]

Таким образом, среднее число В состояний, приходящихся на длину части трубки заключенной между кик -Ь дк, должно быть [c.61]

Плотность одноэлектронных состояний, приходящихся на единичный интервал энергии, а зоне проводимости определяется известным параболическим выражением [22] [c.151]

Отказ — это событие, заключающееся в нарушении работоспособности объекта. Для оценки надежности изделий, которые могут находиться в двух возможных состояниях — работоспособном и неработоспособном применяют следующие показатели среднее время работы до возникновения отказа 7 ср — наработка до первого отказа среднее время работы, приходящееся на один отказ Т — наработка на отказ интенсивность отказов X (/) параметр потока отказов (<) среднее время восстановления работоспособного состояния вероятность безотказной работы за время t Р (01 коэффициент готовности Кт- [c.30]

Внутренние напряжения — упругие силы, приходящиеся на единицу площади того или иного сечения заготовки, — могут быть различными по значению и направлению в разных частях заготовки. Одни потенциально работают на растяжение, другие на сжатие. Эти силы находятся в уравновешенном состоянии в заготовке, они возникают вследствие таких процессов, как кристаллизация жидкого металла с различной скоростью охлаждения в одной отливке, неравномерное пластическое деформирование металла при ковке или штамповке и т. д. [c.64]

Мы получим поэтому выражение для энтропии равновесного состояния газа Ван-дер-Ваальса, заменив в формуле (3.8) V на ц - Ь и м на определяемое из формулы (3.9). Таким образом, для энтропии, приходящейся на одну частицу, получим [c.60]

Таким образом, во всех рассмотренных случаях температура определяется средней энергией теплового движения, приходящейся на одну частицу. Но чаще температура выступает как один из макроскопических параметров, задаваемых извне. Поэтому можно сказать наоборот, что она определяет среднюю энергию теплового движения частиц. В этой связи температуру можно использовать вместо внутренней энергии в качестве одного из макроскопических параметров, описывающих равновесное состояние тел. В частности, энтропию можно выразить через температуру, число частиц и объем. [c.76]

Выражение (2-85) определяет энергию, излучаемую одним диполем на частоте то. С корпускулярной точки зрения излучение, заполняющее полость, можно представить в виде фотонного газа. Если энергию одного фотона умножить на число фотонов, находящихся в данном квантовом состоянии, то это будет не что иное, как энергия излучения, приходящаяся на данную частоту [c.63]

Разветвиться может, однако, отнюдь не произвольная ударная волна. Приходящая ударная волна определяется (при заданном термодинамическом состоянии газа I) двумя параметрами, например, числом Mj натекающего потока и отношением давлений р[/р2- Разветвление оказывается возможным лишь 0 определенной области плоскости этих двух переменных ). [c.581]

Условия распространения трещины эллиптической формы длиной 21 при равномерном растяжении пластинки напряжением а формулируются по А. Гриффитсу. Нестабильное состояние трещины (хрупкое разрушение) возникает при условии равенства изменения энергии напряженного состояния (приходящейся на единицу длины растущей трещины) naH JE изменению энергии на образование свободной поверхности трещины 4/у. При этом величина у является энергией, приходящейся на единицу длины трещины при единичной толщине пластины (т. е. на единицу поверхности), и представляет собой характеристику материала. [c.23]

Пусть, например, частица имеет различных ориентаций вектора спина. Если с помош1ью формул (3.8) и (4.7) вычислить число ее состояний, приходящееся на интервал энергии de, то мы не получим правильный результат. На самом деле число состояний будет в I раз больше. Окончательное выражение записывается в виде [c.31]

ОДИОВИБРАТОР -- спускоеа.я схе.ча с одним устойчивым состоянием. Приходящий сигнал переводит О. из начального устойчивого состояния в другое, к-роо, в отличие от обычных спусковых схем, не является устойчивым, и через нек-рое время (зависящее от параметров схемы) исходное состояние восстанавливается. Процесс в О. можно рассматривать как одно колебание соответствующего генератора релаксационных ко. ге6аний, у к-рого отсутствует та обратная связь, к-рая создает неустойчивость исходного состояния. [c.481]

Принцип построения П. с. показан па рис. 7, о. П])и отсутствии отрицательного управляющего импульса лампа Лу открыта и потенциал ее анода ниже нотонциала катода Л , что удерживает //г в закрытом состоянии. Приходящие по.до/кит. вход 1ые сигналы частично шунтируются анодной це1пло Лу (наличие Л) и, ослабленные но амплитуде, не открывают Лг. (лп нал на выходе появится только ири одновременном приходе обоих имиульсов, когда управляющий имиульс закроет. 71. Дальнейшее развитие этого метода [c.223]

Представим себе два одномерных твердых тела. Рассмотрим волновые функции с нулевыми граничными условиями на поверхности, так что волновые функции суть синусоиды, а не комплексные экспоненты, причем число состояний, приходящихся на область волновых векторов dк, равно (2Ця) dx, где множитель 2 возник из-за спина, L — длина каждого тела и величина х всегда положительна. Будем считать, что зоны, отсчитанные от энергии Фермн, имеют вид, показанный ниже [c.403]

Для подсчета статистической суммы нам понадобится формула, выражающая число квантовых состояний, приходящихся на интервалы АруАр значений непрерывных,квантовых чисел Ру к Рг. Так как в направлениях у к г волновая функция частицы представляет собой плоские волны, то справедливастандартная формулу (см. гл. 1, 6, п. б)) [c.227]

Плотность состояний может быть определена из числа состояний, приходящихся на тонкий сферический слой к-прост-раиства, заключенный между сферами, радиусы которых равны к и к -f dk. Объем такого сферического слоя равен Аяк йк. Поскольку единица плотности состояний в к-прОстранстве есть величина, обратная единичному объему, определяемому формулой [c.137]

ЧИСЛО квантовых состояний, приходящихся на элемент йрс1д этого пространства (в одномерном варианте формулы Эйлера—Маклорена (см. задачу 7) эго отношение ёх/А). [c.335]

Пусть в замкнутой полости наряду с другими телами имеется черное тело, поглощательная способность К(5торого а, = 1. Температура всех тел в состоянии равновесия одинакова. Тела, находящиеся в полости, обмениваются излучением, но этот обмен не нарушает теплового равновесия. Поэтому излучение o.dS, посылаемое внутрь полости в единицу времени каким-то участком стенки черного тела, равно излучению, поглощаемому им за то же время. Так как черное тело поглощает все падающее на него излучение, то r dS характеризует все излучение, доходящее до выделенного участка стенки от всех остальных тел, находящихся в полости. Заменим 68 другой площадкой с той же температурой, но не являющейся частью черного тела и ха-рактеризуюишйся испускательной и поглощательной aj способностями. За единицу времени эта площадка 6S по-прежнему получает излучение odS, ибо это есть излучение, приходящее от всех остальных тел, оставшееся неизменным. Из этого излучения площадка поглощает только часть, равную ai,)r t3A . За это же время она излучает поток энергии ri (3S. Так как тепловое равновесие не может нарушаться этим обменом энергий, то ai r)dS = ri dS, откуда rxJa ) г, — отношение испускательной способности к поглощательной, одинаковое для всех тел (т.е. представляет собой универсальную функци)о температуры и длины волны) и равное испускательной способности абсолютно черного тела. [c.404]

Дислокации формируются естественным образом при кристаллизации металла, когда в качестве зародышей твердой фазы выступают фуллереновые комплексы (см. раздел 3.4,2), Дислокации являются неотъемлемой частью реальных металлов и несут определенные функции. Исследования показали, что металлические материалы достигают энергетически наиболее выгодного состояния лишь в том случае, когда в них присутствует определенная равновесная плотность дислокаций - р. Под плотностью дислокаций понимают суммарную длину дислокаций в см, приходящуюся на единицу объема Vкристалла, выраженную в см1 Таким образом, размерность р - см При производстве металлических материалов начальная плотностью дислокаций составляет обычно менее 10 см . [c.105]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...