Холодная эмиссия

Как объясняется холодная эмиссия электронов из металла [c.181]

Холодная эмиссия электронов из металла. Прохождение микрочастиц через потенциальный барьер приво- [c.181]

К объяснению холодной эмиссии электронов из металла [c.182]

Явление холодной эмиссии электронов из металла объясняется квантовым туннельным эффектом. Вычисление коэффициента прохождения сводится к вычислению интеграла 2 [c.182]

Электрический пробой тщательно очищенных жидкостей при кратковременном воздействии электрического поля происходит за счет сочетания двух процессов ударной ионизации электродами и холодной эмиссии с катода. В соответствии с этим электрическая прочность тщательно очищенных жидкостей на два порядка выше, чем газов, и составляет примерно 100 МВ/м. Это объясняется тем, что требуется большая напряженность поля для того, чтобы электрон, двигаясь в более плотной среде, с меньшей длиной свободного пробега X накопил энергию, достаточную для ионизации. [c.122]

Рис. 8.8. Зависимость тока от напряжения на аноде (а) и влияние внешнего ноля на высоту и форму потенциального барьера на границе металл—вакуум при эффекте Шотт-кн (б) и холодной эмиссии (в)

Назначение электрополирования — повышение коррозионной стойкости повышение чистоты поверхности повышение прочности сцепления и уменьшение пористости металлопокрытий снижение коэффициента трения обработка внутренних труднодоступных полостей и отверстий снятие наклепа улучшение электрических и магнитных свойств повышение коэффициента отражения света удаление отпущенных поверхностных слоев снижение холодной эмиссии доводка до требуемых размеров и др. [c.641]

Холодная эмиссия. Если вдоль проводника приложить сильное однородное электрическое поле (10 В/м), то за счет туннельного эффекта возникает значительная вероятность того, что электроны пройдут сквозь потенциальный барьер. При этом плотность тока выразится соотношением / = , где В [c.81]

Исследование поверхности металла с использованием туннельного эффекта [9.35]. Явление холодной эмиссии используется в сканирующем туннельном микроскопе с разрешающей способностью 0,1—0,2 нм. Принцип его действия — сканирование ме- [c.91]

При возбуждении лазера постоянным током с разрядом при холодной эмиссии в зависимости от силы разрядного тока, введения магнитного поля или емкостной нагрузки в цепь разрядной трубки превышение мощности выходных шумов в спектральном диапазоне от О до 300 кгц над фоном дробового шума фотоумножителя доходило до 40 дб [1], и эти шумы составляли до 20% полного выходного излучения лазера. В случае высокочастотного возбуждения всегда можно было добиться такого режима работы, когда выходные шумы лазера превышали дробовой шум фотоумножителя не более чем на 5%. Исследованный в оставшемся частотном интервале спектр выходных шумов лазера, не зависящих от возбуждения, нельзя было отличить от спектра дробового шума на выходе фотоумножителя, когда последний освещался белым светом. Степень хаотической [c.461]

Низкочастотные шумы выходного излучения гелий-неонового лазера коррелируют с шумами постоянного тока в разряде. Ге-лий-неоновый лазер с холодной эмиссией питался от источника постоянного тока с последовательным сопротивлением развязки 300 ком, включенным между источником питания и разрядной трубкой [2]. Шумы в световом пучке регистрировались кремниевым фотодиодом с постоянной времени, меньшей 1 мксек. Анализ корреляции сигналов фотодиода и разрядного тока показал, что шумы лазера можно объяснить токовыми шумами в разряде постоянного тока. [c.462]

Изображение по существу является картиной распределения, электронной плотности на поверхности, а не атомной структуры. Корреляция между ними до сих пор не установлена, и изображение на экране дает всегда искаженное представление о структуре. Кроме того, поверхность иглы из-за холодной эмиссии в действительности перестает быть полусферической, так что детали структуры трудно интерпретировать. [c.397]

Особое значение электролитическое полирование обрело в электротехнической и вакуумной промышленности. С помощью его удаляют с металлических изделий поверхностные аморфные пленки, которые могли бы вызвать нежелательную холодную эмиссию электронов. Этот способ позволяет достичь точности размеров тел с микронными допусками. Он нашел применение при изготовлении цилиндрических калибров, поршневых пальцев, тонких проволочек. [c.68]

Ко второй группе теорий пробоя следует отнести такие, которые описывают явления, происходящие в очень чистых жидких. диэлектриках, особенно при весьма кратковременном воздействии электрического поля. В этом случае электрический пробой обусловлен двумя процессами ударной ионизацией электронами и холодной эмиссией с катода. [c.46]

Оии удерживаются в металле силами поля. В некоторых случаях кинетическая энергия свободного электрона становится больше, чем так называемая работа выхода, и электрон вылетает из металла. Эмиссия (вылет) электронов при обыкновенных температурах, называемая холодной эмиссией, ничтожно мала. Значительно большая эмиссия электронов. металлами получается при так называемой термоэлектронной эмиссии, когда металл накалён. С повышением температуры металла скорость электронов увеличивается, электроны приобретают большую кинетическую энергию, достаточную для преодоления работы выхода, и эмиссия электронов начинается при сравнительно слабых электрических полях. Принцип термоэлектронной эмиссии используется в электронных лампах. [c.496]

При уменьшении давления вначале наблюдается падение электрической прочности, как это видно из рис. 4-3 когда же давление до--ХОДИТ до некоторого предела, ниже атмосферного давления, и раз-р жение достигает высоких степенен, электрическая прочность начинает снова возрастать. Это возрастание объясняется уменьшением числа молекул газа в единице объема при сильном разрежении и снижением вероятности столкновений электронов с. молекулами. Пои высоком вакууме пробой можно объяснить явлением вырывания электронов из поверхности электрода холодная эмиссия). В этом случае электрическая прочность доходит до весьма высоких зкаче-HIй и зависит от материала и состояния поверхности электродов и больше не изменяется ( полочка на рис. 4-3). Большую электрическую прочность вакуума используют в технике при конструирова-И1 И вакуумных конденсаторов для больших напряжений высокой частоты. [c.63]

Холодная эмиссия электронов. Внешнее ускоряющ,ее поле вызывает не только понижение потенциального барьера, но и уменьшение его толш,ины d (рис. 8.8, в), что в полях достаточно высокой напряженности (>10 В/м) делает такой барьер достаточно прозрачным для туннельного просачивания электронов и выхода их из твердого тела. Это явление получило название холодной эмиссии элект-тронов. Плотность тока при холодной эмиссии электронов экспоненциально растет с увеличением напряженности ускоряюш,его поля [c.215]

Холодная эмиссия. Если к проводнику приложить сильное однородное электрическое поле (10 В/м), направленное вдоль проводника, то существует значР1телъная вероятность того, что электрон пройдет сквозь потенциальный барьер (туннельный эффект). При этом плотность тока выражается соотношением / = [c.298]

В случае постоянного тлеюпдего разряда при холодной эмиссии, который, к сожалению, довольно типичен для многих ге-лий-неоновых лазеров, возможны низкочастотные флуктуации тока. Свыше определенного порогового значения плотности постоянного тока, которое зависит от давления газа, длины разряда и диаметра трубки, происходят изменения в плазменной плотности тока, которые, вызывая макроскопические изменения усиления, приводят к шумам в выходной мощности лазера с таким возбуждением. [c.461]

Были проведены [1, 2] спектральные измерения выходных шумов гелий-неонового лазера с длиной волны излучения 633 нм при этом выходной сигнал освендаемого лазером приемника исследовался (соответсгвующими анализаторами спектра) в частотном диапазоне от 14 гц до 12 Мгц. Изучено девять лазеров, причем некоторые из них возбуждались постоянным током с разрядом при холодной эмиссии. Характер излучения всех лазеров соответствовал угловой моде низшего порядка, а уровни возбуждения обеспечивали одночастотный режим работы (т. е. не было обнаружено никаких биений между осевыми модами на ожидаемых частотах). [c.461]

В зависимости от условий могут доминировать различные механизмы пробоя в вакууме. При нетренированных или малотренированных пробоями электродах пробой может вызываться пылью или частицами вещества электродов, оторванными от основной структуры электростатическими силами. В результате ударов этих частиц или пыли, приобретавших большую скорость при полете в электрическом поле, о противоположный электрод возможно их испарение, приводящее к пробою. Возможен также разряд между электродом и подлетающей частицей, вызванный многократным усилением электрического поля в зазоре. между частицей и электродом, когда этот зазор составляет доли радиуса частицы. При очень коротких импульсах напряжения вероятны пробои, вызванные разогревом микровивтупов на катоде током холодной эмиссии. Возможны и другие процессы, а также их комбинация. [c.61]

Высокочистые и беспористые монокристаллы во.льфрама находят применение в качестве электрических контактов, в вакуумных переключателях, в вводах в вакуумные установки, вообще там, где отсутствие газов является важным фактором. Высокая чистота этих кристаллов обеспечивает также низкую холодную эмиссию. [c.525]

Прочие возможности применения электролитического полирования. Существует еще множество других возможностей ис-ггользованля электролитического глянцевания или полирования например, электролитическое полирование управляющей сетки для предотвращения холодной эмиссии электронов и для облегчения дегазации, для изготовления металлических остриев высшего качества и уменьшения сечения проволок и лент в пределах, неосуществимых механической обработкой для непрерывной обработки катаной медной проволоки перед волочением для удаления поверхностных слоев, которые повреждены внутренним окислением для непрерывной полировки медной проволоки перед эмалированием для очистки и пассивации поверхностей нержавеющей сталей в атомной промышленности, которые приходят в соприкосновение с охлаждающей жидкостью реактора , для обезвреживания деталей, загрязненных радиоактивными частицами пыли, и т. д. [c.274]

Наложение достаточно сильного электрического поля на жидкий диэлектрик вызывает холодную эмиссию с катода. Возникающий при этом ток в жидкости экспоненциально тзозрастает в связи с развитием ударной ионизации электронами. При этом происходит иа-накопление положительного объемного заряда, который увеличивает напряженность электрического поля у катода. В результате поддерживается развитие ударной ионизации за счет увеличивающейся хд-. [c.46]

Как видно из приведенных данных, в полярных жидкостях критическая напряженность, при которой начинается резкий -скачок тока в жидкости, значительно ниже, чем в неполу рной.. Можно предполагать, что эти различия обусловлены более благоприятными условиями для развития. холодной эмиссии с катода в случае полярной жидкости. [c.48]

Это возрастание объясняется уменьшением числа молекул газа в единице объема при сильном разрежении и снижением вероятности столкновений электронов с молекулами. При высоком вакууме пробой можно объяснить явлением вырывания электро нов из поверхности электрода (холодная эмиссия). В этом случае пробивная напряженность доходит до весьма высоких значений, порядка 10 кв1см, и зависит от материала и состояния поверхности электродов. [c.88]

При уменьшении давления вначале наблюдается падение электрической прочности, как это видно из рис. 4-3 когда же давлениё доходит до некоторого предела, ниже атмосферного давления, и разрежение достигает высоких степеней, электрическая прочность начинает снова возрастать. Это возрастание объясняется уменьшением числа молекул газа в единице объема при сильном разрежении и снижением вероятности столкновений электронов с молекулами. При высоком вакууме пробой можно объяснить явлением вырывания электронов йз поверхности электрода (холодная эмиссия). В этом случае электрическая прочность доходит до весьма h= onst высоких значений и зависит от материала и состояния поверхности электродов. [c.83]

При термоэлектронной эмиссии благодаря высокой температуре свободные электроны испаряются с поверхности металла. Чем выше температура, тем большее число свободных электронов приобретает энергию, достаточную для преодоления потенциального барьера в поверхностном слое и выхода из металла. При автоэлектронной (холодной) эмиссии создается внешнее электрическое поле, которое изменяет потенциональный барьер у поверхности металла и облегчает выход тех электронов, которые имеют достаточную энергию для преодоления этого барьера. [c.9]

В четвертой главе (X. С. Ривьере, Англия) дан критический обзор методов и результатов исследования работы выхода металлов, некоторых полупроводников и бинарных соединений. Автор хорошо известен своими исследованиями работы выхода металлов. В главе подробно рассмотрены различные методы определения работы выхода термоэлектронная эмиссия, фотоэлектрические измерения, холодная эмиссия, разные варианты измерений контактной разности потенциалов и, наконец, измерения поверхностной ионизации. Приводятся довольно подробно отдельные детали конструкций для тех или других экспериментальных методик. В главе имеется весьма обширный фактический материал по величинам работы выхода (свыше 40 металлов, элементарные полупроводники, около сотни бинарных соединений оксиды, нитриды, сульфиды, бориды, фториды и ин-терметаллиды). Автор широко дискутирует вопрос о надежности и точности тех или иных методов и проводит сопоставление результатов, полученных разными методами. Следует особо отметить, что обзор Ривьере достаточно полно отражает исследования советских авторов. [c.7]

Фиг. 4.2, Иллюстрация метода определения работы выхода по данным измерения холодной эмиссии, исполмованиого Елиисоном и др. [18].

Поскольку до недавнего времени считалось, что все загрязнения, в том числе и пленку окисла, можно удалить с поверхности вольфрамового образца простым нагреванием до температуры свыше 2600 К, то на измерения работы выхода вольфрама было затрачено больше усилий, чем на какой-либо другой материал. Вольфрам обладает также некоторыми другими преимуществами. Его твердость мало уменьшается при высоких температурах. Из-за большой энергии связи очень тонкое вольфрамовое острие способно выдерживать очень большие напряженности поля, прикладываемого в опытах по холодной эмиссии. Вольфрам образует большие монокристаллы просто за счет перекристаллизации проволок или лент, нагретых до температур, необходимых для очистки и дегазации. Однако наблюдением дифракции медленных электронов было установлено, что одну из растворимых примесей, а именно углерод, невозможно удалить с поверхности простым нагреванием. Это было показано Тейлором [35] и Стерном [36] соответственно для кристаллических плоскостей (И1) и (110). При обсуждении последующих данных следует всегда помнить, что приводимые значения работы выхода различных плоскостей вольфрама и любых других эмиссионных параметров поликристаллического вольфрама могут [c.219]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...