Электронных пар метод связывающие

Р. п. с большим периодом, наир, структуры (7 X 7) на поверхности (111) Si, связывают с возникновением узкой энергетич. зоны поверхностных состояний для электронов оборванных связей. На поверхности (111) Si на каждый поверхностный атом приходится 1 оборванная связь. Поэтому зона поверхностных состояний заполнена только наполовину. Энергию электрона в такой зоне можно рассчитывать методом сильной связи (см. Зонная теория) [c.325]

Итак, на поверхности титана во всех случаях присутствует сплошная защитная пленка, наличие которой убедительно подтверждается электронографическим и оптическим методами. Большое стремление титана к образованию окисных пленок часто очень плотных и защитных позволяет наиболее обоснованно и естественно связывать коррозионную стойкость титана с возникновением на его поверхности этих защитных окисных пленок. В соответствии с развитыми в последние годы представлениями защитные пленки на поверхности металлов являются беспористыми и очень тонкими. Они обладают свободной электронной и ограниченной ионной проводимостью [151], [103]. Коррозия титана в пассивном состоянии определяется скоростью химического растворения окисной пленки в данной среде. [c.111]

В структурной К. исследуется атомно-мол. строение кристаллов методами рентгеновского структурного анализа, электронографии, нейтронографии, опирающимися на теорию дифракции волн и ч-ц в кристаллах используются также методы оптич. спектроскопии, резонансные методы, электронная микроскопия и др. В результате определена крист, структура неск. десятков тысяч хим. в-в. Изучение законов взаимного расположения атомов в кристаллах и хим. связи между ними, а также явлений изоморфизма и полиморфизма явл. предметом кристаллохимии. Исследования т. н. биологических кристаллов, позволившие определить структуру гигантских молекул белков и нуклеиновых кислот, связывают К. с мол. биологией. [c.324]

I Р), если к4, кз равны кг, к1. Электрон-электронное взаимодействие связывает множество различных слэтеровских детерминантов и точное решение должно быть линейной комбинацией их всех Так же как и для приближения Хартри — Фока (5.2), существует всего лишь один матричный элемент, связывающий ) с детерми нантом, генерируемым тем слагаемым (5.1), в котором спины состоя ний 1с1> и к2> совпадают. Если же спины противоположны то таких матричных элементов два. Этот второй матричный элемент возникающий в случае параллельных спинов, также называется обменным взаимодействием. Если бы нам удалось учесть все такие слагаемые, мы бы получили точное решение многоэлектронной задачи. Для нахождения наиболее существенных матричных эле ментов в газе свободных электронов использовались методы квантовой теории поля. В изучении магнетизма существуют два различных приближения. [c.517]

Рассмотренные выше передовые методы разработки ПО (Н1Р0 — технология, нисходящее проектирование, структурное ирограммирование, нисходящее тестирование, бригада главного црограммиста) были исиользованы фирмой ШМ для создания программной системы объемом свыше 80 тыс. операторов языка программирования, при этом была достигнута производительность труда G5 операторов/деиь па каждого программиста и 35 операторов/день на каждого члена бригады. Если учесть, что бригада возглавлялась программистом чрезвычайно высокой квалификации, а проект поддерживался фирмой с колоссальными возможностями, то можно предположить, что эти показатели близки к предельным. Однако темпы выпуска ЭВМ во всем мире продолжают расти (так, в США в настоящее время количество ежегодно выпускаемых ЭВМ превышает количество студентов, оканчивающих вузы), усиливаются потребности общества в системах ПО. Многие специалисты по электронной обработке данных связывают возможность разрешения этого противоречия с созданием и широким использованием генераторов прикладных программ. Например, такие интерактивные генераторы, как ADF и DMS, позволяют на несколько порядков повысить производительность труда программистов при разработке диалоговых прикладных программ для решения экономических задач. Практически для создания прикладного пакета требуется всего лишь несколько сеансов совместной работы системного аналитика и будущего пользователя за экраном дисплея, во время которых главным об- [c.49]

На данных измерений периода решетки практически не сказывается зонная стадия распада, и образование зон Г.—П. можно заметить лишь по эффектам диффузного рассеяния в ближайших окрестностях узлов обратной решетки матричного твердого раствора. Если неоднородности структуры, обусловленные образованием зон, носят регулярный характер (модуляции рассеивающей способности или модуляции межплоскостных расстояний), то диффузное рассеяние концентрируется, образуя сателлиты возле основных рефлексов, и легко выявляется даже при съемке рентгеновской картины поликристаллов [47, 48]. В остальных случаях выявление зон Г.—П. возможно либо при рентгеновском анализе монокристаллов или крупнокристаллических поликристаллов (из-за малости размера ОКР в поликристаллах н наложений эффектов диффузного рассеяния), либо методом электронной дифракции в просвечивающем электронном микроскопе, где область дифракции всегда ограничена малой частью монокристалла (метод микродифракции, см. раздел 2). В некоторых сплавах зоны Г.—ГГ. имеют координацию атомов, отличную от координации атомов в матричном твердом растворе (например, зоны Гинье—Престона— Багаряцкого в сплавах А1—Mg—Si), или упорядоченную структуру (например, зоны Г.—П.П или фаза в" в сплавах А1—Си). При этом эффекты рассеяния должны наблюдаться в точках ОР, соответствующих этой структуре. По характеру распределения диффузного рассеяния можно судить о форме зон и в простейших случаях (при действии только форм-фактора) оценивать их размеры. К-состояние связывается с процессами упорядочения и выде- [c.129]

Различие результатов расчета электронной структуры кластеров меди, даваемых методами аЬ initio и Ха, авторы работы [424] целиком относят за счет ошибок, допускаемых в методе Ха. Следуя их аргументации, заметим, что сами по себе энергии орбиталей по существу не имеют физического значения, но обычно связываются с ионизационными потенциалами. Для системы с замкнутыми оболочками теорема Купменса приравнивает ионизационный потенциал отрицательному хартри-фоковскому значению энергии орбитали. Однако это справедливо только при условии пренебережения как релаксацией орбиталей в ионе, так и изменением энергии корреляции при переходе от молекулы к иону. [c.257]

Новый метод представляет собой попытку обойти этот барьер, не преодолевая его в лоб, двухступенчатым процессом, в котором предмет регистрируется с помощью пучка электронов, а восстанавливается с помощью светового пучка. Общая идея такого процесса впервые возникла у автора под влиянием работы Брэгга Рентгеновская микроскопия [2] (см. также [3]). Однако метод Брэгга, в котором кристаллическая решетка восстанавливается с помощью процесса дифракции на дифракционной картине, полученной в рентгеновских лучах, может быть применен лишь к одному определенному классу периодических структур. Обычно это связывают с тем, что дифракционные картины содержат информацию только об интенсивностях волны и не содержат информации о фазах. Но эта формулировка не вполне удачна, так как она сразу же наводит на мысль, что раз фазы ненаблюдаемы в случае применения этого метода, то они не-наблюдаемы всегда. В самом деле, при анализе обычных дифракционных картин нельзя установить не только ненаблюдаемую часть фазы, но также и ту ее часть, которая обусловлена геометрическими и оптическими свойствами предмета и в принципе могла бы быть определена путем сравнения фаз рассматриваемой волны и стандартной опорной волны. Именно эти рассуждения привели меня в конце концов к новому методу. [c.219]

При радиационно-химическом методе очистки продукты сгорания подвергают воздействию потока электронов больших энергий (ионизирующее излучение). При этом в газоход предварительно вводится аммиак. В результате воздействия ионизирующего излучения происходит доокисление N0 и SO2 соответственно до NO2 и SO3 с образованием азотной и серной кислот, пары которых связываются добавками аммиака в твердые соли аммония. [c.591]

С помощью трековых камер с магнитным полем массу частпцы можно определить, произведя кинема-тич. анализ ее упругого столкновения с известным ядром (напр., водорода или гелия, наполняющего камеру) или атомным электроном (по делыпа-электро-нам). Этот метод обладает тем достоинством, что он основан на точно выполняющихся законах сохранения энергии и количества движения. С помощью этого метода определяются массы невидимых па фотографиях нейтральных частиц, если число подлежащих вычислению величин (масса, энергия частицы, ее импульс п углы, определяющие направление движения) для всех участвующих в реакции частиц не больше 4. Дело в том, что все кипематич. величины связываются четырьмя уравнення.ми ур-нием сохранения энергии и тремя ур-ниями сохранения импульса (но трем пространственным осям). Напр., если для реакции - - р —> -(- Х° -f- р достаточно точно измерены импульс я+-мезона до столкновения с покоящимся протоном р, а также импульс я -мь-зона и протона после столкновения, то импульс р неизвестной частицы Х° и ее полная энергия Е полностью определяются, после чего находится масса VЕ — p .. [c.153]

Делокализация. Одной из принципиальных характеристик метода молекулярных орбиталей является то, что в общем все орбитали простираются по всей молеку.те эти орбитали делокализованы ). Например, в основном состоянии молекулы СН4, согласно молекулярно-орбитальной теории, помимо ls-электронсв атома С, будут два электрона на орбитали типа 2 i и шесть электронов на орбитали типа if2, причем эти орбитали простираются по всей молекуле в отличие от того, что получается в теории валентных связей пары электронов локализованы в пространстве между каждым атомом водорода и центральным атомом углерода, и образование связей С — Н обуславливается этими парами электронов. В молекулярно-орбитальной теории, с другой стороны, связывание атомов осуществляется совместно четырьмя электронами от четырех атомов водорода и четырьмя электронами атома углерода, заполняющими орбитали типа 2ai и l/g. В каждой из этих связывающих орбиталей веса атомных орбиталей всех четырех атомов водорода равны. Поэтому нельзя сказать, что электрон данного атома Н совместно с электроном атома С связывает именно этот атом Н с атомом С, скорее можно сказать, что каждый электрон атомов Н участвует с равным весом при образовании всех четырех связей С — Н. При возбуждении электрона нельзя сказать, что возбуждается электрон данного атома Н электрон возбуждается с орбитали, которая простирается но всем четырем атомам Н. В то время как данный аспект молекулярно-орбитальной теории оказывается весьма полезным для рассмотрения различных возбужденных электронных состояний, сам по себе он не дает достаточно простого объяснения наблюдаемого экспериментально постоянства энергий [c.391]

Спектроскопия фотолюминесценции твердых тел методически основана на измерении спектра вторичного свечения при фиксированном спектральном составе возбуждающего света и на измерении спектра возбуждения фотолюминесценции, когда приемник регистрирует вторичное излучение в узком спектральном интервале и измеряется зависимость сигнала от частоты возбуждающего света. В первом методе измеряемый спектр определяется главным образом силой осциллятора и временем жизни излучающих состояний, энергетически расположенных вблизи края фундаментального поглощения, и косвенно процессами энергетической релаксации горячих возбужденных состояний. Во втором методе в первую очередь получается информация о спектре и силе осциллятора (но не о времени жизни) электронных возбуждений в энергетической области выше края поглощения. Вклад в фотолюминесценцию полупроводников могут вносить различные механизмы излучательной рекомбинации, такие как зона—зона , зона—примесь , донор—акцептор , с участием фонона, излучение свободных, связанных или локализованных экситонов, а также экситон-поляритонная и биэкситонная рекомбинации. Фотолюминесценция структур с квантовыми ямами имеет свои характерные особенности. В частности, низкотемпературная люминесценция нелегированных квантовых ям обычно связывается с излучательной рекомбинацией экситонов, локализованных на шероховатостях интерфейсов и флуктуациях состава. Дело в том, что в реальности интер- [c.134]

Наиболее удовлетворительное рассмотрение потенциала да ю BapAnt ном ), который применил для этого метод самосогласованного поля. Его результат, пригодный для одновалентных металлов, ближе к блоховскому, чем к иордгеймовскому. Это можно объяснить тем, что объём пространства вблизи нонов, где атомный потенциал v(r) велик, так мал, что жёсткой частью поля действительно можно пренебречь. Мы не будем рассматривать работу Бардина со всеми математическими деталями, а отошлём читателей к оригинальным работам. Его окончательное уравнение для матричных компонент возмущающего потенциала, которые связывают состояния с электронными волновыми векторами к и к, есть [c.548]

Во многих случаях удобно считать, что система (9.1) описывает электронные свойства сплава в рамках метода сильной связи. В таком сплаве энергия связи %1, отвечающая атомным орбиталям на различных узлах сплава, и интегралы перекрытия Уц-между различными ячейками различны. Однако с математической точки зрения нет необходимости связывать себя с определенной физической интерпретацией обозначений, фигурирующих в системе уравнений (9.1). Так, амплитудная переменная и , обозначенная как скаляр, может на самом деле иметь много компонент. В качестве последних могут выступать, например, декартовы компоненты вектора смещения атома в 1-ж узле [как в формуле (8.3)] или относительные вклады атомных орбиталей в волновую функцию в модели ЛКАО [как в выражении (8.11)]. Кроме того, спектральная переменная А, не обязательно обозначает энергию это может быть и квадрат частоты колебаний атомной матрицы со . Для описания случайных величин, содержащихся в диагональных элементах %1 и/или недиагональных элементах Уц, надо задать лишь статистические свойства указанных величин в рамках той или иной модели при этом конкретная природа нарушений поряд- [c.376]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...