Рост кристалла дислокаций

При превращении аустенита в перлит по диффузионному механизму рост кристаллов новых фаз сопровождается оттеснением дефектов строения к границам зерен, другими словами, дефекты (дислокации, вакансии, примесные атомы), ранее располагавшиеся по границам аустенитных зерен, перераспределяются на границы ферритных (перлитных). [c.239]

Наличие зон с различной интенсивностью осаждения атомов при кристаллизации приводит к неравномерному росту кристалла в различных зонах. Вблизи выхода на поверхность винтовой дислокации возможен спиральный рост кристалла. [c.441]

Дислокации представляют собой дефекты кристаллического строения, вызывающие нарушения правильного расположения атомов на расстояниях, значительно больших, чем постоянная решетки. Они возникают случайно при росте кристалла и термодинамически неравновесны. Причинами образования дислокаций могут быть также конденсация вакансий, скопление примесей, действие высоких напряжений. Процесс преобразования скоплений точечных дефектов в линейные идет с уменьшением свободной энергии кристалла. [c.470]

За последние десятилетия в физике твердого тела получило широкое распространение представление о несовершенствах кристаллической решетки, называемых дислокациями. Этим несовершенствам приписывается основная роль при объяснении ряда особенностей поведения реальных кристаллов. Механизм пластической деформации, ползучести, разрушения, рассеяния энергии при циклическом деформировании связываются большинством современных авторов с перемещением дислокаций внутри кристалла. Дислокационные представления используются также для объяснения механизма роста кристалла. Возможные дефекты кристаллической решетки не ограничиваются, конечно, одними дислокациями этим термином называются дефекты особого рода, обладающие совершенно определенными свойствами. Однако дислокационные представления, как оказалось, имеют настолько общий характер, что на их основе можно построить очень большое количество разного рода моделей, объясняющих те или иные свойства реального кристалла, и выбрать из этих моделей те, которые наилучшим образом отвечают опытным данным. [c.453]

Кристалл, не содержащий дислокаций, растет путем присоединения зародыша к ступеньке, так как чем больше соседних атомов, тем лучше зародыш присоединяется к кристаллу. Наконец, слой полностью достраивается. Для образования на гладкой поверхности кристалла нового атомного слоя требуется возникновение двумерного зародыша, что является самым узким звеном роста совершенного кристалла и требует больших пересыщений (переохлаждений). Это звено отсутствует, если растет кристалл, содержащий винтовую дислокацию. Присоединение атомов к ступеньке на его поверхности приводит к вращению ступеньки. Поскольку атомы откладываются на винтовую поверхность, то ступенька все время продолжает существовать, облегчая тем самым присоединение атомов к кристаллу, т. е. облегчая рост кристалла. [c.103]

Известно, что рост кристаллов тесно связан с винтовыми Дис локациями. Однако, как показали исследования кинетики испарения кристалла путем удаления спиральных слоев, высота которых соответствовала вектору Бюргерса порядка 2-10" см [37], можно пренебречь влиянием со стороны энергии деформации решетки в точке выхода на поверхность винтовой дислокации на скорость испарения. Авторы исследования [37] считают, что расстояние между ступенями, порожденными винтовой дислокацией, быстро растет, достигая такой же величины, как и в случае, когда единственным источником моноатомных ступеней является край кристалла. Поэтому на таких дислокациях ямки травления не образуются. [c.46]

Пластическая деформация есть выражение сдвигов, происходящих под действием нагрузки в кристаллической решетке. В поликристал-лических телах, каковыми являются металлы, сдвиги происходят по направлениям, ориентированным к приложенной силе под углом 45°, т. е. по направлениям действия максимальных касательных напряжений. Сдвиги идут не по границам зерен, а внутри их, и начинаются с тех зерен, у которых с направлением действия указанных напряжений совпадают плоскости кристаллов с наибольшей плотностью атомов. Затем в пластическую деформацию вовлекаются зерна с иной ориентацией атомов. Дислокация может рассматриваться как граница незавершенного сдвига./В результате взаимодействия отдельных дислокаций между собой возникают различного рода барьеры, препятствующие дальнейшему движению дислокаций. Кристаллическая решетка искажается, в результате происходящих сдвигов на месте бывших зерен образуются продукты их разрушения — вытянутые вдоль приложенной силы обломки зерен или блоки. Растет плотность дислокаций, меняется не только взаимное расположение атомов в кристаллической решетке, но и многие узлы ее оказываются не заполненными атомами, т. е. наряду с ростом количества дислокаций увеличивается количество вакансий. Все этО вместе взятое и ведет к деформационному упрочнению металла при холодной пластической деформации. [c.96]

Вообще скольжение двух тел может наблюдаться только тогда, когда имеются плоскости как бы наименьшего сопротивления, в которых взаимодействие соприкасающихся тел или частей одного и того же тела ослаблено. Такое ослабление наблюдается и в случае однородных, тел, наиболее ясно — в максимально однородных телах, какими и являются монокристаллы, в основе строения которых лежит правильное расположение атомов по узлам так называемой кристаллической решетки, узлы которой в свою очередь расположены параллельными слоями. Несмотря на правильность расположения атомов, во всех реальных монокристаллах имеются участки, ослабленные по тем или иным причинам, связанным с условиями образования и роста кристаллов. Эти слабые места (дислокации) часто расположены вблизи поверхности они предопределяют образование плоскостей скольжения, вдоль которых происходит скольжение двух частей кристалла. Такое скольжение близко совпадает с описанным [c.151]

При пайке железа медью с разными зазорами структура, формирующаяся при затвердевании расплава, оказывается при прочих равных условиях различной в малых и больших зазорах. В широких зазорах (0,5—2 мм) кристаллизация происходит с образованием развитой дендритной структуры и имеет характер объемного затвердевания. Содерл<ание железа в осях дендритов достигает 4%, а на периферии падает до 2—2,5 % (массовые доли). Смена форм затвердевания с изменением размера зазора вызывается изменением условий кристаллизации. Согласно существующим представлениям тип кристаллизации сплавов определяется градиентом температуры расплава, а такл<е величиной и протяженностью области концентрационного переохлаждения вблизи фронта кристаллизации. При прочих равных условиях уменьшение зазора, а следовательно, слоя кристаллизующейся жидкости, начиная с определенного момента, приводит к таким изменениям указанных факторов, что дендритная форма кристаллов постепенно уступает место ячеистой, а последняя — преобладающему росту кристаллов с гладкой поверхностью. Окончательная кристаллическая структура металла шва не соответствует первоначальным формам роста кристаллов. Новые границы зерен в шве пересекают в произвольных направлениях дендритные и ячеистые кристаллы. При больших зазорах имеются участки, где вторичные границы совпадают с пограничными зонами первичных дендритов. При малых зазорах структура шва по ширине представляет собой один слой зерен. Возникновение вторичной структуры в литых сплавах связывается с образованием при кристаллизации большого числа дефектов (дислокаций и вакансий), способных перемещаться и группироваться в определенных участках затвердевающего металла. [c.34]

При рассмотрении процессов роста кристалла успешно используется теория дислокаций [143]. Рост кристалла хорошо объясняется при наличии в нем хотя бы одной дислокации, имеющей винтовую компоненту и выходящей на плотноупакованную атомную плоскость. [c.180]

Ввиду этого была предложена дислокационная модель роста кристалла и выдвинута гипотеза, что для роста кристалл должен содержать, по крайней мере, одну выходяш,ую на поверхность его грани дислокацию. [c.42]

Процесс состоит из зарождения центров кристаллизации (зародышей) аустенита и постепенного роста кристаллов аустенита вокруг этих центров. Центры кристаллизации (зародыши) аустенита прежде всего образуются на поверхности раздела феррита и пластинок или зернышек цементита. Поэтому первые участки аустенита (темные точки на фиг. 109, а) появляются на границах зернышек цементита в феррите, в дальнейшем участки аустенита увеличиваются (фиг. 109, б и в). Это объясняется тем, что в пограничных областях между частицами цементита и ферритной основы сосредоточивается большое количество дислокаций, вакансий, промежуточных атомов, атомов примесей и других несовершенств строения решетки, а также имеется избыток свободной поверхностной энергии. Все это наряду с близостью цементита создает здесь благоприятные условия для диффузии углерода и образования аустенита. Образующийся при этом аустенит имеет около 0,8% углерода. [c.180]

А) быстро протекающем одновременном смещении большой группы атомов, так что связь между атомами двух фаз сохраняется тесной, когерентной, отдельные атомы и в новой решетке остаются соседями. Скорость переупорядочения атомов очень высока ( 1000 м/с), инкубационное время отсутствует. Когерентная связь из-за> больших напряжений решетки не всегда сохраняется в процессе мартенситного превращения наблюдаются смещения, возникают дислокации, т. е. происходит вызванное фазовым превращением упрочнение, которое дополнительно повышает твердость. При когерентной связи превращение в изотермических условиях не завершается не образуется дополнительного количества зародышей кристаллитов. Когерентный рост прекращается также и в том случае, если в процессе роста кристаллит новой фазы натолкнется на границу зерен. Мартенсит характеризуется высокой плотностью дислокаций (10 —lOi M ) твердость же зависит от того, в какой мере [c.102]

Изучалось также влияние дислокаций на рост монокристаллов и эпитаксиальных пленок. По влиянию дислокаций на кристаллизацию стальных слитков имеются лишь единичные работы. Дислокационный механизм роста кристаллов в стальном слитке должен привлечь особое внимание исследователей, поскольку примесные атомы оказывают огромное влияние на образование и распределение дислокаций. [c.66]

Скользящее движение дислокаций совершается без переноса массы и потому может осуществляться при минимальном воздействии когерентных напряжений. Поэтому мартенситный кристалл с полукогерентной границей растет с той же скоростью, что и кристалл с полностью когерентной границей. При этом образующиеся в процессе роста кристалла дислокации скользят вместе с его границей. [c.12]

В монокристаллах, выраш енных в стабильных условиях, дислокации, как правило, прямолинейны и наследуют ся растущим кристаллом. Это обстоятельство приводит к тому, что наклоненные к оси роста кристалла дислокации постепенно выходят на его боковую поверхность. Дислокации, параллельные направлению выраш,ивания, просле живаются вдоль всей длины монокристаллического слитка Процессы образования дислокаций можно контролировать, а их плотность в выраш енных кристаллах умень- [c.166]

Рост кристалла значительно облегчается тем, что грани его не представляют идеально ровных плоскостей. На гранях растущего кристалла всегда имеются различные дефекты поверхности в виде ступенек и выступов, на которых легко удерживаются новые атомы, поступающие из жидкости. В этом случае рост кристалла может протекать даже без образования двумерного зародыша. В растущем кристалле всегда имеются дислокации. В месте выхода на поверхность винтовой дислокации имеется ступенька, к которой легко присоединяются атомы, поступающие из жидкости (рис. 21, б). Винтовые дислокации ведут к образованию на поверхности кристалла спиралей роста высогой от одного до нескольких тысяч атомов. Спиральный рост экспериментально обнаружен при изучении роста монокристаллов магния, кадмия, серебра и других металлов. [c.34]

Дислокации могут возникать во время кристаллизации из-за ра.эных случайностей роста кристаллов. Эти случайности приводят к образованию мозаичной структуры — кристалл состоит из взаимно разориентированных субзерен (блоков). Одна из возможных причин образования субзерен — изгиб очень нежных ветвей денд-ритов из-за конвекционных токов, градиента температур и действия других факторов. Когда слегка разориентированные ветви дендри-тов срастаются, на границе между ними возникают дислокации. Поверхность срастания представляет собой стенку из краевых дислокаций. [c.104]

Л аксимальное переохлаждение у некоторых металлов может достигать 300 К и более (А7, ах 0,2Гпл). Дислокации приводят к увеличению свободной энергии кристалла и поэтому могут оказывать влияние на процесс кристаллизации. Так как дислокации образуются в процессе зарождения и роста кристалла (очевидно, вследствие значительных температурных градиентов, а также вследствие напряжений, вызванных примесями), то они оказывают влияние также и на размеры зародыша кристаллической фазы. [c.391]

Дислокационная сетка при наличии хрупких фаз могла создавать границу блоков, по которой произошел ско.л. Если изложенное верно, то возникновение дислокаций следует отнести к периоду начала кристаллизации расплавленных частиц и росту кристаллов А12О3. В дальнейшем, в течение весьма малого промежутка времени до полного затвердевания покрова, вероятно, происходило некоторое увеличение числа дислокаций с ростом неоднородных напряжений внутри кристаллов. Однако, по-видимому, мы наблюдаем в основном дислокации, возникшие в первый период и замороженные в результате весьма быстрой кристаллизации и затвердевания рас- [c.244]

Гурь1 композиций Ni — оксиды до 1400 "С оказывает корунд [131]. При электронно-микроскопическом изучении на просвет его тонких пленок, осажденных из электролита Уоттса, были показаны высокая плотность дислокаций и ограничение двойяикования и роста кристаллов частицами. Частицы АЬОз находятся как в зернах, так и а границах между ними. Оптимальная термическая стойкость могла быть достигнута, если частицы в матрице были бы дискретными. Однако столь диспергированные частицы подвергаются агломерации в суопеязни и в матрице, особенно при 1000—1400 °С. [c.117]

Первая группа методов основана на использовании химических транспортных реакций и характеризуется тем, что кристаллизация осаждаемого металла в этом случае осуществляется из паров его галоидных соединений (иодидов или хлоридов). Для получения монокристаллов молибдена используются преимущественно, хлориды (см. главу V). В общем дислокационный механизм роста кристаллов из газовой фазы сводится к спиральному присоединению атомов на ступеньке, образованной винтовой дислокацией [21, 77, 125], и в зависимости от режима осаждения позволяет получить поли- и монокристалли-ческие осадки. Скорости химических процессов осаждения металлов в молекулярном, кинетическом или диффузионном режимах очень велики и не зависят от механизма массообмена. Характер кристаллизации и скорость роста кристаллов осаждаемого металла в основном определяется относительным пере-насыш,ением газовой фазы. Осадки в виде высокочистых монокристаллов растут при малых степенях пересыщения газовой фазы, в то время как средние степени пересыщения обеспечивают рост массивных поликристаллов. При высоких степенях пересыщения образуются порошки посредством гомогенного зарождения в газовой фазе. [c.81]

В последнее время стало возможным получать чистейшие идеальные металлические кристаллы в виде нитей или усов . Это открыло новые возможности для выяснения истинной прочности металлов, не имеющих дефектов в кристаллических рещетках. Чистые нитевидные кристаллы можно получать различными способами [3, 12, 14]. Предполагается, что нитевидные кристаллы образуются в результате выхода на поверхность роста винтовой дислокации по Франку. [c.34]

При наличии несовершенств строения зерно разделяется на блоки и имеет структуру, которая называется микромозаич-ной. Отдельные мозаики повернуты друг относительно друга на небольшой угол (1°). Решетки соседних блоков не совпадают по ориентации, что приводит к нарушению правильности в их строении. Причиной возникновения вакансий и дислокаций при кристаллизации является нарушение правильности порядка присоединения атомов при росте кристалла или разориентации соседних кристаллических решеток. [c.11]

Переход от неравноосных форм кристаллов избыточной фазы к равноосным (сфероидизация) часто осуществляется путем деления кристаллов на части. Это деление хорошо изучено на примере сфероидизации цементита железоуглеродистых сплавов. На первый взгляд деление кажется энергетически неоправданным, так как сопряжено с развитие.м межфазной поверхности. Однако, если учесть эффект существующих в матрице и избыточной фазе структурных дефектов (границ и субграниц, скоплений дислокаций), диспергирование крупных кристаллов можно термодинамически обосновать. Например, в месте встречи границы зерен матрицы а с гранью избыточной фазы р (рис. 11) плоская меж-фазная поверхность оказывается неустойчивой. В условиях равновесия изменение термодинамического потенциала системы должно быть равно нулю. Предположим, что в результате роста кристалла р вдоль межзеренной границы матрицы межфазная поверхность увеличилась на At/. Развитие межфазной поверхности сопряжено с сокращением межзе- [c.44]

С использованием методики Берга — Баррета и Лэнга была изучена структура нитевидных кристаллов меди [333]. Это рентгенографическое исследование показало, что нитевидные кристаллы одного размера могут весьма заметно отличаться по степени совершенства имеются различия в количестве дефектов, их характере и расположении, что, вероятно, связано с непод-дающимися учету случайностями роста кристалла, а также с В03М0Ж.Н0Й деформацией усов при м Бипулировании. Однако тенденция к повышению совершенства нитевидных кристаллов с уменьшением их размера безусловно имеет место. Если толстые кристаллы состоят из значительно разориентированных объемов ( субзерен ), то кристаллы толщиной менее 10 мкм более совершенны либо содержат единичные дефекты в виде дислокаций. [c.364]

Возникновение дислокаций. Дислокации возникают при образовании, росте и столкновении кристаллов дислокации могут образоваться из колоний и цепочек вакансий. Много дислокаций возникает в йроцессе пластической деформации, и количество их возрастает по мере ее протекания. [c.28]

В табл. 14.6 видно, что особо высокие прочность и жесткость присущи нитевидным кристаллам ( усам ). Высокая прочность объясняется совершенством их структуры, для которой характерна очень малая плотность дислокаций. Доказано, что скручивание усов в процессе образования монокристаллов AI2O3 и Si02 вызвано наличием в них единственной винтовой дислокации, расположенной вдоль оси роста кристаллов. [c.455]

Было показано [574, 578, 579], что кинетика такого распада протекает по-разному в бездислокационных и дислокационных кристаллах, причем в бездислокационных кристаллах она протекает быстрее и более интенсивно по сравнению с дислокационными. Это объясняется тем, что дислокации служат центрами частичного вьщеления кислорода уже в процессе роста кристалла и главное, являясь стоками для вакансий, они существенно снижают их концентрацию и соответственно концентрацию центров осаждения кислорода. Вакансионная природа центров осаждения кислорода была предположена в [574, 575]. Предполагается [575], что первоначально из пересыщенного раствора вакансий возникают крупные комплексы вакансий, которые, захлопываясь, приводят к образованию вакансионных петель Франка с дефектами упаковки внутри них. Последние и служат местами осаждения избыточного кислорода и образования плоских частиц Si02, т.е. уже внедренных петель Франка с вектором Еюр- [c.197]

Несколько иная ситуация реализуется в случае деформации кристалла ниже температурного порога хрупкости, где консервативное скольжение при малых и средних напряжениях фактически запрещено в силу наличия больших барьеров Пайерлса. В этом случае, даже если в выращенном кристалле и имеется некоторый исходный спектр гетерогенных источников (относительно слабый без проведения специальных термообработок и являющийся функцией условий роста кристалла [595] и значительно более резкий при проведении специальных режимов отжига), процесс непосредственно призматического вьщавливания дислокаций (т.е. действие процесса неконсервативного их движения от имеющихся включений) подавлен в силу действия ряда факторов. К ним относятся а) высокая величина напряжений Пайерлса, требующая для их преодоления обычным способом консервативного движения высоких напряжений порядка нескольких сотен кгс/мм б) резкое падение напряжений на включениях в зависимости от текущей координаты удаления петли от включения a ljr (рис. 129) в) действие сил линейного натяжения, которые стремятся вернуть петлю на межфазную поверхность раздела. Это приводит к тому, что если дислокационная петля и зарождается, то она отходит на весьма малое расстояние от поверхности включения порядка 1,5—2 г (см. рис. 29) и останавливается в силу того, что напряжение по мере отхода ее от включения резко умень--шается и становится ниже требуемой для ее скольжения величины. В этом случае дальнейшее увеличение размера петли, т.е. ее перемещение, возможно только за счет неконсервативного движения петли, т.е. переползания (см. рис. 125, 126). И в этом плане анализ экспериментальных данных, представленных выше, а также проведенные расчетные оценки показывают, 244 [c.244]

В работе [77] показано, что на грани могут выходить несколько винтовых дислокаций и рост кристалла будет зависеть от условий их взаимодействия, которое в свою очередь обусловлено расстоянием между векторами Бюр-герса, активностью и знаком дислокаций, скоростью вращения спирали н радиусом зарождения дислокаций. На рост кристалла влияние оказывают не только чисто винтовые дислокации. [c.66]

Г. А. Алфинцев, Д. Е. Овсиенко [70, с. 40—53] изучали механизм роста из расплава кристаллов Ga, Bi, Sn в зависимости от переохлаждения на фронте кристаллизации. Установлено, что грани (001) кристалла чистого Ga при Л =0,48°С на фронте кристаллизации не растут. При Д/=0,76°С грань (001) начинает расти со скоростью 1,56-10 м/с. Грань (111) начинает расти только при А >1,10°С. Деформация кристалла Ga путем изгиба или укола растущей грани тонким стеклянным стерженьком приводит к резкому увеличению (примерно в 160 раз) скорости роста граней (001) и (111). Деформированные кристаллы уже растут при Д <0,05°С. Авторы предполагают, что в результате деформации возникают винтовые дислокации в растущем кристалле, в то время как в недеформированном образце рост происходит путем возникновения на грани двумерных зародышей. Скорость роста кристаллов Sn при одинаковых переохлаждениях на границе раздела фаз на несколько порядков больше, чем кристаллов Ga и Bi. [c.67]

Природа слоистости, видимо, идентична явлению, названному Уббелоде ритмическим ростом кристаллов, который объясняют различными гипотезами периодическим возникновением пленок расплава на гранях растущих кристаллов, прерывающих их рост наличием в расплаве так называемых антикристаллических кластеров, которые должны диссоциировать на молекулы прежде чем присоединиться к грани растущего кристалла сегрегацией примесей и скоплением дислокаций на фронте кристаллизации и т. д. [c.71]

Полосчатость в сталях приводит к возникновению шиферности, резко ухудшающей механические свойства проката. Механизм образования полосчатой структуры Д. Г. Херл [59, с. 303—400] связывает с выстраиванием дислокаций в параллельные ряды, которые можно отождествить с полосчатыми границами. Расстояние между полосами зависит от скорости роста кристаллов, так как образование параллельных рядов дислокаций происходит во времени. [c.71]

К- Элбаум [80, с. 238—298], рассматривая происхождение дислокаций в кристаллах, выращенных из расплава, предлагает пять различных механизмов их образования. Анализируя литературные данные и результаты собственных исследований, Д. Е. Овсиенко [70, с. 164—191] приходит к выводу, что дислокации образуются при росте кристаллов вследствие напряжений, возникающих из-за неравномерности теплоотвода, и ставит вопрос при каком градиенте температур — радиальном или осевом-—возникают напряжения, вызывающие наибольшую плотность дислокаций. Правомерность гипотез о вакансионном механизме образования дислокаций автор подвергает сомнению и предполагает, что вакансии могут лишь способствовать переползанию дислокаций и выстраиванию их в сетки, а избыточные вакансии, возникающие при охлаждении, будут частично поглощаться дислокациями и частично выходить на границу раздела фаз. Степень совершенства кристаллов зависит от плотности и характера дислокаций и других дефектов (трещин, царапин) на поверхности затравки. Применяя бездефектные бездислокаци-онные затравки, удалось вырастить монокристаллы Si без дислокаций. Путем подбора соответствующих ори- [c.71]

В табл. 4 приведены данные [70, с. 164—191] по влиянию малых добавок тхримесей на плотность дислокаций р, средний размер бл<жов мозаики L, максимальный угол мозаичности бтах В моиокристаллах А1, полученные рентгеновским методом. Концентрации исследуемых добавок меньше предела растворимости в твердой фазе при комнатной температуре. Скорость роста кристаллов составляет 8,3- см/с. [c.72]

Дислокации, ответственные за механические Bofi-ства и поведение металла при пластической деформации, возникают в большом количестве уже при кристаллизации слитка (Я. В. Гречный, К. М. Жак, Э. Н. Погребной [70, с. 241—248 ). Дислокации при росте кристаллов скопляются в основном на границах зерен. Интенсивность перемещения дислокаций в объем зерна зависит от их природы и состояния границ зерен [8 ]. При исследовании железа замечено, что длина пробега краевых дислокаций значительно больше, чем винтовых. В трансформаторной стали относительная скорость винтовых и краевых дислокаций в 25 раз выше у последних. Состояние границ характеризуется скоплением примесей, которые блокируют движение дислокаций. Таким образом, движение дислокаций обусловлено барьерным эффектом границ зерен. Несомненно, на возникновение и распределение дислокаций большое влияние должны оказывать модификаторы, однако этому вопросу посвящено небольшое количество исследований. [c.73]

Возникновение микроскопических пор, кроме того, связано с образованием скоплений вакансий при кристаллизации стали. Источником зародыша поры критического размера (Б. Я-Любов, А. П. Семенов [88, с. 233— 240]) в растущем кристалле служат вакансии и пересы-щенность растворенными атомами газа. Примесные атомы, дислокации, области напряжений сдвига и другие дефекты могут ускорять или замедлять в зависимости от скорости направленного роста кристалла перенос вакансий и избыточных газовых атомов к поре. Скорость диффузии вакансий к поре вдоль дислокаций и границ зерен увеличивается. При незначительных пересыщениях атомы газа диффундируют через раствор из маленьких пор в большие. Возникновение напряжения вследствие градиента температур способствует перемещению пор малых размеров и их коагуляции. Скорость передвижения поры обратно пропорциональна ее радиусу. При некоторой оптимальной для данного вещества скорости передвижения форма пор изменяется из сферической в эллипсоидальную. [c.101]

ЭТО была собственная текстура [41]. В таких покрытиях изучались кристаллы с ориентировками [100], [110], [111] и [113]. Основными дефектами были дислокации типы дислокаций в разных кристаллах указаны в табл. 10. Как видно из этой таблицы, плотность дислокащй в кристаллах, ориентировка которых совпадает с типом те кстуры, наименьшая. Если допустить, что наблюдавшиеся дислокащш имеют ростовую природу, то рост кристаллов с ориентировкой собственной текстуры происходит с наименьшими структурга>1ми нарушениями. Накопление [c.52]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...