Потенциал базовый

Представленные в обобщенном виде поправки на скорость роста трещины с учетом электрохимического потенциала в вершине трещины (7.26) или без его учета (7.27) имеют общую идеологию. Они остаются постоянными в направлении роста трещины в случае эквидистантного смещения кинетических кривых по отношению к базовой (эталонной) или единой кинетической кривой или зависят от длины трещины (или КИН) для разных процессов, которые характеризуют роль агрессивного воздействия на металл окружающей среды. Они показывают, что, как и в других ситуациях циклического нагружения материала, процесс развития разрушения реализуется в результате возникновения синергетической ситуации в вершине трещины, приводящей к единому процессу роста трещин. В тех случаях, когда воздействие среды не приводит к полной деградации рельефа излома, который типичен для роста трещины на воздухе, роль агрессивного воздействия среды может быть оценена из анализа параметров рельефа излома. Эта оценка проводится на основе использования базовой (эталонной) [122, 131, 146] или единой кинетической кривой путем введения соответствующих безразмерных поправок на скорость роста трещины. [c.396]

Применение регулируемых установок на защитных станциях дает существенные преимущества, поскольку станции при этом всегда работают в оптимальных условиях. Например, при усиленном дренаже блуждающих токов с регулированием потенциала даже и при пиковых значениях блуждающего тока, вызванных высоким отрицательным потенциалом рельс — грунт, всегда накладывается достаточный защитный ток, тогда как при перерывах в работе электрифицированной железной дороги и соответственно более положительном значении потенциала рельс — грунт протекает только ток, необходимый для достижения защитного потенциала. При этом воздействие на другие сооружения в среднем по времени остается незначительным. Кроме того, на кривой потенциала вдоль трубопровода регламентируется исходная (базовая) точка — потенциал станции катодной защиты. С этим потенциалом могут сопоставляться предельные значения других колеблющихся во вре-ми потенциалов в прочих точках измерения. [c.224]

Для оценки эффективности научно-исследовательских работ применяют Основные методические положения по определению экономической эффективности научно-исследовательских работ , утвержденные Государственным комитетом по координации научно-исследовательских работ 18 сентября 1963 г. (М., Экономика, 1964 г.), в которых впервые на научной основе были изложены вопросы, позволившие производить расчеты экономической эффективности науки. Методика рекомендует определять величину экономического потенциала научно-исследовательских работ по разности приведенных затрат базового и нового вариантов с учетом объемов и сроков внедрения работы в производство [c.95]

Последние годы характеризуются определенным изменением направленности использования гидроресурсов. Это изменение особенно характерно для стран с высокой степенью использования гидроэнергетического потенциала (в частности, США, Канада, Франция, Япония), в которых на предыдущих этапах развития энергетики гидростанции выполняли в основном функции базовых установок. Переход к использованию относительно менее экономичных гидроресурсов, с одной стороны, значительный абсолютный рост пиков потребления электроэнергии и связанные с этим затруднения с использованием тепловых электростанций для покрытия переменной части графика нагрузок — с другой, определяют целесообразность все большего использования ГЭС в этих странах в качестве пиковых установок. Такое изменение направления использования ГЭС приводит, в частности, к стремлению повышения их единичной мощности при неизменной выработке электроэнергии, т. е. к снижению числа часов использования мощности. [c.97]

Рассмотрим теперь первый шаг по поиску неисправности, если лампа погасла, хотя рубильник включен. Один из зажимов вольтметра поместим в точку 7 (см. рис. 54.6), потенциал которой равен ОВ и которая будет служить базовой точкой. [c.294]

Поскольку нормальный потенциал в точках от 1 до 7 соответствует потенциалу фазы (здесь это 24В), возьмем в качестве базовой точки точку на нулевом проводе, например, точку 16, в которой зафиксируем один из проводов вольтметра. Чтобы уменьшить число замеров, используем способ замеров посередине, с которым мы познакомились выше (см. рис. 54.14). [c.299]

При достижении напряжением генератора регулируемого значения ток в обмотке реле 00 достигает значения, при котором реле срабатывает. При замкнутых контактах реле потенциал базы становится больше потенциала эмиттера благодаря включенному в его цепь диоду УО. Вследствие этого базовый ток становится равным нулю, что приводит к запиранию транзистора. Диод УО обеспечивает активное запирание транзистора. [c.46]

Если автоматизация не обеспечивает ощутимого роста производительности, даже незначительные капитальные затраты могут не окупиться, так как практически любой базовый вариант также имеет определенные резервы. И наоборот, если автоматизация позволяет резко повысить потенциал производительности, возможна окупаемость самых высоких затрат, особенно при тиражировании автоматизированных систем, применении унифицированных узлов и т. д. [c.394]

Если требуется, чтобы базовая траектория была окружностью радиуса р, то мы должны выбрать потенциалы электрода так, чтобы для л=р электростатический потенциал и поле удовлетворяли уравнению (11.25). Подставляя г = р в уравнение (11.24), видим, что это условие удовлетворяется, если [c.593]

В аварийном режиме схема на транзисторе УТ2 защищает выходной транзистор УГ4, УТЪ регулятора от перегрузки. Замыкание вывода Ш на массу вызывает понижение потенциала коллектора транзистора УГ5 и, если транзистор в момент замыкания был открыт, рост напряжения на его переходе эмиттер — коллектор с переходом транзистора в линейный режим. При этом конденсатор С2 заряжается, в цепи переход эмиттер — база транзистора УТ2 — резистор R9 — конденсатор С2 появляется ток, транзистор УТ2 открывается, следовательно, открывается транзистор УТЗ и запирается транзистор УТА, УТЪ. После заряда конденсатора ток в его цепи пропадает, транзисторы УТ2 и УТЗ закрываются, открывается транзистор УТА, УТЪ. Конденсатор С2, быстро разрядившись через резистор i ll, диод У02 и переход эмиттер — коллектор транзистора УТЪ, вновь начинает заряжаться через базовую цепь транзистора УТ2, который при этом открывается. Процесс повторяется, а выходной транзистор переходит в автоколебательный режим. При этом средняя сила тока, проходящего через транзистор, невелика и не может вывести его из строя. Диод УОЗ является в схеме регулятора гасящим диодом. Диод VDA защищает регулятор от импульсов напряжения обратной полярности. Остальные элементы схемы обеспечивают нужный режим работы полупроводниковых элементов схемы. [c.38]

Пассивная часть Рд потенциала представляет собой не-заменяемую часть автомобиля в течение срока службы и материализуется в виде конструкции, материала деталей и трудовых затрат на сборку, окраску и т. п. Пассивная часть потенциала изменяется при замене базовых деталей, базовых узлов и агрегатов из-за разрушения или предупреждения возможного разрушения деталей при эксплуатации автомобиля. [c.34]

Первые три плеча моста не изменяют свои параметры при изменении напряжения ГВ, но плечо из стабилитронов после увеличения напряжения ГВ выше 75 В пробивается. При дальнейшем росте напряжения потенциал анода ДЗ (Д6) остается неизменным, в то время как потенциал на движке Я2 продолжает расти, т. е. на второй диагонали моста появляется сигнал рассогласования, подаваемый на эмиттер — базовый переход транзистора Т1. Диоды Д1 и Д2 включены для защиты переходов транзистора Г/ от обратных напряжений. [c.193]

Схема реле наибольшего напряжения вырабатывает сигнал на срабатывание электромеханического реле РМН в случае, когда повышенное сверх допустимого значение напряжения контактной сети действует достаточно длительное время. До получения сигнала от канала КОН схема (рис. 305) находится в исходном состоянии транзисторы T9—Т4 закрыты, а транзистор Т5 открыт базовым током по цепи 0 —Т5—Д38—к35 и шунтирует катушку реле РМН. Конденсатор С17 заряжен. В качестве входного сигнала используется падение напряжения на резисторе R67 (см. рис. 304), которое появляется при срабатывании канала КОН. Это напряжение открывает составной транзистор T9—Т4, что приводит к запиранию диода Д38. Конденсатор С17 начнет разряжаться по цепи С17, эмиттер — база Т5 и R59, поддерживая открытое состояние транзистора Т5. Когда напряжение конденсатора С17 сравняется с напряжением смешения, подаваемого на базу Т5 через резистор R57, транзистор Т5 закроется. На катушке РМН появится напряжение и реле сработает. Если же опасное повышение было кратковременным (отрыв токоприемника и др.) и транзисторы T9—Т4 закроются раньше, чем закроется Т5, то схема придет в исходное состояние, т. е. транзистор Т5 останется открытым, ибо на его базу будет подаваться отрицательный потенциал по цепи R55, Д38, а конденсатор С17 вновь зарядится. [c.362]

Компоненты V,, Vj, Vg и Vg образуют дифференциальный усилитель с источником стабилизированного тока. Для нормального функционирования такого источника необходимо, чтобы потенциал базы транзистора Vg источника стабилизированного тока был максимально стабильным. Обычно это достигается за счет низкоомного делителя, обеспечивающего базовое напряжение, но в данной схеме мы используем весьма стабильное постоянное прямое напряжение светодиода Vg (около 1.7 В). Потенциал коллектора V, управляет Vg. [c.246]

Нельзя сказать, что переоборудование МБР в ракеты-носители космических аппаратов является новым направлением создания средств выведения. Более того, именно с этим направлением связана история создания отечественных ракет-носителей. Так, путем модернизации баллистической ракеты Р-7, спроектированной ОКБ-1, было создано более 10 модификаций PH ( Спутник , Восток , Молния , Союз и др.). Как правило, новые варианты PH возникали путем установки на исходный пакет первой и второй ступеней Р-7 новых верхних ступеней и проведения минимальных конструктивных изменений остальных элементов. При этом масса полезного груза, выводимого этими носителями на низкие орбиты, была увеличена с 1,5 т (PH Спутник ) до 7 т (PH Союз-У2 ). Удачные конструктивные решения, заложенные в базовую ракету Р-7, ее большой технический потенциал и исключительно высокий уровень надежности обеспечили семерке самую долгую жизнь. [c.96]

Когенерация и энергоэффективность могут оказывать положительное воздействие на окружающую среду и климат путем сокращения выбросов. На международном уровне наибольшее воздействие на политику в области климата стран с переходной экономикой оказали три соглашения. Первое из них - Рамочная конвенция ООН об изменении климата, ратифицированная почти всеми странами с переходной экономикой. Соглашение по Рамочной конвенции ООН об изменении климата было достигнуто в 1992 году. Конвенция определяет рамочные условия для ограничения выбросов посредством, в частности, определения базового года (как правило, 1990-й год) и требования проводить ежегодные подсчеты выбросов. Вторым соглашением является Киотский протокол, принятый в пределах Рамочной конвенции ООН об изменении климата. Большинство стран с переходной экономикой ратифицировали Протокол. Протокол устанавливает для каждой страны конкретные ограничения выбросов парниковых газов по сравнению с базовым годом. Поскольку с того времени их выбросы сократились, большая часть стран с переходной экономикой имеют запас квот на выбросы, которые они могут продавать другим странам. Потенциал продаж должен стать для них стимулом к сокращению выбросов внутри страны. Третье соглашение - это Директива ЕС по торговле выбросами, устанавливающая Схему торговли выбросами в пределах ЕС. Данная схема совместима с системой распределения квот по Киотскому протоколу. Распределение квот в рамках директивы, как правило, ограничено для стран с переходной экономикой по сравнению с Киотской системой. Таким образом, директива оказывает дополнительное давление на новых членов ЕС по сокращению выбросов парниковых газов. [c.230]

На рис. 3.8, в приведена схема фильтра ФЭ с высокоомным транзисторным двухполюсником. С учетом полярности напряжения У х.ср и направления базового тока проходного транзистора (проходит полный ток /и) вспомогательный транзистор ]/Т применен со структурой п-р-п. Цепочка УО и К образует стабильный источник напряжения смещения, которое, действуя встречно с падением напряжения на резисторе / н.в, создает на базе транзистора УТ положительный потенциал. [c.146]

Энергетика является базовым звеном экономики. Производство валового национального продукта, рост материальных и трудовых ресурсов в решающей степени определяются состоянием топливно-энергетиче-ского комплекса и величиной производимой энергии, В силу этого, начиная структурную перестройку экономики, необходимо прежде всего обратить внимание на состояние и тенденции развития энергетики, наличие в ней потенциала энергосбережения и внедрения ресурсосберегающих технологий. [c.9]

Базовое изделие в зависимости от целей оценки выбирают с различных позиций. Если следует оценить технический уровень нового изделия по сравнению с имеющимся, то за базовое изделие принимаются лучшие из имеющихся аналогов. Это - ретроспективная оценка. Если за базовый аналог взять идеальное изделие будущего, которое можно получить па дайной ступени научно-технического развития общества, то различие между его техническим качеством и техническим качеством оцениваемого изделия позволит определить его технический потенциал - перспективная оценка. [c.46]

Для осуществления автоматического уравнивания напряжений базовые цепи транзисторов ПП5,, ПП6 соединены с точкой 2 уравнивающего устройства — точкой постоянного потенциала. При этом преобладание напряжения на ПП5, ПП6 вызовет появление отпирающей разности потенциалов на сопротивлении Я22, что приведет к увеличению коллекторного тока транзисторов ПП5 и ПП6 к, следовательно, к компенсации преобладания напряжения между точками I—5. [c.125]

При подаче на электрод А положительного относительно электрода К напряжения к р-/г-переходу 1 прикладывается обратное напряжение. Если к управляющему электроду УЭ приложить положительное относительно электрода А напряжение, то вдоль базовой области р1 потечет дырочный ток, который будет способствовать увеличению на р-/г-переходе I прямого напряжения. При некотором токе управления через р-и-переход 1 начнут инжектироваться электроны в область р. Диффундируя, электроны проникнут в область Пг и понизят ее потенциал относительно области р . Это вызовет дополнительную инжекцию дырок через р-п-переход 2 116 [c.116]

Главная задача одиннадцатой пятилетки, как предусмотрено в Основных направлениях экономического и социального развития СССР на 1981—1985 годы и на период до 1990 года , состоит в обеспечении дальнейшего роста благосостояния советских людей на основе устойчивого, поступательного развития народного хозяйства, ускорения научно-технического прогресса и перевода экономики на интенсивный путь развития, более рационального использования производственного потенциала страны, всемерной экономии всех видов ресурсов и улучшения качества работы. Предусматривается продолжить техническое переоснащение базовых отраслей промышленности — энергетики, металлургии, машиностроения, химии, а также транспорта и строительства улучшать качество продукции, повышать единичные мощности маш1ин и оборудования при одновременном уменьшении их габаритов, металлоемкости, энергопотребления и снижении стоимости на единицу конечного полезного эффекта значительно увеличить масштабы создания новой высокоэффективной техники, обеспечивающей рост производительности труда, снижение материалоемкости и энергоемкости улучшать использование топливно-энергетических ресурсов, сократить потребление нефти и нефтепродуктов в качестве котельно-печного топлива опережающими темпами развивать атомную энергетику. [c.4]

Электрохимическими исследованиями, проведенными совместно с А.М.Крохмальным [208, с. 57—61], установлено рис. 100), что стационарный потенциал цинкового покрь Тия равен примерно -870 мВ, т.е. на 300-320 мВ отрицательнее стационарных потенциалов сталей. За 12 сут испытаний без приложения циклических напряжений (что соответствует базовому количеству циклов вращения 5 10 цикл) потенциалы оцинкованных образцов сдвигаются до — (780 — 800 мВ) вследствие формирования на поверхности плотного слоя оксидо-солевых продуктов коррозии, состоящих из оксидов и гидрооксида цинка. При высоких механических напряжениях происходит смещение электродных потенциалов стали на 80—100 мВ в отрицательную сторону от стационарного значения. Величина смещения потенциалов растет с уменьшением прочности стали и повышением уровня приложенного напряжения. Воздействие циклических напряжений в начале испытаний приводит к появлению в слое трещин, достигающих основного металла, что является причиной резкого смещения потенциала. На последующих этапах испытаний потенциалы образцов сдвигаются в положительную сторону на 30-50 мВ, а затем относительно стабилизируются (см. рис. 100, // участок кривой 3), что связано с пассивацией ювенильных поверхностей покрытия и контактированием коррозионной среды через трещины со сталью, имеющей более положительный потенциал, чем покрытие. Сдвиг потенци4ла в положительную область увеличивается с ростом уровня напряжений и понижением прочности стали, так как эти факторы усиливают разрушение покрытия, и площадь оголенной стали увеличивается. Потенциал образовавшейся коррозионной системы покрытие — основа лежит в достаточно отрицательной области (—900 мВ и ниже), поэтому поверхность стали находится в условиях полной электрохимической защиты в результате протекторного действия покрытия. Однако влияние высоких напряжений без коррозионного фактора приводит к развитию разрушения в глубь стали, что сопровождается интенсивным смещением потенциала в положительную сторону (/// участок). Полное разрушение образца сопровождается резким сдвигом потенциала в отрицательную сторону IV участок). [c.186]

Фиг. 2. Сохраняя нижнюю точку в качестве базовой с потенциалом ОВ, выберем для замера какую-либо точку посередине схемы (например, клемму на выходе прессостата НД). Вольтметр показывает ОВ, то есть потенциал 24В не поступает на эту клемму, значит обрыв находится выше выбранной точки (контакт V, или рубильник, или задающий термостат, или прессостат НД или один из соединительных проводов). Вся верхняя часть схемы остается под подозрением.

Фиг.З. Оставляя в качестве базовой ту же нижнюю точку с потенциалом ОВ, выберем теперь для замера точку на выходе из рубильника. Вольтметр показывает, что на клемме выхода из рубильника потенциал 24В присутствует, что ставит вне подозрений контакт V и рубильник. Остаются только два подозрительных элемента схемы (задающий термостат и прессостат НД), а также возможно соединяющие их провода.

Альтернативой СПУ-модели является модель определенной локальной координации атомов (ОЛК-модель), которая находит свое экспериментальное основание в результатах, полученных методами высокого разрешения. Здесь локальное упорядочение имеет не геометрическую, а химическую причину, поскольку оно является отражением характера сил взаимодействия между атомами разного сорта. В качестве локальных структурных элементов, случайной упаковкой которых строится структура, в ОЛК-моделях выступают тригональные призмы (Гэскалл), искаженные тетраэдры, икосаэдры и др. Следует отметить, что после проведения релаксационной процедуры исходные определенные локальные координации атомов значительно искажаются, так что конечная структура мало зависит от типа выбранной в качестве базовой структурной единицы, а также от вида используемого парного потенциала. Все это уменьшает преимущества и предпочтительность ОЛК-моделей по отношению к СПУ-моделям. Кроме того, некоторые исходные предпосылки, заложенные в эту модель (постоянство отношения атомных радиусов металла и металлоида в пределах сплава данной системы), противоречат эксперименту. [c.15]

Управление с помощью базового электрода осуществляют изменением числа зарядов, имеющихся на базе. Когда электроны, вносимые током в базу триода р—п—р типа, сообщают базе вначале отрицательный потенциал по отношению к эмиттеру, поток дырок через эмиттерный переход увеличивает1ся. Одновременно увеличивается и коллекторный ток благодаря возрастанию градиента концентрации носителей в базе. [c.63]

Базовый потенциал (base potential) — потенциал, отнесенный к самому положительному электродному потенциалу ряда напряжений. (См. также отрицательный потенциал, положительный потенциал, потенциал.) [c.18]

Положительный потенциал (positive potential) — потенциал более положительный, чем потенциал стандартного водородного электрода. См. также базовый потенциал, отрицательный потенциал, потенциал. [c.23]

Потенциал (potential) — электрическое состояние тела, вызывающее обмен электронами с другим телом. Разность потенциалов измеряется в вольтах. Электроны движутся от тела с более отри-щательньш потенциалом к телу с более положительным потенциалом. См. также базовый потенциал, отрицательный потенциал и положительный потенциал. [c.23]

Сначала был проведен базовый расчет вязкого ламинарного МГД-течения на основе уравнений Навье-Стокса и эллиптического уравнения для электрического потенциала (уравнения (1.2)-(1.7) и (1.11) при условиях, указанных в таблице как N = 1). Соответствующее распределение линий М = onst, построенных через АМ = 0.1, показано на рис. 2, а. Отметим отсутствие симметрии течения, несмотря на то, что рассматривается случай с изотропной проводимостью. Обсужде- [c.581]

Электростатическ ие призмы, базовой траекторией которых является окружность, могут иметь форму цилиндрических, сферических или тороидальных конденсаторов. Базовая траектория задается эквипотенциальной пО)Верхностью. В случае цилиндрического конденсатора, поперечное сечение которого показано на рис. 162, базовая траектория является окружностью радиуса р. Предположим, что поле лризмы планарно, т. е. ие зависит от координаты, перпендикулярной плоскости рисунка (см. разд. 3.1.1.1). Другое предположение заключается в том, что источник частиц помещен внутри конденсатора, т. е. потенциал на базовой траекторий устанавливается таким образом, что он соответствует начальной скорости частиц. На лрактике источник обычно расположен вне конденсатора и используется только его сектор для отклонения и фокусировки. В этом случае необходимо принимать во внимание контурные поля. [c.592]

В Основных направлениях экономического и социального развития СССР на 1986—1990 годы и на период до 2000 года , принятых на XXVII съезде КПСС, указывается на необходимость интенсивнее использовать созданный производственный и научно-технический потенциал, усилить режим экономии, поднять эффективность использования ресурсов и снизить энерго- и материалоемкость производства за счет внедрения прогрессивных базовых технологий. В области защиты металлов от коррозии одним из кардинальных методов в решении указанных задач является электрохимическая защита. [c.4]

Значение потенциала, равное -0,85 В, выбрано и используется специалистами в качестве базового для сравнения на том основании, что поляризация стальных конструкций до указанного значения (и = -0,85 В) относительно медно-сульфатного (Си/Си304) электрода и его стабильное поддержание на таком уровне обеспечивают полную защиту стали от коррозии. Этот параметр, эмпирически установленный в 1928 г. и подтвержденный в дальнейшем многолетними наблюдениями, в настоящее время является повсеместно принятым критерием катодной защиты стали. [c.101]

Однако использование ископаемого топлива сопровождается большими потерями вследствие невысокого уровня технологий. Кроме того, в настоящее время плотность потока извлечения энергии из ископаемых ресурсов стабилизировалась, тогда как мощности и технологии производства энергии для источника с большей плотностью — ядерной энергии — еще не достигли необходимого уровня, чтобы его можно было считать базовым. Это приводит к необходимости выбора перспектив эазвития либо использовать имеющиеся запасы, что связано с увеличением стоимости добычи, либо развивать потенциал ядерной энергетики, для чего потребуется, по-видимому, гораздо больше инвестиций, поскольку в цену реактора необходимо закладывать и стоимость утилизации и хранения отходов. Третий путь состоит в увеличении роли научных исследований в области нетрадиционной энергетики, включая термоядерную. От принятия соответствующих решений зависит не только долгосрочная перспектива развития, но и ближайшее экономическое состояние России, поскольку в ТЭК производится 40-45% доходной части бюджета (30% объема промышленного производства или 20% ВВП) и обеспечивается 45-50% валютных поступлений. В табл. Е.4-Е.6 приведены основные показатели, характеризующие значение ТЭК в экономике России. [c.233]

Схема инвертора выполняется на основе модели инвертора (п. 5.3, рис. 5.3, а) заменой ключей 81 и 82 транзисторами УТ1ц УТ2, на азы которых (рис. 5.12) поступает сигнал от обмоток обратной связи. Точками отмечены отводы обмоток, имеющие один и тот же знак потенциала. В наиболее широко применяемой модификации рассматриваемой схемы обмотки обратной связи соединяются последовательно, от делителя входного напряжения Н1 —Я2 подается напряжение начального смещения с полярностью, необходимой для замыкания транзисторов. Конденсатор С во время включения инвертора позволяет получить повышенное значение напряжения на резисторе Я1 [по сравнению с установившимся значением и НП Н1 + что обеспечивает более надежный запуск, благодаря возрастанию базовых токов транзисторов. [c.202]

Потенциальность ноля п означает также, что его можно рассматривать как ноле нормалей к семейству поверхностей уровня потенциала/ х, х2, Xs) onst. Так как векторные линии ноля п прямолинейны, то каждая пн-дпвндуальная векторная линия будет нормально пересекать каждую пз поверхностей семейства f xi,x2,xs) = onst. По это может быть только тогда, когда поверхности уровня образуют семейство эквидистантных но отношению к некоторой фиксированной (базовой) поверхности уровня f xi,x2,xs) = с поверхностей. [c.24]

Эта версия EI, предложенная (Whit ombe е выделена в самостоятельный раздел, так как потенциал EI в большей мере, чем усовершен рассмотренные выше. По сути, формализм Е ется от базовых уравнений (6.49) и (6.53) EI т< [c.223]

Наиболее распространён кремниевый МОП-т ранзистор (металл — окисел металла — полупроводник). На подложке 81 р-типа (рис.) окислением создаётся тонкий диэлектрич. слой двуокиси 8102 (толщиной 1000 А) и наносится металлич. электрод (затвор). Под поверхностью диэлектрика в 81 р-типа создаются на нек-ром расстоянии друг от друга две области с электронной проводимостью, к к-рым подводятся Л1еталлич. контакты (исток и сток). Если к затвору приложить положит, потенциал, то все эл-ны под ним в 81 (р) притянутся к тонкому слою диэлектрика, создав там проводящий инверсионный слой п-типа. В результате между стоком и истоком образуется канал, по к-рому течёт ток. Подобная система эквивалентна вакуумному триоду (исток — катод, сток — анод, затвор — сетка). Она может служить также элементом памяти. Для этого диэлектрик делается двухслойным — тонкий слой 8102 и нитрида кремния. Электрич. заряд, введённый в 81, можно (с помощью нек-рых физ. процессов) перевести из 81 в ловушки на границе окисел — нитрид. В этих ловушках заряд сохраняется длительно после снятия напряжения между затвором и подложкой (запоминание). Это состояние можно считывать по изменению свойств приповерхностной области подложки. М— Д — П-с.— один из базовых элементов твердотельной электроники. Они служат также для изучения поверхностных свойств полупроводников (вблизи его границы с диэлектриком). [c.399]

В качестве базового прибора взят хорошо зарекомендовавший себя прибор УКИ-1. Выли проведены некоторые доработки, позволившие ему расширить свои возможности - точно указывать ось, глубину заложения и Замерные координаты дефекта. В соответствии с теоретическими проработками предполагалось находить положение дефекта по кривым изменения градиента потенциала э - кгрического поля как на поверхности, так и по вертиках вблиь рубопровода. Центру дефектного места должен соответствоь 1ть максимум изменения кривых потенциалов. При этом для сигнала используется поле пульсирующей составляющей тока катодной защиты частотой 100 Гц, или поле наложенного тока частотой 1000 Гц от специального генератора, входящего в комплект прибора "Установка для определения 3-мерных координат дефектов изоляционного покрытия". [c.143]

Носители заряда, инжектированные через один нз эмиттерных переходов, например 1, попадают в базовую область 12 и понижают сс потенциал относительно второго эмиттера, что приводит к дополнительной инжекции носителей заряда этим эмиттером. Эти носители заряда, попадая в базовую область р, понижают ее потенциал относительно первого эмиттера и способствуют усиленной инжекции им носителей заряда. Носители заряда при заполиеиии базовых областей уменьшают потенциальный барьер на среднем /з-п-переходе, в результате частично возрастают наиряжения на эмиттерах. Таким образом, если коэффициенты усиления составных триодов достаточно велики, чтобы приращение тока одного из эмиттеров способствовало дальнейшему росту тока через этот эмиттер, структура переходит в проводящее состояние. На вольт-амперной характеристике появляется участок отрицательного сопротивления. [c.95]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...