Триод вакуумный

Устройство вакуумного триода показано на рисунке 173, его условное обозначение на схемах — на рисунке 174. [c.174]

Порог срабатывания схемы вакуумной защиты можно регулировать с помощью переменного сопротивления Ri5, включенного в цепь сетки левого триода лампы Л з. Ось этого потенциометра выведена под шлиц на переднюю панель блока и снабжена надписью Защита. Схема защиты срабатывает на любом поддиапазоне измерения вакуума, если давление превышает в два-три раза предельное значение для данного поддиапазона, [c.191]

В промышленных установках применяют трехэлектродные вакуумные генераторные лампы, называемые триодами. Триод [c.123]

Элементов памяти есть очень много. В качестве элемента памяти Б кибернетических системах широко применяется устройство, называемое триггером. Характерной особенностью триггера является наличие двух устойчивых состояний. Схема триггера, выполненного на вакуумных триодах, показана на рис. 235, II. В этой схеме сетка каждой лампы соединена через сопротивление с анодом другой лампы. [c.460]

Устройства, выполненные на базе полупроводниковых приборов, имеют высокий к. п. д., так как потери энергии в них незначительны. Однако у них есть и недостатки параметры и характеристики отдельных экземпляров одного и того же типа отличаются друг от друга свойства приборов зависят от температуры и изменяются с течением времени большинство триодов непригодно для работы на частотах выше нескольких десятков мегагерц входное сопротивление полупроводниковых триодов значительно меньше, чем у вакуумных. И все же использование полупроводниковых приборов дает огромную экономию в расходовании электроэнергии для источников питания п позволяет в значительной степени уменьшить размеры аппаратуры. [c.41]

Вакуумные манометры для измерения очень низких давлений, включая ионизационные манометры, в которых используются термоионные вакуумные трубки (триоды). В них положительные ионы, возникающие при столкновении электронов с молекулами остаточного газа, притягиваются к отрицательному электроду. Термоионные вакуумные трубки (триоды), представленные отдельно, исключаются (8540). [c.149]

В состав промел уточного преобразователя импульсов могут входить самые разнообразные элементы автоматики и в первую очередь электронные лампы (вакуумные и газонаполненные), полупроводниковые диоды и триоды, электромагнитные реле и т. д. В настоящее время уже существует ряд типовых схем автоматики, решающих задачи преобразования измерительного импульса. Их строят на базе соответствующих элементарных запоминающих ячеек по заданным техническим условиям на контроль, включающим тип контрольной операции, число сортировочных групп, допустимую предельную погрешность контроля, способ восприятия контролируемого параметра (тип датчика) и др. [c.452]

Конструкция тиратрона. Тиратрон отличается от газотрона наличием третьего электрода сетки, которая служит для управления зажиганием разряда. Сетка тиратрона отличается от сетки вакуумного триода. Она имеет относительно большие отверстия или только одно отверстие. Для усиления экранирования анода применяют две-три сетки, расположенные друг над другом. Сетки тиратрона соединены с цилиндром, охватывающим катод и анод. Этим ограничивается объем, занятый плазмой во время разряда и исключается возможность перехода электронов от катода к аноду помимо сетки. [c.110]

В схемах для усиления электрических сигналов триод всегда включается таким образом, что образуется две цепи. Входная, или управляющая (цепь базы), цепь аналогична сеточной цепи вакуумного триода. Выходная, или управляемая (цепь коллектора), цепь подобна анодной цепи электронной лампы. [c.134]

Большим недостатком вакуумных триодов является их крайне низкий к. п. д. В условиях массового распространения электронной аппаратуры непроизводительные затраты в ней электроэнергии приобретают большое народнохозяйственное значение. В табл. 3 привезены некоторые параметры полупроводниковых и вакуумных триодов. [c.151]

Усилители на вакуумных электронных лампах (триоды, пентоды), на газонаполненных лампах — тиратронах, а также на полупроводниковых триодах получили широкое распространение. Усилители на вакуумных электронных лампах реагируют на напряжение, а усилители на полупроводниковых триодах — на электрический ток. Поэтому необходимо соблюдать определенные требования к согласованию цепи датчика с усилителем. [c.302]

На высокочастотной границе полосы пропускания наблюдается некоторое ухудшение параметров из-за наведенного сеточного шума в триодах или наведенного шума затвора в ПТ, так как наведенный шум изменяется пропорционально квадрату частоты. Создается впечатление, что не так-то просто обеспечить дальнейшее улучшение параметров вакуумных триодов с высокой крутизной gm в то жб время положение с ПТ более обнадеживающее, так как можно использовать полевые 66 [c.66]

Если предварительный усилитель имеет первый каскад на вакуумном триоде или полевом транзисторе, необходимо учитывать обратную связь через емкость меж- [c.73]

Эквивалентные схемы полевого транзистора приведены на рис. 5.8. На рис. 5.8,а принято, что ток ig втекает в затвор, а id вытекает из стока. На рис. 5.8,6 ток id замещен э. д. с. е = —/ /Ут, включенной последовательно с затвором. Эквивалентные схемы получены в предположении, что емкость dg обратной связи нейтрализована. В этом случае оба варианта эквивалентной схемы аналогичны тем, которые получаются для вакуумного триода при нейтрализации емкости ag (рис. 6.7,в и г). [c.102]

Б. Дробовой шум в вакуумных триодах 10] [c.128]

Точно таким же способом, каким рассмотрен шум, возникающий в вакуумных диодах с током, ограниченным пространственным зарядом, можно рассмотреть шум в вакуумных триодах. Рассуждают следующим образом. Пренебрегая влиянием неоднородности поля, создаваемой за счет витков сетки (рис. 6.6,а), заменяют сетку эквивалентным прозрачным для электронов электродом с потенциалом Уг (рис. 6.6,6). Теперь триод раз- [c.128]

Рис. 6.6. Электрическое поле в вакуумном триоде

Рис. 6.7. Эквивалентные схемы вакуумного триода с учетом

КОЭФФИЦИЕНТ ШУМА УСИЛИТЕЛЕН НА ВАКУУМНЫХ ТРИОДАХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ [c.150]

F4 — изучение макромодели вакуумного триода [c.344]

Триод. Потоком электронов, движущихся в электронной лампе от катода к аноду, можно управлять с помощью электрических и магнитных полей. Простейшим электровакуумным прибором, в котором осуществляется управление потоком электронов с помощью электрического поля, является триод. Баллон, анод и катод вакуумного триода имеют такую же конструкцию, как и у диода, однако на пути электронов от катода к аноду в триоде располагается третий электрод, иазы1 1емы 1 ссгкои. Обычно сет- [c.173]

Германий как полупроводник играет важную роль в полупроводниковой электронике. В этой области инфоко используют германий для изготовления кристаллических выпрямителей (диодов) и кристаллических усилителей (триодов или транзисторов]. Кристаллические выпрямители и усилители обладают рядом преимуществ перед электронными лампами потребляемая ими мощность значительно ниже, чем у вакуумных ламп, а poir их службы длительнее они отличаются большей механической устойчивостью по отношению к вибрациям и ударам, чем электронные лампы, и имеют по сравнению с ними значительно меньшие размеры. Это делает особенно перспективным их применение в сложных счетных машинах, телемеханике, радарных установках и т. п. [c.531]

Действие механотроиных тензометров основано на использовании эффекта изменения внутреннего сопротивления вакуумной электронной или газонаполненной лампы при изменении под действием деформации расстояния между электродами. Для повышения чувствительности преобразования используют триоды. С целью линеаризации характеристики механотронного тензометра используют диод с двумя подвижными анодами (рис. 39), которые легко включаются в дифференциальную схему. [c.396]

В микросхемах, изготавливаемых по тонко- и толстопленочной технологии, используются также навесные бескорпусные и корпусные активные элементы диоды, триоды, диодные сборки, схемы памяти и т. п,, а также малогабаритные керамические конденсаторы, светодиоды и т. д. Подобные схемы получили название микросборок. Применение активных навесных элементов обусловливается конструктивными, технологическими и эксплуатационными требованиями, а также значительными технологическими трудностями в получении стабильных пленочных активных элементов методами тонкопленочной технологии. Это объясняется тем, что при вакуумном или химическом осаждении получаются, как правило, поликрнсталли-ческие пленки с очень развитой поверхностью, способствующей различным обменным реакциям с окружающей средой и миграции адсорбированных атомов. Скорость перемещения атомов по поверхности и по межкристаллическим прослойкам на несколько порядков выше, чем в объеме твердого тела. В результате, пленочные активные элементы, изготовляемые по тонкопленочной технологии на аморфных или поликристаллических подложках, имеют принципиально низкую надежность и не представляют практического интереса, так как их применение не только не приводит к улучшению конструктивных, эксплуатационных или экономических характеристик тонко-и толстопленочных микросхем, но и значительно их ухудшает. [c.412]

Преобразователи механотронные работают на принципе изменения характеристик электронных и ионных ламп при взаимном перемещении их электродов [21 ]. Механотроны изготовляются на основе диодов, триодов и тетродов с подвижными анодами, катодами или сетками. Наибольшее распространение получили преобразователи, выполненные в виде сдвоенного диода (рис. 11.6). Механотрон содержит вакуумный корпус-баллон аноды 2 и 6, которые закреплены в изоляторе, и накален- [c.311]

Наряду с вакуумными известны преобразователи твердотельного типа — полупроводниковые диоды и триоды (транзисторы), в которых ВАХ является функцией механического напряжения, приложенного к активной области кристалла р—п-переходу, каналу [3]. Практически все известные типы полупроводниковых приборов могут использоваться в этих целях. Эффект здесь достигается за счет того, что при изменении размеров активной области изменяются коицеитрация и подвижность носителей заряда, а в полевом транзисторе с изолированным затвором возникает еще и пьезоэлектрическая поляризация в изолирующем слое. Полупроводниковые МЭП этого типа имеют значительно меньший механический импеданс, чем механотрон, и могут измерять малые силы, поскольку их чувствительность высока однако [c.204]

Схема вакуумной защиты собрана на лампе Лз (6Н6П). Схема представляет собой триггер с двумя устойчивыми состояниями. В анодную цепь левого триода лампы в качестве анодной нагрузки вклю- [c.190]

Одна из главных тенденций развития современной радиоэлектроники — ловышение частоты ( вечная тенденция) и увеличение мощности различных устройств. С электронными лампами для низких частот читатель так или иначе знаком (хотя бы на уровне школьного курса физики). Что изменяется в них с переходом, скажем, на сверхвысокие частоты (0,3-3 ООО ГШ) Давайте с4юрмудируем, какими свойствами обладают низкочастотные лампы (например, вакуумный триод-аудион, как назвал лампу ее изобретатель — американский физик Ли де Форест), потом проследим, выполняются ли эти свойства на сверхвысоких частотах (СВЧ) [16]. Итак, для низкочастотных ламп справедливо следующее. [c.65]

Германий, как полупроводник, играет важную роль в полу--проводниковой электронике. В этой области германий применяют для изготовления кристаллических выпрямителей (диодов) и кристаллических усилителей (триодов). Кристаллические выпрямители и усилители обладают рядом преимуществ перед электронными лампами потребляемая ими мощность значительно ниже, чем у вакуумных ламп, а срок службы длительнее они отличаются большей механической устойчивостью по отношению к вибрациям и ударам, чем электронные лампы, и имеют по сравнению с ними значительно меньшие размеры. Из-за отсутствия расхода энергии на накал эмитера (что имеет место в ламповом усилителе) коэффициент полезного действия кристаллических усилителей достигает 40—50%. Все эти преимущества делают особенно перспективным применение кристаллических выпрямителей и усилителей в сложных счетных машинах, телемеханике, радарных установках. [c.379]

Высокочастотный КС-генератор собран на двойном триоде Л, (6Н2П) и грубо настраивается на частоту 1600 гц изменением параметров фазирующей цепи. Точная настройка осуществляется регулировкой степени отрицательной обратной связи, которая введена в схему генератора для повышения устойчивости частоты. В этой цепи применен нелинейный элемент — вакуумный термистор (ТП-6/2), который обеспечивает стабилизацию амплитуды колебаний. Регулировка частоты производится сопротивлениями и Генерируемые колебания усиливаются усилительным каскадом на лучевом тетроде Л (6П1П). Стабилизация режима выходного усилителя осуществляется при помощи опорного полупроводникового диода Д-810. Выходное напряжение регулируется сопротивлением Усиленные колебания через выходной трансформатор питают мостовые схемы включения датчиков. Нестабильность генератора по частоте н амплитуде генерируемых колебаний не превышает 1 %. [c.58]

Различают СВЧ э. п. большой мощности (Р > 1 нет), средней (Р < 1 кет) и малой Р <0,1 вт). По.туче-ние значит, мощностей в СВЧ диапазоне пока воа-MOHIHO только с помощью электровакуумных приборов. В длинноволновой части этого диапазона применяются электронные лампы в сочетании с объемными резонаторами (обычно коаксиального тина). Вакуумные диоды СВЧ работают до частот 2—5 Гец, как детекторы уровня мощности, смесители и умножители частоты (см, У.множение частоты). Триоды нрактически работают до этих же частот. Особенность диодов и триодов СВЧ — малое расстояние между катодом и анодом, что нозволяет получить время пролета электроиа между электродами лампы т р < Т. [c.496]

Сравнение полупроводниковых и вакуумных триодов. По сравнению с вакуумными полупроводниковые триоды имеют ряд существенных преим>тдеств. Главное достоинство полуироводниковых триодов— их высокая экономичность, малые габариты, высокая механическая прочность, большой срок службы (несколько десятков тысяч часов). Существенным недостатком полупроводниковых триодов является а) малый частотный диапазон б) низкая рабочая температура в) малая выходная мощность г) зависимость параметров триода от рабочей температуры. [c.151]

Такие приборы, как транзистор, полевой транзистор или вакуумный триод являются трехполюсными. Полюсами являются база, эмиттер и коллектор для транзистора, затвор, исток и сток для полевого транзистора и сетка, катод и анод для вакуумного триода. Если эти приборы используются в активных цепях с двумя входами, то вход и выход таких схем должны иметь один общий полюс. По этой причине говорят о схемах с общим эмиттером, общим истоком или общим катодом общей базой, общим затвором или общей сеткой общим коллектором, общим стоком или общим анодом. Более распространенными для последних трех схем являются названия эмиттерный, истоковый и катодный повторители. [c.36]

Полевые тетроды представляют значительный интерес для усилителей высокой частоты, поскольку отпадает необходимость в нейтрализации. Поэтому следует дать точное выражение для их коэффициента шума. Соответствующее рассмотрение справедливо также для каскодных схем на полевых транзисторах и вакуумных триодах. Проблема состоит в том, чтобы выяснить, сколь значителен вклад второй половины полевого тетрода в коэффициент щума прибора. В качестве характеристик этого вклада введем второе эквивалентное шумовое сопротивление. [c.160]

Теория, развитая для полевого транзистора при включении его с общим истоком, остается справедливой и для вакуумного триода, включенного по схеме с общим катодом, при условии нейтрализации емкости анод — сетка. Используя обозначения, введенные в п. Б 6.2, имеем для наведенного шума сетки i g = i — а (причем следовало бы ожидать полной корреляции этого тока с 1а) и для электронного адмиттанса Yge=Y m —Ута- Оказывается, существует также некоррелированная компонента i"g наведенного тока сетки, порождаемая неоднородностью электронного потока, обусловленной проводами сетки. Наконец, необходимо помнить, что в полевом транзисторе ток стока 1(1 вытекает из стока, тогда как в вакуумном триоде анодный ток 1 втекает в анод. По аналогии с (7.13) положим [c.165]

Чтобы продемонстрировать законность методов усреднения, используемых в теории смесителей для случая белого шума, рассмотрим вакуумный триод 1[И7]. Пусть d/o — ток эмиссии, обусловленный электронами, эмиттированными с энергией между Vo и Vo-hdVo эв. Предположим, что в момент т ток dio претерпевает небольшое флук-туационное изменение б/о длительностью Дт, которое имеет белый спектр. Тогда соответствующая флуктуация 6/ анодного тока равна [c.218]

Вольт-амперные характеристики (ВАХ) транзистора близки к характеристикам правого вакуумного триода. Отличаются они значительно большей крутизной (до Нескольких ампер на вольт). Кроме того, при обрэтном напряжении на коллекторе,транзистор не запирается подобно лампе, а наоборот — возникает ток коллектора противоположного направления при этом возрастает и ток базы. [c.126]

Наиболее распространён кремниевый МОП-т ранзистор (металл — окисел металла — полупроводник). На подложке 81 р-типа (рис.) окислением создаётся тонкий диэлектрич. слой двуокиси 8102 (толщиной 1000 А) и наносится металлич. электрод (затвор). Под поверхностью диэлектрика в 81 р-типа создаются на нек-ром расстоянии друг от друга две области с электронной проводимостью, к к-рым подводятся Л1еталлич. контакты (исток и сток). Если к затвору приложить положит, потенциал, то все эл-ны под ним в 81 (р) притянутся к тонкому слою диэлектрика, создав там проводящий инверсионный слой п-типа. В результате между стоком и истоком образуется канал, по к-рому течёт ток. Подобная система эквивалентна вакуумному триоду (исток — катод, сток — анод, затвор — сетка). Она может служить также элементом памяти. Для этого диэлектрик делается двухслойным — тонкий слой 8102 и нитрида кремния. Электрич. заряд, введённый в 81, можно (с помощью нек-рых физ. процессов) перевести из 81 в ловушки на границе окисел — нитрид. В этих ловушках заряд сохраняется длительно после снятия напряжения между затвором и подложкой (запоминание). Это состояние можно считывать по изменению свойств приповерхностной области подложки. М— Д — П-с.— один из базовых элементов твердотельной электроники. Они служат также для изучения поверхностных свойств полупроводников (вблизи его границы с диэлектриком). [c.399]

II эл.-магн. полей вместо вакуумных ких методов исследования спектров регулирования (самонастройка часто-диодов, триодов и т. п. в коротко- веществ в радиодиапазоне, позволя- ты, слежение за целью и т. д.). Р. волновых диапазонах появились такие ющих обнаружить присутствие ни- связана также с электронно-вычислит. приборы, как клистрон, магнетрон, чтожных долей примесей (см. Ядерный техникой, т. к. последняя включает лампа бегущей волны, лампа обратной магнитный резонанс, Электронный па- электронные устройства, осуществля-волны и др. рамагнитный резонанс и др.). Радио- юпцге обработку информации ( очи- [c.612]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...