Расслоение электронная

Сканирующая электронная микроскопия позволяет получить очень полезную информацию для идентификации видов разрушения, из которых состоит процесс расслоения. На рис. 3.8, с и б показаны типичные картины поверхностей разрушения посредством расслоения, полученные методом сканирующей электронной микроскопии. [c.143]

В затвердевших сплавах могут происходить магнитные превращения, которые связаны с изменением размещения электронов в атомах, но не сопровождаются изменениями кристаллической решетки. Например, а-железо при 768° переходит в немагнитное состояние. Наконец, во всех выше рассмотренных диаграммах жидкие сплавы показаны для случая полной растворимости. Между тем, как уже указывалось, есть металлы, например свинец и медь, которые обладают лишь частичной взаимной растворимостью в жидком состоянии, увеличивающейся при повышении температуры. В отдельных редких случаях, например в сплавах железо—свинец, наблюдается практически полная нерастворимость. В сплавах как с ограниченной, так и с полной нерастворимостью в жидком состоянии в условиях медленного охлаждения наблюдается расслоение жидких металлов более тяжелый металл опускается вниз, а более легкий располагается сверху. Поэтому во избежание такого расслоения и ликвации свинцовистые бронзы подвергают после заливки быстрому охлаждению, чтобы по- [c.62]

Слюдяные радиодетали, применяемые для изоляции и крепления внутренней арматуры электронных ламп, изготовляются из мусковита, так как здесь требуются повышенные упругость и механическая прочность, а также возможно легкое и полное удаление влаги и газов последнему требованию также лучше удовлетворяет мусковит. Штампованные радиодетали из слюды должны иметь возможно меньше трещин и расслоений, причем только малых размеров. К радиодеталям предъявляются также жесткие требования по допускам на размеры. [c.218]

Слюда для электронных приборов штампуется из мусковита она применяется для держателей электродов внутри электронных ламп и разных приборов. К этой слюде предъявляются требования минимального газовыделения при повышенной температуре в вакууме и минимального расслоения (при штамповании). [c.219]

Нелинейные явления в ЛБВ типа О. Увеличение амплитуды усиливаемой волны при её распространении вдоль замедляющей системы приводит к значит, возмущениям в движении электронов, сильной модулжщи электронного пучка, в результате чего возникает ряд нелинейных явлений у.меньшение ср. скорости электронов обгон одних электронов другими, деформация сгустков и движение относительно поля синхронной волны появление высших гармоник конвекционного тока и поля пространственного заряда на частотах 2 м, 3(0,. . возбуждение поля замедленной эл.-магн. волны на этих гармониках расслоение электронного пучка в результате неравномерной модуляции пучка по сечению, вызванной неравномерным распределением напряжённости ноля замедленной волны и поля пространственного заряда по сечению остановка и поворот электронов поперечные движения электронов под действием СВЧ-нолей замедляющей системы и поля пространственного заряда. Наиб, важны первые три явления, принципиально связанные с механизмом группировки и существенные уже при умеренных мощностях и небольших кпд. При усилении на нач. участке ламны электроны сгущаются в тормозящей фазе поля (рис. 2). Дальнейшая эволюция пучка определяется отставанием сгустка от волны и нелинейностью модуляции, приводящей к распаду сгустка. Если различие нач. скорости электронов Vf и фазовой скорости волны Уф невелико и соответствует центру зоны усиления (рис. 3), то образуется сгусток из электронов с примерно одныако- [c.569]

В открытых системах условия такого (детальногр) равновесия выполняются лишь при большой плотности частиц, так как в плотной плазме ионизация и рекомбинация всегда идут по одному пути. С уменьшением давления падает вероятность соударений между частицами и электроны практически свободно уходят на стенки сосуда, не успевая перелазь ионам и нейтральным атомам энергию, полученную ими от внешнего источника. Это приводит к температурному расслоению плазмы. Ее состояние в этом случав характеризуется [c.392]

Исследование методами световой и растровой электронной микроскопии износа пары никель — никелевый сплав при трении без смазки позволило выяснить, что в начальный период износ является абразивным, обусловленным шероховатостью поверхностей. При этом происходит схватывание со сдвиговым разрушением и переносом сплава на поверхность никеля. При дальнейшем испытании непрерывное схваты вание и птпел ние епут к расслоению метал- [c.17]

Однородное состояние П. т. т. на падающих участках неустойчиво относительно роста флуктуаций, приводя-1ЦИХ в конечном счёте к неоднородной структуре. При ВАХ А-типа нарастание флуктуаций приводит к расслоению плазмы с образованием областей (доменов) сильного электрич. поля на фоне слабого поля в остальной части образца. Эти домены могут быть как локализованными около катода или анода (или у неоднородностей образца), так и движущимися (от катода к аноду в случае электронной плазмы) со скоростью порядка дрейфовой скорости электронов в электрич. поле домена. Зарождение движущегося домена на катоде и гибель его на аноде приводят к осцилляциям напряжения на образце Ганна эффект). [c.604]

В любом сечении длинного однородного положит, столба ионизация компенсирует гибель электронов за счёт рекомбинации, амбиполярной диффузии к стенкам, прилипания (к-рое может частично компенсироваться отлипанием). Этим определяется зависимость поля в столбе от плотности зарядов в плазме (эквивалент ВАХ столба). При сильном нагреве газа ВАХ — падающая. В тлеющем разряде возникают разл. неустойчивости. Наиб, распространена иони-зационно-перегревная, связанная с увеличением частоты ионизации при тепловом расширении газа, вызванном случайным локальным перегревом. Рост v ведёт к увеличению и, дополнит, тепловьщелению и дальнейшему росту Т. Эта неустойчивость вызывает контракцию газового разряда— стягивание разряда в токовый шнур. Др. неустойчивости приводят к возникновению страт—расслоению положит, столба вдоль тока на сильно и слабо ионизованные участки. Чаще всего страты бегут от анода к катоду и глазом не видны (см. также Низкотемпературная плазма). [c.512]

Обычно считают, что при фазовом расслоении действуют два механизма спинодальный распад и зарождение и рост зародышей. Однако Чоу и Тэрнбалл на основании проверки соотношения Порода методом малоуглового рентгеновского рассеяния -и анализа временных колебаний электронной плотности полагают, что разделение фаз происходит только путем спинодального распада. На рис. 3.52 показаны зависимости параметра Порода iQ3/ (Q) и колебаний электронной плотности от времени отжига аморфного сплава Pd74Au8Sii8 при 392°С, полученные Чоу и Тернбаллом [c.102]

Особенности конструкций штампов. В приборостроении, в электронной и электровакуумной промышленности из слюды вырубают плоские слюдяные пластины (рис. 11) с достаточно точными размерами отверстий и рас-стояними между их осями, достигающими 9 квалитета (сколы и расслоения не допускаются). [c.325]

Расслоение, представленное на рисунках, обусловлено главным обра зом нормальным (а , а) и межслой ным касательным напряжениями (б). Расщепление матрицы и отсутствие разрывов на рис. 3.8, а свидетельствуют, что расслоение вызвано в основном а . Некоторое количество разрывов волокон, по--видимому, происходит при разделении поверхностей. Обширные разрывы и перья (ha kles) обусловлены в основном действием межслой-ного касательного напряжения. На поверхности разрушения от касательных напряжений наблюдаются, очень малочисленные разрывы волокон. Выводы относительно вида разрушения, сделанные на основании сканирующей электронной микроскопии, согласуются, как будет показано ниже, с аналитическими результатами. [c.144]

Рис. 3.8. Микрофотографии поверхности разрушения расслоением, полученные с помощью сканирующего электронного микроскопа. Образец графито-эпоксидного слоистого композита Т300/1034С, нагруженный сжатием, а — срединная плоскость, схема армирования (02/902/ 452) б — поверхность раздела слоев -И 30°/-30° для схемы армирования (90у 304.

Экспериментальные результаты исследований процессов резки и сверления различных материалов с помощью ЛПМ Карелия стимулировали создание первой отечественной лабораторной технологической установки АЛТУ Каравелла , предназначенной для прецизионной обработки тонколистовых (до 1 мм) материалов изделий электронной техники. Средняя мощность излучения АЛТУ Каравелла в пучке дифракционного качества составляет не менее 20 Вт при ЧПИ 10 кГц. Многолетняя эксплуатация АЛТУ Каравелла убедительно показала, что импульсным излучением ЛПМ можно эффективно производить прецизионную обработку целого ряда материалов тугоплавких металлов (Мо, W, Та и т.д.), металлов с высокой теплопроводностью (Си, А1, Ag, Au и др.) и их сплавов, полупроводников (Si, Ge, GaAs, Si и др.), керметов, графита, естественных и искусственных алмазов, прозрачных материалов (стекло, кварц, сапфир) и др. Прецизионная обработка излучением ЛПМ имеет следующие преимущества высокую производительность изготовления деталей по сравнению с традиционными методами обработки (включая и электроискровой способ), прогнозируемое и контролируемое удаление обрабатываемого материала микропорциями, малую зону термического влияния, отсутствие расслоения материала, возможность обработки сложных поверхностей и под разными углами. Излучением ЛПМ эффективно производятся следующие технологические операции прямая прошивка отверстий диаметром 3-100 мкм, прецизионная контурная резка, скрайбирование. [c.285]

Увеличение чувствительности рентгенографического способа контроля может быть достигнуто при использовании в качестве приемников излучения сцинтилляци-онных счетчиков [28]. Попадание рентгеновского излучения на активное вещество этих счетчиков приводит к появлению вспышек видимого или ультрафиолетового света. Использование вместе со сцинтилляционными Счетчиками фотоэлектронных умножителей сделало возможным преобразовывать информацию рентгеновского излучения о структуре материала в электрические сигналы. После усиления эти сигналы можно записать на электронном потенциометре, получив таким образом видимое изображение дефектов изделия. Этот метод позволяет выявлять дефекты типа расслоений и трещин с малым раскрытием, расположенных перпендикулярно направлению просвечивания. [c.570]

Ввиду коллективизации валентных электронов, энергии связи, а следовательно, и параметры критических точек у металлов являются чрезвычайно высокими. Критические температуры металлов во многих случаях оказываются сравнимыми с их потенциалами ионизации, которые в плазме значительно понижены вследствие сильного взаимодействия зарядов между собой и нейтральными частицами. По этой причине пары металлов с параметрами, соответствующими правой ветви бинодали, находятся в термически ионизованном состоянии. Иными словами, высокотемпературное испарение металлов соответствует переходу непосредственно в сильнонеидеальное плазменное состояние, минуя область ионизованного газа. Это обстоятельство может отразиться на кинетике высокотемпературных фазовых переходов [56],.а также резко исказить привычный вид фазовой диаграммы вещества, приводя к появлению дополнительных областей фазового расслоения и новых экзотических фазовых переходов. [c.361]

В результате учета наличия в сеченИи образца слабодеформированных зерен большие эффекты экструзии — интрузии (ЭИ) наблюдаются в приграничных зонах активных зерен и в полосах усталости, т. е. в областях сильной локализации деформации (рис. 2.12). Подробное изучение структуры зон ЭИ методом растровой электронной микроскопии показало, что материал в них расслаивается на ламели, которые квазивязко смещаются относительно друг друга. Аномально высокая дефектность этих областей и характер их структуры позволяют наряду с известными предложить гипотезу о механизме ЭИ, основанную на представлении о сильновозбужденных состояниях в кристаллах [1, 2]. Согласно [1] кристалл в случае сильных искажений решетки может перейти в двухфазное состояние. В нем возникают области с аномально высокой концентрацией дефектов структуры — атом-вакансионные состояния, которые чередуются с областями малоискаженной кристаллической фазы. Наличие этих состояний обусловливает вязкое течение, расслоение кристалла и пр. О том, что материал в областях, охваченных экструзией, находится в сильно-возбужденном состоянии, свидетельствует рис. 2.13, полученный методом реплик. [c.54]

Кроме того, по изменению физических свойств можно фиксировать внутрифазовые превращения (концентрационное расслоение, упорядочение, магнитное превращение), поскольку эти свойства изменяются при перераспределении атомов и электронов внутри фаз. [c.116]

В открытой (неизолированной) системе условие детального равновесия выполняется лишь при большой плотности плазмы, так как в плотной плазме ионизация и рекомбинация идут всегда по одному пути. С уменьшением давления падает вероятность тройных соударений, уменьшается оптическая толщина слоя. Это приводит к температурному расслоению плазмы. В таких условиях состояние плазмы характеризуется двумя температурами электронной и ионной T (так как массы нейтральных атомов и ионов близки, принимасюя, что T = Та). [c.422]

Расслоения и расколы в графитовом кристалле возможны также и по базисным плоскостям. В связи с этим, кроме упомянутого выше двойникования по плоскости (1121) или (4483), у натуральных графитов наблюдаются двойники типа срастания, ось которого параллельна оси с графитовой решетки, а угол двойникования составляет около 30°. Факт существования двойниковых кристаллов графита подтвержден в [5-15, 5-16] совпадением углов между рефлексами на монохроматических лауэграммах и электронно-микроскопических снимках графитового монокристалла. [c.104]

Как показали наблюдения в сканирующем электронном микроскопе, в результате одноосного сжатия в вы-сокотемиературном пироуглсродс возникают полосы деформации (рис. 14-23). Они располагаются под углом 45 10° относительно плоскости осаждения и имеют многочисленные расслоения по плоскости базиса. Электрон- [c.283]

В гл, 3, 1 и 4, мы рассмотрели вопрос о расслоении в жидкой фазе, а также термохимическую информацию, свидетельствующую о том, что рассматриваемый сплав представляет собой смесь ИгТе + Т при х>2/3. Электрические свойства Т1 с не-больщими добавками Те указывают на то, что при низких концентрациях Те химически взаимодействует с Т1. Поведение а (х) при д 1 может быть проанализировано с использованием сечения рассеяния Лг атомов Те (п. 5) результат сильно зависит от того, предполагается ли, что электронная плотность остается постоянной, или же, что она уменьщается при химической реакции между Т1 и Те. В первом случае получаем Лг 200 А , т. е. значение, завышенное на порядок величины. Поэтому в действительности электроны устраняются захватом (возможно, в виде образования ионов Те -) или образованием молекул ТЬТе. [c.138]

Хотя энтропии образования металлических сплавов обычно определяются с невысокой точностью, именно энтропия является наиболее чувствительным параметром к изменению атомной или электронной структуры сплава. Любые уклонения от беспорядочного распределения атомов, т. е. наличие ближнего или дальнего порядка типа упорядочения или расслоения, может лишь понижать идеальную энтропию смешения. В то же время для многих сплавов переходных металлов энтропии смешения гораздо больше идеальных, что свидетельствует о наличии неконфигурационных вкладов в энтропию — колебательного, электронного и магнитного, которые поддаются полуколичественной оценке, если известно изменение характеристической температуры бр, коэффициента электронной теплоемкости у и средних атомных магнитных моментов Цэф при образовании сплава [c.153]

При контроле рельсов по схеме рис. 3-113,а на экране электронно-лучевой трубки дефектоскопа получаются 0 бычные три имяульса начальный, донный сигнал и импульс, отраженный от дефекта. Если щуп находится над центром болтового отверстия или над трещиной, ТС) на экране всегда будет отраженный импульс от отверстия. Иногда при прозвучивании наблюдается исчезновение донного сигнала на определенном участке рельса, что свидетельствует об отражении луча в сторону от в ] )тикального направления или о повыщен-НО М его затухании. Первое происходит от косых трещин, второе — при наличии вертикального расслоения в рельсе. [c.183]

Существуют прямые и косвенные методы определения адгезионной прочности. В первом случае об адгезионной прочности судят по усилию, под действием которого в адгезионном слое возникают нормальные или касательные напрянсенпя, вызывающие разрушение соединения, во втором — но косвенным характеристикам скорости и интенсивности эмиссии электронов, значению разрядного потенциала, характеру и активности поверхности, образующейся в результате расслоения адгезива и субстрата, и др. [c.96]

Для таких материалов очень важным является процесс микрофазо-вого расслоения, связанный с существенно различной поверхностной энергией кремнийорганических цепочек (21 дин/см) и изоциануратных узлов (35 дин/см). Процесс микрофазового расслоения был подтвержден методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, электронной микроскопии и динамического механического анализа. [c.286]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...