Дислокация вершинная Винтовая

Вследствие смещения одной части атомных рядов кристалла по отношению к другой под влиянием сдвиговых напряжений т в кристалле у вершины смещения образуется винтовая дислокация (рис. 12.36). [c.471]

В работе [327] отмечало сь, что рост нитевидных кристаллов из газовой фазы подчиняется тем же закономерностям, что и рост монокристаллов из пересыщенного пара. Для описания роста усов существует модель Сирса, в которой рассматривается процесс соударения атомов из пересыщенной газовой фазы с боковой поверхностью кристалла, физическая адсорбция, поверхностная диффузия этих атомов к вершине нитевидного кристалла и десорбция тех атомов, которые за время жизни т в адсорбированном состоянии не достигли вершины кристалла [348], Атомы, достигающие вершины, встраиваются в решетку, например, на ступеньке аксиальной винтовой дислокации. [c.353]

Отклонение от линейности на стадии затухания обусловлено началом процесса утолщения нитевидных кристаллов. Остановка аксиального роста усов может быть связана с выходом винтовой дислокации из кристалла, выходом вершины растущего уса из зоны оптимального пересыщения, отравлением вершины примесью и интенсивным процессом утолщения нитевидного кристалла. На третьей стадии скорость роста усов непрерывно снижается (от 10 до 100 раз) по сравнению со скоростью линейной стадии за счет возрастания радиуса кристалла. [c.355]

В модели, представляющей этот вид разрушения, продвижение поверхностей перед вершиной трещины показано на рис. 55, а. Оно происходит путем перемещения винтовых дислокаций в направлении Х по плоскости, расположенной под углом 45° к поверхности полосы. Каждая винтовая дислокация MN [c.110]

Очевидно, что движение дислокаций с к вершине трещины и отталкивание противоположных концов петель дислокаций с от вершины требует затраты некоторой части общей энергии разрушения (Фридель обозначает эту часть как уО- Помимо этого, дополнительная энергия у/ должна быть израсходована на продвижение трещины мимо притягивающих участков петель дислокаций. Если трещина пересекает винтовые компоненты [c.177]

Yg — энергия, затрачиваемая на движение дислокаций к вершине трещины и на отталкивание противоположных концов петель от вершины Т/г — энергия для продвижения трещины в направлении участков петель дислокаций, испытывающих притяжение к вершине — энергия образования ступенек на поверхности трещины при пересечении с винтовыми компонентами дислокаций Tgb — энергия, идущая на разрывы и искажения в области границы зерна при пересечении ее трещиной. Тогда критерий Гриффитса для разрушения примет вид [c.75]

В зависимости от состава, чистоты расплава и скорости теплоотвода рост столбчатых кристаллов происходит по механизмам, описанным выше для моно- и поликристаллов. Предпочтительно следует выделить дислокационный механизм. По Франку, на границе раздела фаз на поверхности граней возникают вакансионные диски, а при их захлопывании образуются петли винтовых дислокаций, вершины которых неустойчивы. Вследствие упругого взаимодействия между дислокациями они переползают, стремясь образовать параллельные ряды. В процессе образования рядов дислокаций, как считает Тиллер, свободная энергия понижается, что и способствует росту столбчатых кристаллов. [c.80]

Характерная кинетическая кривая роста усов сапфира при 1350° С приведена на рис. 156. Можно выделить три стадии начальную —с возрастающей скоростью, линейную— с постоянной скоростью роста и стадию затухания. Начальная стадия характеризуется экспоненциальной зависимостью длины кристалла от времени роста. Это следует из модели Сирса. В первые минуты роста длина нитевидного кристалла h меньше Я. — длины диффузионного блуждания адсорбированного атома или молекулы по боковой- поверхности растущего кристалла. Тогда все ударяющиеся и адсорбирующиеся на. этой поверхности атомы успевают достичь вершины кристалла и встроиться в решетку на ступеньке винтовой дислокации. [c.354]

Рис. 2. Винтовая дислокация слева — схема образования винтовой дислокации посредине — расположение атомов в кристалле с винтовой дислокацией (атомы располагаются в вершинах кубиков) справа — расположение атомов в плоскости АВСВ.

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...