Коэффициент поверхностной рекомбинации

Для полупроводника л-типа в стационарном состоянии вероятность того, что неосновной носитель при столкновении с поверхностью кристалла не испытает рекомбинации, определяется коэффициентом поверхностного отражения I q. [c.82]

Воздействие быстрых нейтронов вызывает нарушение кристаллической решетки материала (основной эффект) и ионизацию (вторичный эффект). Вследствие этого изменяются параметры полупроводниковых материалов — время жизни неосновных носителей т, удельная проводимость (р) и скорость поверхностной рекомбинации дырок с электронами. Вследствие изменения указанных параметров под действием радиации уменьшается коэффициент усиления [c.89]

Предположим теперь, что темп поверхностной рекомбинации отличен от нуля. Сначала будем считать, что коэффициент поглощения света велик, так что << а d > о (толстый кристалл). В этом случае вместо объемного времени жизни в (2.14) следует подставить некоторое эффективное время Хф учитывающее рекомбинацию неравновесных носителей заряда на поверхности. Поскольку процессы поверхностной и объемной рекомбинации независимы [c.62]

При уменьшении энергии световых квантов постепенно растет толщина слоя, в котором происходит генерация электроннодырочных пар. Соответственно, увеличивается среднее расстояние между генерируемыми носителями и поверхностными центрами, в результате затрудняется процесс поверхностной рекомбинации. В пределе очень низких энергий квантов ( / > л/) значительная часть неравновесных носителей вообще не может достичь поверхности. В общем случае при d < у нужно ввести поправочный коэффициент [c.62]

По аналогии с (3.49) можно записать темп поверхностной рекомбинации в виде произведения избыточной концентрации носителей заряда на некоторый коэффициент [c.102]

Этот термически генерированный поверхностный поток обозначен на рисунке Имеется определенная вероятность того, что носитель, поступающий в объем с поверхности, в результате хаотического движения возвратится обратно, не испытав рекомбинации. Эта вероятность описывается объемным коэффициентом отражения В. Полные потоки FiU F[, протекающие между поверхностной и объемной областями, можно определить, если заметить, что поток Fi состоит из потока А плюс та часть F , которая отражается от внутреннего объема, а F[ состоит из потока gs плюс та часть Fi, которая отражается от поверхности. Таким образом, можно записать [c.356]

В присутствии частиц MgO и AI2O з константа к,, уменьшается по сравнению с величиной этой константы в отсутствие частиц приблизительно на порядок. Это можно отнести за счет рассеивания ионов положительно заряженными твердыми частицами. Коэффициент ai в присутствии частиц MgO имеет небольшую величину. Коэффициент поверхностной рекомбинации можно выразить через коэффициент в виде [c.461]

Частотная зависимость фотопроводимости. Как видно из рис. 8-7, в области малых длин волн (левее максимума кривой) наблюдается спад фотопроводимости. Это объясняется быстрым увеличением коэффициента поглощения с ростом частоты и уменьшением глубины проникновения падающей на тело электромагнитной энергии. Поглощение происходит в гонком поверхностном слое, где и образуется основное количество носителей заряда. Появление большого числа избыточных носителей заряда только у поверхности слабо 01ражается на проводимости всего объема полупроводника, потому что скорость поверхностной рекомбинации больше, чем объемной, и проникающие внутрь неосновные носители заряда увеличивают скорость рекомбинации в объеме полупроводника. [c.246]

Рис. 4.5. Влияние коэффициента скорости поверхностной рекомбинации на теплопередачу в критической точке от замороженного Диссоциированного пограничного слоя. [По Гуларду, О о и 1 а г d R., Jet РгориШоп, 28 (И) 737—745 (1958).]

При использовании прямозонных и непрямозонных материалов вдали от порога коэффициент поглощения может быть очень большим — более 10 м . Тогда при изготовлении диода необходимо обеспечить очень тонкий и сильно легированный (хорошо проводящий) поверхностный слой. При этом появляются трудности, обусловленные относительно высокой скоростью поверхностной рекомбинации. Большая часть рождающихся в поверхностном слое носителей рекомбинирует на поверхности, прежде чем успеет диффундировать к контактам. Следовательно, ухудшается квантовый выход. Найдено два способа преодоления этой трудности диод с барьером Шотки (рис. 12.7, а) и гете-роструктуриый диод (рис. 12.7, б). [c.317]

Эксперименты показали ожидаемое увеличение коэффициента диффузии бора в окисляемых областях, которое можно было наблюдать по размытию р- -перехода. Однако еще более интересным было проявление ускоренной диффузии при уменьшении ширины окна в 81зМ4. Казалось бы, эффект ускорения диффузии в боковом направлении должен быть таким же, как и в вертикальном. В действительности же, как показали измерения, эффективная диффузионная длина частиц в боковом направлении составила примерно 2 мкм. Это не соответствует значению вертикальной диффузионной длины, превышающему 25 мкм по данным других экспериментов по ДУО [2.41]. Если эффекты ускорения диффузии, как предполагается, обусловлены генерацией Si на окисляемой границе раздела, то очевидно, что движение SifB боковом направлении подавляется, возможно, наличием стоков под поверхностями, маскированными 81зМ4 (поверхностная рекомбинация) или напряжений на краях областей, закрытых 81з N4- [c.73]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...