Параметры излучательной рекомбинации

При выращивании полупроводников следует обратить внимание на такой газ, как азот. Он играет существенную роль в неравновесных процессах и поглощении, например, в GaP. Замещение атомов фосфора в узлах атомами азота, которые являются изоэлектронными , не влияет на электрические параметры кристаллов. Однако, имея больщую по сравнению с фосфором электроотрицательность и высокую растворимость (до IQi см ), примесь азота приводит к появлению интенсивных линий в спектрах излучательной рекомбинации, связанных не только с одиночными атомами азота, но и с парами N — А -центров, расположенных на достаточно близких расстояниях [43]. [c.313]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...