Шум генерации-рекомбинации

В результате сопротивление образца R испытывает флуктуации oR t). Если через образец пропустить постоянный ток I, то на его концах возникнет флуктуационная э. д. с. 8V t)=IoR t), которая может быть обнаружена так же, как и упомянутые выше источники шума. Этот процесс называется шумом генерации — рекомбинации или для краткости г—р шумом. [c.8]

ТЕПЛОВОЙ ШУМ И ШУМ ГЕНЕРАЦИИ — РЕКОМБИНАЦИИ [35, 38. 42, 43, 45, 53—59] [c.81]

ШУМ ГЕНЕРАЦИИ - РЕКОМБИНАЦИИ В ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ [c.103]

А. Шум генерации — рекомбинации в канале полевых транзисторов с р-п переходом [46] [c.103]

Шум генерации — рекомбинации А. происходит за счет малых случайных изменений бА/У. Это служит причиной флуктуации 6А/ сопротивления А/ [c.103]

Ток в р-п переходах протекает благодаря инжекции неосновных носителей в базовую область и их последующей диффузии и рекомбинации. Точный способ описания этого шума был бы связан с введением источников диффузионного шума и шума генерации — рекомбинации неосновных носителей этот метод назван коллективным и рассмотрен в приложении П.2. Но и в этом случае можно показать, что шум можно рассматривать как процесс, связанный с прохождением носителей через потенциальные барьеры, и, поскольку акты прохождения образуют последовательность независимых случайных событий, можно снова ожидать полного дробового щума. Такой подход назван корпускулярным. В приложении П.2 показано, что он полностью эквивалентен коллективному. [c.112]

И, следовательно, интегрируя по х или по ITo(x), получаем для полного шумового спектра Si(f) шума стока, обусловленного процессами генерации — рекомбинации, [c.104]

С помощью данного метода проанализируем щум генерации — рекомбинации и шум диффузии, причем и тот, и другой обязаны своим появлением неосновным носителям. [c.214]

Генерационно-рекомбинационный шум. Возникновение и исчезновение носителей в образце полупроводника из-за процессов генерации и рекомбинации описываются дифференциальным уравнением вида [c.28]

Гл. 2 содержит ряд теоретических предпосылок, которые полезны для оценки основных источников шума приборов. В гл. 3 обсуждаются способы описания шума двух- и трехполюсных приборов с приложением результатов к вычислению коэффициента шума многокаскадных усилителей (в частности усилителей, включающих в себя приборы с отрицательной проводимостью). В гл. 4 показано, как можно точно выполнить шумовые измерения. Теоретический материал гл. 2 используется в гл. 5 и 6. В гл. 5 рассматриваются тепловой шум и шум генерации — рекомбинации применительно к мазерам и полевым транзисторам. Гл. 6 посвящена обсуждению дробового шума в диодах с р-п переходом, транзисторах и вакуумных лампах, а также фликкер- и взрывного шума в диодах, биполярных и полевых транзисторах. [c.6]

Шумы в полупроводниках обычно также разделяют на тепловой, дробовой и фликкер-шум. Однако, учитывая своеобразие процессов, протекающих в полупроводниках, различают а) Г е п е -р а ц и о п н о - р е к о м б и н а ц и о н II ы й шум, создаваемый спонтанными Ф. скоростей генерации, рекомбинации, улавливания и т. д. носителей заряда (электронов и дырок), что приводит к Ф. плотности свободных носителей. Для полупроводниковых приборов, содержащих р—п-переходы (полупроводниковый диод, полупроводниковый триод), этот шум значительно ближе к дробовому, чем для полупроводниковых льатериалов (термисторы, фотосопротивления). [c.322]

Таким образом, (6.7) является следствием того факта, что все источники шума генерации и рекомбинации з ге-области проявляют полный дробовой шум. Поэтому, если отказаться от до 1ущения, что все дырки, генерируемые в п-области, попадают в р-область, выкладки становятся боле-з сложными, но итоговый резу-штат, конечно, остается тем же самым. [c.215]

В полупроводниковых приборах Ф. э. обусловлены случайным характером процессов генерации и рекомбинации электронов и дырок (генерационно-рекомбинац. шум) и диффузии носителей заряда (диффузионный шум). Оба процесса дают вклад как в тепловой, так и в дробовой шумы полупроводниковых приборов. Частотный спектр этих Ф. э. определяется временами жизни и дрейфа носителей. В полупроводниковых приборах на низких частотах наблюдаются также Ф, э,, обусловленные улавливанием электронов и дырок дефектами кристаллич. решётки (модуляционный шум), [c.328]

Электрический шум. К электрич. Ш. относятся нежелательные возмущения токов, напряжений или напряжённостей эл.-магн. полей в радиоэлектронных устройствах. Различают Ш. регулярные (т. е. детерминированные, предсказуемые) и флуктуационные (случайные, непредсказуемые). Примеры регулярных III.— фон перем. тока цепей питания радиоэлектронных устройств посторонние по отношению к рассматриваемому устройству ВЧ-помехи. Примеры флуктуац, Ш.— электрич. Ш., обусловленные неравномерной эмиссией электронов в эл,-вакуумных приборах (дробовой Ш.), неравномерностью процессов генерации и рекомбинации носителей заряда в полупроводниковых приборах, тепловым движением носителей заряда в проводниках (тепловой Ш.), тепловым излучением Земли, земной атмосферы, Солнца и т. д. [c.479]

Здесь учтена объемная рекомбинчция. Аналогичным образом на поверхности полупроводника в элементе поверхности ДЛ из-за поверхностной рекомбинации исчезает ток о,х(р—рп), где —скорость поверхностной рекомбинации. По той же причине исчезает и ток <75р ДЛ, который балансируется током qspnAA, возникающим благодаря поверхностной генерации. Таким образом, результирующее убывание тока равно дзрАА. Все эти токи должны создавать полный дробовой шум. Поэтому шум элемента поверхности ДЛ может [c.215]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...