Скорость излучательной рекомбинации

Скорость излучательной рекомбинации [м -с Ч = гпр, (8.4.7) [c.222]

При наличии избыточных носителей общая скорость излучательной рекомбинации [c.222]

Рассмотрим полосковый полупроводниковый ДГ-лазер. Пусть А — площадь полоски, d — толщина активной среды в направлении, перпендикулярном плоскости перехода. Обозначим скорость, с которой электроны (и дырки) инжектируются в единичный объем активного слоя, через Rp. Для вычисления этой скорости инжекции заметим вначале, что та часть инжектированных носителей, которые не рекомбинируют излучательно, испытывает безызлучательную электрон-дырочную рекомбинацию в основном на границах перехода. Следовательно, эту часть носителей можно рассматривать как если бы они вовсе не были инжектированы в активную область. Таким образом, нетрудно показать, что при данном токе / через переход Rp дается выражением [c.421]

Пусть полупроводником поглощается излучение лазера, частота которого и лежит в интервале зона/ -Ё зона/ + Это поглощение сопровождается прямыми электронными переходами через запрещённую зону с шириной -Езона- Такой процесс в стационарном режиме уравновешивается обратным процессом, состоящим в спонтанной излучательной рекомбинации. Если скорость этой рекомбинации много меньше скорости установления квазиравновесия между носителями и решёткой и скорости внутризонной термализации самих носителей, то как в зоне проводимости, так и в валентной зоне успевают возникнуть квазиравновесные распределения электронов и дырок с соответствующими квазиуровнями Ферми и температурой, равной температуре решётки Т. Охлаждение наступает в условиях, когда носители, появляющиеся в результате поглощения фотонов на- [c.51]

В случае когда газ заключен в цилиндрическую трубку и ток разряда протекает вдоль этой трубки, радиальную зависимость плотности тока J можно найти аналитически [17, 18]. Как для лазеров на нейтральных атомах, так и для ионных газовых лазеров можно считать, что электрон-ионная рекомбинация происходит только на стенках. Безызлучательная ион-электронная рекомбинация (А,- + е) действительно не может происходить в объеме разряда, поскольку в таком процессе невозможно сохранение как полного момента, так и энергии частиц. Например, в лобовых столкновениях скорость V рекомбинировавшего атома дается простым выражением (полученным из условия сохранения импульса) v= (miVi- -m.2V2)/(т[ + т.2), где rrii (i=l, 2) — массы, а — скорости электрона и иона до столкновения. Для данных значений и Ог скорость v определяется однозначно. Следовательно, кинетическая энергия (mi + m2)y 2 также определена и в общем случае не равна сумме исходной кинетической энергии частиц и энергии рекомбинации. Однако излучательная ион-электронная рекомбинация является маловероятным процессом, поскольку для осуществления этого процесса избыточная энергия рекомбинации должна быть удалена в течение короткого времени столкновения. Трехчастичный же процесс e- Ai + M, в котором избыточная энергия передается третьему партнеру М, также маловероятен при используемых давлениях газа (несколько мм рт. ст.). [c.148]

Ток, инжектируемый в N-p-P двойную гетероструктуру, модулируется сигналом с частотой ш, т. е. плотность тока У — Уо -f ехр / се/. Предполагается а) ток утечки и дырочный ток пренебрежимо малы б) постоянные времени излучательной и безызлучательной реко.чбинации в активном р-слое есть-т и Тб соответственно в) скорость рекомбинации в каждом гетеропереходе s г) толщина активного слоя d. Показать, что модулированная оптическая мощность [c.263]

В диоде на основе двойной гетероструктуры времена излучательной н безызлучательной рекомбинации в активном слое, имеющем толщину 0,5 мкм, составляют 10 и 30 нм соотвестственно, а скорость рекомбинации одинакова для обоих гетеропереходов и равна 10 м/с. Считая, что коэффициент рекомбинации для материала активного слоя г= 2x10-1 м /с, рассчитать а) концентрацию легирующей примеси в активном слое б) внутреннюю квантовую эффективность в) предельную частоту модуляции г) плотность тока, соответствующую выполнению условия сильной ннжекции. [c.264]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...