Ток рекомбинации связь с током генерации

При наличии напряжения на р- -переходе такое равновесие нарушается. При прямом напряжении на р-и-пе-реходе ток рекомбинации преобладает над током генерации. Это объясняется тем, что уменьшается потенциальный барьер на р-л-переходе и носители заряда, ранее не способные преодолеть барьер, проникают в переход, вероятность рекомбинации увеличивается и увеличивается рекомбинационный ток. Физически это означает, что при прямых токах в области объемного заряда появляются свободные носители заряда и заполнение центров захвата этими свободными носителями увеличивается. Уменьшение числа свободных центров захвата приводит к уменьшению числа переходов электронов из валентных связей в центры захвата и увеличивает число электронов, переходящих с центров захвата в валентные связи. Последнее объясняется тем, что переход их в свободное состояние затруднен из-за наличия в области объемного заряда достаточного количества свободных электронов. В данном случае процессы генерации практически прекращаются, а преобладают рекомбинационные процессы. Кроме того, генерационный ток уменьшается также и за счет уменьшения ширины слоя объемного заряда при прямом напряжении. [c.48]

На первых этапах работа с РОС-лазерами была ограничена температурами около 77 К. При изготовлении гофра прямо на активном слое ДГС-лазера уменьшался выход излучательной рекомбинации вследствие безызлучательной рекомбинации на границах. Это препятствовало получению генерации при комнатной температуре. Для разделения гофрированной области н активного слоя был использован ДГС-РО-лазер, что позволило получить РОС-лазер, работающий при комнатной температуре [214—216, 218]. Рейнхарту и др. [219] также удалось отделить активный слой от области гофра. Они использовали лазер со связью через сужение [220], в котором гофр был нанесен на пассивный волновод, и получили генерацию при комнатной температуре в лазере с брэгговским зеркалом. Лазер, связанный через сужение с брэгговским зеркалом, схематически показан на рис. 7.12.7. Активный слой на п-ОаАз заштрихован. Окно в слое Р-А1о,БСао.БА8 было сделано селективным травлением или сужающийся слой был выращен участками таким же способом, который использовался для выращивания сужающегося активного слоя. На слое Л -А1о,1БОао,85А8 была сделана решетка, работающая в третьем порядке. Импульсы тока прикладывались к части А. Через часть В ток не пропускался и она служила для поглощения лазерного излучения. Значение порога при комнатной температуре было 5 кА/см , а спектральная ширина доминирующей моды составляла 0,2 А. Как показано на рис. 7.12.8, брэгговские зеркала использовались и на обоих концах ДГС-лазера. Здесь использовались решетки, работающие [c.307]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...