Темп рекомбинации

Темп рекомбинации. Время жизни неравновесных носителей заряда в объеме. Темпом рекомбинации неравновесных носителей заряда называется количество электронно-дырочных пар, аннигилирующих в единицу времени в расчете на единицу объема или поверхности (в случаях объемной и поверхностной рекомбинации, соответственно). В стационарных неравновесных условиях темп рекомбинации равен полному темпу захвата электронов и дырок Уг = и = i/ ,. Подставляя функцию заполнения рекомбинационных центров (3.45) в соотношение (3.44), получим [c.100]

Таким образом, при малом уровне инжекции темп рекомбинации в объеме пропорционален концентрации неравновесных электронов и [c.100]

Дальнейшее усовершенствование модели состоит в учете возможности взаимного влияния отдельных рекомбинационных центров друг на друга. В частности, если предположить, что темп рекомбинации неравновесных носителей заряда ограничивается стадией туннельного перехода электронов между двумя "хвостами" плотности состояний (3.59), то скорость рекомбинации оказывается пропорциональной произведению плотностей состояний на уровне Ферми [c.107]

Слабая зависимость темпа рекомбинации от поверхностного потенциала может наблюдаться также, если центры рекомбинации распределены по ОПЗ — при изменении изгиба зон потоки неравновесных электронов и дырок автоматически устремляются на те центры, положение которых относительно уровня Ферми соответствует максимальной скорости рекомбинации. [c.107]

В распадающейся К. п. гелия при темп-ре жидкого азота и ниже (<100 К) осн. попом становится HeJ. Электрон-ионная рекомбинация в этом сл>"чае происходит с образованием возбуждённой молекулы гелия [c.492]

Информация об А. ф., существовавших в эпоху рекомбинации водорода (при Z 10 , где z — красное смещение), сохраняется в угл. флуктуациях темп-ры микроволнового фонового излучения ATIT, Поэтому данные наблшдени величины ATiT позволяют оценить верхние пределы амплитуды А. ф. разных масштабов в эпоху рекомбинации. По-видимому, амплитуда А. ф. в масштабах в то время составляла 0,1%. [c.27]

С повыиюпием скорости полёта темгг-ра газа за удар-н<н ВОЛНО и в пограничном слое возрастает, в результате чего происходит диссоциал,ия н ионизация молекул набегающего гаяа. Образующиеся ири этом ато.мы, ионы и злектроны диффундируют и более холодную область — к иовер. ности тела. Ta.vi происходит обратная хим. реакция — рекомбинация, идущая с выделением тепла. Это даёт дополнит, вклад в конвективный А, н. В случае диссоциации и ионизации удобно перейти от темп-р к энтальпиям [c.166]

Плазменные И. о. и. имеют энергетич. характеристики и вид спектра излучения, определяемые темп-рой Т и давлением р плазмы, образующейся в них при электрич. разряде или иным способом, и изменяющиеся в широких пределах в зависимости от хим. состава рабочего вещества и вводимой уд. мощности. При низких Т и р сиоктр излучения в основном представляет собой узкие атомные резонансные линии и молекулярные полосы. С увеличением вводимой уд. мощности и повышением Т в спектре излучения плазмы начинают преобладать линии возбужденных атомов и ионов и появляется сплошной фон, обусловленный тормозным и рекомбинац. излучениями, возникающими при столкновениях электронов и ионов. При повышении давления линии уширяются, интенсивность континуума возрастает и сначала в линейчатом, а затем и в сплошном спектре, начиная с длинноволновой его части, достигается насыщение до интенсивности излучения абсолютно черного тела при Т плазмы. Предельные параметры, ограничиваемые техЕгически осуществимой скоростью ввода энергии и стойкостью материалов конструкции, в импульсных плазменных П. о. и. намного выше, чем в непрерывных. [c.222]

С ростом энерговклада темп-ра газа в разряде поднимается, при энерговкладах 10—100 Вт/м это приводит к термич, разрушению молекулярных ионов и уменьшению эффективности объёмной рекомбинации заряж. частиц. Возникает явление, обратное К, г. р.— расконтрагироваиие, к-рое проявляется в возрастании поперечного размера токового шнура с ростом разрядного тока. [c.449]

После прекращения ядерных реакций плазма Вселенной расншрялась и остывала. В этой плазме имО лнсь небольшие неоднородности плотности стоячие звуковые волны). Эти небольшие сгустки плазмы не могли расти, т. к. было велико давление реликтовых фотонов на плазму (для РИ плазма непрозрачна). Это давление препятствовало силам гравитации уплотнять н наращивать первичные сгущения. Более того, н достаточно малых масштабах неоднородности плот-U0 T11 (звуковые волны) затухали из-за лучистой вязкости и теплопроводности. Спустя примерно 300 ООО лет после начала расширения темп-ра плазмы снизилась до 4000 К, произошла рекомбинация электронов и атомных ядер, п плазма превратилась в нейтральный газ. Этот газ прозрачен для РИ, и оно стало свободно выходить из газовых сгустков. Силам тяготения, сжимающим сгустки, стало противостоять только относительно слабое давление нейтрального газа. Тнго-тенпе на этом этапе развития Вселенной стало превосходить силы газового давления и сжи.мать сгустки вещества, масса к-рых превосходила М Мq [c.479]

Перечисленные примеси, как правило, образуют в полупроводниках твёрдые растворы замещения и обладают высокой растворимостью (10 —10 ат/см ) В широком интервале темп-р. Растворимость их носит ретроградный характер и достигает максимума в Ge при 700-900 "С, в Si — при 1200—1350 "С, в GaAs — при 1100 1200 С. Эти примеси имеют малые сечения захвата носителей, являются малоэффективными центрами рекомбинации и поэтому слабо влияют па время жизни носителей. [c.579]

Физические процессы в М. г. Условия в М. г. далеки от термодинамич. равновесия. Поэтому анализ условий в М, г, проводится на основе ур-ний статистич. баланса, учитывающих элементарные процессы, определяющие населённости уровней энергии атомов, ионов, молекул, их ионизацию и рекомбинацию, а также образование и разрушение молекул, нагрев и охлаждение среды. Обычно в М. г. с хорошей точностью устанавливается Максвелла распределение по скоростям — в ударных волнах отдельно для электронов и ионов, в др. случаях — общее для всех частиц, что позволяет говорить о темп-ре М. г. Отклонения населённостей уровней от Больцмана распределения обычно очень велики. Особенно ярко они проявляются в космич. мазерах. Населённость уровней, определяющая интенсивность спектральных линий и непрерывного спектра, формируется под влиянием столкаовительных и радиа-тивных процессов и нередко рекомбинац. заселением уровней. [c.86]

М. г. нагревается УФ-, мягкими рентг. и субкосмич. лучами, а также ударными волнами. Объёмное охлаждение происходит в осн. при излучении в спектральных линиях тепловой энергии, затраченной на возбуждение уровней, а также за счёт тормозного и рекомбинац. излучений в непрерывном спектре. В зависимости от темп-ры М. г. преобладает излучение в непрерывном спектре (Т й 10 К) либо в спектральных линиях — рентгеновских (Т = 10 " К), УФ- (Г = 10 К), оптических (Т = 5000—10000 К), ПК- (Г = 30—5000 К), субмиллиметровых (Г 30 К). [c.86]

К М. р. относят и столкновения носителей заряда разных типов, напр. электронов проводимости и дырок. Такие процессы приводят к выравниванию их темп-р и хим. потенциалов. М. р. нроявляется также в процессах ударной ионизации п рекомбинации (см. Оме-зффект), [c.92]

Флуктуации М. ф. и. Обнаружение небольших различий в интенсивности М. ф. и., принимаемого от разных участков небесной с ры, позволило бы сделать ряд выводов о характере первичных возмущений в веществе, приведших в дальнейшем к образованию галактик и скоплений галактик. Совр. галактики и их скопления образовались в результате роста незначительных по амплитуде неоднородностей плотности вещества, существовавших до рекомбинации водорода во Вселенной (см. Первичные флуктуации во Вселенной). Для любой космологич. модели можно найти закон роста азиплитуды неоднородностей в ходе расширения Вселенной. Если знать, каковы были амплитуды неоднородности вещества в момент рекомбинации, можно установить, за какое время они могли вырасти и стать порядка единицы. После этого области с плотностью, значительно превышающей среднюю, должны были выделиться из общего расширяющегося фона и дать начало галактикам и их скоплениям (см. Крупно-масштабная структура Вселенной). Рассказать об амплитуде начальных неоднородностей плотности в момент рекомбинации может лишь реликтовое излучение. Поскольку до рекомбинации излучение было жёстко связано с веществом (электроны рассеивали фотоны), то неоднородности в пространственном распределении вещества приводили к неоднородностям плотности энергии излучения, т. е. к различию темп-рнг излучения в разных по плотности областях Вселенной. Когда после рекомбинации вещество перестало взаимодействовать с излучением я стало для него прозрачным, М. ф. и. должно было сохранить всю информацию о неодв одностях плотности во Вселенной в период рекомбинации. Если неоднородности существовали, то темп-ра М. ф. и. должна флуктуировать, зависеть от направления наблюдения. Однако эксперименты по обнаружению ожидаемых флуктуаций пока не дали измеримых значений. Они позволяют показать лишь верх, пределы значений флуктуаций. В малых угл. масштабах (от одной угл. минуты до шести градусов дуги) флуктуа- [c.134]

Неустойчивости Н. п. нарушают однородное распределение плазмы в пространстве и могут привести к появлению новых структур. Одной из них, наиб, изученной, является сжатие, или контракция газового разряда. В длинной цилиЕдрич. трубке свечение газового разряда и электрич. ток сжимаются к оси, а в остальной части трубки газ не возбуждается. Механизм контракции разряда может быть разным, но суть её состоит в следующем. Из-за резкой зависимости скорости ионизации от плотности газа и повышения темп-ры вблизи оси трубки (где проходит ток) ионизация газа происходит только вблизи оси трубки. За счёт разных механизмов рекомбинации заряж. частицы гибнут в объёме не доходя до стенок трубки. В результате заряженные частицы сосредоточены вблизи оси трубки, в этой области происходит возбуждение газа и наблюдается его свечение. [c.354]

Применение. Методом О. о. в полупроводнике исследуются кинетич. и релаксац. явления, параметры зонной структуры, дефекты кристаллич, структуры. Деполяризация рекомбинац. излучения в магн. поле, наблюдаемая в А В , даёт информацию о механизмах рекомбинации и спиновой релаксации носителей. Для полупроводников характерны специфич. типы спиновой релаксации при низких темп-рах существенны обмен спином с быстро релаксирующей дыркой (механизм Бира — Аронова — Пикуса), при колшатной темп-ре — механизм Дьяконова — Переля, обусловленный снятием спинового вырождения зон в кристаллах без центра инверсии. [c.438]

Следует отметить, что форма импульса тока через диод и форма импульса СВЧ-мощеости в модуляторе могут не совпадать, поскольку проводимость диода существенно зависит от целого ряда нелинейных эффектов, возникающих при большой плотности тока и большой концентрации плазмы. Напр., в области больших плотностей тока рост проводимости диода с ростом тока и, следовательно, ослабление СВЧ-мощности насыщаются из-за падения коэф. инжекции переходов, уменьшения подвижности носителей из-за злегстроппо-дыроч-ного рассеяния и увеличения темпа их рекомбинации из-за оже-процессов. С др. стороны, при переключении диода из прямого смещения на обратное при относительно небольших плотностях тока ослабление СВЧ-мощности начинает уменьшаться практически сразу, хотя постоянный обратный ток протекает довольно долго. Это связано с уменьшением проводимости областей, прилегающих к р — н-переходам, из-за выведения носителей во внеш. цепь. [c.586]

Оа — коэф. амбиполярной диффузии, л и р — коэф. ионизации и прилипания соответственно) и ур-ния теплопроводности. Повышение давления газа (т. е. плотности N нейтральных частиц) или разрядного тока приводит к возрастанию частоты столкновений электронов с нейтральными частицами и установлению градиента темп-ры газа, вследствие чего параметр E/N ( — продольное электрич. поле) станет переменным вдоль поперечного сечения плазменного столба. Т. к. частота ионизации зависит от E/N экспоненциально, а прилипание зависит слабо, то области образования и рекомбинации заряж. частиц окажутся пространственно разделёнными. В узкой приосевой области столба, где частота ионизации значительно превышает частоту прилипания (V > f>), будут образовываться электроны. На периферии, где Е1Н меньше, чем на оси, и поэтому V < 1, электроны, диффундирующие из центральной области, будут прилипать к нейтральным частицам, образуя отрицат. ионы, к-рые затем эффективно рекомбинируют вследствие ион-ионного взаимодействия. Положит, столб тлеющего разряда неустойчив, если на его периферии V — 0. Развитие этой неус- [c.605]

РЕКОМБИНАЦИОННЫЕ ЦЕНТРЫ - дефекты или примесные атомы (ионы) в кристаллич. решётке, на к-рых происходит рекомбинация электроняо-дырочной пары (см. Рекомбинация носителей заряда). Процесс осуществляется путём последоват. захвата электрона и дырки центром. Энергетич. уровни Р. ц. лежат в запрещённой зоне, и центр обменивается носителями заряда с зоной проводимости (с) и валентной дырочной зоной (г) посредством процессов термич. испускания электронов из заполненного Р. ц. в зону I (с вероятностью в единицу времени g ) и дырки из пустого Р. ц. в зону V (с вероятностью д), а также обратных процессов захвата свободного электрона ва пустой Р. ц. (вероятность К ) и свободной дырки ва заполненный Р, ц. (Ад). Величины Д1 Ад, Ад определяются сечениями захвата электрона и дырки Од, Пд, их тепловыми скоростями Од, Уд, эяергетич. расположением уровня Р. ц. я краёв зон (/,., т,), кратностью вырождения уровня Р. ц. у, статистич. факторами с- и о-зон (Ас, Ас). Они являются ф-циями темп-ры Г и концентраций свободных электронов п и дырок р (при отсутствии вырождения) [c.321]

В случае низкой плотности электронов преобладают процессы излучат, рекомбинации, когда электрон оказывается на ниж. уровнях иона А" если электронная темп-ра при этом велика, то ион оказывается в осн. состоянии. Указанные процессы и определяют два осн. механизма создания в Р. л. инверсия. Р.л.состолк-новп тельной накачкой по принципу действия гораздо ближе к традиц. лазерам, работающим в видимой области. В этом случае в качестве активной среды используется высокотемпературная плазма низкой плотности. В результате излучат, рекомбинации [c.366]

Помимо осн. составляющих С. в.— протонов и электронов, в его составе также обнаружены -частицы, высокоионизов. ионы кислорода, кремния, серы, железа (рис. 1). При анализе газов, захваченных в экспонированных на Луне фольгах, найдены атомы Ne и Лг. Ср. относительный хим. состав С. в. приведён в табл. 2. Иоввзац. состояние вещества С. в. соответствует тому уровню в короне, где время рекомбинации мало по сравнению со временем расширения (R = 1,5—2 Rq). Измерения понизац. темп-ры ионов С. в. позволяют определять электронную темп-ру солнечной короны. [c.586]

Внеш. тушение обусловлено переносом поглощённой энергии на центры тушения—специально вводимые или остаточные примеси, а также собств. дефекть[ кристал-лич, структуры, вероятность безызлучат. переходов в к-рых велика, Этот перенос может осуществляться по резонансно-индукционному механизму миграции энергии и рекомбинац, путём, т, е, с помощью неравновесных носителей заряда (электронов зоны проводимости и дырок валентной зоны). При рекомбинац. Т, л. иногда наблюдается очень резкая зависимость выхода свечения от темп-ры (при нагреве на неск. градусов выход уменьшается в 2 раза) и от плотности возбуждения эта зависимость 187 [c.187]

Вероятность образования иона с зарядом Z в результате одиночного электронного удара быстро уменьшается с увеличением Z, поэтому для получения достаточно эффективного выхода высокозарядных ионов используют процессы многократной ионизации. Для этого необходимо увеличить время пребывания ионов в облаке плазмы, содержащей горячие электроны. Темп-ра электронов должна лежать в диапазоне кэБ (I кэВ= 10 К), если необходимо достичь больших значений Z и избежать процессов прямого захвата электронов (процесс рекомбинации) Кроме того, для образования высокозарядных ионов должно выполняться условие п/по 1, т. е. плотность плазмы п должна превосходить плотность нейтрального газа По, чтобы свести до минимума захват электронов в результате столкновений. Если обозначить концентрацию электронов в плазме п , а время её удержания х. то условия образования многозарядных ионов для трёх типичных случаев можно записать след, образом [c.196]

Иоинзующая У. в. Если за У. в., распространяющейся по неионизованному газу, темп-ра Гг 10 ООО К, газ в У. в. ионизуется на десятые доли и более. (Относит, концентрация ионов резко возрастает с увеличением темп-ры и значительно слабее—с уменьшением плотности газа.) Осн. механизмом является ионизация атомов электронным ударом. Необходимую для этого энергию электронный газ получает при упругих столкновениях электронов с атомами и ионами. Развивающаяся лавина электронная начинается с относительно небольшого кол-ва начальных, затравочных электронов. Они могут появляться при столкновениях атомов (хотя эфф. сечение ионизации атомами очень мало), в результате реакции ассоциативной ионизации типа N-bO+2,8 эВ-> NO е (такой процесс идёт в воздухе), путём фотоионизации атомов перед СУ УФ-излучением, испускаемым нагретым газом за У. в. Неясность в отношении конкретного механизма нач. накопления электронов часто затрудняет интерпретацию эксперим. результатов по структуре ионизационной волны не очень большой интенсивности. В релаксац. зоне темп-ра электронов меньше темп-ры атомов и ионов Г, т. к. электронный газ затрачивает большую по сравнению с feF, энергию на ионизацию атома. Зависимость Г, от Т в релаксац. зоне определяется балансом энергии, затрачиваемой электронами на ионизацию и получаемой при упругих столкновениях с атомами и ионами. Чем более интенсивна У.в., тем больше разность Т— Т ъ релаксац. зоне. В той её части, где состав газа близок к равновесному, становится существенным процесс, обратный ионизации, т. е. электрон-ионная рекомбинация. При достижении ионизац. равновесия выравниваются и темп-ры Г Т. Ширина релаксац. зоны обратно пропорциональна pi- [c.209]

Для наблюдений протяжённых источников нет необходимости применять телескопы больп1ого диаметра. К таким наблюдениям относятся планетные исследования, позволившие детально изучить верх, атмосферы Меркурия, Земли, Венеры, Марса, Юпитера, Сатурна, Урана, Нептуна и их спутников. На всех аппаратах, запущенных к этим планетам ( Марс , Венера , Вега , Фобос , Пионер , Викинг , Вояджер ), были установлены УФ-спектромет-ры для регистрации солнечного излучения, рассеянного в атмосферах планет, В УФ-диапазоне хорошо просматривается облачная структура атмосферы Венеры. В линии атомарного водорода L, (Х = 1216 А) обнаружены протяжённые водородные короны атмосфер Земли, Венеры и Марса. В этой же линии на громадные расстояния прослеживаются оболочки, окружающие ядра комет. УФ-на-блюдеиия в линиях L, и Не >.584 А позволили обнаружить эффект, получивший назв. межзвёздный ветер . Эффект связан с движением Солнца относительно локальной межзвёздной среды со скоростью ок. 25 км/с. Т. к. время ионизации атомов межзвёздной среды на много порядков меньше времени рекомбинации, то в отличие от стационарной зоны НИ, окружающей горячие звёзды, вокруг Солнца образуется вытянутая вдоль движения каплеобразная полость, в к-рой водород полностью ионизован вплоть до расстояний 10 а. е., а гелий — до 0.3 а. е. Анализ распределения интенсивности в линиях водорода и гелия позволил определить параметры локальной межзвёздной среды в окрестностях Солнца плотность и темп-ру водорода и гелия, степень ионизации водорода, направление и величину скорости движения Солнца. [c.220]

В нек-рых веществах при низких темп-рах время релаксации Ф. столь велико, что вызванное облучением изменение проводимости Да не падает заметно со временем (замороженная Ф.). Существуют два осн. механизма возникновения замороженной Ф. Первый связан с разделением неравновесных носителей внутр. электрич. полями неоднородностей. При этом для рекомбинации требуется преодоление высокого потенц. барьера, что приводит к экспоненциальному возрастанию времени жизни нерав-аовесных носителей. Замороженная Ф. такого типа чаще всего встречается в соединениях А "В . Второй механизм Связан с наличием центров, сильно взаимодействующих с кристаллич. решёткой. Захват носителей на них требует перестройки решётки и потому осуществляется аномально медленно. Примером таких центров являются т.н. ОЛ -центры в твёрдых растворах Alj Gai- As, приводящие к замороженной Ф. в гетероструктурах GaAs—Al,Gai- As. Явление замороженной Ф. может использоваться в системах оптич. памяти, но играет и от-рйцат. роль, приводя к временной нестабильности характеристик полупроводниковых приборов. [c.357]

Зарады из плазмы исчезают в результате рекомбинации 1 объёме или на стенках. При низкой темп-ре газа элек- [c.511]

Смотреть страницы где упоминается термин Темп рекомбинации : [c.58] [c.106] [c.44] [c.176] [c.445] [c.448] [c.59] [c.262] [c.448] [c.492] [c.134] [c.619] [c.642] [c.52] [c.124] [c.125] [c.320] [c.394] [c.421] [c.430] [c.594] [c.352]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...