Схема уровней и основные переходы

Схема уровней и основные переходы. Молекула красителя имеет сложную структуру, включает в себя много атомов, характеризуется большим числом состояний, представляющих собой сложные комбинации электронных, колебательных и вращательных состояний. Поэтому невозможно изобразить в данном случае сколь-либо точную рабочую схему уровней. При рассмотрении механизма создания инверсии в лазере на красителе пользуются предельно упрощенной, в определенном смысле условной рабочей схемой, отражающей лишь некоторые принципиальные стороны картины квантовых переходов в молекуле красителя. Эта схема дана на рис. 1.21. [c.37]

Схема энергетических уровней и оптических переходов — основное состояние кристалла [c.459]

Рис. 34.9. Схема энергетических уровней молекул N2 и Oj [1]. Отсчет энергии ведется от основных состояний t,=o) и СО2 (00°0). Показаны селективное возбуждение уровня 00° 1 молекулы СО2 путем передачи энергии с колебательного уровня ц = 1 молекулы N2 и лазерные переходы между уровнями СО2

Элементы с одним d-электроном. Один d-электрон в качестве самого внешнего имеют ионы S 1П, Y III и La III, Так как это единственный электрон вне замкнутых оболочек, то спектры этих ионов представляют собою простые дублеты только с термами в качестве нормального. Схема основных уровней и переходов в ионе S HI была уже приведена на рис. ПО, Схемы уровней для YIH и La III аналогичны. [c.264]

Рассмотрим упрощенную схему заселения и расселения уровней 1 и 2, изображенную на рис. 1.4. Пусть скорость гибели возбужденных частиц за счет всех процес-ных переходов составляют Mi к М2 соответственно. Скорость гибели возбужденных частиц за счет всех процессов, не связанных с вынужденными переходами, будем характеризовать временами жизни л и тг. В отсутствие сильного электромагнитного поля излучения, т. е. в случае, когда возбужденные частицы в основном рождаются и гибнут в результате процессов, не связанных с вынужденными переходами, баланс частиц для установившегося состояния системы имеет вид [c.26]

С учетом такого приближения для описания кинетики населенностей этих эффективных лазерных уровней можно использовать пять уравнений, рассмотренных в работах [22, 31]. Причем в нашем случае активной среды АИГ-Nd эти уравнения могут быть заметно упрощены, учитывая аналогичность схемы уровней ионов неодима и идеальной четырехуровневой схемы лазера. Основными упрощающими приближениями, вытекающими из соотношения вероятностей излучательных переходов между уровнями (см. 1.2), являются следующие [c.29]

Схема уровней энергии ионов хрома в рубине изображена на рис. 4.3. Рабочим переходом является переход между уровнями и Мг. Состояние является метастабильным и имеет при комнатной температуре время жизни около 3 мс. Оно состоит из двух близких подуровней Е и 21, расстояние между которыми составляет 29 см- . Переходам между этими подуровнями и основным уровнем М2 соответствуют линии излучения Ri и R2 с длиной волны 0,6943 и 0,6929 мкм при температуре 300 К. При уменьшении температуры кристалла линии Ri и R2 сужаются и смещаются в более коротковолновую часть спектра. В области температур от 20 до 80°С сдвиг линии R, составляет около 6,5-10 3 нм (т. е. 4000 МГц) на 1°С. Поэтому в некоторых случаях (например, чтобы излучение попадало в окно прозрачности атмосферы [48]) требуется введение температурной стабилизации активного лазера. Необходимо [c.160]

Газы подбирают таким образом, чтобы рабочий газ (неон) имел подходящую схему уровней, а вспомогательный (гелий) — возможно большее время жизни на возбужденном уровне. Возбужденные атомы гелия сталкиваются с атомами неона, находящимися в основном состоянии, и передают им свою энергию. В результате атомы неона переходят на уровень 25 (а не на другой, так как в этом случае перераспределение энергии при столкновении двух атомов происходит с минимальным изменением общей внутренней энергии). Преобладание переходов атомов неона на уровень 25 приводит к значительной инверсии населенностей уровней 25 и 2Р, в результате чего и возникает индуцированное излучение. [c.438]

Используя эти правила отбора, рассмотрим сначала случай, когда наблюдается спектр поглощения при низкой температуре. Это показано на фиг. 79 с левой стороны схемы энергетических уровней. Если основное состояние относится к типу Е, то ЛГ" == " = О, и, следовательно, возможны переходы только на уровни верхнего состояния с = О, если электронный момент перехода направлен вдоль оси фигуры (пунктирные линии на фиг. 79), или только на уровни с К если электронный момент перехода перпендикулярен оси фигуры (сплошные вертикальные линии). Возможны также переходы па уровни как с, К = О, так и с / = 1, если момент перехода имеет как параллельную, так и перпендикулярную компоненту. Таким образом, можно ожидать, что полосы типа Е — Е будут иметь одиночные Р- и / -ветви, а полосы типа П — Е — ветви Р, Q и Я. Возможно также одновременное появление как тех, так и других с расстоянием между ними, равным расстоянию между уровнями верхнего состояния сК = 0пК = 1 [т.е. А — Ч2 (В -ь С )]. [c.193]

На рис. 1.4, а изображена характерная картина расположения рабочих уровней при условии, что нижний уровень очищается за счет спонтанного испускания. Здесь О — основной уровень, 1 и 2 — рабочие уровни кроме того, на рисунке показаны дополнительные уровни, являющие ся в данном случае паразитными. Для изображенной на рис. 1.4, а схемы 11 =0,1. Чтобы повысить КПД лазера, желательно перейти от схемы уровней на рис. 1.4, а к схеме, показанной, например, на рис. 1.4, б (в этой схеме т = 0,6). Иными словами, надо использовать переходы [c.17]

Сопряжение баз данных комплексов "Баланс транспорта газа в ЕСГ" и "Баланс газа в ЕСГ", а также элементов графической схемы осуществляется на уровне предприятий, узлов, газопроводов-перетоков и основных поставщиков-потребителей. Для каждого уровня иерархии объектов формируется своя графическая схема, на которую выносятся количественные характеристики объектов, в том числе значения потоков газа и ограничений, и другая информация. Графические схемы различных уровней взаимосвязаны, что дает возможность пользователю-технологу в любой момент времени переходить от одного уровня к другому (от агрегированной схемы к детализированной или наоборот) и работать с фрагментами схем. [c.24]

Третий метод проектирования технологических процессов основан на синтезе маршрутов и операций для проектирования единичной технологии. Существует несколько разновидностей этого метода [20, 24]. Типизация решений выполняется в основном на уровне перехода. При этом для каждой поверхности детали производят типовое разделение на промежуточные состояния (выполнение поверхностей заготовки) и выбирают методы их обработки. Разработка технологического маршрута обработки производится на основе анализа размерных связей элементов и синтеза схем базирования и т. д. Разработка операционной технологии основана на анализе структурных связей в заготовке и синтезе структуры операции. [c.444]

На первом этапе анализируется возможность применения имеющейся автоматизированной системы проектирования для данного изделия, подготавливается конструкторская документация к кодированию исходных данных, заполняется соответствующий бланк. Затем определяют целесообразный для данного производства метод получения заготовки, проектируют маршрутный технологический процесс. На основные элементы конструкции выбирают технологические базы, определяют припуски и технологические размеры обработки. Проектируют структурно-технологические схемы обработки на уровне переходов, объединяют переходы в операции и выбирают модели основного технологического оборудования. [c.107]

Во МНОГИХ случаях р-распад связан с переходом не на один какой-либо уровень конечного ядра, а на несколько (на два и более) уровней. В этом случае наблюдаемый на опыте 5-спектр складывается из двух и более отдельных спектров с различными значениями граничной энергии. Наблюдаемая кривая распределения Р-частиц по энергиям имеет довольно сложный вид (рис. 74). Часто ядро, образующееся в процессе fJ-распада, находится в возбужденном состоянии. Такие ядра после р-распада переходят н основное (нормальное) состояние, испустив один или несколько у-квантов. На рисунке 75 приводятся схемы 3-распада некоторых ядер. [c.242]

Правильность рассмотренной схемы возникновения тонкой структуры а-спектров подтверждается опытами по регистрации Y-излучения, сопровождающего а-распад. Оказалось, что энергия этих 7"Лучей в точности совпадает с разностью энергетических состояний конечного ядра. Например, для у-лучей, сопровождающих а-распад Th , были зарегистрированы следующие значения энергии 0,040 0,287 0,327 0,433 0,452 и 0,473 Мэе. Легко видеть, что все они могут быть получены в результате вычитания энергии одного уровня конечного ядра из другого. Это означает, что у-лучи, сопровождающие а-распад, испускаются в результате перехода конечного ядра из какого-нибудь возбужденного состояния в основное и и менее возбужденное. [c.119]

Рис. 34.7. Схема кривых потенциальной энергии и колебательных уровней лазера на молекулярном азоте в системе Nj+Ar [1]. Вертикальная стрелка из основного состояния 0 = 0 вверх соответствует переходам при электронном возбуждении. Горизонтальная стрелка обозначает передачу энергии возбуждения с уровней аргона на верхний рабочий уровень азотного лазера Тц — радиационное время жизни рабочего состояния

Рис. 35. Переходы между дублетными Рис. 36. Схема уровней и основных уровнями и структура линий 1-й побоч- переходов натрия, Na I.

У всех этих элементов наблюдаются интеркомбинационные переходы между одиночными и триплетными уровнями, причем чем тяжелее элемент, тем более вероятны эти интеркомбинационные переходы. На рис. 83 приведены схема уровней и возникновение основных линий в спектре Са I. Схема уровней ртути была приведена в 14 (см. рис. 43). На рис. 84 дано расположение термов Bel, Mgl, Zn I, d I и Hg-1 (без учета триплетного расщепления) в сравненни с термами водорода. [c.167]

В маршрутах проектирования БИС и СБИС к числу основных проектных процедур относятся верификация логических и функциональных схем, синтез и анализ тестов. В этих процедурах требуется многократное выполнение моделирования логических схем. Однако высокая размерность задач логического моделирования (СБИС насчитывают.десятки—сотни тысяч вентилей) существенно ограничивает возможности многовариантного анализа. Так, современные программы анализа логических схем на универсальных ЭВМ могут обеспечить скорость моделирования приблизительно 10 вентилей в секунду (т. е. на анализ реакции схемы из 10 вентилей на один набор входных воздействий затрачивается 1 с машинного времени), что значительно ниже требуемого уровня. Преодоление затруднений, обусловливаемых чрезмерной трудоемкостью вычислений, происходит в двух направлениях. Первое из них основано на использовании общих положений блочно-иерархического подхода и выражается в переходе к представлениям подуровня регистровых передач, рассмотренным в 4.7. Второе направление основано на применении специализированных вычислительных средств логического моделирования, называемых спецпроцессорами или машинами логического моделирования (МЛМ), Важно отметить, что появление СБИС не только порождает потребности в таких спецпроцессорах, но и обусловливает возможности их создания с приемлемыми затратами. Разработанные к настоящему времени МЛМ функционируют совместно с универсальными ЭВМ и обеспечивают скорость моделирования 10 —10 вентилей в секунду. [c.254]

На схеме легко также видеть, что серия Лаймана соответствует переходам с одного из высших уровней на основной уровень, т. е. уровень, соответствующий минимальному запасу энергии, серия Бальмера — переходам с верхних уровней на второй и т. д. Предельное (максимальное) значение V соответствует для каждой серии случаю, когда т = оо = 0), т. е. начальное состояние соответствует бесконечно большому удалению электрона от ядра или [c.725]

Существование резонансного испускания впервые показал Вуд в 1904—1905 гг. для )-линий паров натрия. Освещая пары натрия светом, частота которого совпадает с частотой желтой линии натрия, Вуд обнаружил, что сами пары начинают испускать свет, состоящий из той же желтой линии. В дальнейшем это явление подверглось детальному исследованию, особенно в парах ртути. Схемы уровней энергии и переходы между ними для паров натрия и ртути показаны на рис. 32.2. Линии, которые проявляются при резонансном испускании, называют резонансными. Когда происходит оптическое возбуждение уровня, с которого возможны переходы не только обратно на основной уровень, но и на другие более низкие возбужденные уровни, то наряду с резонансным наблюдается испускание с частотами, меньшими частоты резонансной линии,— нерезонансное испускание. При возбуждении атомных систем с основного уровня частоты гисп линий испускания обычно меньше или равны частотам Vпoгл линий поглощения. На это впервые обра- [c.226]

В 1961 г. Е. Снитцером в качестве рабочего тела лазера с оптической накачкой был предложен ион неодима, помещенный в матрицу из стекла. Схема основных лазерных уровней иона неодима приведена на рис. 5.5. В отличие от рубинового лазер не неодиме работает по четырехуровневой схеме. Излучение лампы накачки активно поглощается целой системой полос, лежащих в диапазоне длин волн от 900 до 350 нм с временем жизни 10 "...10 с. В результате эффективных безызлучательных переходов возбуждение с этих уровней передается на метастабильный уровень " 3/2 > время жизни которого в случае стеклянной матрицы лежит в диапазоне 10 ". ..10 с в зависимости от концентрации неодима и марки стекла. Наиболее интенсивная линия люминесценции соответствует переходу на уровень V,, 2 с Х = 1,06 мкм. Ширина этой линии составляет 20...40 нм. Нижний лазерный уровень /и/г поднят над основным на 2,2-10 см . Из-за малого времени жизни этого уровня относительно безызлучательных переходов (10. ..10 ) и его низкой равновесной заселенности инверсия в данной схеме возникает при сравнительно низких уровнях возбуждения 1 Дж/см и таким образом, четырехуровневая схема ионов позволяет устранить один из наиболее серьезных недостатков рубиновых %/г м " ti,S-to n- лазеров. [c.177]

Первое отличие состоит в том, что функция формы полосы флуоресценции заменена на функцию J формы полосы поглощения. Второе отличие касается физического смысла функции Ano(uib, o,t)- В случае флуоресценции функция ni описывает число молекул пришедщих в возбужденное синглетное состояние, т. е. совпадает с функцией, определяющей согласно формуле p t) = rii t)/Ti двухфотонный коррелятор. Наоборот, в формуле (13.3) присутствует функция Дпо(шь, ojq, t), описывающая число молекул, ущедших из основного электронного состояния. В случае, когда мы принимаем во внимание только основное и первое возбужденное синглетное состояние, разницы между ними нет, потому что все возбужденные молекулы автоматически отсутствуют среди невозбужденных. Однако практически все органические молекулы описываются трехуровневой энергетической схемой (рис. 3.3), где между основным и возбужденным синглетным уровнями имеется триплетный уровень, присутствие которого сильно изменяет ситуацию. После электронного возбуждения происходит интеркомбинационный безызлучательный переход молекулы с возбужденного синглетного уровня на триплетный. Времена этого процесса находятся в наносекундной шкале, а переход с триплетного уровня на основной синглетный уровень происходит на три-девять порядков медленнее. Поэтому синглетно возбужденные молекулы очень быстро переходят на триплетный уровень, где и находятся весьма долго. Следовательно, хотя в синглетном возбужденном состоянии молекулы отсутствуют, провал в населенности основного состояния все же имеется, т, е. функция Ano wb, u)o,t) в формуле (13.3) отлична от нуля. Провал будет существовать до тех пор, пока молекула находится в три-плетном состоянии. Это время доходит до секунд. Именно долгое существование провала Ащ шь, шо, О населенности основного состояния и быстрое исчезновение ni возбужденных молекул после выключения возбуждающего [c.172]

Рассмотрим для определенности выжигание по схеме рис. 5.13 а. Оптические переходы с основного и первого возбужденного уровней назовем первым и вторым переходами. Их бесфононным линиям отвечают частоты шо и wi. Введем в рассмотрение функцию N uio,wi), определяющую число молекул, имеющих БФЛ двух электронных переходов с данными значениями частот. Тогда No ojq,(jji) и Ni ujo,ui) — число таких молекул в основном и в первом возбужденном состоянии. Очевидно, что Nq ujo,wi) + Ni ujo,uji) = N jjq,jji). Соотношение между слагаемыми этой суммы зависит от интенсивности накачки первым (красным) лазером. Его интенсивность должна быть достаточна для образования насыщенного, т. е. широкого, динамического провала в красной полосе. В этом случае значительная доля молекул попадает в первое возбужденное состояние и поэтому поляризационным фактором можно пренебречь. [c.193]

Учитывая сказанное, из приведенной на рис. 6.8 общей схемы уровней следует, что генерация на парах Си может осуществляться как на переходе (зеленый), так и на - - Оз/2 (желтый). Генерация в парах золота происходит в основном на красном переходе, поскольку УФ-переход оканчивается на состоянии Ds/2, который при рабочей температуре в значительной степени заселен. Конструкция лазера на парах металлов основана на общей схеме, приведенной на рис. 6.10, причем пары металла заключены в трубку из окиси алюминия, которая теплоизолируется помещением ее в откачанный объем. Необходимая высокая температура в трубке обычно поддержи- [c.352]

Таким образом, с учетом реальных расстояний и времени жизни энергетических уровней ионов неодима в АИГ-матрице образуется близкая к идеальной четырехуровневая схема лазера (см. рис. В.1, 1.7, 1.8). В качестве уровней накачки 4 служат все вышележащие уровни, начиная с Метастабильным верхнилс уровнем рабочего перехода 3 может быть уровень -Fa/2, расщепленный на два подуровня / i(B) — 11 423 см и i 2(A) — 11507 см В качестве нижнего уровня 2 рабочего перехода может служить любой из уровней мультиплетов " /ц/2, 1 ыч- И наконеи, основной уровень — это совокупность подуровней нижнего мультиплета /9/2. Следовательно, лазерная генерация по четырехуровневой схеме, в принципе, может идти по целой гамме каналов, образованных разными штарковскими подуровнями мультиплетов. Однако практическое значение имеет лишь малое число таких каналов (реально три), так как остальные имеют низкую эффективность генерации. [c.21]

Двухуровневой схеме функционирования присущи основное и возбужденное состояние (см. рис. 3.3). При возбуждении двухуровневой системы возникают три оптических процесса, связанных с переходами частиц между уровнями / и 2. Во-первых, происходит поглощение на частоте перехода 1 2 с вероятностью Bi2Pi2 приводящее к нарушению больцмановского равновесия во-вторых, процесс вынужденного излучения с вероятностью S21P21 и, в-третьих, имеет место спонтанное излучение с вероятностью Л21. Кроме того, возможны и неоптические переходы с вероятностью 21 и 12- упрощения записи кинетических уравнений обозначим полную вероятность переходов с соответствующего уровня как fik или [c.55]

Спектр Но " исследован в фосфидном и нитридном кристаллах. Спектр состоит из трех групп линий, связанных с переходами с трех возбужденных уровней Но на основной уровень Hs. До последнего времени схема уровне Но" пе была расшифрована. Лишь в педав1 ей работе Дике [104] содержится расшифровка возбу5кденпых уровней Но . Наблюдаемые в спектрах три основные линии на основании [104] можно связать с переходами (490 нм), Зз —> (540 нм) и Ffi —V (640 нм). [c.123]

В сильном магнитном поле схема энергетических уровней свободного атома или иона изменяется в основном за счет обычного зеемановского расщепления электронных уровней сверхтонкое взаимодействие приводит к дополнительному расщеплению. Энергию этого взаимодействия при наличии сильных полей можно записать в виде и атзШ/, где гпз и /П/ — магнитные квантовые числа. На рис. 17.11 изображены четыре уровня двум электронным переходам Атз = 1, Ашг = О (1 ч 4 и [c.608]

На рис. 1.13 показана схема уровней иона хрома в рубине. Переход от 1Д к энергии Е осуществляется по формуле Е = 2пЛс/Х. В процессе накачки возбуждаются состояния и 2. Каждое из них изображено на рисунке в виде некоторой энергетической полосы, что связано с размытием соответствующих энергетических состояний (следствие малости времени жизии активных центров в указанных состояниях). Активные центры быстро переходят из состояний и / 2 на два близко расположенных метастабильных уровня, обозначаемых как 2Л и (расстояние между уровнями составляет 0,003 мкм ). Эти уровни играют роль верхних рабочих уровней. При переходе из состояний и на верхние рабочие уровни ионы хрома передают часть своей энергии кристаллической решетке (неоптические переходы показаны на рисунке волнистыми стрелками). Нижний рабочий уровень обозначен как Ма) он является также основным уровнем ). Из рисунка видно, что лазер на руби- [c.29]

Основное следствие этих экспериментов заключается в том, что ДНК способна к запасанию фотонов, их когерентной эмиссии и возбуждению. Обобщая перечисленные факты, авторы в работе [59 ] приводят схему гипотетической регуляторной цепи перехода порядка в хаос и наоборот на физическом (фотонном) и клеточном уровнях. Постулируются петли обратных связей, которые самоинформативны и хорошо соответствуют всем данным, полученным на физическом и биологическом (биохимическом) уровнях. [c.77]

Графически возмоншые значения энергии А. изображают в виде схемы уровней энергии — горизонт, прямых, проведённых на расстояниях, соответствующих разностям дозволенных энергий (рис, 1,6), Самый нижний уровень отвечающий минимальной возможной энергии, наз. основным, все остальные 8п > > 1, и=2, 3,. . . ) — возбуждённы м и, т. к, для перехода на них А, необходимо возбудить — сообщить ему извне энергию 8п— [c.36]

Лазер — прибор, действие которого основано на получении стимулированного или вынужденного излучения, отличающегося от спонтанного излучения своей монохроматичностью, высокой степенью когерентности, высокой направленностью н значительной мощностью. Схема прибора состоит из четырех элементов активного вещества, зеркального резонатора, источника возбуждения и источника питания (рис. 2.1), Для получения стимулированного излучения активное вещество генератора переводится сначала с помощью возбуждения (накачки) из равновесного состояния в неравновесное, в результате чего его внутренняя энергия значительно повышается. Эта энергия удерживается возбужденными частицами, которые сосредоточиваются на энергетическом уровне, расположенном выше основного, В результате возбуждения активного вещества часть возбужденных частиц срывается с верхнего уровня и переходит на нижний, выделяя при этом кванты электромагнитной энергии оптического диапазона. Выделение этой энергии на частоте перехода приводит к резонансному выделению энергии всеми возбужденными частицами, сосредоточенными на верхнем энергетическом уровне. Происходит лавинообразное нарастание эне,ргии на частоте перехода. Излучение каждой частицы связа ю с излучением другой частицы по времени и фазе, в результате чего суммарное выходное излучение отличается высокой степенью когерентности. Вследствие того, что в излучении участвуют возбужденные частицы, расположенные на одном энергетическом уровне, выходное излучение отличается высокой монохроматичностью. Применение зеркального резонатора, расположенного по торцам активного -вещества, приводит к тому, что значительно усиливается только то излучение, которое распространяется параллельно оси активного вещества, все остальное выходит из активного вещества, не получив значительного усилия. В результате этого угловая расходимость выходного излучения очень мала, т. е. излучение отличается высокой направленностью. Вследствие того, что в излучении одновременно принимает участие большое количество возбужденных частиц, выходное излучение имеет значительную спектральную мощность. [c.24]

Что касается температурной зависимости интенсивности того или иного вида люминесцентного излучения, то она следует из формулы, выражающей распределение числа частиц по энергетическим уровням в зависимости от температуры. Так как интенсивность излучения определяется числом квантов, а последнее в свою очередь — числом переходов, вызвавших люминесцентное излучение, то, поскольку при относительных низких температурах большинство атомов находятся в основном состоянии El, излучение будет происходить в основном по схеме, указанной на рис. 16.6, т. е. излучение будет стоксовым. С увеличением температуры число частиц с энергией Ei уменьшается, а число частиц с энергией 2 увеличивается. Благодаря этому соответственно уменьшается интенсивность стоксова излучения и увеличивается интенсивность антистоксовЯ", т. е. излучение произойдет с заметной интенсивностью также по схеме, указанной на рис. 16.7. Следует отметить, что поскольку большинство частиц в начале находилось в основном состоянии, то уменьшение их числа с увеличением температуры составляет малую долю от общего числа частиц в состоянии Ei- Следовательно, уменьшение интенсивности стоксова излучения с увеличением температуры будет слабым. Этого нельзя сказать относительно изменения (увеличения) интенсивности антистоксова излучения. При достаточно высокой температуре люминесцирующей системы общая интенсивность излучения ослабевает. Это объясняется тем, что при высоких температурах устанавливается почти равномерное распределение частиц по энергетическим состояниям и возбуждающее излучение не может заметно изменить это равновесие, другими словами, поглощение, а следовательно, и люминесценция [c.365]

По аналогичной причине очень важно рассмотреть энергетическую схему образования длиннопробеж-ных а-частиц, изучение которых дает сведения о структуре уровней исходных ядер. Принципиальная схема образования длинно-пробежных а-частиц так же проста, как и схема возникновения тонкой структуры. Их испусканию соответствует переход из возбужденного состояния исходного ядра в основное состояние конечного. [c.120]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...