Радиационное время жизни

Рис. 34.5. Схема кривых потенциальной энергии и колебательных уровней молекулы Xej [1]. Генерация наблюдается на переходах из устойчивых колебательных уровней состояния 2ц в отталкивательное состояние 2 Тр— радиационное время жизни верхнего рабочего состояния

Рис. 34.7. Схема кривых потенциальной энергии и колебательных уровней лазера на молекулярном азоте в системе Nj+Ar [1]. Вертикальная стрелка из основного состояния 0 = 0 вверх соответствует переходам при электронном возбуждении. Горизонтальная стрелка обозначает передачу энергии возбуждения с уровней аргона на верхний рабочий уровень азотного лазера Тц — радиационное время жизни рабочего состояния

Радиационное время жизни верхних лазерных уровней ( 10 с) существенно больше, чем нижних ( 10 с). Именно это обстоятельство и позволяет создать стационарную инверсию между целым рядом уровней указанных конфигураций. [c.160]

Схема основных колебательных уровней молекулы СО2 показана на рис. 4.9 [16]. Основной лазерный переход с длиной волны излучения 10,6 мкм образован уровнями (00 1) и (10 0). Заселение верхнего рабочего уровня (00 1) происходит при электрическом разряде в СО2 с добавлением N2 и Не благодаря эффективной передаче энергии от возбужденных молекул N2 (колебательный уровень у=1), а также благодаря быстрым каскадным переходам молекул СО2 с верхних колебательных уровней, возбужденных соударениями с электронами, на долгоживущий уровень (00 1). Радиационное время жизни этого уровня составляет приблизительно 3 с, однако в результате столкновений молекул истинное время жизни оказывается равным 1 мс при давлении газовой смеси несколько мм рт. ст. и около 1 МКС при атмосферном давлении. Что же касается молекулы N2, то в силу ее симметрии она не имеет постоянного дипольного момента, поэтому ее колебание на уровне v= не сопровождается радиационным затуханием, а время жизни этого состояния превышает 0,1 с при давлении в несколько мм рт. ст. Все это приводит к тому, что коэффициент полезного действия СО2-лазера достигает 10% и более. [c.174]

Радиационное время жизни колебательных состояний в основной электронной конфигурации велико. В частности, вероятность спонтанного перехода (00°1)->- (00°0) порядка 100 с"1, в то же время вероятность столкновительных разрушений при давлении 133 Па составляет Ю с" . Радиационное время жизни других колебательных уровней порядка секунд, поэтому время жизни этих состояний также определяется вероятностью столкновительных разрушений. [c.120]

Взаимодействие атомов кристалла с вакуумом поля излучения характеризует радиационное время жизни Град. Его обратная величина [c.15]

Если радиационное время жизни делается сравнимым со временем релаксации, то в системе квазиравновесное распределение полностью не устанавливается. В этом случае излучение частично происходит из нескольких возбуждённых состояний. Такое излучение называют горячей люминесценцией. [c.18]

Интеграл в правой части (2.77) может быть вычислен, если известны относительные величины скоростей В, Aij и Ta, . Радиационное время жизни состояния 3 (переходы R — линии 3 2 и 3 1) при температуре 77 К равно 4,3 10 с [50], откуда [c.84]

После того как атом поглотит фотон соответствующей энергии, способной вызвать переход из состояния / в состояние г, он может вновь испустить фотон той же энергии и создать обратный переход из состояния I в состояние /. Этот комбинированный процесс называется рассеянием, если вновь испускаемое излучение когерентно с поглощенным излучением ). Когерентность будет достигнута, если атом успеет излучить прежде, чем произойдет столкновение. Можно показать [19], что радиационное время жизни возбужденного состояния короче, если оно возникает благодаря поглощению фотона, не способного к резонансу (т. е. о) — (в,-/ > > Г), чем если бы оно возникало при поглощении фотона с резонансной энергией (т. е. со — < Г). Для многих земных условий время между столкновениями является промежуточным между резонансным и нерезонансным радиационными временами жизни состояния это приводит к когерентному нерезонансному рассеянию (называемому рэлеевским рассеянием), но к некогерентному испусканию, которым сопровождается поглощение резонансных фотонов. Если не вдаваться в исследование когерентности, то рассеяние атомными системами можно включить в процессы поглощения и испускания, рассмотренные раньше. [c.147]

Взаимодействие с вакуумом поля излучения характеризует радиационное- время жизни Хг- Его обратная величина связана с вероятностью спонтанного излучения фотона в единицу времени. Такое излучение называют люминесценцией. При испускании фотона квантовая система переходит в более низкое энергетическое состояние, в частности в основное состояние. [c.576]

Радиационное время жизни 273, 576 Разрешенные переходы 318 Расширенное -пространство 123 Резонансное свечение 575 Релаксация поперечная 273 [c.638]

Л И В заменены коэффициентом К, в который входят вероятность перехода и радиационное время жизни электронов %гг- Тогда [c.217]

Здесь Ж (Я, г) — концентрация возбужденных лазерным излучением молекул (или атомов) компоненты / в точке г объекта на расстоянии Я, которые могут флюоресцировать 2 1 (X) АХ — доля излучения, испускаемого флюоресцирующими молекулами (или атомами) компоненты I в интервале длин волн (Я, Я + ДЯ) — радиационное время жизни возбужденных молекул (или атомов) компоненты г 1г — постоянная Планка с — скорость света в вакууме. [c.279]

Таким образом, любые радиационные нарушения уменьшают время жизни неосновных носителей и приводят к заметному ухудшению работы полупроводниковых приборов, требующих относительно большого времени жизни, например транзисторов и мощных выпрямителей. Эффективность центров рекомбинации, возникших при облучении, существенно различается в зависимости от материала полупроводника. Например, дефекты в кремнии, облученном нейтронами, оказываются приблизительно в 10 раз эффективнее, чем дефекты в германии, даже с учетом большей скорости образования дефектов в кремнии. [c.283]

Время жизни Н. без учёта нек-рых поправок равно = к(0 - - 36 ) , где к включает кинематич. факторы и зависящие от граничной энергии р-распада кулоновские поправки и радиационные поправки. [c.269]

Время жизни возбужденных молекул Xi или XV относительно радиационных процессов составляет 10 ... [c.165]

Образуются же метастабильные атомы и молекулы либо непосредственно в результате электронной бомбардировки, либо вследствие радиационных каскадных переходов, а часто также в результате рекомбинации зарядов. Поскольку количественный расчет таких процессов возбуждения затруднителен, время жизни метастабильных частиц никогда не определяют ни в самом процессе возбуждения, ни в области возбуждения. [c.277]

Тонкие прозрачные пленки (толщиной 0,3-Ь1 мкм) на поверхности кристалла влияют как на интенсивность, так и на форму спектра люминесценции вследствие интерференции как возбуждающего, так и вторичного излучения. Присутствие пленок не влияет, очевидно, лишь на время высвечивания люминесценции. Однако определять температуру кристалла по времени высвечивания люминесценции после импульсного возбуждения для прямозонных кристаллов трудно из-за малого радиационного времени жизни избыточных носителей ( 1 не). [c.192]

Для оценки радиационной чувствительности вместо определения плотности следа можно находить среднее время жизни малых объемов перегретой жидкости. Ниже излагаются экспериментальные данные, полученные таким способом. [c.211]

ДИМ, что за время затухания осциллятор совершает около 10 млн. колебаний. Период этих колебаний составляет примерно 10 с, поэтому время жизни возбужденного состояния атома, обусловленное радиационным распадом, по порядку величины равно 10 с. Хотя эта оценка получена для простой классической модели излучающего атома, результат по порядку величины согласуется с наблюдаемыми на опыте значениями. [c.43]

Какова зависимость напряженности поля осциллирующего диполя от расстояния Оцените т -п - радиационное время жизни атома в возбужденном состоянии. Вспомните, какие физические явления приводят к меньшему Тэфф. [c.453]

На первый взгляд, кажется, что имеется еще одно противоречие между фактом существования многофотонных процессов и вторым постулатом Бора. Действительно, согласно второму постулату Бора электрон в атоме может находиться лишь в так называемых реальных (по Бору — стационарных) состояниях г, т (рис. 1.2), составляющих атомный спектр, носящий ангармонический характер. Между тем, спектр состояний электрона, который поглощает ряд монохроматических фотонов, носит гармонический характер. Что же представляют собой состояния электрона х (рис. 1.2) этого гармонического спектра, имеющие энергии Е1 + Кйш1 Ответ на этот вопрос дает квантовая механика таких реальных состояний в атоме нет, это так называемые виртуальные состояния. Время жизни электрона в реальных состояниях определяется вероятностью их спонтанного распада в другие реальные состояния с меньшей энергией. Это — естественное (или радиационное) время жизни реальных состояний, которые на самом деле не стационарны, а лишь квазистационарны. Время жизни электрона в виртуальных состояниях определяется соотношением неопределенности [c.14]

Исходя из данного определения люминесценцию можно разделить на флуоресценцию и фосфоресценцию. Флуоресценция происходит на электродипольных квантовых переходах между состояниями одинаковой мультипольности (одинакового спина). Радиационное время жизни по отношению к флуоресценции равно 10 ч- 10 с. Фосфоресценцией называется излучение, сопровождающее переходы между состояниями разной мультипольности. В силу спинового запрета радиационное время жизни фосфоресценции в миллионы раз превышает радиационное время жизни флуоресценции, если соответствующие им квантовые переходы отличаются только спиновыми состояниями. [c.17]

Оценки времён релаксационных процессов, приводящих к установлению квазитермодинамического равновесия внутри зоны возбужденных состояний, дают значения 10 10 с. Радиационное время жизни синглетных состояний 10 10 с. Таким образом при не очень низких температурах квазиравновесное распределение обычно успевает установиться. В некоторых случаях, однако, оно не успевает установиться полностью. Степень отклонения от равновесного распределения существенно отличается для возбуждений разного типа. Например, квазиравновесное распределение меду синглетными возбуждениями устанавливается значительно быстрее, чем равновесное распределение между синглетными и триплетными состояниями. [c.20]

Второе наше допуш ение состоит в том, что оба этих уровня расш,еп-лены на несколько подуровней, переходы между которыми являются неоптическими, а энергетический порядок суммарного расщепления соответствует яТ. Таким образом, атом, находясь в любом из этих состояний, может обмениваться энергией с кристаллической матрицей посредством оптических фононов. Поскольку расстояния между подуровнями гораздо менее яТ, время обмена составляет пикосекунды. Если в лазерном материале радиационное время жизни возбуждённого состояния имеет порядок миллисекунд, то атомы, находящиеся в основном и возбуждённом состояниях, будут успевать приходить в термодинамически равновесие и заселять подуровни в соответствии со статистикой Больцмана. Именно это обстоятельство, которое мы будем называть термализация верхнего и нижнего уровней, приводит к изменению частоты флуоресценции и делает возможным обеспечить радиационный баланс. [c.141]

Здесь 3 о — перенормированная резонансная частота экситона. Напомним, что То =(2Го)" — радиационное время жизни. Выражения (3.144) полностью совпадают с полученными из общих соображений частотными зависимостями амплитудных коэффициентов отражения и пропускания (см. формулу (3.134)), если частоту Зо переобозначить в видесоо. [c.101]

Радиационное время жизни возбужденных состояний в/ кристаллах инертных атомов составляет примерно 10 сек. Вследствие сильного взаимодействия электронных возбуждений с колебаниями решетки кристалла экситонные возбуждения быстро ( 10 сек) локализуются, образуя центры возбуждения квазиатомного и квазимолекулярного типа. При этом в кристалле вокруг центров [c.348]

Здесь — радиационное время жизни (Апт) лазерного пергхода и [c.171]

Для спектральных линий испускания ионов и газового окружения твердых частиц аэрозоля время жизни близко к длительности лазерного импульса /и. На осцилограммах континуального свечения очагов макропробоя как в синей, так и в красной областях спектра наблюдались две стадии развития процесса взаимодействия света лазерного излучения с частицами атмосферной дымки. Первая стадия— допробойная. Она характеризуется относительно слабым тепловым излучением радиационно-нагретых твердых частиц. Вторая стадия свечения обусловлена явлением пробоя. Максимум энергетической яркости плазменных областей по времени приходится на конец импульса, когда эти области достигают наибольших величин. [c.197]

Импульсное возбуждение с малым фронтом нарастания. Импульсные разряды короткой длительности используются в основном для возбуждения газовых лазеров на самоограниченных переходах. В таких разрядах время нарастания импульса тока должно быть сравнимо с радиационным временем жизни верхнего лазерного уровня. Только в этом случае возможно достижение инверсной населенности в разряде Плотность тока в максимуме импульса, необходимая для создания инверсии, оказывается порядка сотен и тысяч ампер на квадратный сантиметр. Условия возбуждения в разряде зависят от потерь энергии в единицу времени, давления газа, напряженности пробоя в газе, геометрии электродов и их расположения. [c.673]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...