Создание конфигурации

Дислокации, даже при значительной их плотности, достаточно подвижны, если сопротивление решетки невелико, но стабильность дислокационной структуры существенно зависит от типа присутствующих дислокаций. Образование, например, расщепленных дислокаций с широким дефектом упаковки, как указывалось, сильно ограничивает подвижность их. Возникновение сегрегаций на дефектах упаковки или дислокациях при сильном взаимодействии их (например, примесей внедрения) приводит, к образованию стабильной структуры. Стабилизация дислокационной структуры возможна за счет создания конфигурации с малой энергией, например полигонизованной структуры (см. гл. V). В данном случае комбинация пластической деформации, легирования и термической обработки может обеспечить стабильные дислокационные конфигурации и хорошую прочность не только при комнатных, но и при повышенных температурах [289, 290]. [c.327]

Журнал Прочие используется для работы с документами, для которых в процессе создания конфигурации не указаны конкретные журналы. В отличие от журнала подчиненных документов и полного журнала, журнал Прочие всегда создается автоматически и имеет только экранную форму, которая также не может настраиваться. [c.179]

Создание конфигураций вручную [c.269]

Закончите создание конфигурации, сохранив эту модель. [c.273]

Создание конфигураций помощью таблицы параметров [c.274]

При разработке варианта КТС САПР, приведенного на рис. 2.6, а, возникают значительные трудности из-за программной несовместимости ЦБК и ЭВМ нижнего уровня при создании программного обеспечения, а также при объединении разнородных ЭВМ на уровне каналов ввода-вывода [3]. Создание таких САПР требует больших затрат времени и средств и под силу крупным проектным организациям. Для небольших проектных организаций или подразделений целесообразно использование варианта двухуровневой конфигурации КТС, показанного на рис. [c.79]

Решение задачи комплексирования ТС САПР, как правило, неоднозначно, т. е. всегда имеется несколько вариантов КТС, отличающихся конфигурацией, количественным составом и номенклатурой ТС. При выборе варианта КТС для реализации следует исходить из условий освоения и развития САПР в рамках конкретной проектной организации и возможностей пополнения КТС новыми техническими средствами. Хорошей базой для создания КТС могут служить выпускаемые промышленностью комплексы АРМ и РМП. [c.82]

Если конфигурация корпуса не позволяет эффективно использовать его поверхности для базирования, то обработку целесообразно выполнять в приспособлении—спутнике. При установке заготовки в спутнике могут быть использованы черновые или искусственно созданные вспомогательные базовые поверхности, причем заготовка обрабатывается на различных операциях при постоянной установке в приспособлении, но положение самого приспособления на разных операциях меняется [c.177]

Операционная система имеет модульную структуру, которая позволяет приспосабливать систему к конкретным конфигурациям используемых технических средств. Процесс создания конкретной структуры ОС, учитывающей особенности конфигурации ЭВМ и задач потребителя, называют генерацией системы. [c.370]

Фоторезист под действием соответствующего освещения изменяет свои свойства, и в результате на поверхности полупроводника получают защитный рельеф из фоторезиста, повторяющий рисунок фотошаблона. Неэкспонированные участки фоторезиста удаляют, а открытые участки оксида снимают травлением. Так создается оксидная маска требуемой конфигурации (схематически процесс фотолитографии показан на рис. 25.2а,б). Сквозь окна маски примеси поступают в полупроводник для создания элементов микросхемы. [c.539]

Всякая система тел, в которой действуют силы тяжести, упругие силы и силы электрического поля, созданного электрическими зарядами, обладает определенны.м ограниченным запасом работы, которую эти силы могут совершить. Этот запас работы, обусловленный конфигурацией тел системы, представляет собой потенциальную энергию системы. [c.129]

Возникает область вакуума P = R = 0. Таким образом, уравнение (2.90) имеет единственный корень, если выполнено условие и,—И2 /вак=—2 ui + a2) ( —1). Задача о распаде произвольного разрыва послужила основой для создания оригинального численного метода решения нестационарных задач газовой динамики. Аналогичная задача о взаимодействии двух стационарных сверхзвуковых потоков послужила основой для создания численного метода расчета стационарных плоских осесимметричных и пространственных сверхзвуковых течений. Конфигурации, возникающие при взаимодействии сверхзвуковых потоков, аналогичны соответствующим конфигурациям в нестационарном течении и изображены на рис. 2.11, а—5. Отличие состоит в том, что при расчете задачи о взаимодействии двух сверхзвуковых потоков параметры в волне разрежения связаны соотношениями Прандтля — Майера (2.74), а не инвариантами Римана. Ограничимся этими краткими замечаниями. В дальнейшем при изложении методов сквозного счета будут приведены расчетные формулы. [c.66]

Дислокация, созданная в неограниченной упругой среде, может в ней свободно перемещаться, если выполнено условие (14.9.1). Действительно, энергия дислокации не зависит от ее положения, следовательно, движение линии дислокации с сохранением конфигурации не требует затраты дополнительной работы. В теле конечных размеров дислокация уже не свободна, упругая энергия тела зависит от положения дислокации и естественным направлением ее движения будет то, которое приводит к уменьшению энергии. Так, в примере 14.8 дислокация, находящаяся на расстоянии от оси цилиндра р < 0,541, будет двигаться к оси, стремясь занять положение устойчивого равновесия. Дислокация, удаленная от оси на расстояние, превышающее р = 0,541, будет двигаться от оси, стремясь выйти па поверхность. [c.472]

Изохронные циклотроны имеют огромные магниты и поэтому довольно дороги. Особенностью изохронных циклотронов является то, что в них орбиты частиц неустойчивы в вертикальном направлении. Для создания вертикальной устойчивости приходится делать магнитное поле азимутально неоднородным, причем с довольно сложной конфигурацией. Но даже и в этом случае вертикальную устойчивость по расчетам удается обеспечить до энергии не выше [c.477]

Изделия из фарфоровой массы получают различными способами обточкой, прессовкой, отливкой в гипсовые формы, выдавливанием через отверстие нужной конфигурации. После оформления изделия производится сушка полуфабриката для удаления воды, вводимой в массу для придания ей пластичности. Следующая операция — глазурование фарфоровых изоляторов — производится для предохранения от загрязнения и создания поверхности, легко очищаемой в условиях эксплуатации. При обжиге глазурное покрытие плавится и покрывает поверхность изолятора тонким стекловидным слоем. Глазурь увеличивает механическую прочность, заглаживая трещины и другие дефекты, уменьшает ток утечки по поверхности изоляторов и повышает их напряжение перекрытия. Обжиг фарфоровых изоляторов в зависимости от размеров длится от 20 до 70 ч по соответствующему режиму. Максимальная температура обжига в зависимости от ида фарфора от 1300 до 1410 С. Фарфоровые изделия помещаются в печь в специальных коробках капселях, изготовляемых из огнеупорных глин, чтобы предохранить из- [c.239]

Описанные выше методы повышения прочности легированных сталей обязательно предусматривают обработку металлов давлением, что требует создания мощного оборудования, притом весьма широкого ассортимента, поскольку детали различной конфигурации приходится обрабатывать в их почти окончательном виде. Поэтому в последнее время внимание исследователей все более сосредоточивается на разработке таких способов упрочнения материалов, у которых не было бы указанного выше недостатка и которые позволили бы снизить стоимость обработки сталей. Одним из таких способов упрочнения является термомагнитная обработка. [c.89]

На основании этих представлений Г. В. Самсонов делает некоторые практические выводы, например, о создании барьерных слоев при получении покрытий. Для этого на основу необходимо наносить промежуточное покрытие, обеспечивающее максимальную стабильность электронных конфигураций основы и наименьшую концентрацию коллективизированных электронов в образующемся промежуточном слое, внешняя часть которого должна охранять способность удерживать слой основного покрытия. [c.26]

Эффективным средством замедления процессов диффузии, а следовательно и повышения жаростойкости покрытий, является создание барьерных слоев, которые обеспечивают максимальную стабильность электронных конфигураций основы и наименьшую концентрацию коллективизированных электронов в переходном слое. [c.27]

Проблема создания диффузно отражающих покрытий низкотемпературного твердения остается актуальной. Известные в настоящее время диффузно отражающие материалы и покрытия [1—3] не устойчивы к воздействию ультрафиолетового и импульсного излучения высокой плотности, что приводит к значительному понижению коэффициента отражения в процессе эксплуатации, требуют высокой температуры термообработки (1000° С) и толщины слоя покрытия до 10 мм, не всегда могут быть использованы на изделиях любой конфигурации. [c.200]

С целью получения покрытия, обладающего повышенной теплопроводностью, были изучены эмали различных классов покровные, грунтовые, кислотостойкие и т. д. Исследования показали, что все они, несмотря на многообразие составов, имеют коэффициенты теплопроводности, очень близкие по значению, в пределах от 1.34 до 1.61 Вт/(М К). Это позволяет сделать вывод, что повысить коэффициент теплопроводности эмали изменением ее состава можно весьма незначительно. Больший эффект может быть достигнут за счет создания композиционных покрытий, т. е. введения на помол эмали металлических и неметаллических материалов. Полученные композиции должны давать однослойное бездефектное плотное покрытие по всей поверхности изделия, которое имеет довольно сложную конфигурацию. [c.127]

Представленные примеры иллюстрируют достоверность описания закономерности событий в вершине усталостной трещины за счет ротаций объемов материала в полуцикле разгрузки. Это приводит к созданию разнообразных профилей усталостных бороздок на разных этапах роста трещины и эффекта пластического затупления вершины трещины при нерегулярном нагружении, что приводит к созданию более сложной конфигурации профиля бороздки. [c.178]

Создание конфигурации выполняется нри помощи Конфигуратора. Созданная конфигурация используется системой 1С Преднрнятие для реализации программного окружения, пригодного для выполнения необходимых учетных задач. [c.42]

I в документе модели, при этом у нее теряется связь с исходным файло <се1. В таблицах параметров можно управлять размерами, состоянием по шения некоторых элементов детали, параметрами конфигурации. Сущест ет два способа создания таблиц параметров автоматически и вручнук 1ссмотрим на примере создание конфигураций детали при помощи табли >1 параметров, оформленной в автоматическом режиме. [c.274]

Для того чтобы посмотреть созданные конфигурации, необходимо открыть Менеджер конфи1урации и по очереди активизировать их двойным щелчком по названию конфигураций (рис. 10.14—10.17). [c.277]

В общем виде показатель KPEV является функцией четырех аргументов абсолютной стоимости этапа создания конфигурации i-ro варианта системы ДО абсолютной стоимости выполнения L-ro приказа по эксплуатации объекта диагностирования после получения обобщенного диагноза вероятности определения одного из d возможных обобщенных состояний ОД с помощью имеющихся в i-м варианте системы технических и методических средств вероятности нахождения среды эксплуатации ОД в одном из а (т) - х состояний. [c.29]

В зависимости от сложности решаемых задач и организации архитектуры САПР возможны несколько вариантов конфигурации двухуровневого КТС (рнс. 2.6). При создании двухуровневых КТС возникают проблемы организации управления raKtfMH системами, взаимоденствия уровней и технической реализации. Наиболее общей является иерархическая структура, на верхнем уровне которой (ЦБК) устанавливается ЭВМ высокой производительности. Нижний уровень КТС образуют ИРС и РМП, связанные непосредственно с ЦБК (рис. 2.6, а). При иерархической организации КТС САПР наиболее распространено централизованное управление со стороны ЦБК. Переход к децентрализованному управлению позволяет повысить надежность КТС и эффективность использования времени ЦБК. [c.79]

Большое влияние на эффективность использования ТС оказывает конфигурация КТС САПР. При этом возможно применение одно-, двух- и трехуровневых КТС. Наиболее развита трехуровневая структура КТС. Усложнение конфигурации КТС, организация в рамках КТС локальных вычислительных сетей улучшают харатеристики КТС, однако требуют создания соответствующего программного обеспечения и решения проблемы объединения различных ТС в единую систему. Повышение производительности КТС САПР может быть достигнуто включением в его состав специализированных ВС, ориентированных на решение конкретных задач проектирования. [c.82]

Идея рельефа очень удобна для программного осуществления графической модели. Трансформация формы с помощью рельефной разработки произвольной конфигурации осуществляется путем создания на дисплее соответствующего плоского изображения. Сначала на экране в нужном масштабе вычерчивается плоская конфигурация. После редакции изображения следует операция помещения этой конфигурации в выбранную для него плоскость объема. Для этого используется стандартная программа аффинного преобразования плоского изображения. Наконец, с помощью специальной подпрограммы плоское изображение выдвигается на нужную величину или вдвигается в глубь формы. При необходимости создания развитого рельефа (контррельефа) с различной глубиной расположения элементов необходимо повторное обращение к данной процедуре. [c.115]

При создании плавающих видовых экранов существуют разные подходы к их размещению на листе. В некоторых случаях создают всего один видовой экран, занимающий весь лист, в других же - пользуются более сложными конфигурациями. Для создания и размещения плавающих видовых экранов предназначено диалоговое окно Viewports (Видовые экраны), показанное на рис. 14.3. [c.310]

Разработка и оформление чертежей на полупроводниковую микросхему тесно связаны с технологией ее изготовления, которая заключается в создании элементов микросхемы и их соединений в объеме и на поверхности полупроводниковой пластины (подложки). Технология изготовления ПИМС строится на сочетании двух основных методов диффузии и фотолитографии. С помощью диффузии (введение примесей) создаются объемные структуры элементов ПИМС, фотолитография позволяет получать необходимые конфигурацию и размеры этих структур [c.538]

Решение значительной части задач конструирования технических объектов (и ЭМУ в этом плане не являетея исключением) может быть упрощено благодаря применению графической формы представления проектной информации. К числу этих задач прежде всего необходимо отнести определение взаимного расположения и формы узлов и деталей, характерное для начальных этапов проектирования. Наглядность графических изображений упрошает действия проектировщиков и в решении других проблем. В то же время всем известна трудоемкость неавтоматизированных графических работ, а при переходе к созданию САПР возникают существенные трудности формального представления и автоматического преобразования графической информации. Действительно, большое количество ограничений, накладываемых на взаимное расположение поверхностей деталей, в полном смысле слова очевидно для проектировщика при наличии эскиза или чертежа, а сложные конфигурации этих поверхностей могут быть получены им с помощью карандаша и других простейших приспособлений. Другое дело, представление всей этой информации в цифровой форме в ЭВМ, где операции по кодированию графических данных предполагают минимум два действия на определение координат каждой характерной точки изображения. Даже простые изображения могут насчитывать многие десятки и сотни таких точек. Еще большие трудности характеризуют решение задач целенаправленного преобразования графической информации, заданной в цифровой форме. [c.173]

В системе тел, в которой действуют только силы тяжести, упругие силы и силы электрического поля, созданного электрическими зарядами, всякая работа этих сил связана с изменгнием конфигурации (так как, когда система вернулась к прежней конфигурации, работа всех этих сил должна быть равна нулю). Если силы, действующие в системе, совершаЕОт положительную работу, то конфигурация при этом всегда изменяется так, что в конце концов способность системы совершагь работу оказывается исчерпанной. Например, если сила растянутой пружины совершает положительную работу, то при этом пружина сокращается. В конце концов пружина сократится до нормальной длины и не сможет далее совершать работу. Растянутая пружина обладает определенным ограниченным запасом работы, которую она мол-сет совершить. Величина этого запаса работы определяется начальным растяжением пружины, т. е. ее начальной конфигурацией. [c.129]

Рассмотренные два случая преломления траекторий частиц являются лишь дтростейшими примерами эффектов, которые могут наблюдаться при движении частиц в электрическом поле. При различной конфигурации электрических полей можно достичь, например, того, что пучок расходящихся траекторий частиц в этом поле превратится в сходящийся, т. е. произойдет фокусировка пучка частиц. Такие методы широко применяются сейчас для получения тонких пучков заряженных частиц, а также для различных других преобразований пучков частиц, главным образом электронов (так называемая электронная оптика). Электроды, которые служат для создания электрических полей нужной конфигурации, называются электрическими (или электростатическими) линзами. [c.209]

Рассмотрим некоторые особенности, связанные с созданием управляющей (подъемной) силы различными конфигурациями летательных аппаратов, и сравним эту силу с соответствующим значением для двухкрылого аппарата. Очевидно, для плюсобразной схемы в плоскости угла атаки а (сов- [c.123]

При конструировашш аппаратуры следует уменьшз1ь число выступав-1аих крепежных деталей (болтов, заклепок) до рационального минимума. Прел-почтительное применение сварки способствует созданию оптимальной конфигурации поверхности. В нагруженных конструкциях не следует применять прерывистые и точечные сварные швы, если в них нет крайней необходимости (рис. 22). Зазоры между элементами конструкций, подлежащих горячему оцин-кованию, должны быть полностью перекрыты с помощью надежных плотных непрерывных сварных швов(рис.23). [c.40]

Удельная мощность Л/уд любого МГД-генератора пропорциональна квадрату скорости плазмы и квадрату индукции магнитного поля в канале генератора, т. е. ЛГуд w B . Для создания магнитного поля в канале МГД-генератора используются специальные магнитные системы, которые должны при минимальных значениях энергии, размеров и массы обеспечить получение необходимых значений величины и конфигурации магнитного поля. Эта задача может быть решена только сверхпроводящими магнитными системами. [c.290]

Плотность потока атомов С, имеющих т-ю конфигурацию соседей, в направлении оси х, параллельно которой создан grad , с плоскости I на плоскость // тогда определится формулой [c.288]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...