Решетка кристаллическая схема

Рис. 6. Дефекты в кристаллической решетке (плоская схема)

КРИСТАЛЛЫ — однородные твердые тела, которые имеют естественную форму многогранников. К. характеризуются правильным пространственным расположением атомов, образующих кристаллическую решетку. Однако схема К. с правильным пространственным расположением атомов является идеализированной. Реальные кристаллы имеют в своем строении ряд структурных несовершенств (см. Дефекты кристаллической решетки). [c.70]

Расположение атомов в кристалле весьма удобно изображать в виде пространственных схем, в виде так называемых элементарных кристаллических ячеек. Под элементарной кристаллической ячейкой подразумевается наименьший комплекс атомов, который при многократном повторении в пространстве позволяет воспроизвести пространственную кристаллическую решетку. [c.22]

Метод изображения кристаллической решетки, приведенный на рис. 4, является условным (как и любой другой). Может быть, более правильно изображение атомов в кристаллической решетке в виде соприкасающихся шаров (левые схемы па рнс. 4). Однако такое изображение кристаллической решетки ке всегда удобно, чем принятое (правые схемы на рнс. 4). [c.23]

Из рассмотрения схем кристаллических решеток (см. рис. Ч), если считать что атомы являются как бы упругими, касающимися друг друга шарами, вы текает, что параметр решетки а н атомный диаметр d связаны простыми геометрическими соотношениями. [c.24]

Рис. 28. Схема изменения потенциальной энергии металлического иона при пере ходе от энергетически более выгодного места Р на поверхности металла в междоузлия решетки окисла Qi, Q2 и т. д. (а — расстояние первой кристаллической плоскости окисла от поверхности металла можно считать, что а а)

Рис. 1.8. Схема строения реальной кристаллической решетки (крестиком отмечены дислоцированные атомы незаполненные узлы решетки — вакансии)

Рис. 112. Схема энергетических уровней ионов хрома в кристаллической решетке АЬОз

Исходным лазерным материалом являются кристаллы фторидов и хлоридов щелочных металлов, а также фториды кальция и стронция. Используются также кристаллы с примесью. Воздействие на кристаллы ионизирующих излучений (v-квантов, электронов высоких энергий, рентгеновского и коротковолнового ультрафиолетового излучений) или прокалка кристаллов в парах щелочного металла приводит к возникновению точечных дефектов кристаллической решетки, локализующих на себе электроны или дырки. Стимулированное излучение возникает на электронно-колебательных переходах в таких образованиях. Схема генерации центров окраски аналогична схемам лазеров на красителе. [c.957]

Многие колебательные системы должны рассматриваться как системы с п степенями свободы. К числу таких систем относятся сложные электрические цепи, в частности фильтры. Эквивалентные схемы СВЧ-цепей, как правило, также являются системами с п степенями свободы. Примером механической системы с п степенями свободы может служить многоатомная молекула. Теория колебаний в системах со многими степенями свободы интересна также при изучении движения кристаллической решетки твердого тела. [c.281]

В первом приближении кристаллическое тело заменяется его моделью или расчетной схемой в виде идеального кристаллического тела. Строение идеальных кристаллических тел отличается строгой упорядоченностью расположения атомов, образующих кристаллические решетки. Наименьшая периодически повторяющаяся часть кристаллической решетки называется элементарной ячейкой. Простейшую кристаллическую ячейку можно представить в виде параллелепипеда со сторонами а, Ь, с и углами при вершинах а, р, у, как показано на рис. 7.1. В вершинах этого параллелепипеда находятся атомы вещества. Совместив ряд таких элементарных ячеек, получим кристаллическую структуру, изображенную на рис. 7.2, с размерами ka, mb, пс. При этом положение любого атома определяется в косоугольных осях Оху г вектором [c.127]

Из вышеизложенного следует, что степень зависимости пластичности от схемы напряженного состояния для различных металлов и сплавов будет различной в зависимости от типа кристаллической решетки, наличия примесей, фазового состава, температуры и скорости деформации, структуры и ряда других факторов, воздействующих на пластичность. Однако независимо от степени влияния гидростатического давления на пластичность металла (сплава) пластичность увеличивается с алгебраическим уменьшением шаровой части тензора напряжения, т. е. с уменьшением величины k= jT — коэффициента жесткости схемы напряженного состояния. В связи с этим для установления количественной связи пластичности с величиной k (или для построения диаграмм Лр—не обязательно проводить испытания в камерах высокого давления. Достаточно знать величины Лр при растяжении ( =1 т/"3), кручении ( =0) и сжатии k——1 . у З). [c.519]

Рис. 19. Схема краевой дислокации в кристаллической решетке

Переход металла из жидкого состояния в твердое происходит по схеме, изображенной на рис. 1.5. По достижении остывающей жидкостью критической температуры (Тпл) в ней возникают устойчивые центры кристаллизации, состоящие из ячеек кристаллической решетки (рис. 1.5, а). С течением времени они обрастают присоединяющимися к ним из жидкости другими ячейками и превращаются в зерна металла (рис. 1.5, б—е). [c.13]

Представленная схема хорошо согласуется со многими экспериментальными фактами, обнаруженными методами электронной микроскопии и P А в чистых металлах, подвергнутых интенсивной деформации равноосной формой зерен, значительными искажениями кристаллической решетки, наличием дислокаций высокой плотности в границах зерен и т. д. Вместе с тем закономерности структурных изменений и механизм формирования наноструктур в различных сплавах при интенсивных деформациях остаются еще мало изученными, и их выявление остается актуальной проблемой, требующей дальнейших исследований. [c.47]

Измерение электрических свойств — эффективный метод изучения дефектов кристаллической решетки, возникающих в процессе деформации [1—3]. Измерения электропроводности нашли широкое применение при исследовании низкочастотной усталости [4—6]. Однако, учитывая особенности процесса ультразвукового нагружения, при котором деформация происходит в микрообъемах металла, для получения дополнительной информации о процессе акустической усталости нами, кроме метода электропроводности, применен метод термоэдс, являющийся более чувствительным, чем электросопротивление, параметром, реагирующим на все изменения электронного состояния металла [7, 8]. К тому же процесс измерения термоэдс на неравномерно деформированном образце по использованной нами схеме проще, чем измерение электросопротивления, а в некоторых случаях этот способ может быть единственно возможным. [c.195]

Наконец, принято выделять еще один тип напряжений, так называемые напряжения третьего рода, возникающие в результате нарушения регулярности межатомных связей в кристаллической решетке. Величина этих напряжений существенно меняется в пределах объемов, много меньших объемов кристаллических верен. Конечно, слово напряжения здесь не следует понимать буквально, поскольку мы вторгаемся в объемы, не допускающие использования схемы сплошной среды и перехода к бесконечно малым площадкам. Но терминология установилась и менять ее нецелесообразно. [c.100]

Упругая деформация. Общая схема работы материала. Идеальный монокристалл металла имеет строго регулярную структуру, определяемую типом его кристаллической решетки. Под влиянием внешних сил, прикладываемых к монокристаллу, изменяются расстояния между атомами. Такому смещению атомов противодействуют силы межатомного взаимодействия. Если смещения атомов настолько невелики, что не преодолены эти силы, то по устранении внешних воздействий атомы возвращаются в свои первоначальные позиции устойчивого равновесия. Так протекает упругая деформация тела величина этой деформации очень мала (измеряется десятыми долями процента). [c.238]

Самосмазывающиеся свойства дисульфида молибдена объясняются строением его кристаллической решетки, схема которой показана на рис. 3. Каждая частица двусернистого молибдена представляет собой слой атомов молибдена, покрытый с обеих [c.27]

Микросхема представляет собой многокомпонентное тело из слоевых композиций на поверхности или в приповерхностном слое твердого тела, ее характеристики определяются свойствами тонких слоев различных материалов, которые, в свою очередь, во многом зависят от условий их формирования и последовательности технологических операций. Поверхность твердого тела нарушает симметрию кристаллической решетки и превращает приповерхностный слой в особую, неравновесную область. Погружение электронной схемы вызывает необходимость получения элементов микронных и субмикронных размеров и выдвигает на первый план свойства поверхности и тонких слоев, которые для массивных образцов материалов практически не принимаются во внимание. [c.411]

Вот заготовку, нагретую до температуры чуть выше интервала фазового превращения, кладут в матрицу. При остывании кристаллическая решетка металла перестраивается, и он переходит из парамагнитного состояния в ферромагнитное. В этот момент резко меняется магнитная проницаемость, а следовательно, и ток во вторичной обмотке. Нарушается равновесие чувствительной мости-ковой схемы, и сразу же включается пресс. Таким образом, штамповка происходит точно в момент фазового превращения, независимо от условий охлаждения, колебаний химического состава и металлографической структуры заготовки. [c.10]

В сплавах — твердых растворах— атомы растворенного элемента размещены в кристаллической решетке элемента-раствори-теля. Атомы растворенного эле-Рис. 1-7. Схема микро- мента могут либо замещать структуры механической атомы элемента-растворителя в смеси. узлах кристаллической решетки, [c.16]

Канонически принято, что образование вакансии происходит по схеме 1, представленной на рис. 3.1, и сопровождается релаксацией близлежащих атомов с уменьшением прежнего объема (под релаксацией в данном случае понимают смещение атомов со своих мест в узлах кристаллической решетки). В качестве альтернативы рассмотрим схему 2, по которой вакансия возникает с увеличением объема. [c.98]

Предположим, что вакансия имеет сферическую форму с радиусом Гу - 0,9/ для схемы 1 и Гу- Л1 ддя схемы 2, где I - среднее расстояние ион-электрон, I - а /1,41 для кубической кристаллической решетки, имеющей параметр а. В этом случае вакансия обладает поверхностной энергией [c.98]

Молекулярная электроника позволяет создавать радиосхемы в твердом теле с помощью электроактивных примесей бора, галлия, алюминия, фосфора, сурьмы мышьяка, образуя в кристаллах зоны, выполняющие функции резисторов, конденсаторов, индуктивностей, диодов и транзисторов. Для создания подобных схем необходимо строго дозировать атомы перечисленных элементов и вводить их в точно намеченные места кристаллической решетки. Твердотельные схемы чрезвычайно малы по размерам и вносят новые представления и теоретические предпосылки в расчет, конструирование и технологию производства радиоаппаратуры. [c.4]

Трехуровневая модель хорошо описывает процессы в некоторых твердотельных лазерах, например, на рубине. Излучающими центрами в рубине являются атомы хрома, частично замещающие атомы алюминия в кристаллической решетке AI2O3. Схема трехуровневой системы представлена на рис. 1.6. [c.18]

На рис. 5 приведены условно указанные кристаллические решетки и схемы расположения или упаковки атомов (ионов), дающие более наглядное представление о каждой из структур. В схемах упаковки атомы (ионы) изображены сферами такой величины, что они касаются друг друга. Из этого, естественно, не следует делать вывод, что эти сферы представляют собой не-сжнмае.мые объемы, поскольку очень малые по размерам ядра атома окружены электронными оболочками сравнительно невысокой плотности. [c.18]

В кристаллической решетке реального металла присутствуют и химические неоднородности в виде атомов примесей. В любом так называемом чистом металле присутствует иекоторре количество примесей. Атомы примесей могут оказаться внедренными в междуузлиях решетки (по схеме на рис. 4, б) или могут заместить атомы основного металла в узлах решетки. Поскольку атомы и ионы примесей обладают иными размерам , зарядом, строением внешних электронных оболочек по сравнению с атомами основного металла, присутствие примесей сказывается на всех свойствах металла. Примеси, как правило, существенно повышают прочность, снижают способность к пластическому деформированию, [c.34]

Рис. 16. Содержание водорода во Рис. 17. Решетка кристаллического флюсе ( мV100 г) в зависимости а), расплавленного (б) кремнезе-от его основности В (В= ма и схема растворения окисла =2Е0/2Н02) двухвалентного металла в кремне-

Существует ряд схем и способов описания вариантов взаимного расположения атомов в кристалле. Взаимное расположение атомов в одной из плоскостей показано на схеме разме-ш,ения атомов (рис. 3). Воображаемые линии, проведенные через центры атомов, образуют решетку, в узлах которой располагаются атомы (положительно заряженные ионы) это так называемая кристаллографическая плоскость. Многократное повторение кристаллографических плоскостей, расиолол енных параллельно, воспроизводит пространственную кристаллическую решетку, узлы которой являются местом расположения атомов (ионов). Расстояния между центрами соседних атомов измеря- [c.22]

Рнс. 43. ПластическиП сдвиг в идеальной кристаллической решетке (схема) [c.66]

Кристаллическую структуру аустсннта можно себе представить как г. ц. к. решетку, состоящую из атомов железа, в которую внедрены меньшего размера атомы углерода. Если бы все свободные места (поры) в г. ц. к. решетке были заняты углеродом, то это состояние характеризовала бы схема, изображенная на рис. 132,а. Но так как атом углерода больше размеров ио- [c.163]

Твердые растворы замещения. При образовании твердых растворов этого типа атомы растворителя в узлах решетки замещаются атомами растворяющегося элемента. Схема распределения атомов металла А и металла В в твердых растворах замещения приведена на рис. 91, а. В твердых растворах наблюдается также замещение в кристаллической рещетке одного химического соединения другим, как это показано на [c.122]

С) приводит к образованию в местах, где располагались зоны ГП-2, дисперсных (тонкоиластинчатых) частиц промежуточной 0 фазы, не отличающейся ио химическому составу от стабильной 0-фазы ( uAl. ), но имеющей отличную кристаллическую решетку. 0 -фаза частично когерентно связана с твердым раствором (рис. 161,в). Повышение температуры до 200—250°С приводит к коагуляции метастабильной фазы и к образованию стабильной 0-фазы (рис. 161, г), имеющей с матрицей некогерентные границы. Таким образом, при естественном старении образуются лишь зоны ГП-1. При искусственном старении последовательность структурных изменений в сплавах А1—Си можно представить в виде следующей схемы ГП-1 [c.325]

Рассмотрим схему примесного центра свечения в однокоординатной модели (рис. 3.20), в которой энергия примесного центра является функцией так называемого конфигурационного параметра г. Для двухатомной молекулы г означает расстояние между ядрами. В общем случае г имеет смысл усредненного расстояния между ядрами. В результате взаимодействия центра свечения с полем кристаллической решетки егю энергетические уровни становятся квазимолекуляр-ными. На рис. 3.20 кривые W, и изображают потенциальную энергию возбужденного и основного (певозбужденного) состояний центра. [c.72]

Н. Я. Селяковым и Н. Т. Гудцовым. Мартенсит имеет объемноцентрированную тетрагональную кристаллическую решетку. В такой структуре атомы углерода размещаются примерно в тех же местах, какие они занимали в 7-твердом растворе (аустените). Кристаллогеометрическая схема превращения аустенита в мартенсит приведена на рис. 84. Превращение ГЦК решетки аустенита в тетрагональную решетку происходит вследствие соответствия этих решеток. Тетрагональная ячейка на рис. 84 вписана внутрь аустенитной решетки. Аустенит почти мгновенно превращается в мартенсит путем массового сдвига атомов железа без обмена местами на расстояние, не превышающее межатомное. Таким образом, мартенситное превращение напоминает процесс двойникования. Атомы углерода занимают положения на серединах ребер с или в ценив [c.116]

Изучив различные процессы, одновременно протекающие при облучении селеновых и меднозакисных кристаллов, можно выявить некоторые механизмы нарушений. К таким процессам относятся ядерные превращения, искажения кристаллической решетки и отжиг. Ядерные превращения вызываются захватом тепловых нейтронов, а последующий радиоактивный распад приводит к образованию химических примесей в кристаллической решетке. Разупо-рядочение кристаллической решетки является результатом упругого рассеяния нейтронов, обладающих высокой энергией. При температурах выше 130° К существенную роль начинает играть процесс отжига. Кроме того, комптоновское рассеяние у-квантов приводит к образованию электронов с высокой энергией, которые в свою очередь могут вызвать разунорядочение кристаллической решетки при упругом рассеянии. В одном или более барьерах могут наблюдаться фотоэлектрические эффекты, причем фотонапряжения оказывают во многих случаях влияние на работу электронных схем, даже если после облучения необратимые изменения отсутствуют. [c.358]

Ранее нами было показано [3], что для железа при наложении определенных условий (кубическая неплотноупа-кованная кристаллическая решетка, хрупкое разрушение и др.) и с учетом активационного объема квант разрушения (минимально возможный прирост длины трещины за один цикл) равен примерно 4а (а — радиус атомной решетки), т. е. 5 10 мм. Следовательно, до пороговой скорости роста трещины 5 10 мм/цикл по мере накопления предельной запасенной энергии у вершины трещины в течение определенного интервала циклов нагрузки трещина не продвигается, а затем за один цикл осуществляет проскок на длину, равную кванту разрушения ад (рис. 1). В момент достижения пороговой скорости 5 10 мм/цикл (рис. 1, точка д) для проскока не требуется предварительного количества циклов нагружения, поскольку для накопления предельной энергии достаточно одного цикла нагрузки, и проскок трещины на длину а, происходит за один цикл. Далее (выше точки д, см. рис. 1) проскок трещины усталости будет осуществляться за каждый цикл нагружения на длину, кратную кванту ад. Подтвердить подобную схему распространения трещины трудно, так как для фрактографического исследования, например, понадобились бы увеличения порядка 10"—10 . [c.252]

Схема такого перехода показана на рис. 32. Активный ато м находится в более полном окружении молекулами воды или анионов, присутствующих в растворе, с которыми он вступает в адсорбционное взаимодействие. В результате образуются промежуточные комплексы Me... Н2О, минуя стадию образования которых металлический ион, утративший связь с кристаллической решеткой, переходит в состояние сольвати рованного иона или комплексного аниона, способного к самостоятельному существованию в растворе. [c.105]

В. К. Григорович [4] на основании изучения данных о полиморфизме металлов всей системы Менделеева пришел к выводу, что перестройка кристаллических решеток металлов происходит вследствие изменения симметрии электронных оболочек атомов при изменении температуры. Естественно предположить, что в субмикроскопических участках, обедненных легирующими элементами, т. е. обогащенных титаном, при низких температурах будет устанавливаться такая симметрия в расположении атомов, которая свойственна низкотемпературной модификации. Действительно, из схемы перемещения атомов в плоскости (ОП) 3 при перестройке р-чгг , предложенной Ю. А. Багаряцким (рис. 1), видно, что в результате перестройки каждый атом оказывается окруженным шестью атомами, расположенными на равных расстояниях, как в гексагональной а-фазе, а не четырьмя, как в объемноцентрированной решетке р-фазы. Так как такие перемещения атомов титана происходят в весьма малых зонах, когерентно связанных с решеткой исходного р-твердого раствора, кристаллическая решетка го-фазы имеет промежуточное строение между строением а и р-фаз. [c.69]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...