Ионный заряд

Электрическая проводимость электролитов — их главное физическое свойство. Она определяется числом носителей заряда — ионов, зарядом их и скоростью дрейфа в направлении силовых линий электрического поля [c.289]

Энергия кулоновского взаимодействия между ионами, заряд которых равен q, равна [c.27]

Ион, радикал, фрагмент поверхности Положение иона Заряд атома [c.72]

Пусть д и Q — динамические переменные (например, перемещения), которые описывают распределения электронных и ионных зарядов соответственно. Оптическая диэлектрическая непроницаемость 7] непосредственно зависит от и является неявной функцией переменной Q, которая в свою очередь зависит от температуры Т. Известно, что непосредственный ионный вклад в поляризуемость молекул очень мал (в 2000 раз меньше электронного вклада). Однако в твердых телах электрический потенциал в основном определяется распределением ионного заряда. Поэтому изменение в распределении ионного заряда будет приводить к соответствующему изменению электронного потенциала, который в свою очередь изменяет поляризуемость твердого тела. [c.283]

Для электронов, наиболее близких к ионному заряду, выражение (32) можно привести к линейному виду [c.24]

Однако в данном случае мы пренебрегли экранированием ионов электронами. Для длинноволнового предела из равенства (52) или (53) следует, что ионный заряд должен экранироваться, и тогда получим [c.52]

Здесь мы применили равенство (26), заменив в первом слагаемом по через Е . Из этого уравнения видно, что первое слагаемое соответствует просто условиям нормализации для распределенного заряда, иными словами, условиям полной экранировки ионного заряда Ее распределенными электронами. [c.109]

Яр)о гаусс/см. . (ионный заряд)о. [c.58]

Величины т и ш° представляют собой характерные обратные времена вырождения скалярных полей вследствие дрейфа частиц в собственном электрическом поле. Приведем характерные значения этих величин при 6+ Ъ- для двух ситуаций, соответствующих среде с ионными зарядами (взаимодействие положительного и отрицательного коронных разрядов) и среде с микрочастицами. Для первой ситуации т и ш° равны 10 -10 Для второго случая при размере частиц [c.626]

В ионизированном газе наряду с нейтральными атомами имеются атомы, в которых положительный заряд ядра не уравновешен суммарным отрицательным зарядом электронных оболочек. Такие атомы называют ионами. Ионы могут быть положительными, если в электронных оболочках недостает одного или нескольких электронов, и отрицательными, если суммарный отрицательный заряд электронов превышает положительный заряд ядра. Наряду с ионами в ионизированном газе всегда имеются свободные электроны, несущие отрицательные заряды. Масса иона практически не отличается от массы нейтрального атома (например, масса водородного иона составляет 1,66 10 г). Масса электрона очень мала и составляет 9.10-28 3 1340 раз меньше массы водородного иона. Заряд электрона равен 1,59 10 кулона. Процесс образования ионов и электронов носит название ионизации газа. [c.13]

Заряд — заряд (ион — ион) Заряд — диполь Заряд — квадруполь Диполь — диполь Диполь — квадруполь Заряд — индуцированный диполь Диполь — индуцированный диполь [c.385]

В диэлектриках с заметной ионной проводимостью электростатическое экранирование, по крайней мере частично, может осуществляться за счет накопления ионного заряда в приповерхностной области. В итоге дебаевская длина экранирования станет еще меньше. [c.21]

Существование квадрупольных моментов позволило индуцировать электрические квадрупольные переходы между спиновыми энергетическими уровнями ядер [18]. Простая оценка порядка величины показывает, что поля, создаваемые в образце внешними проводниками, слишком однородны для этой цели. Необходимые градиенты поля могут быть получены за счет периодического движения ионных зарядов внутри образца при помощи акустических колебаний, возбужденных внешним генератором. Обнаружить резонанс можно либо непосредственно методами магнитного резонанса по уменьшению неравенства населенностей, возникающему в результате акустического облучения, либо даже (как это сделано в последних экспериментах) по прямому поглощению ядерными спинами акустической энергии, проявляющемуся в виде дополнительной нагрузки на ультразвуковой генератор. [c.23]

Обсуждение экранировки в гл. 17 было основано на модели электронного газа, в которой ионы рассматривались как инертный однородный фон положительного заряда. При этом не учитывалось, что электрическое поле, создаваемое в металле внешним источником заряда, может быть связано не только с изменением пространственного распределения электронов, но и с искажением распределения ионного заряда. В некоторых случаях интерес действительно представляет лишь экранирующее воздействие электронов ). Однако часто бывает желательно учитывать экранировку внешнего источника всеми заряженными [c.141]

В поляризуемость а дают вклад два члена. Вклад от р 1см. формулу (27.31)1, называемый атомной поляризуемостью , возникает за счет искажения распределения ионного заряда. Вклад величины ей, называемой поляризуемостью смещения , возникает из-за смещений ионов. В молекулярных кристаллах отсутствует поляризуемость смещения, так как ионы в них не заряжены, но в ионных кристаллах такая поляризуемость имеется, и она сравнима по величине с атомной поляризуемостью. [c.166]

В 8 с помощью кинетического уравнения Больцмана введены уравнения гидродинамики и в частности, в качестве первого приближения уравнения Навье— Стокса. Получены кинетические коэффициенты (теплопроводности и внутреннего трения), а также проведен расчет затухания акустических колебаний в нейтральной системе, возникающего в результате диссипативных потерь при прохождении в ней волны плотности. В 9 включены несколько задач, посвященных системам типа легкой компоненты, а также необходимые для общей постановки электронной теории оценки идеальности вырожденного электронного газа в реальных металлах вблизи поверхности Ферми и способности электронного газа экранировать ионные заряды. Последний 10 посвящен обсуждению проблем использования уравнений кинетического баланса (модельная система с равными вероятностями перехода, двухуровневая система и т. п.). [c.359]

На фиг. 5, а представлена кольцевая конфигурация Бернала — Фаулера на фиг. 5, б молекула (//) повернулась, так что на линии, связывающей молекулы (//) и (///), оказалось два протона, а между молекулами (/) и (//) — ни одного. Молекула (II) может теперь вернуться в свое начальное положение но может повернуться и соседняя молекула [например, молекула (///) на фиг. 5, в], так что соседние нарушения порядка окажутся разделенными. В каждом нарушении порядка, согласно нашей тетраэдральной модели, будет находиться заряд д = 2-10 ° эл.-стат. ед. С точки зрения электростатики эти заряды играют существенную роль только при отсутствии ионов. Заряды взаимодействуют друг с другом, причем сила электростатического взаимодействия между ними определяется высокочастотной диэлектрической проницаемостью. [c.323]

Большее практическое значение (по сравнению с рассмотренными) имеют иониты, параметры кристаллической решетки которых могут изменяться в известных интервалах. Примером пространственной структуры кристаллической решетки ионитов такого типа может служить решетка, образованная рядом наложенных друг на друга чередующихся плоскостных структур двух различных типов. Плоскости одного типа образованы группами атомов (обычно Si04 или AIO4), связи между которыми являются ковалентными. Отдельные такие плоскости связаны ограниченным числом также ковалентных связей (через атомы кислорода). В пространстве между указанными плоскостями находятся ионы, заряд которых противоположен по знаку заряду плоскостей (совокупность этих ионов образует плоскость второго типа). Ионы могут мигрировать в образуемом ими плоскостном элементе и замещаться другими ионами (того же знака заряда). Изменение при этом величины заряда и радиуса ионов приводит лишь к изменению расстояния между плоскостными элементами первого типа, но не к разрушению кристаллической решетки. В плоскость, образуемую мигрирующими ионами, могут внедряться также молекулы воды, приводя к соответствующему увеличению параметров кристаллов в направлении оси, перпендикулярной указанным плоскостям. Своеобразие структуры объясняет высокую скорость диффузии ионов в твердой фазе ионита. Такая структура (и подобные ей) характерна для многих минеральных ионитов. [c.173]

Макромолекула ионообменных смол состоит (рис. 84) нз гибких переплетающихся нитей полимерных молекул, углеводородные цепи которых имеют поперечные связи — мостнки, образующие матрицу (каркас) смолы. Матрица несет неподвижно закрепленные на ней заряженные группы — фиксированные ионы. Заряд фиксированных ионов нейтрализуется распределенными внутри смолы подвижными ионами противоположного знака, так называемыми противоионами. Фиксированные ионы связаны с противоионами и образуют с ними ионогенные группы. Подвижность противоионов способствует вступлению их в реакцию обмена с ионами того же знака, находящимися в растворе. Матрица ионита с фиксированными отрицательными ионами представляет собой полианион, а с фиксированными положительными ионами — поликатион. Если фиксированные ионы несут отрицательный заряд, то ионит способен к обмену катионов и называется катионитом, если заряд [c.190]

Здесь боИ е -статическая диэлек1рическая проницаемость и прош-цаемость в оптическом диапазоне, Q-статический ионный заряд. Установленная связь нелинейных восприимчтостей (63) хорошо согласуется с экспериментальными данными в тех случаях, когда применима электростатическая модель точечных зарядов. [c.34]

Очевидно, нельзя ожидать а priori одинаковую размерную зависимость стабильности нейтральных и ионизированных кластеров. В работе [520] теоретически прощупывались поверхности потенциальной энергии для ионизированных кластеров Агп-iK (и = 3 -4--н 15) при Г = О К и было установлено, что, в отличие от соответствующих нейтральных кластеров, у которых по мере роста п стабильность увеличивается благодаря все большему насыщению связей, стабильность ионизированных кластеров с ростом п сначала повышается, а затем, начиная с и = 5, падает из-за возрастающего экранирования локальных ионных зарядов полями наведенных диполей, вследствие чего сильно уменьшается связывающее поляризационное взаимодействие. Вместе с тем отмечается повышенная стабильность как нейтральных, так и ионизированных кластеров, имеющих число атомов ге = 9 и 13 соответственно. Для кластеров Arn-iK" с 5 найдено по нескольку изомеров, обладающих осями симметрии 3-го или 4-го порядка. Пентагональная бипирамида с осями симметрии 5-го порядка, являющаяся стабильным изомером Аг , нестабильна для кластера АгуК" , когда ион размещается в центре пятиугольника. Единственным стабильным изомером, имеющим оси [c.187]

Способы формирования электретов различны. Обычно к диэлектрику кроме сильного электрического поля применяют дополнительно какое-либо активизирующее воздействие, ускоряющее процесс поляризации (ориентацию диполей, полярных комплексов, радикалов, доменов) или процесс электризации (миграцию электронного, дырочного или ионного заряда и его закрепление на ловушках). В зависимости от дополнительного к полю активирующего воздействия (нагрев, освещение, радиация, магнитное поле, механическое растяжение) электреты классифицируют как термо-, фото-, радио-, магнито-, механоэлектреты и др. [1, 4, 10, [c.161]

Применить метод Эвьена для вычисления постоянной Маделунга линейной цепочки из задачи 3.5. Для этого случая удобной ячейкой Эвьена будет ячейка, состоящая из иона и двух его соседей у центрального иона заряд равен е, а у двух соседних заряд следует считать дробным, равным 0,5е. [c.16]

В Копенгагене был применен циклотрон для получения нейтронов из Ве (й, п), которые вызывают деление в уране, помещенном в непосредственной близости к внутренней мишени Ве. Осколки деления были затем исследованы с помощью магнитного отклонения в поле циклотрона. Из этих измерений было получено наиболее вероятное значение в 6,5-10 гаусс см для легкого осколка. Затем было вычислено значение для тяжелого осколка. Начальный ионный заряд имеет чрезвычайно существенное значение в процессе деления. Мы видим, что в отличие от а-частицы (которая испускается без своих двух элек-тронов) осколки деления удерживают значительную долю атомных электронов составного атома. Вопреки предложенным до настоящего времени теориям, более тяжелый осколок имеет больший начальный ионный заряд. Средний пробег не может быть вычислен исходя из теории двух тел, примененной для а-частиц, поскольку осколки деления, движущиеся через вещество, связаны со многими электронами. Приведенные значения всецело основаны на экспериментальных наблюдениях. [c.58]

Схема получения изображения на электрофотографии. слоях приведена на рис. 1. Ксерм рнфич. слои сами но себе но обладают светочувствительностью. Они приобретают ео лишь поело электризации, при к-рой внутри слоя создается электрич. поло. В процессе электризации (а) на поверхность слоя осаждаются положительные или отрицательные ионы. Такой слой в первом приближении можно уподобить плоскому конденсатору, диэлектрич. средой в к-ром является высокоомный полупроводник. Одну обкладку такого канденсатора представляет ионный заряд на поверхности слоя, а др. обкладку — подложка, на к-рую нанесен слой или часть слоя с зарядами экранирования. При экспонировании (б) в результате фотопроводимости полупроводника уменьшается сопротивление слоя, что приводит к утечке нанесенных на поверхность. слоя зарядов пропорционально интенсивности света. Макс. количество зарядов (г. е. [c.520]

При рассмотрении твердого тела, в котором основную роль играют ионные связи, такого, как, например, кристаллы 2пО или С(18, распределение потенциала над поверхностью можно определить точно таким же способом, как и в случае щелочно-галоидных кристаллов (см. приложение В). Для этого необходимо оценить эффективный ионный заряд. В случае некоторых пьезоэлектрических полупроводников Берлинкурт и др. [35] сумели точно оценить эффективный заряд ионов, их результаты приведены в табл. 3.6. Как видно из таблицы, лишь 2пО обладает ярко выраженными свойствами тела с ионными связями. Обычно наиболее трудно рассчитать поле поверхности для промежуточных случаев. Поэтому представляется целесообразным рассматривать окислы как ионные структуры, а большинство других полупроводников считать ковалентными. [c.172]

Экранировка фактически осуществляется путем перераспределения плотности электронного газа. Приближенное выполнение условия самосогласования по Хартри достигается за счет того, что вокруг каждого голого положительного иона появляется окутывающее его облако отрицательного электронного заряда. Облака, принадлежащие соседним ионам, могут перекрываться свободно проникая друг в друга, а при движении иона он несет с собой, как гало, свое облако. Суммарный отрицательный заряд каждого облака в точности равен по абсолютной величине ионному Заряду - -Е I е так что если отойти от иона дальше чем на одну-две межатомные длины, то металл выглядит злектри-чески нейтральным, и нет никаких злектростатических полей, которые могли бы привести к радикальному перераспределению электронного газа. Из общих соображений естественно предположить, что радиальное распределение электронной плотности в каждом таком облаке заряда должно напоминать соответствующее распределение плотности вероятности найти там валентные электроны, заполняющие связанные состояния нейтрального атома того же злемента. Таким образом, замена величины в правой части равенства (10.29) на эквивалентна тому, что мы представляем себе систему как совокупность квазинезависимых нейтральных псевдоатомов (рис. 10.4) [4]. [c.463]

Этот вывод зависит от знака, с которым ш входит в показатель степени. В случае ионов заряд — е заменяется на ге, так что (Иве— —шв/- Тогда при ш—>-(в+10 былоТ5ы а—>-а+ 0 и для С надо было бы выбрать значение —оо. [c.270]

Изучая взаимодействие ионов, мы находимся в пределах молекулярных масштабов и должны помнить, что 1) изолированный дефект Бьеррума несет вполне определенный некомпенсированный локальный заряд и 2) ионный заряд компенсирован не полностью, так как для его компенсации (отвлекаясь от электронных и ионных поляризуемостей) необходимо несколько дефектов Бьеррума. [c.324]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...