Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Структура ионная

Электронная лампа или тиратрон играют роль усилителя импульса и далее непосредственно или с дополнительным последующим усилением воздействуют на тот или другой элемент цепи управления двигателем. Детальная структура ионно-электронной схемы в промышленном электроприводе может быть весьма разнообразной.  [c.61]

Электрические свойства являются прежде всего отражением химического состава полимеров и, в гораздо меньшей степени, — его структуры. Ионные полимеры, например, полиакриловая кислота и ее соли, ведут себя как низкомолекулярные электролиты, а полимерные материалы, о которых говорится в этой книге, имеют характер диэлектриков.  [c.32]


Способность ионитов к ионному обмену объясняется их специфической структурой. Ионит состоит из твердой нерастворимой в воде молекулярной сетки, к отдельным местам которой на поверхности и внутри ее массы присоединены химически активные функциональные группы атомов ионита. С электрохимической точки зрения каждая молекула является своеобразным твердым электролитом. В результате электролитической диссоциации ионита вокруг нерастворимого в воде ядра образуется ионная атмосфера, представляющая собой ограниченное пространство вокруг молекулы ионита, в котором находятся подвижные и способные к обмену ионы. Если эти подвижные ионы имеют положительный заряд, ионит называется катионитом, если отрицательный — анионитом.  [c.3]

При формировании многокомпонентных покрытий анализ значительно усложняется, так как коэффициенты распыления отдельных компонент не отличаются высокой точностью даже для термодинамически равновесных фаз. В условиях формирования метастабильных структур ионно-плазменных покрытий можно ожидать аномально высоких коэффициентов распыления в тех случаях, когда это соответствует смещению структуры покрытия к термодинамически равновесной. Анизотропия коэффициента распыления и глубины проникновения ионов в кристаллические материалы приводит к преимущественному росту зерен с ориентацией, благоприятной для каналирования и имеющих минимальный коэффициент распыления. Разница в значениях выхода распыления может достигать сотен процентов [147]. Таким образом, открывается возможность формирования текстурированных покрытий с развитой анизотропией свойств. Дополнительный пучок ионов играет роль стержней, на которые без разрушения могут насаживаться лишь плоскости со вполне определенной ориентацией.  [c.147]

Единственное ограничение, накладываемое на кристаллическую структуру ионного соединения A By, заключается в том, что между числом ближайших соседних ионов типа А или В поддерживается отношение х у. Кристаллическая структура, свойственная ионным соединениям, в значительной степени зависит от относительных размеров двух типов ионов.  [c.20]

Э. и. Адирович [107] рассмотрел поведение электронов в области дефектов структуры ионного кристалла, представляющих собой вакантные анионные узлы (модель f-центра). В этой модели дефекта Э. И. Адирович заменяет ближайшие к пустому узлу положительные и отрицательные ионы сферическим электрическим двойным слоем, способным осциллировать вблизи некоторого равновесного радиуса. На основе такой модели были рассмотрены энергетические состояния электрона в области дефекта, влияние движения соседних с дефектом структуры ионов на эти состояния, безызлучательные переходы электрона в области дефекта. Модель позволяет качественно выяснить ряд важных вопросов взаимодействия электрона с решеткой.  [c.46]


Однако многие исследователи [35] отрицают существование плоскостного псевдоморфизма. При этом они опираются на тщательный анализ опубликованных электронограмм и на свои наблюдения. Между прочим, указывается и на то, что структура ионных кристаллов (окислов) значительно менее способна к искажению, чем решетка металлов, особенно на поверхности. Это делает плоскостной псевдоморфизм мало вероятным. Ввиду того, что по этому важному вопросу имеются противоречивые высказывания крупных исследователей [35, 36], приходится признать, что существование плоскостного псевдоморфизма является пока спорным.  [c.91]

Однако, как было показано в дальнейшем, величины энергии гидратации [33], а также разности между энергиями гидратации и энергиями связи ионов с решеткой металла [34] в случае металлов группы железа незначительно отличаются от этих величин для металлов, выделяющихся с низким перенапряжением ( d, Zn и др.). Другие попытки объяснения высокого перенапряжения металлов группы железа, основанные на теории замедленного разряда [35], учете особенностей электронной структуры ионов металла [36], замедленности перехода гидратированного иона металла в промежуточный активированный комплекс, адсорбированный на катоде [37] и т. д., также неудовлетворительны. Они не в состоянии объяснить такие экспериментально наблюдаемые факты, как зависимость перенапряжения от pH раствора и температуры. Кроме того, с этой точки зрения невозможно объяснить и другие особенности электрохимического поведения металлов группы железа необратимость электрода по отношению к собственным ионам в растворе в отсутствие тока, структурные особенности осадков и др.  [c.108]

С химической точки зрения свойства плазмы иные, чем у газа, взятого при обычной температуре. В плазме аргона и водорода, например, замечено образование иона АгН" , возникающего при реакции Аг+-1-Н АгН Такой результат довольно необычен, если учесть инертность аргона. Это объясняется тем, что электронная структура иона Аг" одинакова со структурой атома хлора. Следовательно, соединение водорода с ионом аргона должно иметь в плазме устойчивость, сравнимую с устойчивостью молекулы хлористого водорода в обычных условиях [10].  [c.9]

Регистрация профилей волн сжатия, генерируемых пучком, дает возможность исследований структуры ионного пучка. С этой целью проведены эксперименты с разнесенными мишенями [28 — 29]. Схема опытов приведена на рис.7.12. Мишень в этих опытах составлялась из двух листов алюминиевой фольги, расстояние между которыми составляло около 1 мм, а их суммарная толщина сохранялась практически неизменной от опыта с опыту. Первая фольга выполняла роль фильтра, поглощающего ионы с энергией ниже некоторой пороговой величины, которая варьировалась путем изменения толщины фильтра. Прошедшие ионы, взаимодействовали со второй фольгой, движение поверхности которой регистрировалось лазерным интерферометром.  [c.266]

Марка ионита Функцион аль-ная группа Структура Ионная форма Влаж- ность, % Размер зерен (предельный/ эффективный), мм Насыпная масса, т/м Динамическая обменная емкость, г-экв/м мально допустимая температура воды, С  [c.67]

Для удобства рассмотрения диэлектрических потерь в твердых веществах, последние можно подразделить на четыре группы диэлектрики молекулярной структуры, ионной структуры, сегнетоэлектрики и диэлектрики неоднородной структуры.  [c.75]

Титанат бария — кристалл, у которого атомы расположены так, как показано на рис. 4-6-1. Выше точки Кюри (примерно выше 120°С) решетка имеет кубическую структуру, где атомы бария находятся на вершинах, атомы кислорода — в центрах граней, а атом титана— в центре ячейки. Ниже точки Кюри кристалл приобретает тетрагональную структуру, ион 11 + несколько  [c.286]

Пользуясь низкотемпературной рентгеновской камерой, Баррет и его сотрудники проводят в настоящее время систематическое исследование щелочных металлов с целью обнаружения превращений подобного типа. Существование такого рода структурных превращений, протекающих при очень низких температурах, трудно примирить с теорией, па основе которой в этих условиях можно полностью пренебрегать всеми явлениями, возмущающими структуру ионной решет-3 ----- ки (например, тепловым расширением).  [c.166]

Представляет интерес расположение катионов в твердых растворах, состот ящих из ферритов со структурой нормальной и обращенной шпинелей. В феррите С нормальной структурой ионы цинка и кадмия занимают тетраэдрические промежутки, а в ферритах с обращенной структурой (ионы характеризующих металлов в октаэдрических порах) тетраэдрические поры заняты ионами Fe +. По мере увеличения концентрации феррита со структурой нормальной шпинели количество Fe в тетраэдрических промежутках уменьшается настолько, насколько увеличивается количество ионов Zn или d в этих промежутках. Ионы Fe" " " как бы вытесняются ионами Zn+ + и d+ + в октаэдрические места. Количество магнитоактивных ионов в октаэдрических промежутках вследствие этого увеличивается, а в тетраэдрических — уменьшается, следовательно, намагниченность насыщения смешанного феррита увеличивается, что происходит при возрастании концентрации в нем антиферромагнит-ного феррита- до 40—50 мол. % (рис. 136). При дальнейшем увеличении концентрации антиферромагнитного феррита суммарный магнитный момент смешанных ферритов начинает уменьшаться, что является результатом В—В взаимодействия, приводящего к антипараллель-ному расположению ионов Fe+ + " в октаэдрической под-решетке.  [c.186]


Защитные свойства первых двух окислов можно частично объяснить на основании классических работ Н.В.Белова по исследованию структуры ионных кристаллов. Результаты этих исследований позволяют сложные кристалличёские решетки ионных кристаллов описать более просто следующим образом. Анионы кислорода с ионным ра усом 0,136 нм располагаются весьма однообразно по одному из способов плотнейшей улаковки — гексагональной или кубической катионы распределяются по пустотам этой упаковки. Известно, что в плотнейшей упаковке имеется два вида пустот октаэдрические и тетраздрические. Число октаэдрических пустот равно числу анионов, а тетраэдрических — в два раза больше. При этом шар, заполняющий октаэдрическую пустоту, имеет радиус, равный 0,414 радиуса аниона, а тетраэдрическую пустоту —  [c.13]

Одним из способов улучшения свойств КМ является увеличение жесткости матрицы с помощью введения в их структуру ионов металлов, которые усиливают взаимосвязь между полимерными молекулами. Как видно в табл. 14.7, введение в матрицу 15 % Ва + или 7,6 % повышает модуль упругости при изгибе полиметиленфенольной матрицы соответственно на 25 и 50 %. При этом предел прочности при изгибе матрицы, армированной стеклянным волокном, возрастает более чем в 14 раз, а матрицы, армированной углеродным волокном, — более чем в 16 pai3. Увеличение прочности КМ объясняется не столько повышением прочности самой матрицы (она изменяется мало), сколько увеличением жесткости и адгезионной прочности ее сцепления с волокнами.  [c.457]

Кастлмэн и др. [3201 обнаружили в масс-спектре свободно расширяющейся струи смеси водяного пара с газом-носителем (Аг, Не, GOj) ионы (HjO),,, имеющие аномальную концентрацию при п = 2, 26, 28, 30, и объяснили эти аномалии клатратным строением кластеров. По их мнению, клатраты получались после ионизации в квадрупольном масс-спектрометре первичных агрегаций, образующихся в струе. О клатратной структуре иона (H20)ai с нейтральной молекулой в ловушке уже говорилось. Ион Н (Н20)гв рассматривали как слегка деформированную клатратную структуру, составленную из двадцати четырех молекул воды (в виде плоских  [c.108]

Например, тетрамер (Na l)i при низкой температуре имеет два изомера в виде куба и плоского кольца с энергиями связи 28,03 и 27,76 эВ соответственно. Следовательно, кубическая конфигурация несколько стабильнее 8-атомного кольца при низких температурах. Однако кольцо обладает более низкими частотами колебательных мод по сравнению с кубом, поэтому при высоких температурах оно оказывается стабильнее куба. Переход кубического изомера в кольцевую конфигурацию ожидается при 500 К, когда = О, а при Т >500 К концентрация кольцевого изомера согласно (347) должна резко возрастать [516]. Для того чтобы оценить время перехода одного изомера в другой, необходимо знать высоту барьера, разделяющего соответствующие минимумы на энергетической поверхности. В общем виде это чрезвычайно сложная задача. Только в случае (GaFa) барьер столь низок, что легко может происходить туннелирование атомов из одной конфигурации кластера в другую [5161. Недавно методом NM в гармоническом приближении исследовали переходы из цепочечных в компактные структуры ионных кластеров (K.G1) (тг Ю) [519]. Было найдено, что при Г—>0 К более  [c.186]

С развитием триботехнического материаловедения возник ряд новых проблем анализа структуры и свойств поверхностей, прогнозирования их эксплуатационных характеристик. С одной стороны, многие методы поверхностной обработки затрагивают слои микронной и субмикронной толщины. Все более широкое распространение получают такие методы воздействия, которые приводят к формированию метастабильных, неравновесных структур, непригодных для исследования стандартными методами и методиками. Достаточно упомянуть метастабильные растворы и фазовые выделения при ионной имплантации, сервовитную пленку, возникающую при избирательном переносе, специфические по структуре слои, возникающие при реализации эффекта аномально низкого трения, столбчатую структуру ионно-плазменных покрытий и т. д. С другой стороны, в последние годы открыты новые физические явления, протекающие вблизи межфазных границ раздела и влияющие на фрикционные свойства материалов. Двумерная поверхностная диффузия характеризуется небольшой энергией активации и в определенных условиях существенно влияет на формирование поверхностной топографии, схватывание, распространение смазочной среды. Поверхностная сегрегация может радикальным образом изменить адгезионные и адсорбционные характеристики контактирующих материалов. Известно [12], что в сплаве медь — алюминий однопроцентной добавки А1 достаточно для того, чтобы при незначительном нагреве ( 200" С) произошла сегрегация алюминия к поверхности. В результате наружный слой сплава состоит исключительно из атомов алюминия. Сегрегация бора к межзеренным границам борсодержащих сталей, происходящая при неправильно выбранных режимах термообработки, вызывает резкое охрупчивание материала. Поверхностная сегрегация атомов свинца рассматривается как причина хорошей обрабатываемости свинцовистых сталей.  [c.159]

По другой концепции, развиваемой Л. М. Шамовским и его сотрудниками [258, 287, 288, 333, 334, 355, 356], кристаллофосфор имеет микрогетерогенную структуру и в процессах поглощения и люминесценции проявляется только та часть активатора, которая расположена на контактных поверхностях внутренней структуры ионы активатора, расположенные в узлах решетки, хотя и представляют подавляющую часть введенной примеси, никакой роли в указанных процессах не играют.  [c.253]

В частности, потенциалы качественно различны для атомов в состоянии, когда нет продолжительной проводимости и для ионов, окруженных экранирующим облаком в проводниках. Вывод гл. II касается главным образом взаимодействия между точечными ионами. Однако на практике структура ионного ядра играет важную роль в определении природы межионного взаимодействия, даже на расстояниях, значительно больших, чем диаметр ядра. Эта задача электронной теории вначале не была решена, хотя и были достигнуть значительные успехи с помощью понятия псевдопотен-  [c.37]


Если изготовить мембрану, содержащую в своей структуре ионит, и отграничить при ее помощи раствор электролита, а затем по обе стороны мембраны включить в раствор электролита электроды от источника постоянного тока, то ионитовая мембрана проявляет свойства униполярного проводника, проводящего ток при помощи ионов лишь одного знака. При этом катионитовая мембрана в соответствии со свойствами подвижной ионной атмосферы катионита будет пропускать только положительно заряженные ионы. Анионитовая же мембрана будет пропускать лишь анионы. На этом свойстве ионной атмосферы ионитов основан известный метод электроионитового обессоливаиия воды. Согласно этому методу, обрабатываемую воду разделяют чередующимися катионитовыми и анионито-выми мембранами и через такую систему пропускают ток постоянного направления. При этом катионы, двигаясь к катоду, свободно проходят через катионитовые мембраны, но задерживаются апионитовыми мембранами, а анионы, двигаясь во встречном направлении к аноду, проникают через анионитовые мембраны, но задерживаются катионитовыми мембранами. В результате этого из одного ряда ячеек (например, из ряда четных ячеек) ионы обоих знаков выводятся током постоянного направления в смежный ряд ячеек, отчего вода в ряде четных ячеек обессоливается, а в ряде смежных ячеек концентрация солей эквивалентно повышается.  [c.486]

В области деформационных колебаний связи Si—О наблюдается широкая плохо разрешенная полоса с максимумами 460 и 440 см . По мере увеличения содержания натрия эта полоса несколько меняет свою форму и максимум ее несколько смещается. Как известно [16 ], эта область частот чувствительна к вхождению в структуру ионов магния. На рис. 7 заметен сдвиг частоты максимума 440 см с уменьшением содержания катиона магния от образца 4 (Mg0=10.98 мол.%) к образцу 2 (MgO=6.19 мол.%). Подобное положение полос поглощения характерно для силикатов, имеющих триоктаэдрическую структуру. Появление полосы поглощения в области 660 см"1 (рис. 6) прямо указывает на существование триоктаэдрической структуры типа сапонита в составе анализируемых образцов. Причем наличие этой фазы особенно четко проявляется при повышенной температуре (100° С) и увеличении содержания натрия, вводимого в виде щелочи (рис. 6, 5).  [c.81]

Уменьшение концентрации кислорода, а следовательно, и снижение коррозии можно объяснить существованием в воде метастабильных клатратных структур. Ион кальция, находящийся в воде, может образовывать гексааквакомплекс [Са(Н20)б] +, который по данным Л. Д. Кисловского под действием магнитного ноля заполняет клатратные структуры и тем обусловливает их стабильное состояние. Возможно, как полагает Г. И. Тихомиров, что то же может иметь место и с растворенными в воде газами — углекислотой и кислородом, в связи с чем концентрация их снижается. При этом в период существования таких систем возможно образование и защитного ферромагнитного слоя.  [c.22]

Если в случае сплавов коэффициенты самодиффузпи (и индивидуальные коэффициенты диффузии) компонентов А и Б, будучи различными, все же имеют один порядок величины, то в ионных соединениях обычно наблюдается, что один из компонентов диффундирует гораздо быстрее другого. Это уже выяснилось из результатов отдельных измерений чисел переноса и явно обусловлено природой дефектов в структуре ионных проводников и полупроводников, о чем речь шла в подразделе об электрических свойствах металлических соединений.  [c.55]

Результаты измерений приведены на рис.7.13. Цифрами в скобках указаны толщины фильтра и мишени в микронах. Начальный характер разгона может бьггь проанализирован в рамках акустики. Поскольку ионы с малой энергией на фронте пучка задерживаются фильтром, то этот анализ дает информацию о структуре ионного пучка в более поздние моменты времени.  [c.266]

Образующиеся в таком процесс капли приобретают достаточно большой отрицательный электрический заряд вследствие электрокинетического обмена с ионной компонентой коронного разряда. Эта компонента постепенно истощается и из-за перехода ионов в капли-зародыши, и из-за обменного процесса с уже развившимися каплями. Существенно, что отрицательный коронный разряд при малом перенапряжении имеет не непрерывную, а дискретную структуру ионы движутся отдельными сгустками с определенной частотой следования - частотой Тричела [8]. Поэтому образовавшиеся на ионах капли также движутся дискретными сгустками - возникает дискретная структура конденсации [7.  [c.716]


Смотреть страницы где упоминается термин Структура ионная : [c.47]    [c.248]    [c.560]    [c.50]    [c.19]    [c.19]    [c.416]    [c.79]    [c.79]    [c.20]    [c.56]    [c.90]    [c.161]    [c.34]    [c.292]   
Метрология, специальные общетехнические вопросы Кн 1 (1962) -- [ c.356 ]



ПОИСК



Ац у (промежуточные между ионными устойчивость кристаллической структуры

Зонная структура и связь в ионных кристаллах

Иониты

Ионная связь пределы устойчивости структур

Ионные состояния структуры

Ионов

Каплянский. Колебательная структура полос в f — d-спектрах редкоземельных ионов в кристаллах и ее связь с кристаллическими и локальными колебаниями

Микроскопы ионные — Исследование структуры паяных соединений

Молекулярных орбиталей метод ионные структуры

По ионная

Связывающие, разрыхляющие и несвязывающие электроны.— Резонанс и одноэлектронная связь.— Вес ионных структур.— Делокализация.— Распределение заряда, анализ заселенностей Основные состояния

Структура цинковой обманки ионных кристаллов типа AnBV

Структура цинковой обманки ионных кристаллов типа AnBVI

Тонкая структура энергетических уровней атома водорода и сходных с ним ионов



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте