Непроницаемость диэлектрическая

Релином называется резиновый линолеум, обладающий шумопоглощающими и диэлектрическими свойствами, стойкостью к действию химических веществ, непроницаемостью для ртути, эластичностью (не дает трещин при многократных изгибах). [c.173]

Пусть д и Q — динамические переменные (например, перемещения), которые описывают распределения электронных и ионных зарядов соответственно. Оптическая диэлектрическая непроницаемость 7] непосредственно зависит от и является неявной функцией переменной Q, которая в свою очередь зависит от температуры Т. Известно, что непосредственный ионный вклад в поляризуемость молекул очень мал (в 2000 раз меньше электронного вклада). Однако в твердых телах электрический потенциал в основном определяется распределением ионного заряда. Поэтому изменение в распределении ионного заряда будет приводить к соответствующему изменению электронного потенциала, который в свою очередь изменяет поляризуемость твердого тела. [c.283]

Таким образом, в соответствии с (9.1.3) изменение тензора диэлектрической непроницаемости равно [c.353]

Как отмечалось в разд. 9.1, звуковая волна вызывает бегущую модуляцию оптической диэлектрической непроницаемости, которая [c.362]

Чтобы проиллюстрировать некоторые особенности диэлектрических волноводов, рассмотрим планарный волновод толщиной t из непроницаемого диэлектрика с показателем преломления п , уложенного между непроницаемыми средами с показателем преломления I с одной стороны и 3 — с другой. Эта несложная структура выбирается вследствие того, что решение задачи в этом случае за- [c.446]

Оптическая анизотропия прозрачных диэлектриков описывается путем введения тензоров второго ранга тензора диэлектрической проницаемости [13] или обратного ему так называемого тензора диэлектрической непроницаемости 5 анализ термооптических искажений с использованием тензора В выполнен в работе [36]. [c.32]

В первом приближении изменение тензора диэлектрической непроницаемости линейно связано с тензором напряжений. С точностью до членов первого порядка малости температурные изменения тензора диэлектрической непроницаемости запишутся в виде [c.33]

Изменение тензора диэлектрической непроницаемости можно также выразить через тензор деформаций, а не напряжений. Используя соотношение между ец и Oki (закон Гука), уравнение (1.10) можно переписать в виде [c.34]

На рис, 1.18,6 для того же рубинового элемента изображены линии равных приращений компонент тензора диэлектрической непроницаемости ЛВ, связанных с наличием термически наведенных осесимметричных напряжений [связь между АВ и изменением показателя преломления дается выражением (1.11)]. Искажения оптического пути, отвечающие изображенному на рис. 1.18 распределению АВ, носят характер цилиндрической линзы. Эта цилиндрическая линза, обусловленная наличием напряжений, накладываясь на осесимметричную, связанную с температурой зависимостью р = dn/dT, дает в целом картину астигматизма. [c.52]

Как следует нз уравнений (1.38), материальные константы всегда определяются для постоянных значений двух оставшихся независимых величин. Если ограничиться только адиабатическими и изотермическими процессами, то коэффициенты жесткости и податливости могут быть определены либо для электрического поля постоянной напряженности (при этом постоянные обозначаем 5 ), либо для постоянного электрического смещения (dSi. Аналогично диэлектрическая проницаемость и непроницаемость определяются для постоянного упругого напряжения (ej, 0ij) и для постоянной деформации (г , Д5). а пьезоэлектрические постоянные — для электрического поля постоянной напряженности или для постоянного электрического смещения. При этом действительны следующие равенства [c.22]

Составляющие диэлектрической непроницаемости при постоянной деформации [c.568]

Л Составляющие диэлектрической непроницаемости при [c.568]

Используют также тензор диэлектрической непроницаемости 3, ., определяемый соотношением [c.92]

Pi, i, k l k, I Деформация Нелинейная диэлектрическая непроницаемость на оптических частотах Упругооптический эффект Pi, /, k.i [c.42]

Внешний вид, масса, форма, размеры Прочность, деформируемость, твердость, поверхностное растрескивание Защитные свойства, непроницаемость к газам и жидкостям, адгезия к другим материалам Диэлектрические и электроизоляционные свойства Термостойкость Радиопрозрачность Оптические свойства Антифрикционные свойства [c.6]

Общая схема расчета такова выбирается система координат, наиболее удобная для расчета (обычно такая, чтобы тензоры напряжений и деформаций в каждой точке поперечного сечения активного элемента были диагональны) определяются вид тензора пьезооптических коэффициентов в выбранной системе координат с учетом ориентации кристаллографических осей материала (это определение наиболее удобно производить матричным методом), компоненты тензора диэлектрической непроницаемости в соответствии с выражениями (1.9), (1.12) и ис юмые значения изменения оптического пути [см. выражение (1.16)]. [c.43]

Ряс. 1.18. Термические деформации в активном элементе из кристалла рубина а — геометрические места paiB-ных отклонений оптической оси по сечению активного элемента (цифры у кривых в угловых минутах) б — линии равных приращений компоненты ДВ-10 тензора диэлектрической непроницаемости [36 [c.51]

В ПВМС модуляция света осуществляется электрооптическими кристаллами, которые в присутствии электрического поля становятся анизотропными и пространственно неоднородными. Поэтому рассмотрим более подробно, как свет взаимодействует с анизотропной средой. В кристаллооптике такое взаимодействие характеризуется тензором диэлектрической непроницаемости а, который связывает напряженность электрического поля световой волны А с ее вектором электрической индукции D А = tD. Тензор а является обратным к тензору диэлектрической проницаемости ё, аё = 1, он, как и ё, — симметричный тензор второго ранга. Будем предполагать, что свет в кристалле не поглощается. Поскольку среди кристаллов, используемых в ПВМС, имеются оптически активные, рассмотрим достаточно общий случай двулучепреломляющего оптически активного кристалла без поглощения, для которого можно записать [7.8] [c.133]

Когда все недиагональные члены в тензоре диэлектрической непроницаемости равны нулю (aj2 = a i = 0), но Ф говорят о линейно двулучепреломляющем кристалле. В этом случае в результате решения системы уравнений (7.3) в качестве собственных мод получаются линейно поляризованные волны. Показатели преломления для этих волн = У ССЦ, = V 22- [c.135]

Матрицу Т называют полной матрицей Джонса для линейно двулучепреломляющего кристалла. Она имеет диагональную форму в системе координат, в которой направления двух осей совпадают с направлениями поляризации собственных мод световой волны. В этой системе координат тензор диэлектрической непроницаемости имеет диагональный вид. Подобную систему называют главной. [c.135]

Кроме матриц Джонса, нам в дальнейшем придется пользоваться понятием оптической индикатрисы кристалла. С ее помощью удобно определять направления оптических осей, показатели преломления и направления поляризации собственных мод линейно двулучепре-ломляющего кристалла. Оптическая индикатриса представляет собой характеристическую поверхность тензора диэлектрической непроницаемости а и задается уравнением [7.9] [c.136]

Если кристалл помещают в электрическое поле, то его тензор диэлектрической непроницаемости а изменяется за счет электроопти-ческого эффекта. Это ведет к изменению преломляющих свойств кристалла. Причем могут изменяться показатели преломления и направления поляризации собственных мод световой волны. Такие изменения [c.136]

Вуд и Ашкрофт [895] пытались связать увеличение поглощения ИК-света малыми металлическими частицами с уменьшением о а вследствие квантования электронных энергетических уровней. Они произвели расчет диэлектрической проницаемости частицы в приближении случайных фаз, предполагая электроны проводимости заключенными в прямоугольный ящик с абсолютно непроницаемыми стенками. Как и в более ранних аналогичных вычислениях Кавабаты и Кубо [912], авторы работы [895] нашли, что уже само наложение граничных условий на волновые функции электрона приводит к затуханию, которое для кубической частицы выражается формулой [c.294]

Гуммирование широко применяют в разнообразных отраслях народного хозяйства и особенно в химической и гидрометаллургической промышленности для защиты технологического оборудования от коррозии. Это объясняется тем, что резиновые покрытия просты по технологии нанесения и обладают целым рядом ценных качеств. Например, обкладки из мягкой резины хорошо противостоят истирающему действию агрессивной среды, содержащей взвешенные частицы, кристаллы, песок, благодаря чему резиновые покрытия незаменимы для защиты насосов, мешалок, центрифуг. К достоинствам резиновых обкладок также относится их небольшая толщина (5— 6 мм), небольшой вес и полная непроницаемость для агрессивных растворов, а также диэлектрические свойства (электронепроводимость). Вместе с тем резиновые покрытия имеют ограниченную теплостойкость (до 80° С), незначительную стойкость к окислительным средам (азотной кислоте и другим) и некоторые другие недостатки, которые ограничивают область применения гуммированной аппаратуры. [c.158]

Выражение (26.25) обращается в нуль при (о = О, однако к этому не следует относиться серьезно. Равенство нулю величины увя означало бы, что при очень медленно меняющихся возмущениях ионы успевают перестраиваться таким образрм, чтобы полностью компенсировать поле электронов. Такого явления не наблюдается хотя бы потому, что электроны представляют собой точечные частицы, а ионы имеют непроницаемую сердцевину. Мы пренебрегали этим обстоятельством при определении голой ионной диэлектрической проницаемости, в которой учитывалось лишь кулоновское взаимодействие между ионами. Более точные расчеты, принимающие во внимание эффекты конечного размера ионов, устраняют возможность указанной полной компенсации. [c.145]

Модули упругости ij и диэлектрические непроницаемости РтоА связаны с упругими податливостями и диэлектрическими проницаемостями следующими выражениями [c.225]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...