Диффузионная область (в р — га-переходе)

WFg в газовой смеси, сопровождающееся переходом в диффузионную область, создает благоприятные условия для роста дендритных осадков с преимущественной ориентацией поверхности осадка 111 . При относительно низких концентрациях WFe в газовой смеси и высоких температурах появляются осадки с гладкой поверхностью и текстурой 111 [103, 160]. [c.121]

Воздействие лазерного луча на другие элементы МОП-схем показало, что с помощью лазерного зонда можно определять границы переходов и тем самым находить величину бокового пробега диффузионных областей, изменять сопротивление транзисторов, обнаруживать такую неисправность транзистора, как плохой контакт металлизации с о-областями, выявлять места загрязнения поверхности. [c.227]

Переход в диффузионную область при относительно низких температурах (порядка 1000—1100°) вероятен только для крупных частиц с диаметром в несколько миллиметров. [c.153]

Особенностью процесса в случае сложного теплообмена является наличие второй пары критических состояний при больших значениях параметра Xgh- Таким образом, срыв горения возможен как при очень малых значениях скорости потока, когда роль теплоотдачи велика, так и при интенсификации скорости процесса, когда горение переходит из диффузионной области в кинетическую. [c.165]

Поскольку скорость химической реакции растет с повышением температуры гораздо быстрее скорости диффузии, режим процесса из кинетического при низких температурах может превратиться в смешанный при более высоких температурах и, наконец, в диффузионный. При одной и той же температуре усиление перемешивания может привести к переходу процесса из диффузионной области в кинетическую. [c.81]

Повышение температуры может вызвать смену природы лимитирующей стадии и соответствующее изменение величины энергии активации реакции. На зависимости Ig k—1/Г появляется излом уменьшение наклона прямой означает переход процесса из активационной в диффузионную область [61, 89], а увеличение — наоборот, смену диффузионного контроля активационным [66, 72]. [c.127]

Характер горения реальной углеродной частицы в зависимости от температуры и интенсивности ее обдувания показан на рис. 3.4,6. При температуре до 900— ООО °С процесс реагирования протекает в кинетической области, как и на графике на рис. 3.4, а. Здесь скорость горения с повышением температуры интенсивно возрастает. При дальнейшем повышении температуры наблюдается замедление увеличения скорости процесса, особенно при малых значениях скорости обдувания, и горение переходит в диффузионную область. Однако при температуре выше 1300—1400 °С скорость реагирования вновь начинает увеличиваться, что объясняется восстановлением углекислоты на поверхности раскаленного углерода. [c.69]

Если принять толщину диффузионного слоя воздуха равной 0,5 см, то за 1 ч в условиях опыта к поверхности образца только за счет диффузии, без учета конвективных потоков могло быть подведено около 11,5 л СОг. Это означает, что внешний массообмен не ограничивает поглощения СОг цементно-песчаным раствором. По-видимому, в начальный период, когда диффузионное сопротивление в газовой фазе мало, а количество углекислого газа, поступающего к поверхности пор бетона, велико, поглощение ограничивается скоростью процессов в пленке жидкости на поверхности пор. С увеличением толщины карбонизированного слоя процесс переходит во внутреннюю диффузионную область. [c.112]

Располагая картиной дрейфовых и диффузионных токов отдельных носителей, легко вычислить полный ток / через переход при заданном значении V. Чтобы упростить рассмотрение, сделаем еще одно предположение ) допустим, что носители столь быстро проходят через обедненный слой, что внутри него генерацией и рекомбинацией можно пренебречь. Если это так, то полные токи электронов и дырок и будут однородными в обедненном слое при стационарном режиме. Следовательно, в выражении / = —е/е+е./ для полного тока мы можем по отдельности вычислить /е и в тех точках обедненного слоя, где нам удобнее всего это сделать. Электронный ток удобнее всего вычислять в точке, лежащей в р-области иа границе между обедненным слоем и диффузионной областью, дырочный ток — в точке, лежащей на противоположной границе слоя ). Мы можем поэтому записать [c.228]

Определение константы К позволяет оценивать не только скорость горения распыленного топлива, но и дает возможность устанавливать те критические диаметры, при которых горение переходит из диффузионной области в кинетическую. [c.68]

Кинетика абсорбции, сопровождаемой химической реакцией (хемосорбция). Химическая реакция, сопровождающая процесс абсорбции, может оказывать существенное влияние на кинетику процесса. При этом скорость процесса абсорбции определяется не только интенсивностью массопереноса, но также и скоростью протекания химической реакции. Если реакция идет в жидкой фазе, то часть газообразного компонента переходит в связанное состояние. При этом концентрация свободного (т. е. не связанного с поглощенным газом) компонента в жидкости снижается, что приводит к ускорению процесса абсорбции по сравнению с абсорбцией без химического взаимодействия фаз, так как увеличивается движущая сила процесса. В общем случае скорость хемосорбции зависит как от скорости реакции, так и от скорости массопереноса между фазами. В зависимости от того, какая скорость определяет общую скорость процесса переноса массы, различают кинетическую и диффузионную области процессов хемосорбции. [c.53]

При указанном на рис. 119 графике потенциальной энергии создается поток электронов из /)-области в и-область и поток дырок в обратном направлении. Иначе говоря, возникший потенциальный барьер противостоит диффузионному напору электронов и дырок с той стороны перехода, где их концентрация больше, т. е. противостоит диффузионному напору электронов со стороны -области и диффузионному напору дырок со стороны / -области. [c.357]

Потенциальный барьер возрастает до такой величины, при которой возникающее на переходе электрическое поле создает такие электрические токи электронов и дырок, которые полностью компенсируют диффузионные потоки соответствующих носителей через переход, в результате чего достигается стационарное состояние. В и-области электрический ток обусловливается движением электронов, которые там являются основными носителями. В /г-области основными носителями служат дырки. Следовательно, электрическое поле на переходе создает электрический ток, состоящий из дырок, которые движутся из и-области в /j-область, и из электронов, которые движутся из />-области в -область. Образующийся суммарный электрический ток является током неосновных носителей, направленным из и-области в / -область его плотность обозначим (рис. 119). Диффузионные потоки электронов и дырок составляют на переходе диффузионный ток основных носителей, направленный из р-области в -область его плотность обозначим В состоянии равновесия = 0. Для дальней- [c.357]

Перлитные теплоустойчивые стали при непрерывном нагреве претерпевают -/-переход, причем диффузионные параметры а- и фаз существенно различны. Следовательно, кинетика залечивания в - и /-областях должна быть различной. Поэтому рассмотрим процесс залечивания применительно к трем температурным областям области ниже Ас ( -область), области межкритического интервала Ас1 и А и области выше А (/-область). [c.250]

При этом для коррозии с кислородной деполяризацией справедливо соотношение /о>0к, так что для этой реакции в области потенциалов, представляющей интерес, имеется некоторый предельный ток, который и соответствует скорости коррозии при стационарном потенциале и защитному току. Для выделения водорода соотношение получается обратным /о< СОк. Эта реакция идет только при более отрицательных потенциалах, чем защитный потенциал, и следует прямой Тафеля, ход которой при логарифмическом изображении кривой I(U) характеризуется заметным отклонением при переходе от предельного диффузионного тока кислорода к выделению водорода. Поляризация на этом участке кривой в таком случае показывает, что защитный ток больше предельного диффузионного тока кислорода и, следовательно, согласно неравенству (2.40), обеспечивается катодная защита. [c.103]

Из рассмотренной картины следует, что относительно переключения диод ведет себя как сопротивление R, созданное областью объемного заряда, и зашунтированное емкостью Сд, обусловленной накоплением заряда неосновных носителей при прямом смещении и рассасыванием его при обратном смещении. Эту емкость называют диффузионной емкостью р—я-перехода. При подаче прямого смещения ток в диоде в начальный момент представляет собой в основном ток заряда емкости Сд и по своей величине может быть большим. При переключении диода в обратное направление обратный ток представляет собой в начальный момент в основном ток разряда емкости Сд и также может быть большим. [c.232]

Таким образом, диод может быть представлен следующей упрощенной эквивалентной схемой параллельно нелинейному активному сопротивлению р — п-перехода включены нелинейная диффузионная Сд и барьерная Со емкости, последовательно с этой цепочкой подключено сопротивление г пассивных областей ди.ода ( )ис. 8.21). Для выяснения особенностей работы диода на высоких частотах проанализируем более подробно эту схему. [c.236]

На рис. 12.10, а показан диод, р-область которого освещается световым потоком мощностью Wq, вызывающим генерацию в этой области электронно-дырочных пар. Число таких пар G, ежесекундно появляющихся в р-области, определяется соотношением (12.13). Так как поглощение происходит в собственной области, то свет поглощается уже в узком слое у поверхности, от которой носители диффундируют совместно вглубь полупроводника. Если/ — -переход расположен на глубине w[c.327]

Фактически завершение стадии пропитки, сопровождающейся запаздыванием набухания, означает окончание макрокапиллярной, пропитки бумаги-основы водными растворами ингибитора и переход к микрокапиллярной пропитке, протекающей в диффузионной области, с чем и связано набухание бумаги-основы, представленное на рис. 31, б, г, е, 3 и изменение радиуса капилляров. Приведенные данные показывают, что в условиях работы современных скоростных машин изменение радиуса капилляров на стадии непосредственного контакта бумаги-основы с наносным валиком действительно не имеет места, что позволяет использовать в уравнении (ИЗ) значения радиуса капилляра, полученного из уравнения (128). [c.151]

Поскольку продукты коррозии железа твердые веш,ества, которые, накапливаясь на поверхности металла, тормозят процесс, последний обычно довольно быстро переходит в диффузионную область. В связи с тем, что при исследовании эрозии в коррозионно-активной среде продукты коррозии будут непрерывно удаляться вследствие эрозионного воздействия потока, несущего абразивные частицы, коррозия может долгое время протекать в кинетической области. Учитывая это обстоятельство, можно считать, что коррозия при эрозионно-коррозионном износе протекает в кинетической области. В этом случае скорость коррозии зависит от температуры экспоненциально и описывается уравнением Аре-ниуса [c.29]

Согласно исследованию А. П. Сокольского и Ф. А. Тимофеевой [1041, с уменьшением размера горяших частиц повышается температурный уровень перехода процесса в диффузионную область. Вследствие этого процесс горения угольной пыли может протекать в пределах кинетической и промежуточной областей даже при весьма высоких температурах порядка 1500— 1800°. Температурный уровень, определяющий границы кинетической и промежуточной областей горения частицы, зависит от ее размеров чем меньше частица, тем выше этот температурный уровень. Этим объясняется то обстоятельство, что горение угольной пыли обычного размола (30—100 [i) существенно зависит не только от аэродинамических факторов, но и от температуры. [c.153]

Перемешивание газов в смеси сопровождается диффузионным термоэффектом, который в условиях неизотермического пограничного слоя проявляется в увеличении или уменьшении градиента температуры в зависимости от того, какой газ (легче или тяжелее газа основного потока) поступает в пограничный слой. Если массы молекул двух компонентов различны, то в результате термической диффузии более тяжелые молекулы чаще всего стремятся перейти в холодные области если же массы молекул одинаковы, то в холодные области переходят более крупные молекулы. Направление движения молекул может изменяться. В ионизированном газе, например, тяжелые молекулы или ионы стремятся перейти в более теплые области. [c.323]

Полупроводники. Индий — существенная составная часть германиевого транзистора, в котором он действует как присадка и как средство для прикрепления свинцовой проволоки к германиевому кристаллу 16 . В настоящее время в различных областях техники применяются германиевые транзисторы и выпрямители нескольких типов, в том числе с точечным контактом, с поверхностным барьером и с диффузионным сплавленным переходом. Для последнего типа германиевого транзистора, где используется примесный диффузионный р — п — р-переход, требуется значительно больший расход индия. Действие транзистора основано на р — -переходе, который осуществляется, когда происходит превращение германия /j-типа в германий п-типа в твердом состоянии. Германш п-типа образуется при введении в германий высокой степени чистоты специальных примесей, например сурьмы или мышьяка. Эти элементы, имеющие пять электронов на своей внешней орбите (германий имеет четыре электрона), дают избыточные электроны в решетку кристаллического германия. При введении в германий в качестве примеси индия образуется германий р-типа. Поскольку индий имеет на своей внешней орбите три электрона, а терма-ний — четыре, в кристаллической решетке германия наблюдается недостаток электронов, и недостающие электроны известны как дырки. Под влиянием электрического поля избыточные электроны в германии п-тппа движутся к положительному источнику в германии р-типа электроны могут перескакивать в дырки, и дырки появляются в направлении отрицательной клеммы. [c.239]

В промежуточной и особенно в диффузионной области, где доставка кислорода диффузией отстает от потребного количества, определяемого законом Аррениуса, интенсификация горения возможна усилением подвода кислорода, активизацией обдувания потоком окислителя горящих частиц топлива. При больщих скоростях потока уменьшается толщина и сопротивление ламинарного слоя у поверхности и усиливается подвод кислорода. Чем выше эта скорость, тем интенсивнее перемешивание топлива с кислородом и тем при более высокой температуре происходит переход из кинетической в промежуточную зону, а из промежуточной в диффузионную зону горения (линии 1"-2"-3" [c.105]

Очевидно, что при низких температурах кинетическая и диффузион-нг я области горения совпадают (нижняя часть кривой /), однако по мере роста температуры диффузионные факторы тормозят скорость протекания химической реакции, и фактическая кривая зависимости скорости процесса от температуры резко отстает от кинетической кривой. Этот отрыв от кинетической кривой 1 и означает переход процесса в диффузионную область горения (пучок кривых 2 на фиг. 12). В этой области скорости горения практически не зависят от температуры, но они сильно меняются с увеличением коэффициента массообмена р или других характеристик, определяющих улучшение гидродинамических условий подвода воздуха к поверхности горения. [c.79]

На фиг. 3-10 доказаны результаты опытов лауреата Сталинской премии проф. Л. Н. Хитрина, в которых изучалась скорость горения антрацитового кокса. Как видно, в низкотемпературной, кинетической области скорость горения, выраженная в граммах выгоревшего кокса на 1 см поверхности его частиц в секунду, быстро растет с повышением температуры, но не зависит от скорости воздушного потока. Переход в диффузионную область дает разветвление кривой в соответствии с различными скоростями воздуха и меньшую зависимость скорости горения от температуры. При еще больших температурах начинает сказываться влияние восстановительных реакций, вновь увеличивающих влияние температурного фактора. [c.168]

На рис. 17-8 показано изменение скорости горения даиного газа в зависимости от температуры процесса. Сначала горение идет ш кривой кинетического горения а затем из-за недостаточности контакта газа с окислителем горение переходит в диффузионную область. Этот переход в зависимости от скорости смесеобразования на идет по кривым [c.273]

Один из наиболее распространенных методов изготовления подобных структур (диффузионный) основан на диффузии при температуре 1000 + 1300°С акцепторной примеси в доиорный полупроводник иди донорной примеси - в акцепторный. Диффузия может происходить из газообразной, жидкой или твердой зы при этом граница областей 1фисталла с электронным или дырочным типом проводимости и будет являться областью перехода. Из-за того, что концентрация легирующей примеси при диффузии спадает вглубь образца постепенно, изготовленный этим методом переход получается плавным. Резкий переход, в котором концентрация доноров и акцепторов на границе слоев е различным типом проводимости меняется скачком, можно лучить эпитаксиальным методом, осаждая иа подложку, наприм з, пластину полупроводника п-типа, плешо акцепторного полупроводника. [c.166]

Нам осталось только найти, насколько концентрации неосновных носителей отличаются от их равновесных значений на границах обедненного слоя. В равновесном случае мы находили изменение концентраций носителей в пределах обедненного слоя, используя равновесные выражения (29.3) для концентраций носителей в заданном потенциале ф х). Выше мы отмечали, что эти выражения вытекают из того, что в равновесии дрейфовые токи равны диффузионным по величине и противоположны им по направлению. В неравновесном случае, вообш,е говоря (например, в диффузионной области), дрейфовые и диффузионные токи не компенсируют друг друга и соотношения (29.3) не выполняются. Однако в обедненном слое существует приблизительное равенство между дрейфовыми и диффузионными токами ). Следовательно, в разумном приближении концентрации носителей подчиняются выражениям (29.3), изменяясь в раз при переходе через обедненный слой, т. е. [c.229]

Одним из методов определения зарядового состояния быстро диффундирующих примесных ионов является наблюдение их дрейфа в электрическом поле. Впервые такой эксперимент был проведен на литии в германии. Суть его состоит в следующем (рис. 8.8). Диффундирующая примесь наносится на поверхность германия р-типа проводимости кратковременным вплавлением ее в поверхностный слой. При этом реализуется случай точечного источника с неограниченным запасом примесных атомов — капля, вплавленная в кристалл и имеющая радиус много меньщий характерных расстояний диффузии. Далее образец прогревается при заданной температуре Т время для формирования четкого фронта диффузии, представляющего собой полусферу радиуса г. Затем образец охлаждается до комнатной температуры, а исходный источник примеси удаляется щлифовкой и специальным травлением. После травления на поверхности образца остается лунка, концентрично с которой находится диффузионная область, обогащенная литием, которая имеет проводимость я-типа. Затем определяется положение р —я-перехода, располагающегося на поверхности полусферы радиуса гу, с которой в дальнейшем пойдет диффузия. Граница р —я-перехода выявляется, например, химическим окращиванием в специальном красителе или электрическим осаждением титаната бария. Затем образец помещается в постоянное электрическое поле (напряженностью 1-10 В/см), а диффузию проводят при той же температуре Т, что и первый раз. Ток, который пропускается через образец (1-10 А), одновременно используется для его нагрева. Ввиду отсутствия источника дальнейшая диффузия примеси происходит аналогично рассмотренному выше случаю диффузии из ограниченного источника (уравнение (8.19)), то есть радиус полусферы увеличивается за счет обеднения областей прилегающих к бывшему источнику. Одновременно все диффундирующие ионы в соответствии со своим знаком заряда ц будут дрейфовать в электрическом поле со скоростью Удр. = Е, где /1 — эффективная подвижность ионов, связанная с их коэффициентом диффузии соотношением Эйнштейна /х = q/kT)D. Таким образом, центр полусферы после соответствующего прогрева переместится в новое [c.304]

В заключение разделов о диффузии внедренных атомов в металлах и сплавах отметим еще некоторые направления теоретических исследований в этой области. Систематическое рассмотрение процессов диффузии в фазах внедрения, в которых диффузионное перемещение атомев па узлах возможно в большинстве случаев благодаря тепловым вакансиям, а па междоузлиях обусловлено главным образом структурными вакансиями в под-решетке междоузлий, привело к созданию модели дырочного газа , широко применяемой к сплавам внедрения [18 — 22]. В рамках этой модели были проанализированы возможности различных механизмов диффузии внедренных атомов, в частности, механизма, при котором внедренный атом мон ет совершать переходы и в тепловые вакансии на узлах с последующим переходом в другую структурную вакансию на междоузлиях [19]. Исследовано было такн е влияние ближнего порядка в сплавах внедрения и концентрации сруктурных вакансий на параметры самодиффузии внедренных атомов [21]. [c.319]

Гут [38] провел серию опытов по изучеЙ1ю различных факторов, включая изменение толщины базовой области, определяющих предельно допустимые интегральные потоки нейтронов для кремниевых диодов. Он сравнил подобные по электрическим характеристикам диффузионные и сплавные диоды при низких и высоких значениях прямого тока. Для этих целей был выбран типичный прибор, а именно выпрямитель 1N538 с максимумом обратного напряжения в 200 в. Этот диод служил основой, в нем по желанию модифицировались толщины базы и тип перехода. Полагают, что информация, полученная в этих экспериментах, должна быть применима к аналогичным кремниевым и германиевым выпрямителям. [c.294]

По мере повышения частоты сигнала со времени 1/со оказывается се в большей мере недостаточно для завершения переходных про-iue oB. Это должно приводить к уменьшению числа носителей, инжектированных в положительный полупериод сигнала, и тем самым к уменьшению диффузионной емкости. Кроме того, инжектирован-, ные носители не успевают продиффундировать в глубь пассивных областей диода на диффузионную длину, сосредоточиваясь с большим градиентом в тонком слое у границ р — -перехода, что должно. приводить к увеличению прямого тока, т. е. к уменьшению активного сопротивления р — -перехода. [c.236]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...