Схема эквивалентная параллельна

Схема эквивалентная параллельная 48 [c.209]

Емкость Ср в эквивалентной параллельной схеме в ряде слу чаев принимают за искомую емкость образца или изделия. [c.48]

Диэлектрическую проницаемость испытуемого материала вычисляют, предварительно измерив емкость образца Ср в эквивалентной параллельной или в эквивалентной последовательной схеме. Обычно находят е — относительную диэлектрическую проницаемость (по отношению к электрической постоянной е,, 8,854 X Ф/м). В дальнейшем е для краткости будем именовать диэлектрической проницаемостью. [c.49]

Представив образец в виде эквивалентной параллельной схемы С , R,3 и найдя полное сопротивление образца, шунтированного конденсатором С4, по аналогии с (4-3) напишем уравнение для первого равновесия моста [c.73]

Для перехода к электрическим эквивалентным схемам по общепринятой первой системе аналогий следует вопом-нить, что элементы, соединенные в узел, имеют общую скорость, т. е. в эквивалентной схеме через изображающие их электрические сопротивления должен протекать один и тот же ток. Иначе говоря, эти сопротивления соединены последовательно. На основании этого правила примеру 1 соответствует последовательный колебательный контур из I, С и Н. Элементы же, на которые действуют одинаковые силы, в эквивалентной схеме находятся под одним и тем же напряжением, -1 е соединены параллельно. Следовательно, примеру 2, соответствует эквивалентный параллельный контур I, С. Пользуясь обоими правилами, можно составить для примера 3 эквивалентную схему в виде двух контуров с емкостной связью и напряжением, приложенным параллельно Сь В эквивалентной схеме для примера 4 индуктивности, изображающие массы, оказываются соединенными параллельно, и общий ток через них больше, чем через каждую из них. Это соответствует уменьшению общей индуктивности в схеме и как бы уменьшению общей массы в механической системе, поскольку общий ток в этой схеме — это относительная скорость движения масс, которая, конечно, больше, чем скорость каждой из масс относительно неподвижной опоры. [c.34]

Последовательная и параллельная схемы представлены на фиг. 30, а и 30, б. Там же даны соответствующие диаграммы токов и напряжений. Обе схемы эквивалентны друг другу, если при равенстве полных сопротивлений 1 — I будут равны и их активные и реактивные составляющие. Это условие будет соблюдено, если углы сдвига тока относительно напряжения равны и значения активной мощности одинаковы. [c.63]

Нередко диэлектрик характеризуют так называемой комплексной диэлектрической проницаемостью. Рассмотрим эквивалентную параллельную схему (рис. 2-1). Для нее комплекс полной проводимости [c.40]

Определив емкость Спо ., по формуле (2-12) вычисляют емкость в эквивалентной параллельной схеме. [c.43]

В схеме с параллельным включением и С4 испытуемый образец представляют эквивалентной параллельной схемой (рнс. 2-3, б). Полная проводимость образца [c.43]

Измерения С и б можно также выполнить методом двукратного уравновешивания, но в этом случае Сз и з должны иметь проградуированные шкалы. К зажимам присоединяют какой-либо конденсатор (без потерь) и параллельно ему включают образец. Уравновешивают мост изменением з и Сз, стремясь чтобы Сз имело возможно большее значение. Если уравновесить мост при этом условии не удается, заменяют конденсатор другим, большей емкости. Пусть при первом равновесии значения составляют Яг и Сз. Отключив образец вторично, уравновешивают мост при значении Сг (очевидно, = 0). Представив образец в виде эквивалентной параллельной схемы (С , Я и найдя полное сопротивление образца, шунтированного емкостью 4, ПО аналогии с (3-9) напишем уравнение первого равновесия моста [c.80]

Емкость и активное сопротивление конденсатора в эквивалентной параллельной схеме [c.81]

Промышленность выпускает также мостовые высокочастотные приборы, с помощью которых можно определить емкость и потери образца диэлектрика. Один из таких приборов ЕЮ-2 содержит Индуктивные плечи, являющиеся секциями вторичной обмотки питающего трансформатора (рис. 4-7). Третьим плечом являются переменные конденсатор С а и активная проводимость 0 четвертым плечОм служат проградуированные прецизионные конденсатор q и проводимость G . Предполагается, что образец можно представить эквивалентной параллельной схемой с проводимостью gx и емкостью Сд.. [c.91]

Тангенс угла диэлектрических потерь находят непосредственно, если измерительная установка позволяет отсчитать tg б. Если с помощью измерительной установки получена активная проводимость g . образца в эквивалентной параллельной схеме, то при 50 Гц [c.512]

В этом случае можно воспользоваться также и эквивалентной схемой с параллельным соединением, однако расчет тогда значительно усложняется. [c.63]

Рис 2-2. Эквивалентные схемы и векторные диаграммы для конденсатора с потерями, а — последовательная схема б — параллельная схема. [c.31]

Диэлектрические потери в случае эквивалентной параллельной схемы [c.32]

Учитывая, что для эквивалентной параллельной схемы получаем [c.37]

Измерения тангенса угла диэлектрических потерь при звуковых частотах обычно производятся, как и при 50 гц, параллельно с измерением емкости образца, под которой понимают емкость Сх в эквивалентной параллельной схеме. [c.29]

Тогда искомые емкость образца и его сопротивление (в эквивалентной параллельной схеме) будут равны [c.36]

Здесь предполагается, что в случае параллельной моды колебаний площадь поперечного сечения пьезокерамического элемента равна Ас, его полная длина равна I, а обе массы М имеют одинаковую площадь поперечного сечения, равную излучающей поверхности А . Пьезоэлемент состоит из п пластин или колец, имеющих полную длину I, причем все пластины или кольца соединены параллельно и поляризованы вдоль I. Параметры эквивалентной схемы для параллельной моды колебаний равны [c.300]

Рис. 6.17. Эквивалентная схема реальной параллельной цепи

Рис. 9.19. Эквивалентная схема реального параллельного колебательного контура

Предварительно назначают тип и схему установки подшипников (см. 3.3). Подбор подшипников производят для обеих опор вала. В некоторых изделиях, например в редукторах, для обеих опор применяют подшипники одного типа и одного размера. Тогда подбор выполняют по наиболее нагруженной опоре. Иногда из соотношения радиальных и осевых сил нельзя заранее с уверенностью сказать, какая опора более нагружена. Тогда расчет ведут параллельно для обеих опор до получения значений эквивалентных нагрузок, по которым и определяют более нагруженную опору. [c.105]

При расчете этим способом схема трубопровода с параллельными ветвями приводится к схеме простого трубопровода, в который эквивалентная труба входит как одни из последовательных неразветвленных участков. [c.269]

На рис. 156 показана схема эксперимента с двухканальными анализаторами. Схема эксперимента с одноканальными анализаторами, с которого целесообразно начать обсуждения, аналогична, надо лишь после каждого из анализаторов устранить один из ФЭУ и соответствующую часть электрической схемы. Будем для определенности считать, что регистрируются фотоны, попадающие в каналы + 1, имеющие эквивалентное значение в анализаторах, т.е. при параллельности векторов а и Ь проходящие через канал анализатора фотоны имеют параллельную поляризацию. [c.423]

Через образец диэлектрика под действием приложенного к его электродам постоянного напряжения протекает ток утечки, имеющий две составляющие. Одна из них представляет собой ток, идущий по тонкому электропроводящему слою влаги с растворенными в ней веществами этот слой образуйся в результате осаждения влаги из воздуха на поверхности образца. Это так называемый поверхностный fOK диэлектрика. Вторая составляющая — это ток, проходящий через собственно материал, через его объем. Эту составляющую именуют обьемным током диэлектрика. Эквивалентная схема образца, следовательно, должна состоять из двух соединенных параллельно сопротивлений. Первое, R , учитывает поверхностный ток диэлектрика, а второе, R,,, — объемный ток. Обычно стремятся измерять каждую из составляющих в отдельности, устраняя при этом влияние другой. С этой целью используют систему из трех электродов измерительного, высоковольтного и охранного. Например, для плоского образца (рис. 1-1, а) в случае измерения объемного сопротивления R охранный электрод 2 имеет форму кольца, которое расположено на поверхности концентрически с измерительным электродом 1. На другой стороне образца 3 помещен высоковольтный электрод 4. Охранный электрод значительно выравнивает поле между измерительным и высоковольтным электродами и отводит поверхностный и объемный токи в краевых областях образца на землю так, что они не регистрируются измерительным прибором. Аналогично применяются охранные электроды и для трубчатых образцов. [c.17]

В случае представления образца параллельной эквивалентной схемой (см. рис. 3-1, б) его полное сопротивление будет равно [c.52]

Вариация реактивной проводимости. Изменение (вариация) реактивной проводимости осуществляется обычно изменением емкости колебательного контура. В схеме используется высокочастотный генератор с фиксированной частотой. С ним слабо связан измерительный колебательный контур, содержащий катушку индуктивности и конденсатор переменной емкости (рис. 4-10, а), па-, раллельно которому может присоединяться испытуемый образец. Генератор работает в режиме неизменного тока, поэтому напряжение на параллельном колебательном контуре (рис. 4-11, а) при изменении реактивной проводимости (обычно емкости) контура переходит через максимум, а затем уменьшается. Наибольшее напряжение на контуре отвечает состоянию резонанса В контуре есть потерн, поэтому эквивалентная схема, помимо Г и С, содержит проводимость соответствующую потерям (рис. 4-11,6). Если по оси абсцисс откладывать емкость проградуированного конденсатора С И снимать зависимость и (С), т. е. резонансную кривую, один раз для контура без образца и второй раз — с образцом, то [c.78]

Для получения расчетных формул предетавим образец в виде эквивалентной параллельной схемы (С ,, R ) и составим выражение для полного сопротивления образца, шунтированного емкостью С4 [c.67]

Определение е и tg б в диапазоне частот Ю .. . Ю гц ведется с помощью мостовых схем обычно путем двукратного уравновешивания (с образцом и без него) с целью устранения влияния паразитных параметров схемы (емкостей, индуктивностей и активных проводимостей). Одна из мостовых схем этого вида содержит одинаковые безреактивные сопротивления и сменные конденсаторы Сз и Со, постоянное сопротивление и переменное сопротивление Яз (рис. 3-4). Потери в конденсаторах должны быть пренебрежимо малы. Параллельно конденсатору присоединяют образец и уравновешивают мост изменением Со и Я , стараясь иметь емкость Со минимальной. Если это не удается, заменяют конденсатор Сз другим большей емкости. Пусть первое равновесие достигнуто при значениях емкости С и сопротивления Яу Отключив образец, вторично уравновешивают мост при других значениях С" и Я1- Для получения расчетных формул представим образец в виде эквивалентной параллельной схемы (С , Я ) и составим выражение для полного сопротивления образца, шунтированного емкостью С [c.58]

При определении е измеряют емкость образца Сх в эквивалентной параллельной схеме по Сх расчетом определяют значение е. Одновременно обычно измеряют tg б или активную проводимость образца х в эквивалентной схеме. Тогда приходится по величине х находить расчетом tg б. В некоторых случаях измерения дают емкость С ос в эквивалентной последовательной схеме в этом случае вначале находят расчетом С , а затем по Сх вычисляют е. При испытаниях используют измерительные ячейки контактной системы, содержащие три электрода измерительный, высоковольтный и охранный (кольцевой). Измерительные установки должны удовлетворять следующим требованиям. Напряжение на образце должно иметь синусоидальную фэрму кривой частоты 50 Гц с коэффициентом амплитуды 1,34—1,48. Напряжение должно составлять 1 ООО В, если стандартом на материале не предусматривается другое измерительное напряжение. Огрезок времени до окончания измерений должён быть не более 3 мин после включения образца под напряжение. Допустимые погрешности измерения не должны превышать значений для емкости АС в пределах (0,01С, -Ь 1) пФ для тангенса угла потерь Д tg б в пределах (0,05 tg б + 2-10 ) Определение 8 и tg б производится при частоте 50 Гц согласно ГОСТ 6433.4-71. [c.506]

Расчет е по измеренной емкости Сх образца в эквивалентной параллельной схеме должен учитывать краевую емкость, которая зависит от толщин электродов а и образца а также от зазора между измерительным и охранным элек- [c.511]

Следовательно, динамическая полная проводимость Ут> очевидно, может быть выражена с помощью аквивалентиой схемы с последовательным соединением Я, Ь и С, как это показано на рис. 4-5-2,а. Таким образом, эквивалентная схема—схема с параллельными проводимостями УII и Угловая частота при резонансе [c.269]

При испытаниях конденсатора или образца диэлектрика малой емкости (до 400 пф) он включается параллельно конденсатору переменной емкости. На схеме фиг. 21-31 контур с Сх к Ях, представляющий собой эквивалентную параллельную схему образца с потерями, должен быть подключен к измерительному контуру. Соединитель ные провода должны быть короткими жесткими и емкость их должна учитываться при измерениях. В контур включают одяу из образцовых катушек индуктивности с вы сокой добротностью (О = 200), входящих в комплект прибора. Индуктивность 1.) должна быть такой, чтобы можно было получить резонанс на требуемой частоте. Не присоединяя образца или испытываемого конденсатора к прибору, изменением С добиваются резонанса при частоте / отсчитывают С] и Сь Присоединив объект испытаний, вторично настраивают контур в резона вс изменением С при прежней частоте, причем ваписывают новые показания Сг и Сг. Если емкости С( и С измеряются в пикофарадах, а чистота — в килогерцах, то искомые величины находятся следующим образом (для эквивалентной параллельной схемы) [c.38]

А теперь создайте в редакторе S HEMATI S схему эквивалентного по значению источника тока с параллельным сопротивлением R = 1 кОм и током истока 1 = 10 мА. Используйте при проектировании этой схемы источник тока типа ЮС из библиотеки SOUR E.slb. Разверните источник тока на 180° (при позиционировании дважды нажмите комбинацию клавиш trl-1-R), чтобы ток мог проходить через резистор нагрузки R сверху вниз (рис. 7.10). Сохраните схему [c.132]

Выражения (2) и (4) соответствуют эквивалентным схемам с последовательным включением емкости, а выражения (3) и (5) — схемам с параллельным включением (рис. 1, а, б). Через обозначена внешняя механ ческая нагрузка [c.35]

Составление эквивалентных схем для механических систем начинается с выбора системы координат, начало О которой должно быть связано с инерциальной системой отсчета. Далее формируются п эквивалентных схем, где п — число степеней свободы, В общем случае возможны три эквивалентные схемы, соответствующие поступательным движениям вдоль координатных осей, и три эквивалентные схемы, соответствз ющие вращательным движениям вокруг осей, параллельных координатным осям. Рассмотрим правила составления эквивалентных схем на примере одной из эквивалентных схем для поступательного движения 1) для каждого тела Ai с учитываемой массой i в эквивалентной схеме выделяется узел i и между узлом i и узлом О включается двухполюсник массы С< 2) трение между контакти-руемыми телами Ар и Л, отражается двухполюсником механического сопротивления, включаемым между узлами р и q 3) пружина, соединяющая тела Ар и Ад, а также другие упругие взаимодействия контактируемых тел Ар и Ад отражаются двухполюсником гибкости (жесткости), включаемым между узлами р н q. [c.170]

Рассмотрим метод получения голографической топо-граммы объекта, носящий название метода двух источников. При ЭТОМ методе производится регистрация двухэкспозиционной голографической интерферограммы объекта по обычной схеме Лейта. За время между экспозициями освещающий пучок с плоским волновым фронтом поворачивают зеркалом на угол а, что фактически эквивалентно изменению положения источника освещения (рис. 42, а). Голографическая интерферограмма будет восстанавливать два изображения объекта, которые интерферируют между собой и вследствие наличия разности фаз на изображении возникнут интерференционные полосы, характер которых определяется формой поверхности объекта, а также углами между биссектрисой угла а и направлением наблюдения интерферограммы Я. Возникновение интерференционных полос можно объяснить еще и тем, что при повороте освещающего пучка в области их перекрытия возникает система интерференционных плоскостей А, которые пересекают изображение предмета параллельно биссектрисе угла а. [c.104]

Образец материала с потерями представляют в виде эквивалентной последовательной или параллельной схемы (рис. 3-1). Очевидно, что независимо от выбора эквивалентной схемы (схемы замещения) ряд параметров, характеризующих ее, должен остаться неизменным. К ним относятся сдвиг фазы ср между током / в нераз-ветвленной части цепи и падением напряжения / во всей цепи, [c.48]

Более крупные печи, емкостью до нескольких сотен килограммов (а для стали — до нескольких тонн), работают на средних частотах 150—10 000 Гц с питанием от машинных или статических преобразователей частоты. Индукторы печей, питающихся от машинных генераторов, в большинстве случаев имеют автотрансформаторную схему включения (рис. 14-20, б) с двумя-тремя отводами. Отводы позволяют изменять напряжение на индукторе, поднимая его выше напряжения источника (но не выше номинального напряжения конденсаторов, подключенных параллельно индуктору, по избежание выхода их из строя). Переключением витков индуктора обеспечивается согласование нагрузки с генератором при изменяющихся но ходу нагрева эквивалентных электрических параметрах иечн. [c.249]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...