Фотодиод лавинный

В последнее время появились новые типы фотодиодов лавинные, чувствительность которых в несколько сотен раз выше, чем у обычных, и фотодиоды на основе барьеров Шоттки (для ультрафиолетовой области спектра) и гетеропереходов, применение которых в приборах для анализа [c.205]

Фотодиод лавинный с розеткой оптического соединителя [c.1457]

Эквивалентная мощность шума для ргп-диодов определяется, главным образом, шумовыми характеристиками последующего усилительного тракта. Эквивалентная мощность шума для лавинного фотодиода также в значительной степени зависит от уровня шума внешнего усилителя, но благодаря внутреннему усилению она оказывается в 10...20 раз меньше, чем для рт-диода. [c.182]

Кремниевый лавинный фотодиод [c.183]

Вместе с тем лавинным фотодиодам присущи такие недостатки, как малая площадь чувствительной площадки, сравнительно большое время восстановления, а также необходимость очень точной стабилизации питающего напряжения и температуры фотодиода. [c.183]

Следовательно, обобщенный квантовый выход лавинного фотодиода имеет значение [c.108]

Детектор выполняет противоположную функцию по сравнению с источником он преобразует оптическую энергию в электрическую и является оптоэлектронным преобразователем. Существуют разнообразные детекторы. Наиболее известный тип детектора — фотодиод, вырабатывающий ток при попадании на него света. В волоконной оптике достаточно интенсивно используются два вида фотодиодов рт-типа и лавинный. В данной главе будут описаны фотодиодные детекторы и их характеристики с точки зрения применения в волоконной оптике. [c.115]

Другие устройства — pin- и лавинный фотодиоды — были разработаны с учетом недостатков рп фотодиода. [c.116]

Наиболее распространенными видами детекторов, используемых в волоконной оптике, являются pin-фотодиоды и лавинные фотодиоды. [c.131]

Назовите две причины большего распространения фотодиодов pin-типа по сравнению с лавинными. [c.132]

Коэффициент умножения фототока лавинного фотодиода Мф, отн. ед. [c.21]

Фотодиод ЛФД-2 предназначен для работ в лавинном режиме. Выпускается в металлокерамическом корпусе, имеющем входное стеклянное окно. Масса фотодиода не более 2 г. [c.68]

На практике без особых трудностей можно реализовать модуляцию светодиодов частотами до 100 МГц, а полупроводниковых лазеров — вплоть до 1 ГГц. Имеющиеся в настоящее время полупроводниковые р4-п и лавинные фотодиоды способны детектировать оптические сигналы с частотой модуляции свыше 1 ГГц. Однако использование самых высоких указанных частот требует разработки совершенно нового весьма сложного усилителя для приемника. [c.29]

Формула Селмейера 29 Фотодиод лавинный 134 Фотоприемник 127, 132 Фототок 130 Фториды 66 [c.239]

Постоянная времени приемника является одной из важнейших характеристик она определяет верхнюю границу частоты модуляции излучения. Из всех типов приемников наименьшей постоянной временп обладают фотодиоды (лавинные фотодиоды, p-i-n фотодиоды). [c.279]

Приём сигналов в видимой области спектра X = 0,4—0,7 мкм) обычно осуществляют фотоэлектронными умножителями, использование их в области X > 0,9 мкм нецелесообразно из-за резкого уменьшения квантовой эффективности фотокатода < %). В диапазоне 0,9—3 мкм применяются кремниевые фотодиоды pin-диоды, лавинные фотодиоды, МОП-диоды (см. Полевой транзистор) с квантовой эффективностью, достигающей 10%. Создание систем О. л. в диапазоне 10 мкм в значит, степени связано с разработкой высо-кочувствит. и быстродействующих фотодиодов на основе тройных соединений (Hg dTe), работающих при охлаждении жидким азотом (77 К). [c.433]

На основе германия выпускаются выпрямительные плоскостные диоды на прямые токи от 0,3 до 1000 А при падении напряжения не более 0,5 В лавинно-пролетные и туннельные диоды, варикапы, точечные высокочастотные, импульсные и СВЧ-диоды и сплавные биполярные транзисторы. Германий применяют для изготовления датчиков Холла и других магниточувствительных приборов, фототранзисторов и фотодиодов, оптических линз с большой светосилой (для инфракрасных лучей), оптических фильтров, модуляторов света и корютких радиоволн, а также счетчиков ядерных частиц. [c.336]

Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра. Данные, представленные на рис. 4.18, говорят о том, что использовать ФЭУ в области длин волн, больших 0,9 мкм, нецелесообразно из-за резкого уменьшения квантовой эффективности фотокатода. В диапазоне 0,9...3 мкм наибольшее применение находят твердотельные фотодиоды кремниевые р/ -диоды, МОП-диоды, лавинные фотодиоды, а также фотодиоды на основе тройных соединений. На рис. 4.19 представлена спектральная зависимость квантовой чувствительности указанных типов фотодиодов [80]. Принцип действия фотодиодов основан на генерации свободных носителей заряда в обратносмещенно i рп-переходе [19]. Основные характеристики существующих фотодиодов представлены в табл. 4.8 [80]. Их сравнение показывает, что одновременно наибольшей чувствительностью и быстродействием в спектральной области 0,6...1,2 мкм обладают лавинные фотодетекторы, представляющие собой твердотельный аналог ФЭУ. Высокая чувствительность лавинных фотодиодов объясняется наличие м внутреннего усиления вследствие лавинообразного размножения свободных носителей в обедненной зоне рп-перехода под действием электрического поля высокой напряженности. По сравнению с ФЭУ прикладываемое к лавинному фотодиоду напряжение обратного смещения не велико (порядка 100 В), однако малые размеры обедненной зоны создают высокие напряженности электрического поля, обеспечивающие внутреннее усиление порядка 10 и более. [c.182]

Излучение, отраженное от поверхности зеглли, попадало на сканер приемника 10 и далее с помощью двух сегментов параболического первлчного зеркала 8 и призмы И направлялось через выходное окно приемника 12 и зеркало 13 на с отодетектор 16. В качестве фотодетектора был применен лавинный фотодиод, чувствительный к излучению ближнего инфракрасного и видимого диапазонов длин волн. [c.252]

Рис. 3.19. Схема экспериментальной установки для переключения с помощью импульсов лазера на красителе с синхронной накачкой (по [3.29]), см. гл. 6. 1 — ВЧ-генератор 2 — акустооптический синхронизатор мод 3 — Кг+-лазер 4 —лазер на красителе 5 — стробирующая головка 5 —фотодиод 7 —оптоэлектронный ключ 8 — блок питания 9 — стробоскопический осциллограф. К волноводной структуре прикладывалось постоянное напряжение порядка 100 В. Индуцированный в щели электрический сигнал подавался с помощью короткого коаксиального кабеля на вход В стробоскопической головки (HP 1430 С) с временем нарастания 20 пс. Для управления стробоскопической головкой на его вход А поступал сигцал с лавинного фотодиода, возникавший под действием ответвленной части излучения лазера накачки (криптоновый лазер), также работавшего в режиме синхронизации мод с частотой следования импульсов 76 МГц. Импульсы излучения лазера на красителе (пиковая мощность 100—500 Вт, длительность — 5—10 пс, частота следования 76 МГц) фокусировались линзой (/=40 мм) на активную поверхность детектора (0,45x0,03 мм ). В этом устройстве оптоэлектронный ключ может быть использован и как быстродействующий фотоприемник. Его чувствительность имеет порядок 1 мВ на 1 мВт средней мощности излучения лазера.

Рис. 6.1. Экспериментальная установка, на которой были реализованы поляризационные преобразования бифотонного поля [230, 231] Не-С(1 — гелий-кадмиевый лазер непрерывного излучения на длине волны 325 нм Ь110з — нелинейный кристалл йодата лития, в котором происходило спонтанное параметрическое рассеяние (СПР) СД1 и СД2 — поляризационные светоделители Фл и 1Фл — фильтры 3 — зеркало Л/2П — полуволновая пластинка Ф — фазовая пластинка Д1 и Д2 — лавинные фотодиоды СС — схема совпадений фотоотсчетов. Блок И служит для измерения величин С1 и сз

У рассматриваемых детекторов в качестве фотоприемников используют ФЭУ, кремниевые фотодиоды (по-верхносто-барьерные, диффузионные, лавинные и др.), фототранзисторы и т.п. [c.108]

ДЛЯ дальнейшей обработки при меньших скоростях. В системе, предложенной в [3], эти функции осуш,ествлялись с помощью лавинных фотодиодов, подсоединенных к быстродействующим биполярным компараторам и последовательно-параллельному преобразователю. При скоростях более 1 ГВ/с эти элементы схемы потребуется заменить на более быстродействующие, и здесь технология GaAs могла бы поднять существующий потолок быстродействия. Матричные ПЗС-детекторы на арсениде галлия могли бы обеспечить детектирование, а их выходные сигналы — усиливаться и подаваться в компараторы, изготовленные на монолитной GaAs-подложке. Демультиплексирование могло бы быть выполнено преобразователем последовательного кода в параллельный на ПЗС илн быстродействующих полевых транзисторах. [c.80]

Частота появления ошибок, по-видимому, является наиболее легко определяемым параметром, поскольку стандартом для волоконно-оптических систем является одна ошибка на миллиард битов. Чтобы достичь этой частоты появления ошибок при скорости передачи данных в один Гбит/с при условии использования высококачественных лавинных фотодиодов, требуются минимальные мощности сигналов (60 нВт). При частоте появления ошибок в 1 Гбит/с этот уровень мощности дает в среднем 300 фотонов на бит (в предположении, что число битов во включенном состоянии равно числу битов в выключенном состоянии). Если произведение коэффициентов объединения по входу и разветвления по выходу составляет 100 миллионов (каждый из коэффициентов составляет около 10 000), то требуется средняя мощность излучателя, равная 6 Вт. В соответствии с указанной выше теоремой снижение необходимой мощности может быть получено при выборе диаметра тонкого волокна менее диаметра активной области фотодетектора. Для волокна с диаметром 75 мкм типичное отношение площадей волокна и фотодетектора может составлять /4, так что принципиально можно достичь снижения средней мощности излучателя до 1 Вт. На практике потери за счет состыковки волокна и неоднородности распределения световой мощности могут потребовать использования несколько больших мощностей излучателя, но влияние этих факторов может быть уменьшено путем соответствующего увеличения величины апертуры передачи света от излучателя до фотодетектора. Так как мощность излучателя в 1 Вт представляет собой практический предел для приемлемых видов излучателей, то теоретически максимальное значение произведения коэффициентов объединения по входу и разветвления по выходу составляет 100 000 000. С точки зрения возможных конструкций ОПЛМ теоретически возможно использование максимум 10000 излучателей, 10 000 фотодетекторов и 100 000 000 межэлементных соединений. [c.247]

Фотодиодные структуры являются входными элементами приемников с усилением лавинных фотодиодов (ЛФД), фототранзисторов биполярных, канальных МДП, фототеристоров и пр. Разнообразие материалов, топологий приемников, принципов формирования диодных характеристик р-п, p-i-n-, МДП-, МПМ-структур позволяет решать различные функциональные задачи на уровне фотоэлектрического преобразования. [c.128]

Типовые структуры полупроводниковых фотоприемников а — р-п-ФД б — ФД Шоттки в — М-.П-М-фоторезистор г — моду ляционно-легированный канальный фоторезистор д — ге-терофототранзистор е, ж — планарный и меза-лавинный фотодиоды 3 — Р-1-П-ФД эк — электрический контакт Б — база [c.131]

Для лавинных фотодиодов типичное значение чувствительности составляет 75 А/Вт. При этом та же оптическая мощность 50 мкВт производит ток силой в 3.75 мА. [c.125]

Фотодиоды работают при напряжении от 5 В в р1п-диодах до нескольких сотен вольт в лавинньк диодах. Приложенное напряжение оказывает существенное влияние на работу диода, поскольку теневой ток, чувствительность и время реакции возрастают при увеличении напряжения. В лавинньк диодах обычно используется напряжение, соответствующее порогу лавинного процесса, что обеспечивает быстрое время реакции. [c.128]

Л—лавинный фотодиод или линейные ФПУ с разделенными каналами и коммутируемые, а также ФППЗ [c.8]

Лавинные фотодиоды обладают свойством внутреннего усиления фототока, протекающего через освещенный р-п переход. Механизм их работы основан на использовании лавинообразного нарастания числа носителей заряда, образующихся вследствие ударной ионизации в р-п переходе, ширина которого больше длины свободного пробега неосновных носителей заряда. Необходимая энергия для возбуждения валентных электроиов неосновны.ми носителями, втягиваемыми в область р-п перехода, придается путем создания в ней соответствующей напряженности электрического поля. [c.9]

Линейная зона координатной характеристики координатного фотодиода 2Лх, мм Статическая крутизна координатной характеристики координатного фотодиода 5стат, В/(ММ-Вт) Коэффициент умножения темнового тока лавинно -о фотодиода Мт, отн. ед. [c.21]

Отношение темнового тока лавинного фотодиода к его первично.му темповому току—к темновому току, который протекает в лавинном фотодиоде при отсутствии в нем эффекта лавинного умножения при том же рабочем напряжении и отсутствии засветки [c.21]

Отношение фототока лавинного фотодиода к его первичному фототоку, который протекает в лавинном фотодиоде при отсутствии в нем эффекта лавинного умножения при том же рабоче.м напряжении и интечспвности засве1ки Отношение фототока коллектора фототранзистора при отключенной базе к фототоку освещаемого перехода, измеренному в диодном режиме Площадь фоточувствительного элемента эквивалентного по фотосигналу приемника излучения, чувствительность которого равномерно распределена по фоточувствительному элементу н равна максимальному значению локальной чувствительности данного приемника излучения [c.21]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...