Селенид галлия

Вследствие малых размеров резонатора и неоднородности р—/г-перехода угловая расходимость излучения полупроводникового лазера значительно больше, чем твердотельных и газовых лазеров, и достигает в горизонтальной плоскости 1—2°, а в вертикальной еще больше — 5—10°. Коэффициент полезного действия полупроводникового лазера на основе арсенида галлия 1—4%. Длина волны излучения полупроводниковых лазеров меняется в широких пределах в зависимости от состава полупроводника, перекрывая всю видимую часть спектра. Так, лазеры, в которых рабочим телом является сульфид цинка (ZnS), излучают в ультрафиолетовой части спектра (Я, = 0,33 мкм), селенид [ d (S + Se) ] — имеют зеленый цвет излучения X = 0,5-н0,69 мкм), арсенид— фосфид галлия [Qa(As + Р)] — красный (Я. = 0,75-нО,9 мкм) и т. д. [c.62]

Системы III—VI. Данные по этой группе систем трудно обобщить. Теллуриды индия и галлия плавятся с небольшим изменением или вовсе без изменения удельного сопротивления и имеют отрицательные температурные коэффициенты удельного сопротивления в твердом и жидком состояниях их удельные сопротивления в жидком состоянии высоки. Так же ведут себя теллуриды и селениды таллия, удельное сопротивление которых в жидком состоянии лежит между 3-10 и 10 мком-см. Сульфиды в жидком состоянии имеют такое же или более высокое удельное сопротивление. Эти жидкости, сходные с некоторыми другими сульфидами, явно ведут себя в жидком состоянии как собственные полупроводники и вырождаются, как только со- [c.133]

Технические полупроводники могут быть разбиты на четыре группы 1) кристаллы с атомной решеткой (углерод-графит, кремний, германий) и с молекулярной решеткой (селен, теллур, сурьма, мышьяк, фосфор) 2) различные окислы меди, цинка, кадмия,титана, молибдена, вольфрама, никеля и др. 3) сульфиды (сернистые соединения), селениды (соединения с селеном), теллуриды (соединения с теллуром) свинца, меди, кадмия и др. 4) химические соединения некоторых элементов третьей группы периодической таблицы элементов (алюминий, галлий, индий) с элементами пятой группы (фосфор, сурьма, мышьяк) и некоторые соединения элементов пятой группы (сурьма) и второй группы (магний, цинк и др.). [c.282]

Селениды полуметаллов. Довольно хорошо изучены электрофизические и физические свойства селенидов подгруппы галлия, германия я мышьяка. Эти свойства подробно описаны в монографии 3. С. Медведевой [33] и Н. X. Абрикосова [18], поэтому здесь мы рассмотрим только общие закономерности свойств. [c.36]

Таким образом, в водных растворах можно получить селениды щелочных металлов меди, серебра, цинка, кадмия, ртути, галлия, индия, таллия, германия, олова, свинца, молибдена, вольфрама, рения, железа, кобальта, никеля. Чистые соединения этим методом получить невозможно кроме того, в большинстве случаев получаемые осадки селенидов очень слабо фильтруются, часто проходят сквозь фильтры, образуют коллоидные растворы, трудно промываются от остатков солей электролитов. [c.76]

Твердотельные (АИГ К(1)-технологичес-кие лазеры имеют более короткую длину волны излучения (1,06 мкм) в отличие от СОг-ла-зера (10,6 мкм). Это дает возможность применять для фокусировки линзы из простого оптического стекла, в то время как для СОг-лазера требуются линзы из таких дефицитных материалов, как арсенид галлия, германий, селенид цинка и др. [c.439]

С помощью указанного комплекса аппаратуры изучены карбиды титана, циркония, гафния, ванадия, ниобия, тантала, хрома,бора бориды лантана, церия, празеодима, неодима, самария, гадолиния, иттербия, титана, циркония, ниобия, тантала, железа сульфиды лантана, церия, празеодима, неодима, самария, европия, гадолиния, иттербия, гафния, тантала, хрома, молибдена, вольфрама нитриды индия, скандия, лантана, самария, титана, циркония, гафния, ниобия, бора, алюминия, германия, галлия, кремния, фосфора селениды лантана, празеодима, неодима, самария, европия силициды хрома, лантана фосфиды празеодима и неодима. [c.141]

Для генерации разностных частот в ИК-области спектра используются кристаллы селенида галлия, тиогаллата серебра, германофосфида цинка и т. п. [c.185]

Серьезными недостатками структуры являются необходимость глубокого охлаждения полупроводника (около 90 К) и связанное с иим вакуумирование, недостаточно высокий оптический контраст, узкий спектральный диапазон чувствительности и трудность подбора рабочей пары — источника излучения и соответствующей линии экситонного поглощения. Заметим, что последний недостаток частично может быть ослаблен при использовании полупроводниковых иижекционных лазеров и близких к ним по составу полупроводниковых пластин, например на основе тройного соединения GaAiAs. Кроме того, некоторые полупроводники, например селенид галлия, имеют интенсивные линии экситонного поглощения при комнатной температуре. [c.205]

Ga Sej является соединением переменяого состава, растворимость Se в нем 0,2% (ат.). Граница области растворимости Ga лежит при 40,24—40,59% (ат.) Ga [105] или 40,56—40,66% (ат.) Ga [106]. В интервале 39,6—39,8% (ат.) Ga обнаружены [105] новые Р- и 7-фазы на основе селенида галлия. [c.142]

Теплота и изобарный потенциал образования селенидов галлия. Для стандартной теплоты образования GagS g в разных работах получены следующие величины АЯ°/298 = —105 000 108 900 [115, 116], —110 ООО 5000 [112] — из теплоты сгорания и —88 100 3100 кал/моль [117] — калориметрически при синтезе из элементов. На основании этих работ в справочнике Медведева [49] рекомендуются следующие величины для GaSe [c.278]

Контакты этого типа представляют собой своеобразную пару трения, в которой контактирующие элементы скользят друг по другу не нарушая их электрической связи. Поэтому наряду с указанными выше требованиями контактный материал должен обладать также комплексом антифрикционных свойств применительно к условиям сухого трения. Контактная пара должна состоять из разнородных материалов, так как в случае одинаковых материалов будет происходить схватывание труш,ихся поверхностей даже в обычных условиях эксплуатации, не говоря уже о работе в вакууме. Желательно, чтобы контртело (токонесущий элемент) было более твердым (примерно в 1,3-2 раза), чем подвижный контакт (токоснимающий элемент) тогда возрастает срок службы контактной пары, а заменить токосъемник обычно более просто, чем другие элементы электрической цепи. Требуемого соотношения твердостей достигают добавлением к соответствующему контактному материалу твердых смазок (дисульфида молибдена, сульфида цинка, селенидов некоторых редких металлов, фтористого кальция, графита и др.) или легкоплавких металлов (например, галлия), становящихся жидкими при работе контактной пары. Участки твердых смазок выполняют антифрикционные функции, а металлическая основа с малым электросопротивлением обеспечивает основную электрическую связь в сопряженном контактном узле при наличии в материале легкоплавкого металла, участвующего вместе с основой в электропередаче, износ уменьшается благодаря замене сухого трения жидкостным при расплавлении этой добавки. В процессе эксплуатации при перемещении контактных поверхностей относительно друг друга изменяется как действительная физическая поверхность контакта (срабатывание трущихся поверхностей идет неравномерно), так и действительная поверхность электрического контакта (в электроперб даче участвует не вся поверхность контакта из-за шероховатости и наличия на ней непроводящих или малопроводящих фаз). [c.196]

Различают полупроводники элементарные и соединения. К элементарным относятся следующие элементы таблицы Менделеева углерод (алмаз), кремний, германий, олово, фосфор, мышьяк, сурьма, висмут, сера, селен, теллур, йод. Полупроводниковые соединения сульфиды цинка, германия, олова, кадмия, ртути, сзинца селениды цинка, германия, олова, кадмия, ртути, свинца теллуриды цинка, германия, олова, кадмия, ртути, свинца арсенид и фосфит галлия карбид кремния и др. Имеются также аморфные (стеклообразные), органические и магнитные полупроводники, свойства которых пока недостаточно изучены. [c.335]

Предложенный метод отличается от известного тем, что перед нанесением карбидообразующего элемента поверхность обрабатывают жидким галлием, используя в качестве карбидообразующего элемента сульфиды или селениды тугоплавких металлов, которые перед цементацией восстанавливают в атмосфере водорода при температуре 850—1100° С. Практически это осуществляется следующим образом. Рабочую поверхность стальных деталей подвергают декапированию, после чего нагревают до 40—60° С и обрабатывают жидким галлием. Затем поверхность натирают порошком дисульфида или диселенида тугоплавкого металла и термообрабатывают в ат.мосфере водо- [c.128]

Соединения селена и теллура с индием, галлием, мышьяком, сурьмой и фосфором применяют в электронике для получения новых полупроводниковых материалов, работающих при более высоких температурах, чем кремний и германий [437]. Халькогениды (селениды и теллуриды) индия, являясь полупроводниками, могут применяться в качестве фотопроводников, термистеров и резистеров [438, 439]. Они служат для определения температуры и силы света в виде полупроводниковых радиодеталей применяются в различных радиосхемах [4 40]. [c.274]

Как уже указывалось в 1, ряд промежуточных фаз, образованных металлами второй и третьей групп периодической системы элементов Д, И, Менделеева с элементами шестой и пятой групп, обладает полупроводниковыми свойствами. Все эти соединения имеют общую формулу АВ и существуют в очень узком интервале концентраций, описываемом этой формулой. Такие соединения обладают либо кубической решеткой типа алмаза, либо гексагональной решеткой. При этом атомы металла расположены таким образом, что их ближайшими соседями являются атомы металлоида. Примером соединений с алмазной решеткой могут служить арсениды и фосфиды галлия и индия ОаАз, ОаР, 1пАз, 1пР. Сульфиды и селениды кадмия и ртути — Сс15е, С(15, Н 5е— обладают гексагональной решеткой. [c.81]

Другим путем повышения удельной мощности батарей является применение тонкопленочных поликристаллических ФП, позволяющих снизить удельную массу СБ на порядок и больше. Тонкопленочные ФП представляют собой основу из молибденовой или алюминиевой фольги толщиной 25 мк, на которую нанесена пленка фотоактивного полупроводникового материала толщиной 18 мк. Тонкая металлическая сетка, образованная методом напыления, является токоотводом от верхнего слоя. На нее сверху наложено защитное покрытие из пластика толщиной в несколько ангстрем. В качестве фотоактивного материала для тонкопленочных поликристаллов ФП применяются сульфиды, теллуриды и селениды кремния, арсенида и фосфориды галлия и другие материалы. [c.226]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...